Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (144163) > Сторінка 2102 з 2403

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1920 2097 2098 2099 2100 2101 2102 2103 2104 2105 2106 2107 2160 2400 2403  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
KST3904LGEMTF KST3904LGEMTF ONSEMI FAIRS20959-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST3904LGEMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 236800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST13MTF ONSEMI FAIRS20088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST13MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST56MTF ONSEMI FAIRS20941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST56MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST55MTF ONSEMI FAIRS20941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST55MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST5179MTF KST5179MTF ONSEMI FAIRS20942-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST5179MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 47564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST2907A-MTF ONSEMI ONSM-S-A0003589215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST2907A-MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 355373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST4126MTF KST4126MTF ONSEMI FAIRS20953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST4126MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST14MTF KST14MTF ONSEMI FAIRS20088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KST14MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4855NST1G ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - STMFS4855NST1G - NFET SO8FL 25V SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
697+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST1G ONSEMI Description: ONSEMI - STMFS4834NST1G - NFET SO8FL 30V SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4962NFT1G ONSEMI Description: ONSEMI - NTMFS4962NFT1G - MOSFET N-CH 30V SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - STMFS4834NST - NFET SO8FL SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NFAP0560L3TT NFAP0560L3TT ONSEMI 3213435.pdf Description: ONSEMI - NFAP0560L3TT - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 5 A, 2 kV, SIP 29, SIP
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SIP
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SIP 29
Produktpalette: SIPK Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60F ONSEMI ONSM-S-A0013297725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FSBB30CH60F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPMEA-027, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMEA-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+1809.87 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF FGP10N60UNDF ONSEMI ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fgp10n60undf-d.pdf Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 20 A, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+70.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPAM50LH60G ONSEMI Description: ONSEMI - FPAM50LH60G - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2.5 kV, S32EA-032, SPM2
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM2
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: S32EA-032
Produktpalette: PFC SPM 2 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+2625.59 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DTT1 ONSEMI ONSMS13467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74VHC1G132DTT1 - MC74VHC1G132DTT1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SV04XV5T2 NL17SV04XV5T2 ONSEMI ONSMS08933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NL17SV04XV5T2 - NL17SV04XV5T2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G ONSEMI ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPS9001 ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - SPS9001 - SPS9001 - SS T092 GP XSTR PNP SPCL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 FDMS8680 ONSEMI fdms8680-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+409.50 грн
50+262.31 грн
100+196.53 грн
500+174.86 грн
1500+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ ONSEMI FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
15+55.42 грн
100+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI 2572530.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.55 грн
10+286.16 грн
100+219.55 грн
500+184.78 грн
1000+154.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI fdms86104-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.81 грн
50+106.90 грн
100+92.10 грн
500+83.23 грн
1500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7678 FDMS7678 ONSEMI fdms7678-d.pdf Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.74 грн
14+61.51 грн
100+42.68 грн
500+31.08 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC FDMS86101DC ONSEMI 2552627.pdf Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+196.53 грн
500+174.86 грн
1500+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 ONSEMI ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.04 грн
5+532.03 грн
10+421.02 грн
50+359.64 грн
100+267.83 грн
250+262.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 FDMS3572 ONSEMI 2304725.pdf Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+216.26 грн
10+143.90 грн
100+111.83 грн
500+86.28 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+251.62 грн
10+203.11 грн
100+168.57 грн
500+139.73 грн
1000+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.64 грн
10+131.57 грн
100+90.45 грн
500+69.64 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ONSEMI 2859353.pdf Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC FDMS86500DC ONSEMI 2572534.pdf Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+165.28 грн
500+146.60 грн
1500+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+357.70 грн
50+253.27 грн
100+170.22 грн
500+150.42 грн
1500+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C FDMS4D0N12C ONSEMI 2619968.pdf Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+269.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 FDMS86180 ONSEMI 2304431.pdf Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+556.69 грн
50+373.32 грн
100+286.98 грн
500+242.81 грн
1500+217.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 FDMS86255 ONSEMI 3974159.pdf Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+168.57 грн
500+139.73 грн
1000+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L FDMS86252L ONSEMI 2572531.pdf Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.45 грн
500+69.64 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 FDMS86104 ONSEMI 2304630.pdf Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.10 грн
500+83.23 грн
1500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+139.79 грн
10+101.96 грн
100+65.62 грн
500+54.75 грн
1000+47.72 грн
5000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC FDMS86200DC ONSEMI 2572530.pdf Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+219.55 грн
500+184.78 грн
1000+154.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 FDMS86150 ONSEMI 2572529.pdf Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+170.22 грн
500+150.42 грн
1500+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+399.64 грн
100+323.16 грн
500+266.48 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 FDMS86255ET150 ONSEMI ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+546.00 грн
10+399.64 грн
100+323.16 грн
500+266.48 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 FDMS86550ET60 ONSEMI ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+421.02 грн
50+359.64 грн
100+267.83 грн
250+262.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 FDMS86183 ONSEMI 2303919.pdf Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.62 грн
500+54.75 грн
1000+47.72 грн
5000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 FDMS86152 ONSEMI 2859353.pdf Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z FDMS6681Z ONSEMI ONSM-S-A0013670076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 36872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.04 грн
10+157.88 грн
100+116.77 грн
500+90.86 грн
1000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616S FDMS3616S ONSEMI FAIRS30082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSD ONSEMI ONSM-S-A0013669896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDC FDMS3006SDC ONSEMI ONSM-S-A0003590349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S FDMS8570S ONSEMI ONSM-S-A0003584935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDC FDMS3008SDC ONSEMI ONSM-S-A0003590947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S FDMS9600S ONSEMI 2859354.pdf Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.82 грн
10+129.92 грн
100+100.32 грн
500+77.12 грн
1000+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085 FDMS86381-F085 ONSEMI 2298425.pdf Description: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L FDMS8350L ONSEMI 2572528.pdf Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L FDMS8350L ONSEMI 2572528.pdf Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686S FDMS3686S ONSEMI ONSM-S-A0003585303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 225267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S ONSEMI ONSM-S-A0003585470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025AS ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST3904LGEMTF FAIRS20959-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KST3904LGEMTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST3904LGEMTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 236800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6411+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST13MTF FAIRS20088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST13MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST56MTF FAIRS20941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST56MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST55MTF FAIRS20941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST55MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 44417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST5179MTF FAIRS20942-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KST5179MTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST5179MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 47564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13889+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST2907A-MTF ONSM-S-A0003589215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST2907A-MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 355373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13889+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST4126MTF FAIRS20953-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KST4126MTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST4126MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 89487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13889+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 13889 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KST14MTF FAIRS20088-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KST14MTF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KST14MTF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4855NST1G nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STMFS4855NST1G - NFET SO8FL 25V SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
697+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 697 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STMFS4834NST1G - NFET SO8FL 30V SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
682+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4962NFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4962NFT1G - MOSFET N-CH 30V SO8FL
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
251+117.59 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STMFS4834NST nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - STMFS4834NST - NFET SO8FL SPCL TR
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NFAP0560L3TT 3213435.pdf
NFAP0560L3TT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAP0560L3TT - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 5 A, 2 kV, SIP 29, SIP
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: SIP
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 5A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SIP 29
Produktpalette: SIPK Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSBB30CH60F ONSM-S-A0013297725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSBB30CH60F - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 30 A, 2.5 kV, SPMEA-027, SPM3
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM3
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 30A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: SPMEA-027
Produktpalette: Motion SPM 3 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
60+1809.87 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FGP10N60UNDF ONSM-S-A0003586911-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fgp10n60undf-d.pdf
FGP10N60UNDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGP10N60UNDF - IGBT, 20 A, 139 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 139W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+70.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FPAM50LH60G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FPAM50LH60G - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 50 A, 2.5 kV, S32EA-032, SPM2
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: No
IPM-Baureihe: SPM2
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2.5kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 50A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: S32EA-032
Produktpalette: PFC SPM 2 Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
48+2625.59 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G132DTT1 ONSMS13467-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC1G132DTT1 - MC74VHC1G132DTT1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NL17SV04XV5T2 ONSMS08933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NL17SV04XV5T2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL17SV04XV5T2 - NL17SV04XV5T2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 35565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW33LT3G ONSMS21164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPS9001 nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPS9001 - SPS9001 - SS T092 GP XSTR PNP SPCL
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 194024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6411+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 6411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8680 fdms8680-d.pdf
FDMS8680
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.007 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC 2552627.pdf
FDMS86101DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+409.50 грн
50+262.31 грн
100+196.53 грн
500+174.86 грн
1500+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4435BZ FDMS4435BZ-D.PDF fdms4435bz-d.pdf
FDMS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 18 A, 0.015 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
15+55.42 грн
100+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC 2572530.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+381.55 грн
10+286.16 грн
100+219.55 грн
500+184.78 грн
1000+154.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 fdms86104-d.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+125.81 грн
50+106.90 грн
100+92.10 грн
500+83.23 грн
1500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS7678 fdms7678-d.pdf
FDMS7678
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+93.74 грн
14+61.51 грн
100+42.68 грн
500+31.08 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86101DC 2552627.pdf
FDMS86101DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86101DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7500 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+196.53 грн
500+174.86 грн
1500+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86550ET60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+643.04 грн
5+532.03 грн
10+421.02 грн
50+359.64 грн
100+267.83 грн
250+262.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3572 2304725.pdf
FDMS3572
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3572 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 8.8 A, 0.0165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+216.26 грн
10+143.90 грн
100+111.83 грн
500+86.28 грн
1000+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 3974159.pdf
FDMS86255
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+251.62 грн
10+203.11 грн
100+168.57 грн
500+139.73 грн
1000+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L 2572531.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+200.64 грн
10+131.57 грн
100+90.45 грн
500+69.64 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 2859353.pdf
FDMS86152
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86500DC 2572534.pdf
FDMS86500DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 108A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+165.28 грн
500+146.60 грн
1500+127.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 2572529.pdf
FDMS86150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+357.70 грн
50+253.27 грн
100+170.22 грн
500+150.42 грн
1500+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS4D0N12C 2619968.pdf
FDMS4D0N12C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS4D0N12C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 114 A, 0.004 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+269.71 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86180 2304431.pdf
FDMS86180
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86180 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 151 A, 2400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 151A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
Verlustleistung: 138W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+556.69 грн
50+373.32 грн
100+286.98 грн
500+242.81 грн
1500+217.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255 3974159.pdf
FDMS86255
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+168.57 грн
500+139.73 грн
1000+124.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86252L 2572531.pdf
FDMS86252L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 14116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+90.45 грн
500+69.64 грн
1000+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86104 2304630.pdf
FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86104 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+92.10 грн
500+83.23 грн
1500+76.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 2303919.pdf
FDMS86183
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+139.79 грн
10+101.96 грн
100+65.62 грн
500+54.75 грн
1000+47.72 грн
5000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86200DC 2572530.pdf
FDMS86200DC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+219.55 грн
500+184.78 грн
1000+154.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86150 2572529.pdf
FDMS86150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 4850 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+170.22 грн
500+150.42 грн
1500+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+399.64 грн
100+323.16 грн
500+266.48 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86255ET150 ONSM-S-A0003584845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86255ET150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86255ET150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 63 A, 0.0124 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+546.00 грн
10+399.64 грн
100+323.16 грн
500+266.48 грн
1000+212.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86550ET60 ONSM-S-A0003585097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS86550ET60
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+421.02 грн
50+359.64 грн
100+267.83 грн
250+262.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86183 2303919.pdf
FDMS86183
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86183 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 51 A, 9900 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+65.62 грн
500+54.75 грн
1000+47.72 грн
5000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86152 2859353.pdf
FDMS86152
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86152 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0052 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0052ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS6681Z ONSM-S-A0013670076-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS6681Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 36872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+245.04 грн
10+157.88 грн
100+116.77 грн
500+90.86 грн
1000+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3616S FAIRS30082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS3616S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3616S - FDMS3616S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
434+62.41 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS001N025DSD ONSM-S-A0013669896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS001N025DSD - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-263AB
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3006SDC ONSM-S-A0003590349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS3006SDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3006SDC - FDMS3006SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8570S ONSM-S-A0003584935-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS8570S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8570S - FDMS8570S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3008SDC ONSM-S-A0003590947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDMS3008SDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3008SDC - FDMS3008SDC, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+96.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS9600S 2859354.pdf
FDMS9600S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.82 грн
10+129.92 грн
100+100.32 грн
500+77.12 грн
1000+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS86381-F085 2298425.pdf
FDMS86381-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86381-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0172 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0172ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L 2572528.pdf
FDMS8350L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8350L 2572528.pdf
FDMS8350L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8350L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 290 A, 710 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 710µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS3686S ONSM-S-A0003585303-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDMS3686S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS3686S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 225267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+63.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8560S ONSM-S-A0003585470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8560S - FDMS8560S, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMS8025AS nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8025AS - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 240 480 720 960 1200 1440 1680 1920 2097 2098 2099 2100 2101 2102 2103 2104 2105 2106 2107 2160 2400 2403  [ Наступна Сторінка >> ]