Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142681) > Сторінка 2231 з 2379

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2226 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2235 2236 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PCA9654EDTR2G PCA9654EDTR2G ONSEMI ONSM-S-A0013274570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PCA9654EDTR2G - I/O-Erweiterung, 8 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 8bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O's
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+144.09 грн
500+97.72 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z NTTFS008P03P8Z ONSEMI 3005758.pdf Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.80 грн
500+64.72 грн
1000+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TN4033A ONSEMI FAIRS02620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - TN4033A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3562+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI nvbls1d7n10mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+358.60 грн
100+289.79 грн
500+217.23 грн
1000+194.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG NVBLS1D7N10MCTXG ONSEMI nvbls1d7n10mc-d.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+457.35 грн
10+358.60 грн
100+289.79 грн
500+217.23 грн
1000+194.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G MJB42CT4G ONSEMI mjb41c-d.pdf Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.67 грн
250+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NUD4001DR2G NUD4001DR2G ONSEMI ONSM-S-A0017011715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - NUD4001DR2G - LED-Treiber, linear, 3.6V bis 30Vin, 4 Ausgänge, 28Vout / 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 3.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FXLH42245MPX FXLH42245MPX ONSEMI 2572394.pdf Description: ONSEMI - FXLH42245MPX - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 8 Eingänge, 1.1V-3.6V Versorgung, 3.9ns Verzögerung, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.9ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.83 грн
14+58.20 грн
100+37.24 грн
500+32.77 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.72 грн
15+57.63 грн
100+36.83 грн
500+32.77 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 FDMC8882 ONSEMI fdmc8882-d.pdf Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.23 грн
16+52.78 грн
100+38.61 грн
500+29.92 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04L6X NC7WZ04L6X ONSEMI 2288035.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.00 грн
32+25.42 грн
100+14.17 грн
500+11.88 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.83 грн
500+32.77 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT374ADWR2G MC74HCT374ADWR2G ONSEMI ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.48 грн
30+27.85 грн
100+25.34 грн
500+23.23 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.34 грн
500+23.23 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14093BDR2G MC14093BDR2G ONSEMI MC14093B-D.PDF Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.67 грн
500+16.31 грн
1000+14.57 грн
2500+12.84 грн
5000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G NCV7719DQAR2G ONSEMI 2815762.pdf Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+220.64 грн
250+198.44 грн
500+190.81 грн
1000+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.20 грн
5+514.02 грн
10+446.02 грн
50+381.09 грн
100+300.43 грн
250+294.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+446.02 грн
50+381.09 грн
100+300.43 грн
250+294.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+476.78 грн
50+407.40 грн
100+328.88 грн
250+322.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+638.68 грн
5+557.73 грн
10+476.78 грн
50+407.40 грн
100+328.88 грн
250+322.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+80.70 грн
500+66.30 грн
1000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d1n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.74 грн
500+70.88 грн
1000+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.69 грн
500+59.61 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.75 грн
10+145.71 грн
100+108.47 грн
500+99.97 грн
1000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.85 грн
10+138.42 грн
100+110.90 грн
500+89.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+110.90 грн
500+89.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.94 грн
10+110.09 грн
100+75.69 грн
500+59.61 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG ONSEMI ntmts0d6n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.89 грн
34+24.12 грн
100+13.44 грн
500+9.17 грн
1000+5.35 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.17 грн
1000+5.35 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263BT1 ONSEMI ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.21 грн
5+441.16 грн
10+352.12 грн
50+300.66 грн
100+242.84 грн
250+237.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+352.12 грн
50+300.66 грн
100+242.84 грн
250+237.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.47 грн
14+57.88 грн
100+42.34 грн
500+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.34 грн
500+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+164.32 грн
10+123.04 грн
100+88.23 грн
500+74.41 грн
1000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.23 грн
500+74.41 грн
1000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI 4018414.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+280.08 грн
10+193.46 грн
100+140.85 грн
500+106.74 грн
1000+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.08 грн
10+106.85 грн
100+86.61 грн
500+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.64 грн
500+53.59 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI ntmfws1d5n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+138.42 грн
500+121.02 грн
1000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.42 грн
10+101.99 грн
100+71.64 грн
500+53.59 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.54 грн
5+498.64 грн
10+420.93 грн
50+369.82 грн
100+321.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+420.93 грн
50+369.82 грн
100+321.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.88 грн
13+62.90 грн
100+39.42 грн
500+30.59 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G ONSEMI 4164746.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.51 грн
10+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.42 грн
500+30.59 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP693HMN08TCG ONSEMI ONSM-S-A0013302643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP662SQ18T1G ONSEMI ONSM-S-A0013749978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C MM3Z4V3C ONSEMI 2552645.pdf Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+11.90 грн
126+6.44 грн
176+4.61 грн
500+3.47 грн
1000+3.15 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C MM3Z2V7C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C MM3Z4V3C ONSEMI 2552645.pdf Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.90 грн
126+6.44 грн
176+4.61 грн
500+3.47 грн
1000+3.15 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC MM3Z30VC ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.17 грн
125+6.48 грн
216+3.76 грн
500+3.04 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B MM3Z4V3B ONSEMI MM3Z9V1B-D.pdf Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+12.47 грн
112+7.23 грн
227+3.58 грн
500+2.96 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C MM3Z2V7C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC MM3Z30VC ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.05 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B MM3Z4V3B ONSEMI mm3z9v1b-d.pdf FAIRS29894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.22 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z7V5T1G MM3Z7V5T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.41 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PCA9654EDTR2G ONSM-S-A0013274570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PCA9654EDTR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCA9654EDTR2G - I/O-Erweiterung, 8 bit, I2C, SMBus, 1.65 V, 5.5 V, TSSOP, 16 Pin(s)
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
Anzahl der Bits: 8bit
euEccn: NLR
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 8I/O's
Anzahl der Pins: 16Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: I2C, SMBus
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.09 грн
500+97.72 грн
1000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS008P03P8Z 3005758.pdf
NTTFS008P03P8Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS008P03P8Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 96 A, 3800 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 96A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+85.80 грн
500+64.72 грн
1000+57.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
TN4033A FAIRS02620-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TN4033A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 99557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3562+8.74 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG nvbls1d7n10mc-d.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+358.60 грн
100+289.79 грн
500+217.23 грн
1000+194.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBLS1D7N10MCTXG nvbls1d7n10mc-d.pdf
NVBLS1D7N10MCTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D7N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 265 A, 1800 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 265A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 303W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+457.35 грн
10+358.60 грн
100+289.79 грн
500+217.23 грн
1000+194.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MJB42CT4G mjb41c-d.pdf
MJB42CT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJB42CT4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 65 W, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.67 грн
250+48.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NUD4001DR2G description ONSM-S-A0017011715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NUD4001DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUD4001DR2G - LED-Treiber, linear, 3.6V bis 30Vin, 4 Ausgänge, 28Vout / 500mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Eingangsspannung, min.: 3.6V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FXLH42245MPX 2572394.pdf
FXLH42245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXLH42245MPX - Spannungspegelumsetzer, bidirektional, 8 Eingänge, 1.1V-3.6V Versorgung, 3.9ns Verzögerung, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Bidirektionaler Spannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.9ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.83 грн
14+58.20 грн
100+37.24 грн
500+32.77 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.72 грн
15+57.63 грн
100+36.83 грн
500+32.77 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDMC8882 fdmc8882-d.pdf
FDMC8882
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMC8882 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0124 ohm, MLP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: MLP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.23 грн
16+52.78 грн
100+38.61 грн
500+29.92 грн
1000+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04L6X 2288035.pdf
NC7WZ04L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.00 грн
32+25.42 грн
100+14.17 грн
500+11.88 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.83 грн
500+32.77 грн
1000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT374ADWR2G ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74HCT374ADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+25.50 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+34.48 грн
30+27.85 грн
100+25.34 грн
500+23.23 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.34 грн
500+23.23 грн
1000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14093BDR2G MC14093B-D.PDF
MC14093BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.67 грн
500+16.31 грн
1000+14.57 грн
2500+12.84 грн
5000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G 2815762.pdf
NCV7719DQAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+220.64 грн
250+198.44 грн
500+190.81 грн
1000+159.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+581.20 грн
5+514.02 грн
10+446.02 грн
50+381.09 грн
100+300.43 грн
250+294.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+446.02 грн
50+381.09 грн
100+300.43 грн
250+294.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+476.78 грн
50+407.40 грн
100+328.88 грн
250+322.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+638.68 грн
5+557.73 грн
10+476.78 грн
50+407.40 грн
100+328.88 грн
250+322.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
NTTFD4D0N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.70 грн
500+66.30 грн
1000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G ntmfs1d1n04xm-d.pdf
NTMFS1D1N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.74 грн
500+70.88 грн
1000+64.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.69 грн
500+59.61 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G 4164771.pdf
NTMFS0D7N04XLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.75 грн
10+145.71 грн
100+108.47 грн
500+99.97 грн
1000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.85 грн
10+138.42 грн
100+110.90 грн
500+89.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+110.90 грн
500+89.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.94 грн
10+110.09 грн
100+75.69 грн
500+59.61 грн
1000+50.30 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG ntmts0d6n04c-d.pdf
NTMTS0D6N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+31.89 грн
34+24.12 грн
100+13.44 грн
500+9.17 грн
1000+5.35 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.17 грн
1000+5.35 грн
5000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263BT1 ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
NTBLS1D5N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+530.21 грн
5+441.16 грн
10+352.12 грн
50+300.66 грн
100+242.84 грн
250+237.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
NTBLS1D5N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+352.12 грн
50+300.66 грн
100+242.84 грн
250+237.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.47 грн
14+57.88 грн
100+42.34 грн
500+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.34 грн
500+34.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+164.32 грн
10+123.04 грн
100+88.23 грн
500+74.41 грн
1000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.23 грн
500+74.41 грн
1000+59.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G 4018414.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+280.08 грн
10+193.46 грн
100+140.85 грн
500+106.74 грн
1000+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+178.08 грн
10+106.85 грн
100+86.61 грн
500+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.64 грн
500+53.59 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G ntmfws1d5n08x-d.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+138.42 грн
500+121.02 грн
1000+90.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.42 грн
10+101.99 грн
100+71.64 грн
500+53.59 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+575.54 грн
5+498.64 грн
10+420.93 грн
50+369.82 грн
100+321.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
NTMFS3D0N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+420.93 грн
50+369.82 грн
100+321.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G ntmfs6h858nl-d.pdf
NTMFS6H858NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+74.88 грн
13+62.90 грн
100+39.42 грн
500+30.59 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1G 4164746.pdf
NTMFS2D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.51 грн
10+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G ntmfs6h858nl-d.pdf
NTMFS6H858NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.42 грн
500+30.59 грн
1000+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP693HMN08TCG ONSM-S-A0013302643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP662SQ18T1G ONSM-S-A0013749978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C 2552645.pdf
MM3Z4V3C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
69+11.90 грн
126+6.44 грн
176+4.61 грн
500+3.47 грн
1000+3.15 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 69
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z2V7C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C 2552645.pdf
MM3Z4V3C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.90 грн
126+6.44 грн
176+4.61 грн
500+3.47 грн
1000+3.15 грн
5000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z30VC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.17 грн
125+6.48 грн
216+3.76 грн
500+3.04 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B MM3Z9V1B-D.pdf
MM3Z4V3B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+12.47 грн
112+7.23 грн
227+3.58 грн
500+2.96 грн
1000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z2V7C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z30VC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.05 грн
1000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B mm3z9v1b-d.pdf FAIRS29894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MM3Z4V3B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.22 грн
1000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z7V5T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z7V5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.41 грн
1500+2.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2226 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2235 2236 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]