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MC74AC11N MC74AC11N ONSEMI ONSMS12880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74AC11N - IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
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SBAV99LT3G SBAV99LT3G ONSEMI 2353834.pdf Description: ONSEMI - SBAV99LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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SS24T3G SS24T3G ONSEMI 2354012.pdf description Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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SS24T3G SS24T3G ONSEMI 2354012.pdf description Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV68261MTWAITBG NCV68261MTWAITBG ONSEMI 3708138.pdf Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV68261MTWAITBG NCV68261MTWAITBG ONSEMI 3708138.pdf Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MUR1100EG MUR1100EG ONSEMI ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAS21HT1G BAS21HT1G ONSEMI 2236787.pdf Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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BAS21AHT1G BAS21AHT1G ONSEMI 1912202.pdf Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 32562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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MM3Z33VT1G MM3Z33VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MM3Z33VT1G MM3Z33VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NCP130BMX210TCG NCP130BMX210TCG ONSEMI ONSM-S-A0004903744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NCP130BMX210TCG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NCP136AFCT080T2G NCP136AFCT080T2G ONSEMI NCP136-D.PDF Description: ONSEMI - NCP136AFCT080T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
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ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
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NCP81174MNTXG NCP81174MNTXG ONSEMI NCP81174-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81174MNTXG - Synchroner DC/DC-Abwärtsregler (Buck), 4 Ausgänge, 1MHz, 7V bis 20V, 0°C bis 100°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 377494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NJT4030PT1G NJT4030PT1G ONSEMI njt4030p-d.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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MURA220T3G MURA220T3G ONSEMI mura215t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MURS220T3G MURS220T3G ONSEMI murs220t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBD1501A MMBD1501A ONSEMI mmbd1501-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1501A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NHP220SFT3G NHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MUR220G MUR220G ONSEMI mur220-d.pdf Description: ONSEMI - MUR220G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBD1403 MMBD1403 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1403 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBD1404 MMBD1404 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1404 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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MUR220RLG MUR220RLG ONSEMI 170021.pdf Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NRVHP220SFT3G NRVHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NRVHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NHP220SFT3G NHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NRVHP420MFDWFT1G NRVHP420MFDWFT1G ONSEMI 2620045.pdf Description: ONSEMI - NRVHP420MFDWFT1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, isoliert, 30 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: -V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
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NCP718BMT500TBG NCP718BMT500TBG ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV6323BMTAATBG NCV6323BMTAATBG ONSEMI 2354516.pdf Description: ONSEMI - NCV6323BMTAATBG - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.5V-5.5Vin, 600mV-5.5Vout, 2Aout, WDFN-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Wirkungsgrad: 96%
Schaltfrequenz: 3.3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 5.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 3MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 600mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WDFN
Qualifikation: AEC-Q100
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 2A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDMQ86530L FDMQ86530L ONSEMI fdmq86530l-d.pdf Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NVTFS5C466NLTAG NVTFS5C466NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013749940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP718BMT500TBG NCP718BMT500TBG ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG ONSEMI 2711447.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 18W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NVTFS5C670NLTAG NVTFS5C670NLTAG ONSEMI 2729232.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC ONSEMI 3191527.pdf Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG ONSEMI 2711446.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDG1024NZ FDG1024NZ ONSEMI fdg1024nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV5703CDR2G NCV5703CDR2G ONSEMI 2711401.pdf Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
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NCV5703CDR2G NCV5703CDR2G ONSEMI 2711401.pdf Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV5702DR2G NCV5702DR2G ONSEMI 2711400.pdf Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV5702DR2G NCV5702DR2G ONSEMI 2711400.pdf Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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FMS7401LEN14 FMS7401LEN14 ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LEN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 123 шт
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FMS7401LVN14 FMS7401LVN14 ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LVN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 123 шт
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FMS7401LEN FMS7401LEN ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LEN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 117 шт
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FMS7G20US60S ONSEMI FAIRS23554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7G20US60S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
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FMS7401LVN FMS7401LVN ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LVN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 145 шт
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FMS7G15US60 ONSEMI FAIRS23549-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7G15US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
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FMS6G10US60 ONSEMI FAIRS23561-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS6G10US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 22 шт
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LP2950CDT-5.0RKG LP2950CDT-5.0RKG ONSEMI 2255355.pdf description Description: ONSEMI - LP2950CDT-5.0RKG - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 30Vin, 350mV Dropout, 5V/0.1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LP2950
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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LP2950CDT-5.0RKG LP2950CDT-5.0RKG ONSEMI 2255355.pdf description Description: ONSEMI - LP2950CDT-5.0RKG - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 30Vin, 350mV Dropout, 5V/0.1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LP2950
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
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MC74AC11N ONSMS12880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74AC11N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC11N - IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
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SBAV99LT3G 2353834.pdf
SBAV99LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAV99LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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SS24T3G description 2354012.pdf
SS24T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G description 2354012.pdf
SS24T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTMFS08N004C ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C ONSM-S-A0014832369-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 155W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV68261MTWAITBG 3708138.pdf
NCV68261MTWAITBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV68261MTWAITBG 3708138.pdf
NCV68261MTWAITBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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MUR1100EG description ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUR1100EG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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BAS21HT1G 2236787.pdf
BAS21HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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BAS21AHT1G 1912202.pdf
BAS21AHT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 32562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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MM3Z33VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z33VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MM3Z33VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z33VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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MMBZ5257BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5257BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBZ5257BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5257BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NCP130BMX210TCG ONSM-S-A0004903744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NCP130BMX210TCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP130BMX210TCG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
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NCP136AFCT080T2G NCP136-D.PDF
NCP136AFCT080T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP136AFCT080T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
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ECH8690-TL-H 2371197.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 28 шт
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NCP81174MNTXG NCP81174-D.PDF
NCP81174MNTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81174MNTXG - Synchroner DC/DC-Abwärtsregler (Buck), 4 Ausgänge, 1MHz, 7V bis 20V, 0°C bis 100°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 377494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
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NJT4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJT4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NSS40300MZ4T1G ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS40300MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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MURA220T3G mura215t3-d.pdf
MURA220T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 7548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MURS220T3G murs220t3-d.pdf
MURS220T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1501A mmbd1501-d.pdf
MMBD1501A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1501A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MUR220G mur220-d.pdf
MUR220G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBD1403 mmbd1405-d.pdf
MMBD1403
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1403 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MMBD1404 mmbd1405-d.pdf
MMBD1404
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1404 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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MUR220RLG 170021.pdf
MUR220RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NRVHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NRVHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 13235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
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NHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NRVHP420MFDWFT1G 2620045.pdf
NRVHP420MFDWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVHP420MFDWFT1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, isoliert, 30 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: -V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
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NCP718BMT500TBG 2711392.pdf
NCP718BMT500TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV6323BMTAATBG 2354516.pdf
NCV6323BMTAATBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV6323BMTAATBG - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.5V-5.5Vin, 600mV-5.5Vout, 2Aout, WDFN-8
tariffCode: 85423990
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Wirkungsgrad: 96%
Schaltfrequenz: 3.3MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
hazardous: false
Eingangsspannung, max.: 5.5V
IC-Montage: Oberflächenmontage
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 3MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Eingangsspannung, min.: 2.5V
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
Ausgangsspannung, min.: 600mV
Bauform - DC/DC-Wandler-IC: WDFN
Qualifikation: AEC-Q100
Ausgangsspannung, nom.: -
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Ausgangsstrom, max.: 2A
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
isCanonical: Y
euEccn: NLR
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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FDMQ86530L fdmq86530l-d.pdf
FDMQ86530L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NVTFS5C466NLTAG ONSM-S-A0013749940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5C466NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCP718BMT500TBG 2711392.pdf
NCP718BMT500TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NVTFS6H888NTAG 2711447.pdf
NVTFS6H888NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 18W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
на замовлення 3695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NVTFS5C670NLTAG 2729232.pdf
NVTFS5C670NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTTFS022N15MC 3191527.pdf
NTTFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 71.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NVTFS6H854NTAG 2711446.pdf
NVTFS6H854NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FDG1024NZ fdg1024nz-d.pdf
FDG1024NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV5703CDR2G 2711401.pdf
NCV5703CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G 2711401.pdf
NCV5703CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
Bauform - Treiber: SOIC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 7275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NCV5702DR2G 2711400.pdf
NCV5702DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
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NCV5702DR2G 2711400.pdf
NCV5702DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
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FMS7401LEN14 FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LEN14
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LEN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 123 шт
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FMS7401LVN14 FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LVN14
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LVN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 123 шт
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FMS7401LEN FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LEN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LEN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 117 шт
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FMS7G20US60S FAIRS23554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7G20US60S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 20 шт
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FMS7401LVN FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LVN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LVN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7G15US60 FAIRS23549-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7G15US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
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FMS6G10US60 FAIRS23561-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS6G10US60 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 22 шт
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LP2950CDT-5.0RKG description 2255355.pdf
LP2950CDT-5.0RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LP2950CDT-5.0RKG - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 30Vin, 350mV Dropout, 5V/0.1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LP2950
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LP2950CDT-5.0RKG description 2255355.pdf
LP2950CDT-5.0RKG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LP2950CDT-5.0RKG - LDO-Festspannungsregler, 6V bis 30Vin, 350mV Dropout, 5V/0.1Aout, TO-252-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TO-252 (DPAK)
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 6V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LP2950
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
usEccn: EAR99
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 350mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 350mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
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