Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (141216) > Сторінка 2233 з 2354

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2235 2236 2237 2238 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
1N6288ARL4G ONSEMI ONSMS13621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N6288ARL4G - 1N6288ARL4G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB6.0AT3G ONSEMI LFSI-S-A0003012463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1SMB6.0AT3G - 1SMB6.0AT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB7.5AT3G ONSEMI LFSI-S-A0003012436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - P6SMB7.5AT3G - P6SMB7.5AT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ38M5 NC7SZ38M5 ONSEMI FAIRS03132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NC7SZ38M5 - GATES / INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G02DFT2G MC74VHC1G02DFT2G ONSEMI ONSM-S-A0006651144-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MC74VHC1G02DFT2G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC11N MC74AC11N ONSEMI ONSMS12880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74AC11N - IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV99LT3G SBAV99LT3G ONSEMI 2353834.pdf Description: ONSEMI - SBAV99LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.90 грн
1000+1.71 грн
5000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G SS24T3G ONSEMI 2354012.pdf description Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+27.69 грн
54+16.59 грн
100+13.40 грн
500+11.21 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G SS24T3G ONSEMI 2354012.pdf description Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.40 грн
500+11.21 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.83 грн
10+243.13 грн
100+173.92 грн
500+134.31 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C NTMFS08N004C ONSEMI Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.92 грн
500+134.31 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.75 грн
10+116.24 грн
50+108.26 грн
100+92.28 грн
250+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM FQB55N10TM ONSEMI 2572544.pdf Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.28 грн
250+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG NCV68261MTWAITBG ONSEMI 3708138.pdf Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG NCV68261MTWAITBG ONSEMI 3708138.pdf Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1100EG MUR1100EG ONSEMI ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.57 грн
20+45.34 грн
100+44.01 грн
500+32.71 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21HT1G BAS21HT1G ONSEMI 2236787.pdf Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.63 грн
1000+1.89 грн
10500+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21AHT1G BAS21AHT1G ONSEMI 1912202.pdf Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.26 грн
750+3.01 грн
1500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3Z33VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+9.32 грн
142+6.26 грн
291+3.05 грн
500+2.75 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3Z33VT1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.75 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+8.43 грн
170+5.23 грн
351+2.53 грн
500+2.04 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G MMBZ5257BLT1G ONSEMI 2236794.pdf Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.04 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP130BMX210TCG NCP130BMX210TCG ONSEMI ONSM-S-A0004903744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NCP130BMX210TCG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP136AFCT080T2G NCP136AFCT080T2G ONSEMI NCP136-D.PDF Description: ONSEMI - NCP136AFCT080T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81174MNTXG NCP81174MNTXG ONSEMI NCP81174-D.PDF Description: ONSEMI - NCP81174MNTXG - Synchroner DC/DC-Abwärtsregler (Buck), 4 Ausgänge, 1MHz, 7V bis 20V, 0°C bis 100°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 377494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G NJT4030PT1G ONSEMI njt4030p-d.pdf Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+57.86 грн
26+34.61 грн
50+29.82 грн
200+23.24 грн
500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G NJV4030PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.04 грн
500+18.79 грн
1000+14.53 грн
5000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.05 грн
200+27.19 грн
500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MURA220T3G MURA220T3G ONSEMI mura215t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.43 грн
50+22.98 грн
250+18.19 грн
1000+10.30 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MURS220T3G MURS220T3G ONSEMI murs220t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.98 грн
50+25.47 грн
100+18.10 грн
500+12.94 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1501A MMBD1501A ONSEMI mmbd1501-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1501A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+14.29 грн
96+9.32 грн
124+7.16 грн
500+5.24 грн
1000+4.11 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G NHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+31.32 грн
35+25.91 грн
100+17.66 грн
500+12.03 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220G MUR220G ONSEMI ONSM-S-A0013579569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MUR220G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+39.13 грн
35+25.56 грн
100+18.46 грн
500+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 MMBD1403 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1403 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.97 грн
86+10.38 грн
100+8.96 грн
500+6.11 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 MMBD1404 ONSEMI mmbd1405-d.pdf Description: ONSEMI - MMBD1404 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+26.98 грн
44+20.59 грн
100+11.62 грн
500+7.28 грн
1000+5.06 грн
5000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220RLG MUR220RLG ONSEMI 170021.pdf Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP220SFT3G NRVHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NRVHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.77 грн
40+22.54 грн
100+20.68 грн
500+15.74 грн
1000+11.94 грн
5000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G NHP220SFT3G ONSEMI nhp220sf-d.pdf Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.66 грн
500+12.03 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP420MFDWFT1G NRVHP420MFDWFT1G ONSEMI 2620045.pdf Description: ONSEMI - NRVHP420MFDWFT1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, isoliert, 30 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: -V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+28.67 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG NCP718BMT500TBG ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+110.03 грн
14+63.80 грн
100+41.62 грн
500+29.91 грн
1000+21.45 грн
2500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6323BMTAATBG NCV6323BMTAATBG ONSEMI 2354516.pdf Description: ONSEMI - NCV6323BMTAATBG - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.5V-5.5Vin, 600mV-5.5Vout, 2Aout, WDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.27 грн
13+72.85 грн
50+66.02 грн
100+54.13 грн
250+46.85 грн
500+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L FDMQ86530L ONSEMI 2572523.pdf Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.56 грн
10+203.20 грн
100+145.53 грн
500+116.18 грн
1000+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAG NVTFS5C466NLTAG ONSEMI ONSM-S-A0013749940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.96 грн
10+94.95 грн
100+67.00 грн
500+51.00 грн
1000+46.17 грн
5000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG NCP718BMT500TBG ONSEMI 2711392.pdf Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.62 грн
500+29.91 грн
1000+21.45 грн
2500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG ONSEMI 2711447.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+69.30 грн
20+44.81 грн
100+29.55 грн
500+20.19 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAG NVTFS5C670NLTAG ONSEMI 2729232.pdf Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+118.02 грн
10+88.74 грн
100+65.66 грн
500+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC NTTFS022N15MC ONSEMI 3191527.pdf Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.01 грн
10+173.92 грн
100+126.00 грн
500+111.24 грн
1000+94.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAG NVTFS6H854NTAG ONSEMI 2711446.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.48 грн
500+40.21 грн
1000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ FDG1024NZ ONSEMI fdg1024nz-d.pdf Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+83.06 грн
18+51.73 грн
100+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G NCV5703CDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.44 грн
10+133.10 грн
50+115.36 грн
100+91.46 грн
250+73.70 грн
500+67.92 грн
1000+60.85 грн
2500+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+38.24 грн
50+30.52 грн
100+15.35 грн
500+13.68 грн
1500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G NCV5703CDR2G ONSEMI Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.09 грн
250+53.17 грн
500+52.71 грн
1000+52.18 грн
2500+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G NCV5702DR2G ONSEMI 2711400.pdf Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+262.66 грн
10+173.92 грн
25+157.95 грн
50+135.96 грн
100+114.85 грн
250+109.52 грн
500+97.36 грн
1000+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G NCV5702DR2G ONSEMI 2711400.pdf Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+114.85 грн
250+109.52 грн
500+97.36 грн
1000+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G NTJS3157NT1G ONSEMI ntjs3157n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.71 грн
500+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN14 FMS7401LEN14 ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LEN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+241.36 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LVN14 FMS7401LVN14 ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LVN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+241.36 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN FMS7401LEN ONSEMI FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7401LEN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+253.78 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7G20US60S ONSEMI FAIRS23554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FMS7G20US60S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+1536.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
1N6288ARL4G ONSMS13621-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N6288ARL4G - 1N6288ARL4G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB6.0AT3G LFSI-S-A0003012463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB6.0AT3G - 1SMB6.0AT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 49731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
P6SMB7.5AT3G LFSI-S-A0003012436-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - P6SMB7.5AT3G - P6SMB7.5AT3G, TVS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NC7SZ38M5 FAIRS03132-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NC7SZ38M5
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SZ38M5 - GATES / INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 14727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
MC74VHC1G02DFT2G ONSM-S-A0006651144-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74VHC1G02DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74VHC1G02DFT2G - GATES & INVERTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MC74AC11N ONSMS12880-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MC74AC11N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74AC11N - IC GATE AND 3CH 3-INP 14-DIP
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+9.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SBAV99LT3G 2353834.pdf
SBAV99LT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAV99LT3G - Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 100 V, 215 mA, 1.25 V, 6 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 215mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.90 грн
1000+1.71 грн
5000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G description 2354012.pdf
SS24T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+27.69 грн
54+16.59 грн
100+13.40 грн
500+11.21 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
SS24T3G description 2354012.pdf
SS24T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS24T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SS24T
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 7319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.40 грн
500+11.21 грн
1000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.83 грн
10+243.13 грн
100+173.92 грн
500+134.31 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N004C
NTMFS08N004C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N004C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 126 A, 3400 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+173.92 грн
500+134.31 грн
1000+118.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.75 грн
10+116.24 грн
50+108.26 грн
100+92.28 грн
250+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQB55N10TM 2572544.pdf
FQB55N10TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQB55N10TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 55 A, 0.026 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+92.28 грн
250+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG 3708138.pdf
NCV68261MTWAITBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCV68261MTWAITBG 3708138.pdf
NCV68261MTWAITBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV68261MTWAITBG - Ideale-Diode-Controller, NMOS, Verpolungsschutz, 3V bis 32V, WDFNW-6, -40°C bis 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Verpolungsschutz, Ideale-Diode-NMOS-Controller
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
IC-Bauform: WDFNW
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 32V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1100EG description ONSM-S-A0013299297-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUR1100EG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR1100EG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.75 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.57 грн
20+45.34 грн
100+44.01 грн
500+32.71 грн
1000+27.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21HT1G 2236787.pdf
BAS21HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21HT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.63 грн
1000+1.89 грн
10500+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21AHT1G 1912202.pdf
BAS21AHT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAS21AHT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 625mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BAS21
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 250V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.26 грн
750+3.01 грн
1500+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z33VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+9.32 грн
142+6.26 грн
291+3.05 грн
500+2.75 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z33VT1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z33VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z33VT1G - Zener-Diode, 33 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.75 грн
1500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5257BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+8.43 грн
170+5.23 грн
351+2.53 грн
500+2.04 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5257BLT1G 2236794.pdf
MMBZ5257BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5257BLT1G - Zener-Diode, 33 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 33V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.04 грн
1500+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP130BMX210TCG ONSM-S-A0004903744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NCP130BMX210TCG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP130BMX210TCG - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP136AFCT080T2G NCP136-D.PDF
NCP136AFCT080T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP136AFCT080T2G - LDO VOLTAGE REGULATORS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 840000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H 2371197.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NCP81174MNTXG NCP81174-D.PDF
NCP81174MNTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81174MNTXG - Synchroner DC/DC-Abwärtsregler (Buck), 4 Ausgänge, 1MHz, 7V bis 20V, 0°C bis 100°C, QFN-EP-32
tariffCode: 85423990
Schaltfrequenz: 1MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Tastverhältnis (%): -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 7V
euEccn: NLR
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Anzahl der Ausgänge: 4Outputs
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 377494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+88.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NJT4030PT1G njt4030p-d.pdf
NJT4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+57.86 грн
26+34.61 грн
50+29.82 грн
200+23.24 грн
500+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NJV4030PT1G ONSM-S-A0013302113-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJV4030PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJV4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 8314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.04 грн
500+18.79 грн
1000+14.53 грн
5000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NSS40300MZ4T1G ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NSS40300MZ4T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.05 грн
200+27.19 грн
500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MURA220T3G mura215t3-d.pdf
MURA220T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURA2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.43 грн
50+22.98 грн
250+18.19 грн
1000+10.30 грн
3000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
MURS220T3G murs220t3-d.pdf
MURS220T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS220T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 25 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.98 грн
50+25.47 грн
100+18.10 грн
500+12.94 грн
1000+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1501A mmbd1501-d.pdf
MMBD1501A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1501A - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1.15 V, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+14.29 грн
96+9.32 грн
124+7.16 грн
500+5.24 грн
1000+4.11 грн
5000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+31.32 грн
35+25.91 грн
100+17.66 грн
500+12.03 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220G ONSM-S-A0013579569-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MUR220G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+39.13 грн
35+25.56 грн
100+18.46 грн
500+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1403 mmbd1405-d.pdf
MMBD1403
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1403 - Kleinsignaldiode, Einfach, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.97 грн
86+10.38 грн
100+8.96 грн
500+6.11 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD1404 mmbd1405-d.pdf
MMBD1404
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBD1404 - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 2 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBD1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+26.98 грн
44+20.59 грн
100+11.62 грн
500+7.28 грн
1000+5.06 грн
5000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
MUR220RLG 170021.pdf
MUR220RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR220RLG - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR22
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NRVHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 16765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.77 грн
40+22.54 грн
100+20.68 грн
500+15.74 грн
1000+11.94 грн
5000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
NHP220SFT3G nhp220sf-d.pdf
NHP220SFT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NHP220SFT3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FL
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.66 грн
500+12.03 грн
1000+8.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NRVHP420MFDWFT1G 2620045.pdf
NRVHP420MFDWFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVHP420MFDWFT1G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 2 A, Zweifach, isoliert, 30 ns, 40 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Durchlassstoßstrom: 40A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: -V
Sperrverzögerungszeit: 30ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 8 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+28.67 грн
1000+23.58 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG 2711392.pdf
NCP718BMT500TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+110.03 грн
14+63.80 грн
100+41.62 грн
500+29.91 грн
1000+21.45 грн
2500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NCV6323BMTAATBG 2354516.pdf
NCV6323BMTAATBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV6323BMTAATBG - DC/DC-Abwärts-Schaltregler (Buck), einstellbar, 2.5V-5.5Vin, 600mV-5.5Vout, 2Aout, WDFN-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
Ausgangsspannung, min.: 600mV
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2A
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Topologie: Synchroner Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 2A
Wirkungsgrad: 96%
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+100.27 грн
13+72.85 грн
50+66.02 грн
100+54.13 грн
250+46.85 грн
500+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDMQ86530L 2572523.pdf
FDMQ86530L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMQ86530L - Dual-MOSFET, Vierfach n-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.0175 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0175ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0175ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+318.56 грн
10+203.20 грн
100+145.53 грн
500+116.18 грн
1000+104.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C466NLTAG ONSM-S-A0013749940-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVTFS5C466NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 7300 µohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+149.96 грн
10+94.95 грн
100+67.00 грн
500+51.00 грн
1000+46.17 грн
5000+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NCP718BMT500TBG 2711392.pdf
NCP718BMT500TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP718BMT500TBG - LDO-Festspannungsregler, 2.5V bis 24V, 260mV Dropout, 5V/300mAout, WDFN-6
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WDFN
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 2.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 5V 300mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 300mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 260mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 260mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.62 грн
500+29.91 грн
1000+21.45 грн
2500+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H888NTAG 2711447.pdf
NVTFS6H888NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.30 грн
20+44.81 грн
100+29.55 грн
500+20.19 грн
1000+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS5C670NLTAG 2729232.pdf
NVTFS5C670NLTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C670NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0056 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+118.02 грн
10+88.74 грн
100+65.66 грн
500+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS022N15MC 3191527.pdf
NTTFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 37.2 A, 0.022 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+252.01 грн
10+173.92 грн
100+126.00 грн
500+111.24 грн
1000+94.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVTFS6H854NTAG 2711446.pdf
NVTFS6H854NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS6H854NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 44 A, 0.0119 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: WDFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0119ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0119ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.48 грн
500+40.21 грн
1000+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDG1024NZ fdg1024nz-d.pdf
FDG1024NZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG1024NZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 1.2 A, 1.2 A, 0.16 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.16ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 360mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.16ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 360mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.06 грн
18+51.73 грн
100+33.63 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G
NCV5703CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.44 грн
10+133.10 грн
50+115.36 грн
100+91.46 грн
250+73.70 грн
500+67.92 грн
1000+60.85 грн
2500+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+38.24 грн
50+30.52 грн
100+15.35 грн
500+13.68 грн
1500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5703CDR2G
NCV5703CDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5703CDR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.09 грн
250+53.17 грн
500+52.71 грн
1000+52.18 грн
2500+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G 2711400.pdf
NCV5702DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.66 грн
10+173.92 грн
25+157.95 грн
50+135.96 грн
100+114.85 грн
250+109.52 грн
500+97.36 грн
1000+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV5702DR2G 2711400.pdf
NCV5702DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5702DR2G - IGBT-Treiber, Halbbrücke, 4A, max. 20V Versorgungsspannung, 59ns/54ns Verzögerung, SOIC-16
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 1A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1A
Versorgungsspannung, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: Nicht isoliert
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 59ns
Ausgabeverzögerung: 54ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.85 грн
250+109.52 грн
500+97.36 грн
1000+83.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTJS3157NT1G ntjs3157n-d.pdf
NTJS3157NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS3157NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+15.71 грн
500+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN14 FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LEN14
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LEN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+241.36 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LVN14 FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LVN14
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LVN14 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
123+241.36 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7401LEN FAIRS23190-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FMS7401LEN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7401LEN - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+253.78 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
FMS7G20US60S FAIRS23554-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMS7G20US60S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+1536.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 235 470 705 940 1175 1410 1645 1880 2115 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2235 2236 2237 2238 2350 2354  [ Наступна Сторінка >> ]