Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142674) > Сторінка 2229 з 2378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2224 2225 2226 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NC7WZ04L6X NC7WZ04L6X ONSEMI 2288035.pdf Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.87 грн
32+27.35 грн
100+15.24 грн
500+12.78 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX FXL4245MPX ONSEMI 2724445.pdf Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.63 грн
500+35.26 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT374ADWR2G MC74HCT374ADWR2G ONSEMI ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+37.10 грн
30+29.96 грн
100+27.26 грн
500+24.99 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G MURD320T4G ONSEMI 2354491.pdf Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.26 грн
500+24.99 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14093BDR2G MC14093BDR2G ONSEMI MC14093B-D.PDF Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.11 грн
500+15.61 грн
1000+13.96 грн
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G NCV7719DQAR2G ONSEMI 2815762.pdf Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+237.38 грн
250+213.49 грн
500+205.28 грн
1000+171.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+625.29 грн
5+553.01 грн
10+479.86 грн
50+410.00 грн
100+323.22 грн
250+316.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F NTB082N65S3F ONSEMI ntb082n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+479.86 грн
50+410.00 грн
100+323.22 грн
250+316.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+512.95 грн
50+438.30 грн
100+353.83 грн
250+347.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H ONSEMI ntmt064n65s3h-d.pdf Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+687.13 грн
5+600.04 грн
10+512.95 грн
50+438.30 грн
100+353.83 грн
250+347.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG NTTFD4D0N04HLTWG ONSEMI nttfd4d0n04hl-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.83 грн
500+71.33 грн
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d1n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.56 грн
500+76.26 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.43 грн
500+64.13 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+215.98 грн
10+156.76 грн
100+116.70 грн
500+107.55 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.11 грн
10+148.92 грн
100+119.31 грн
500+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G NTMFS0D5N04XMT1G ONSEMI 4164769.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.31 грн
500+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G NTMFS1D3N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d3n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.24 грн
10+118.44 грн
100+81.43 грн
500+64.13 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG NTMTS0D6N04CTXG ONSEMI ntmts0d6n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+34.31 грн
34+25.95 грн
100+14.46 грн
500+9.87 грн
1000+5.76 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G NVJD5121NT2G ONSEMI 4073644.pdf Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.87 грн
1000+5.76 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263BT1 ONSEMI ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+570.43 грн
5+474.63 грн
10+378.83 грн
50+323.47 грн
100+261.26 грн
250+256.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC NTBLS1D5N08MC ONSEMI ntbls1d5n08mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+378.83 грн
50+323.47 грн
100+261.26 грн
250+256.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.99 грн
14+62.27 грн
100+45.55 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG NTTFS6H850NTAG ONSEMI 2620004.pdf Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.55 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+132.37 грн
100+94.93 грн
500+80.06 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG NTTFS5D9N08HTWG ONSEMI nttfs5d9n08h-d.pdf Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.93 грн
500+80.06 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI 4018414.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+301.33 грн
10+208.14 грн
100+151.53 грн
500+114.83 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.59 грн
10+114.96 грн
100+93.18 грн
500+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.07 грн
500+57.66 грн
1000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G NTMFWS1D5N08XT1G ONSEMI ntmfws1d5n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+148.92 грн
500+130.20 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.92 грн
10+109.73 грн
100+77.07 грн
500+57.66 грн
1000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+619.20 грн
5+536.46 грн
10+452.86 грн
50+397.87 грн
100+345.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G NTMFS3D0N08XT1G ONSEMI 4164747.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG NTBLS0D8N08XTXG ONSEMI ntbls0d8n08x-d.pdf Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+452.86 грн
50+397.87 грн
100+345.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.56 грн
13+67.67 грн
100+42.41 грн
500+32.91 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G ONSEMI 4164746.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.21 грн
10+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G NTMFS6H858NLT1G ONSEMI ntmfs6h858nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.41 грн
500+32.91 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP693HMN08TCG ONSEMI ONSM-S-A0013302643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP662SQ18T1G ONSEMI ONSM-S-A0013749978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C MM3Z4V3C ONSEMI 2552645.pdf Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+12.89 грн
125+6.97 грн
175+5.00 грн
500+3.75 грн
1000+3.40 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C MM3Z2V7C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C MM3Z4V3C ONSEMI 2552645.pdf Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.75 грн
1000+3.40 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC MM3Z30VC ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+12.02 грн
125+7.01 грн
215+4.07 грн
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B MM3Z4V3B ONSEMI MM3Z9V1B-D.pdf Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+13.41 грн
112+7.78 грн
227+3.85 грн
500+3.19 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C MM3Z2V7C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC MM3Z30VC ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B MM3Z4V3B ONSEMI mm3z9v1b-d.pdf FAIRS29894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.47 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z7V5T1G MM3Z7V5T1G ONSEMI MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.59 грн
1500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V6C MM3Z5V6C ONSEMI mm3z9v1c-d.pdf Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+10.80 грн
121+7.22 грн
263+3.32 грн
500+3.01 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z10VST1G SZMM3Z10VST1G ONSEMI ONSM-S-A0013579435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZMM3Z10VST1G - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+13.06 грн
109+8.01 грн
154+5.66 грн
500+5.09 грн
1000+4.48 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N FDV303N ONSEMI 2304020.pdf Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.59 грн
9000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 FQP47P06 ONSEMI ONSM-S-A0003584818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.58 грн
10+182.01 грн
100+164.60 грн
500+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX330TBG NCP161AMX330TBG ONSEMI 2371169.pdf Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+23.34 грн
55+15.85 грн
100+12.11 грн
500+9.78 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX300TBG NCP161AMX300TBG ONSEMI 2907198.pdf Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.23 грн
31+28.48 грн
100+16.29 грн
500+14.39 грн
1000+9.41 грн
5000+8.73 грн
10000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX330TBG NCP161AMX330TBG ONSEMI 2371169.pdf Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.63 грн
500+14.64 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX300TBG NCP161AMX300TBG ONSEMI 2907198.pdf Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.29 грн
500+14.39 грн
1000+9.41 грн
5000+8.73 грн
10000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AFCT310T2G NCP161AFCT310T2G ONSEMI 2180985.pdf Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.18 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AFCT310T2G NCP161AFCT310T2G ONSEMI 2180985.pdf Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+20.03 грн
59+14.80 грн
132+6.62 грн
500+5.18 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
NC7WZ04L6X 2288035.pdf
NC7WZ04L6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ04L6X - Inverter, NC7W04, 1 Eingang, 1.65V bis 5.5V, MLP-6
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
IC-Gehäuse / Bauform: MLP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.65V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: 7W04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.87 грн
32+27.35 грн
100+15.24 грн
500+12.78 грн
1000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FXL4245MPX 2724445.pdf
FXL4245MPX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FXL4245MPX - Niederspannungspegelumsetzer, 8 Eingänge, 3.5ns, 1.1V bis 3.6V, MLP-24
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Logikbaustein: MLP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.1V
Logiktyp: Niederspannungspegelumsetzer
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Ausbreitungsverzögerung: 3.5ns
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Anzahl der Eingänge: 8Inputs
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.63 грн
500+35.26 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC74HCT374ADWR2G ONSMS39291-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MC74HCT374ADWR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HCT374ADWR2G - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+37.10 грн
30+29.96 грн
100+27.26 грн
500+24.99 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
MURD320T4G 2354491.pdf
MURD320T4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD320T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 35 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 950mV
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MURD3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.26 грн
500+24.99 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC14093BDR2G MC14093B-D.PDF
MC14093BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC14093BDR2G - NAND-Gatter, Schmitt-Trigger, MC14093, 2 Eingänge, 8.8mA, 3V bis 18V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: NAND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Anzahl der Elemente: Vier
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 8.8mA
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 4093
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 18V
Anzahl der Eingänge: 2Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+18.11 грн
500+15.61 грн
1000+13.96 грн
2500+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G 2815762.pdf
NCV7719DQAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+237.38 грн
250+213.49 грн
500+205.28 грн
1000+171.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+625.29 грн
5+553.01 грн
10+479.86 грн
50+410.00 грн
100+323.22 грн
250+316.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTB082N65S3F ntb082n65s3f-d.pdf
NTB082N65S3F
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTB082N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.07 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+479.86 грн
50+410.00 грн
100+323.22 грн
250+316.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+512.95 грн
50+438.30 грн
100+353.83 грн
250+347.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+687.13 грн
5+600.04 грн
10+512.95 грн
50+438.30 грн
100+353.83 грн
250+347.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFD4D0N04HLTWG nttfd4d0n04hl-d.pdf
NTTFD4D0N04HLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFD4D0N04HLTWG - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 60 A, 60 A, 0.0037 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 26W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: WQFN
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 26W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.83 грн
500+71.33 грн
1000+63.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G ntmfs1d1n04xm-d.pdf
NTMFS1D1N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.56 грн
500+76.26 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.43 грн
500+64.13 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G 4164771.pdf
NTMFS0D7N04XLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+215.98 грн
10+156.76 грн
100+116.70 грн
500+107.55 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+188.11 грн
10+148.92 грн
100+119.31 грн
500+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D5N04XMT1G 4164769.pdf
NTMFS0D5N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D5N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 414 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 414A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 163W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.31 грн
500+96.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D3N04XMT1G ntmfs1d3n04xm-d.pdf
NTMFS1D3N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0013 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+160.24 грн
10+118.44 грн
100+81.43 грн
500+64.13 грн
1000+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMTS0D6N04CTXG ntmts0d6n04c-d.pdf
NTMTS0D6N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMTS0D6N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 533 A, 480 µohm, Power 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 533A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: Power 88
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+34.31 грн
34+25.95 грн
100+14.46 грн
500+9.87 грн
1000+5.76 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVJD5121NT2G 4073644.pdf
NVJD5121NT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVJD5121NT2G - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 295 mA, 1.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 295mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+9.87 грн
1000+5.76 грн
5000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5263BT1 ONSMS21288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMSZ5263BT1 - MMSZ5263BT1, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
NTBLS1D5N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+570.43 грн
5+474.63 грн
10+378.83 грн
50+323.47 грн
100+261.26 грн
250+256.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MC ntbls1d5n08mc-d.pdf
NTBLS1D5N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+378.83 грн
50+323.47 грн
100+261.26 грн
250+256.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+134.99 грн
14+62.27 грн
100+45.55 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS6H850NTAG 2620004.pdf
NTTFS6H850NTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS6H850NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 68 A, 0.0085 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.55 грн
500+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+176.79 грн
10+132.37 грн
100+94.93 грн
500+80.06 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTTFS5D9N08HTWG nttfs5d9n08h-d.pdf
NTTFS5D9N08HTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTTFS5D9N08HTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0046 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.93 грн
500+80.06 грн
1000+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G 4018414.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.33 грн
10+208.14 грн
100+151.53 грн
500+114.83 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.59 грн
10+114.96 грн
100+93.18 грн
500+69.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+77.07 грн
500+57.66 грн
1000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1G ntmfws1d5n08x-d.pdf
NTMFWS1D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.92 грн
500+130.20 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+148.92 грн
10+109.73 грн
100+77.07 грн
500+57.66 грн
1000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+619.20 грн
5+536.46 грн
10+452.86 грн
50+397.87 грн
100+345.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS3D0N08XT1G 4164747.pdf
NTMFS3D0N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 133W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+94.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG ntbls0d8n08x-d.pdf
NTBLS0D8N08XTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+452.86 грн
50+397.87 грн
100+345.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G ntmfs6h858nl-d.pdf
NTMFS6H858NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.56 грн
13+67.67 грн
100+42.41 грн
500+32.91 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1G 4164746.pdf
NTMFS2D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.21 грн
10+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H858NLT1G ntmfs6h858nl-d.pdf
NTMFS6H858NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H858NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 30 A, 0.0195 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.41 грн
500+32.91 грн
1000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP693HMN08TCG ONSM-S-A0013302643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP693HMN08TCG - NCP693HMN08TCG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+55.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
NCP662SQ18T1G ONSM-S-A0013749978-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP662SQ18T1G - LDO, FIXED, 1.8V, 0.1A, -40 TO 85DEG C
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C 2552645.pdf
MM3Z4V3C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
68+12.89 грн
125+6.97 грн
175+5.00 грн
500+3.75 грн
1000+3.40 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 68
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z2V7C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3C 2552645.pdf
MM3Z4V3C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3C - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.75 грн
1000+3.40 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z30VC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+12.02 грн
125+7.01 грн
215+4.07 грн
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B MM3Z9V1B-D.pdf
MM3Z4V3B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
65+13.41 грн
112+7.78 грн
227+3.85 грн
500+3.19 грн
1000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z2V7C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z2V7C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z2V7C - Zener-Diode, 2.7 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z30VC mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z30VC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z30VC - Zener-Diode, 30 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.28 грн
1000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z4V3B mm3z9v1b-d.pdf FAIRS29894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
MM3Z4V3B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z4V3B - Zener-Diode, 4.3 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.3V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.47 грн
1000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z7V5T1G MM3ZyyyT1G_SZMM3ZyyyT1G_Series_rev.11_Sep2014.pdf
MM3Z7V5T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z7V5T1G - Zener-Diode, 7.5 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.59 грн
1500+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z5V6C mm3z9v1c-d.pdf
MM3Z5V6C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z5V6C - Zener-Diode, 5.6 V, 200 mW, SOD-323F, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323F
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
81+10.80 грн
121+7.22 грн
263+3.32 грн
500+3.01 грн
1500+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 81
В кошику  од. на суму  грн.
SZMM3Z10VST1G ONSM-S-A0013579435-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZMM3Z10VST1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z10VST1G - Zener-Diode, 10 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxST1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 10V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+13.06 грн
109+8.01 грн
154+5.66 грн
500+5.09 грн
1000+4.48 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
FDV303N 2304020.pdf
FDV303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDV303N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 680mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 306000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.59 грн
9000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FQP47P06 ONSM-S-A0003584818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP47P06
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP47P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 47 A, 0.026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+353.58 грн
10+182.01 грн
100+164.60 грн
500+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX330TBG 2371169.pdf
NCP161AMX330TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+23.34 грн
55+15.85 грн
100+12.11 грн
500+9.78 грн
1000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX300TBG 2907198.pdf
NCP161AMX300TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.23 грн
31+28.48 грн
100+16.29 грн
500+14.39 грн
1000+9.41 грн
5000+8.73 грн
10000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX330TBG 2371169.pdf
NCP161AMX330TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX330TBG - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5V, 160mV Dropout, 3.3V/450mAout, XDFN-4 Pins
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 160mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 160mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.63 грн
500+14.64 грн
1000+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AMX300TBG 2907198.pdf
NCP161AMX300TBG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AMX300TBG - LDO-FESTSP.REGL 3V 0.45A -40 BIS 125°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: XDFN
Nennausgangsspannung: 3V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3V 450mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 165mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 165mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.29 грн
500+14.39 грн
1000+9.41 грн
5000+8.73 грн
10000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AFCT310T2G 2180985.pdf
NCP161AFCT310T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.18 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NCP161AFCT310T2G 2180985.pdf
NCP161AFCT310T2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP161AFCT310T2G - LDO-Festspannungsregler, 1.9V bis 5.5Vin, 3.1V/450mAout, 155mV Dropout, WLCSP-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Nennausgangsspannung: 0
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.9V
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: 450mA 3.1V LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.1V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 450mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 155mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 155mV
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+20.03 грн
59+14.80 грн
132+6.62 грн
500+5.18 грн
1000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2224 2225 2226 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2370 2378  [ Наступна Сторінка >> ]