Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (142703) > Сторінка 2229 з 2379

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2224 2225 2226 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ONSEMI ntmfs4c06n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+72.11 грн
18+50.16 грн
100+35.88 грн
500+25.80 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H414NLT1G NTMFS5H414NLT1G ONSEMI ntmfs5h414nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 71990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+191.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+140.21 грн
10+107.12 грн
100+72.72 грн
500+53.70 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MC NTMFS034N15MC ONSEMI NTMFS034N15MC-D.PDF Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.54 грн
500+59.20 грн
1000+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ONSEMI ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+207.27 грн
50+185.50 грн
100+162.86 грн
500+149.61 грн
1500+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003C NTMFS08N003C ONSEMI 2619967.pdf Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.85 грн
10+319.61 грн
100+314.39 грн
500+286.27 грн
1000+259.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G ONSEMI 3213448.pdf Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.98 грн
10+99.28 грн
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC ONSEMI 3213449.pdf Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.30 грн
10+147.18 грн
100+106.25 грн
500+81.68 грн
1000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC004N08MC NTMFSC004N08MC ONSEMI 3005753.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+141.08 грн
500+108.36 грн
1000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G NTMFS015N10MCLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.72 грн
500+53.70 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G ONSEMI 3213448.pdf Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC NTMFSC4D2N10MC ONSEMI ntmfsc4d2n10mc-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+162.86 грн
500+149.61 грн
1500+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NT1G NTMFS4C06NT1G ONSEMI 2160862.pdf Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.45 грн
500+25.72 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ONSEMI 2571960.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.72 грн
10+145.44 грн
100+108.86 грн
500+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 ONSEMI 3213452.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+143.70 грн
10+109.73 грн
100+78.73 грн
500+58.22 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI 3213451.pdf Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+350.09 грн
10+245.59 грн
100+177.66 грн
500+153.65 грн
1000+128.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003C NTMFS08N003C ONSEMI 2619967.pdf Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+314.39 грн
500+286.27 грн
1000+259.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G NTMFS6H801NT1G ONSEMI 2571960.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.86 грн
500+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MC NTMFS015N15MC ONSEMI ONSM-S-A0010476247-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+137.60 грн
500+123.73 грн
1000+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC0D9N04CL NTMFSC0D9N04CL ONSEMI ntmfsc0d9n04cl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC0D9N04CL NTMFSC0D9N04CL ONSEMI ntmfsc0d9n04cl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G ONSEMI 3191513.pdf Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.92 грн
10+166.34 грн
100+134.12 грн
500+117.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC NTMFS022N15MC ONSEMI 3213449.pdf Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+100.15 грн
500+88.15 грн
1000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ONSEMI ntmfs5c426nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.54 грн
10+87.96 грн
100+65.05 грн
500+49.25 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ONSEMI ntmfs5c426nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.05 грн
500+49.25 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1G NTMFS006N12MCT1G ONSEMI 3191513.pdf Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.12 грн
500+117.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG NTMFS7D8N10GTWG ONSEMI 3213451.pdf Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+177.66 грн
500+153.65 грн
1000+128.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 NTMFSC010N08M7 ONSEMI 3213452.pdf Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.73 грн
500+58.22 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1G NTMFS2D5N08XT1G ONSEMI 4164746.pdf Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G NTMFS0D7N04XLT1G ONSEMI 4164771.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+116.70 грн
500+107.55 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G ONSEMI ntmfs1d1n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+189.85 грн
10+121.92 грн
100+82.56 грн
500+76.26 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G NCV7719DQAR2G ONSEMI 2815762.pdf Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.54 грн
10+357.06 грн
25+328.32 грн
50+281.42 грн
100+237.38 грн
250+213.49 грн
500+205.28 грн
1000+171.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7720DQAR2G NCV7720DQAR2G ONSEMI 2815763.pdf Description: ONSEMI - NCV7720DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 28V/550mA/10 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 10Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+272.59 грн
10+206.40 грн
25+189.85 грн
50+167.40 грн
100+146.31 грн
250+140.34 грн
500+133.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7703CD2R2G NCV7703CD2R2G ONSEMI 2907114.pdf Description: ONSEMI - NCV7703CD2R2G - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+277.81 грн
10+163.73 грн
50+148.05 грн
100+122.92 грн
250+100.03 грн
500+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT299DWG ONSEMI ONSMS12167-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MC74ACT299DWG - MC74ACT299DWG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
836+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 836
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801AR2 FODM8801AR2 ONSEMI 2304145.pdf Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.41 грн
10+90.57 грн
25+82.82 грн
50+69.63 грн
100+57.63 грн
500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801CR2 FODM8801CR2 ONSEMI 2304145.pdf Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.54 грн
10+89.70 грн
25+83.17 грн
50+71.16 грн
100+60.09 грн
500+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801AR2 FODM8801AR2 ONSEMI 2304145.pdf Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.63 грн
500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801CR2 FODM8801CR2 ONSEMI 2304145.pdf Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.09 грн
500+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801CR2V FODM8801CR2V ONSEMI 2572432.pdf Description: ONSEMI - FODM8801CR2V - OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 3.75KV, SOP-4
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 130V
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptoHiT FODM8801C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
directShipCharge: 25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G MMBT6428LT1G ONSEMI 2578348.pdf Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+7.75 грн
150+5.83 грн
218+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160T3G MURS160T3G ONSEMI murs120t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 108967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+38.14 грн
50+25.52 грн
100+20.12 грн
500+14.15 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160T3G MURS160T3G ONSEMI murs120t3-d.pdf Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 108967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.12 грн
500+14.15 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM140T3G MBRM140T3G ONSEMI 1708273.pdf Description: ONSEMI - MBRM140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+40.67 грн
50+24.12 грн
250+18.72 грн
1000+10.59 грн
5000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM140T1G MBRM140T1G ONSEMI mbrm140-d.pdf Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 143507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+27.69 грн
57+15.41 грн
100+14.46 грн
500+12.70 грн
1500+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TCA0372DP1G TCA0372DP1G ONSEMI ONSMS34530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - TCA0372DP1G - IC, OP-AMP, DUAL, 8DIP
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNG ONSEMI NXH40B120MNQ0-D.PDF Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6967.06 грн
5+6578.65 грн
10+6191.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNG ONSEMI NXH80B120MNQ0-D.PDF Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5608.48 грн
5+4961.42 грн
10+4314.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SB05-03Q-TL-E ONSEMI ONSMS36753-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
LV2134V-TLM-E ONSEMI Description: ONSEMI - LV2134V-TLM-E - DATA COMMUNICATION ICS
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS32ML1 SN74LS32ML1 ONSEMI ONSMS22098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SN74LS32ML1 - SN74LS32ML1, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.14 грн
9000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H107MELG MC10H107MELG ONSEMI MC10H107-_Rev8.pdf Description: ONSEMI - MC10H107MELG - MC10H107MELG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BDR2G UC3843BDR2G ONSEMI 1760847.pdf Description: ONSEMI - UC3843BDR2G - PWM-Controller, 14V bis 30V Versorgungsspannung, 500kHz, 5V/1Aout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Tastverhältnis, max.: 96%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.48 грн
500+25.23 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G BVSS138LT1G ONSEMI ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.27 грн
1000+4.92 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMS24T1G SMS24T1G ONSEMI 1911959.pdf Description: ONSEMI - SMS24T1G - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SC-74, 6 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+36.40 грн
35+25.08 грн
100+16.55 грн
500+12.37 грн
1000+9.18 грн
5000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMS24T1G SMS24T1G ONSEMI 1911959.pdf Description: ONSEMI - SMS24T1G - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SC-74, 6 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.55 грн
500+12.37 грн
1000+9.18 грн
5000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G ONSEMI 2705098.pdf Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.07 грн
1000+2.84 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMS05T1G SMS05T1G ONSEMI 1911959.pdf Description: ONSEMI - SMS05T1G - TVS-Diode, SMS05T1, Unidirektional, 5 V, 15.5 V, SC-74, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.2V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05T1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 15.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.90 грн
500+14.72 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G SMUN5111T1G ONSEMI 2705098.pdf Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+15.68 грн
91+9.58 грн
149+5.87 грн
500+4.07 грн
1000+2.84 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NT1G ntmfs4c06n-d.pdf
NTMFS4C06NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+72.11 грн
18+50.16 грн
100+35.88 грн
500+25.80 грн
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5H414NLT1G ntmfs5h414nl-d.pdf
NTMFS5H414NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 71990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+191.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+140.21 грн
10+107.12 грн
100+72.72 грн
500+53.70 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS034N15MC NTMFS034N15MC-D.PDF
NTMFS034N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS034N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 31 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.54 грн
500+59.20 грн
1000+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+207.27 грн
50+185.50 грн
100+162.86 грн
500+149.61 грн
1500+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003C 2619967.pdf
NTMFS08N003C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+587.85 грн
10+319.61 грн
100+314.39 грн
500+286.27 грн
1000+259.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1G 3213448.pdf
NTMFS008N12MCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+161.98 грн
10+99.28 грн
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC 3213449.pdf
NTMFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+200.30 грн
10+147.18 грн
100+106.25 грн
500+81.68 грн
1000+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC004N08MC 3005753.pdf
NTMFSC004N08MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC004N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 136 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 136A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 127W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+141.08 грн
500+108.36 грн
1000+96.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N10MCLT1G ONSM-S-A0010303097-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS015N10MCLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 9700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+72.72 грн
500+53.70 грн
1000+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS008N12MCT1G 3213448.pdf
NTMFS008N12MCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MC ntmfsc4d2n10mc-d.pdf
NTMFSC4D2N10MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+162.86 грн
500+149.61 грн
1500+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS4C06NT1G 2160862.pdf
NTMFS4C06NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C06NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 69 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30.5W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.45 грн
500+25.72 грн
1000+23.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G 2571960.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.72 грн
10+145.44 грн
100+108.86 грн
500+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 3213452.pdf
NTMFSC010N08M7
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+143.70 грн
10+109.73 грн
100+78.73 грн
500+58.22 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG 3213451.pdf
NTMFS7D8N10GTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+350.09 грн
10+245.59 грн
100+177.66 грн
500+153.65 грн
1000+128.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS08N003C 2619967.pdf
NTMFS08N003C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS08N003C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 147 A, 0.0026 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 147A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+314.39 грн
500+286.27 грн
1000+259.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS6H801NT1G 2571960.pdf
NTMFS6H801NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 2300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.86 грн
500+89.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS015N15MC ONSM-S-A0010476247-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTMFS015N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS015N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 61 A, 0.0102 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 108.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 108.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0102ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0102ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+137.60 грн
500+123.73 грн
1000+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC0D9N04CL ntmfsc0d9n04cl-d.pdf
NTMFSC0D9N04CL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+264.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC0D9N04CL ntmfsc0d9n04cl-d.pdf
NTMFSC0D9N04CL
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC0D9N04CL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 313 A, 650 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 313A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 650µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1G 3191513.pdf
NTMFS006N12MCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+202.92 грн
10+166.34 грн
100+134.12 грн
500+117.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS022N15MC 3213449.pdf
NTMFS022N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS022N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 41.9 A, 0.0181 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 80.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0181ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0181ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+100.15 грн
500+88.15 грн
1000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G ntmfs5c426nl-d.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.54 грн
10+87.96 грн
100+65.05 грн
500+49.25 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS5C426NLT1G ntmfs5c426nl-d.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+65.05 грн
500+49.25 грн
1000+37.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS006N12MCT1G 3191513.pdf
NTMFS006N12MCT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS006N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 93 A, 0.005 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+134.12 грн
500+117.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS7D8N10GTWG 3213451.pdf
NTMFS7D8N10GTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS7D8N10GTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 5600 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 187W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+177.66 грн
500+153.65 грн
1000+128.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC010N08M7 3213452.pdf
NTMFSC010N08M7
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFSC010N08M7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 61 A, 7600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 78.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78.1W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0076ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+78.73 грн
500+58.22 грн
1000+47.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS2D5N08XT1G 4164746.pdf
NTMFS2D5N08XT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 181A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 148W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS0D7N04XLT1G 4164771.pdf
NTMFS0D7N04XLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 349A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.70 грн
500+107.55 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFS1D1N04XMT1G ntmfs1d1n04xm-d.pdf
NTMFS1D1N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+189.85 грн
10+121.92 грн
100+82.56 грн
500+76.26 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7719DQAR2G 2815762.pdf
NCV7719DQAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7719DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 40V/550mA/8 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 8Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.54 грн
10+357.06 грн
25+328.32 грн
50+281.42 грн
100+237.38 грн
250+213.49 грн
500+205.28 грн
1000+171.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7720DQAR2G 2815763.pdf
NCV7720DQAR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7720DQAR2G - Motortreiber / Motorsteuerung AEC-Q100, DC-Bürstenmotor, 3.15V-5.25V, 28V/550mA/10 Ausgänge, SSOP-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Halbbrücken-Motortreiber
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 550mA
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 28V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3.15V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 10Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+272.59 грн
10+206.40 грн
25+189.85 грн
50+167.40 грн
100+146.31 грн
250+140.34 грн
500+133.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NCV7703CD2R2G 2907114.pdf
NCV7703CD2R2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7703CD2R2G - MOTORTREIBER, -40 BIS 150°C
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Half-Bridge Motor Driver
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
Motortyp: DC-Bürstenmotor
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 3Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+277.81 грн
10+163.73 грн
50+148.05 грн
100+122.92 грн
250+100.03 грн
500+91.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MC74ACT299DWG ONSMS12167-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74ACT299DWG - MC74ACT299DWG, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
836+40.67 грн
Мінімальне замовлення: 836
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801AR2 2304145.pdf
FODM8801AR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+125.41 грн
10+90.57 грн
25+82.82 грн
50+69.63 грн
100+57.63 грн
500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801CR2 2304145.pdf
FODM8801CR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+124.54 грн
10+89.70 грн
25+83.17 грн
50+71.16 грн
100+60.09 грн
500+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801AR2 2304145.pdf
FODM8801AR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801AR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 80 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 80%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.63 грн
500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801CR2 2304145.pdf
FODM8801CR2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801CR2 - Optokoppler, Transistorausgang, 1 Kanal, SSOP, 4 Pin(s), 20 mA, 3.75 kV, 200 %
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 75V
Bauform - Optokoppler: SSOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.09 грн
500+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FODM8801CR2V 2572432.pdf
FODM8801CR2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FODM8801CR2V - OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 3.75KV, SOP-4
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
CTR, min.: 200%
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
Durchlassstrom If, max.: 20mA
euEccn: NLR
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 130V
Bauform - Optokoppler: SOP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: OptoHiT FODM8801C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
directShipCharge: 25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6428LT1G 2578348.pdf
MMBT6428LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6428LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
113+7.75 грн
150+5.83 грн
218+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 113
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160T3G murs120t3-d.pdf
MURS160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 108967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+38.14 грн
50+25.52 грн
100+20.12 грн
500+14.15 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
MURS160T3G murs120t3-d.pdf
MURS160T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURS160T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 108967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.12 грн
500+14.15 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM140T3G 1708273.pdf
MBRM140T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM140T3G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+40.67 грн
50+24.12 грн
250+18.72 грн
1000+10.59 грн
5000+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
MBRM140T1G mbrm140-d.pdf
MBRM140T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRM140T1G - Schottky-Gleichrichterdiode, Universal, 40 V, 1 A, Einfach, DO-216AA, 2 Pin(s), 850 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-216AA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 850mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MBRM1
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 143507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
32+27.69 грн
57+15.41 грн
100+14.46 грн
500+12.70 грн
1500+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
TCA0372DP1G ONSMS34530-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TCA0372DP1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TCA0372DP1G - IC, OP-AMP, DUAL, 8DIP
tariffCode: 85423390
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNG NXH40B120MNQ0-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6967.06 грн
5+6578.65 грн
10+6191.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNG NXH80B120MNQ0-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5608.48 грн
5+4961.42 грн
10+4314.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SB05-03Q-TL-E ONSMS36753-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB05-03Q-TL-E - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 71472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+11.50 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
LV2134V-TLM-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV2134V-TLM-E - DATA COMMUNICATION ICS
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+66.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
SN74LS32ML1 ONSMS22098-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SN74LS32ML1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SN74LS32ML1 - SN74LS32ML1, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3206+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 3206
В кошику  од. на суму  грн.
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.14 грн
9000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
MC10H107MELG MC10H107-_Rev8.pdf
MC10H107MELG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC10H107MELG - MC10H107MELG, LOGIC
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
UC3843BDR2G 1760847.pdf
UC3843BDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UC3843BDR2G - PWM-Controller, 14V bis 30V Versorgungsspannung, 500kHz, 5V/1Aout, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Schaltfrequenz, max.: -
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Schaltfrequenz, min.: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 14V
euEccn: NLR
Netzteil-Controller: Single-Ended-Regler (einseitig)
Topologie: Boost, Flyback
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Steuer-/Bedienmodus: Current-Mode-Regelung
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 30V
Tastverhältnis, min.: 0%
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Tastverhältnis, max.: 96%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.48 грн
500+25.23 грн
1000+22.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BVSS138LT1G ONSM-S-A0011027454-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BVSS138LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BVSS138LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 42263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.27 грн
1000+4.92 грн
5000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMS24T1G 1911959.pdf
SMS24T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS24T1G - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SC-74, 6 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+36.40 грн
35+25.08 грн
100+16.55 грн
500+12.37 грн
1000+9.18 грн
5000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SMS24T1G 1911959.pdf
SMS24T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS24T1G - ESD-Schutzbaustein, 44 V, SC-74, 6 Pin(s), 225 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 44V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.55 грн
500+12.37 грн
1000+9.18 грн
5000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G 2705098.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.07 грн
1000+2.84 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SMS05T1G 1911959.pdf
SMS05T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMS05T1G - TVS-Diode, SMS05T1, Unidirektional, 5 V, 15.5 V, SC-74, 6 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SC-74
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 6V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 7.2V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 350W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: SMS05T1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 15.5V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.90 грн
500+14.72 грн
1500+12.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SMUN5111T1G 2705098.pdf
SMUN5111T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5111T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+15.68 грн
91+9.58 грн
149+5.87 грн
500+4.07 грн
1000+2.84 грн
5000+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 237 474 711 948 1185 1422 1659 1896 2133 2224 2225 2226 2227 2228 2229 2230 2231 2232 2233 2234 2370 2379  [ Наступна Сторінка >> ]