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RSR025N03HZGTL | ROHM |
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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R6061YNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6061YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.06 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 568W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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R6038YNXC7G | ROHM |
Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 81W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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R6038YNZ4C13 | ROHM |
Description: ROHM - R6038YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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R6038YNX3C16 | ROHM |
Description: ROHM - R6038YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SAR372PHZGT100R | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SAR375PHZGT100R | ROHM |
Description: ROHM - 2SAR375PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 280MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RB530VM-30FHTE-17 | ROHM |
Description: ROHM - RB530VM-30FHTE-17 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Einfach, 30 V, 100 mA, 450 mV, 500 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 500mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 450mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RB530 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SCS220ANHRTRL | ROHM |
Description: ROHM - SCS220ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 31nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SCS220KNHRTRL | ROHM |
Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 Kapazitive Gesamtladung: 68nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SCS220KNHRTRL | ROHM |
Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RB218RSM15STL1 | ROHM |
Description: ROHM - RB218RSM15STL1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Einfach, zweifache Anode, TO-277A, 3 Pin(s), 900 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 270A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV usEccn: 3A991.b.1.b.2 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RD3R02BBHTL1 | ROHM |
Description: ROHM - RD3R02BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20 A, 0.062 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BAT54HMT116 | ROHM |
Description: ROHM - BAT54HMT116 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LTR18EZPFSR015 | ROHM |
Description: ROHM - LTR18EZPFSR015 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.015 ohm, LTR Series, 0612 [Metrisch 1632], 1.5 W, ± 1%tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.58mm rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0612 [Metrisch 1632] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1.5W Widerstand: 0.015ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 0ppm/°C bis +300ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: LTR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LTR18EZPFSR015 | ROHM |
Description: ROHM - LTR18EZPFSR015 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.015 ohm, LTR Series, 0612 [Metrisch 1632], 1.5 W, ± 1%tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.58mm rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0612 [Metrisch 1632] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1.5W Widerstand: 0.015ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 0ppm/°C bis +300ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: LTR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C27VLT116 | ROHM |
Description: ROHM - BZX84C27VLT116 - Zener-Diode, 27 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 27V SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RSQ015P10FRATR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1L151ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RSH070P05GZETB | ROHM |
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 45V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RS1L151ATTB1 | ROHM |
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 19587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RSQ015P10FRATR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RSQ025P03HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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RSQ025P03HZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RD3P06BBKHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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KTR03EZPF8202 | ROHM |
Description: ROHM - KTR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Hochspannung Widerstand: 82kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: KTR Series productTraceability: No Nennspannung: 350V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESR03EZPF8202 | ROHM |
Description: ROHM - ESR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 82kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: ESR Series productTraceability: No Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25A1MFJ-3MGE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423255 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25A1MFJ-3MGE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423255 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 105°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G46NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 1Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G76NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 8Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G76NUX-3TTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G76NUX-3TTR - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 8Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G86NUX-3TTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G46NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 1Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G86NUX-3TTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 16Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR93G76NUX-3ATTR | ROHM |
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 8Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 3MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Microwire Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G640NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G1MFJ-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G1MFJ-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G128FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G128NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G128FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G320NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G640FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G320NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 32Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G640FVM-3GTR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: MSOP Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G1MF-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G128NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 128Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 3540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G1MF-3GE2 | ROHM |
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOP Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.1.b.1 Taktfrequenz, max.: 10MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BR25G640NUX-3TR | ROHM |
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)tariffCode: 85423275 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: VSON Speicherdichte: 64Kbit usEccn: EAR99 Taktfrequenz, max.: 20MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.6V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: SPI Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESR03EZPF2203 | ROHM |
Description: ROHM - ESR03EZPF2203 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 220kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: ESR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VS4V5BU1QST18R | ROHM |
Description: ROHM - VS4V5BU1QST18R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.5 V, 12 V, DSN1006tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DSN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 5.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 6.5V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 4.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 600W TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: - Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SDR03EZPF1503 | ROHM |
Description: ROHM - SDR03EZPF1503 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 150 kohm, ± 1%, 300 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 300mW Widerstandstyp: Überspannungsschutz Widerstand: 150kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0 Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: SDR Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 150V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RSQ015N06TR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RSQ015N06TR | ROHM |
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGW60NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 67A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGW50NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGW50NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 165W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 57A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGW40NL65DHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 48A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RGW80NL65HRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 227W Bauform - Transistor: TO-263L Dauerkollektorstrom: 83A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Field Stop Trench Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| RSR025N03HZGTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSR025N03HZGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.66 грн |
| 500+ | 21.83 грн |
| 1000+ | 17.69 грн |
| R6061YNZ4C13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6061YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - R6061YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 61 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 768.99 грн |
| 5+ | 674.93 грн |
| 10+ | 580.88 грн |
| 50+ | 496.53 грн |
| 100+ | 404.59 грн |
| R6038YNXC7G |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - R6038YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.096 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 81W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 487.69 грн |
| 10+ | 369.25 грн |
| 100+ | 297.84 грн |
| 500+ | 245.84 грн |
| 1000+ | 200.80 грн |
| R6038YNZ4C13 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6038YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - R6038YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 551.27 грн |
| 5+ | 500.76 грн |
| 10+ | 449.38 грн |
| 50+ | 383.31 грн |
| 100+ | 321.73 грн |
| R6038YNX3C16 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - R6038YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - R6038YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 38 A, 0.096 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 518.18 грн |
| 10+ | 434.57 грн |
| 2SAR372PHZGT100R |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - 2SAR372PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 700 mA, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.69 грн |
| 24+ | 37.80 грн |
| 100+ | 28.30 грн |
| 500+ | 20.62 грн |
| 1000+ | 14.71 грн |
| 2SAR375PHZGT100R |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - 2SAR375PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - 2SAR375PHZGT100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1.5 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 280MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 54.08 грн |
| 21+ | 41.89 грн |
| 100+ | 31.35 грн |
| 500+ | 22.89 грн |
| 1000+ | 16.27 грн |
| RB530VM-30FHTE-17 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RB530VM-30FHTE-17 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Einfach, 30 V, 100 mA, 450 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB530
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RB530VM-30FHTE-17 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Einfach, 30 V, 100 mA, 450 mV, 500 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 450mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: RB530
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.58 грн |
| 1000+ | 6.57 грн |
| SCS220ANHRTRL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS220ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 31nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - SCS220ANHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 31 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 31nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 543.43 грн |
| 5+ | 505.11 грн |
| 10+ | 465.92 грн |
| 50+ | 397.06 грн |
| 100+ | 332.93 грн |
| 250+ | 318.74 грн |
| SCS220KNHRTRL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1018.06 грн |
| 5+ | 924.01 грн |
| 10+ | 829.08 грн |
| 50+ | 705.97 грн |
| SCS220KNHRTRL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ROHM - SCS220KNHRTRL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 1.2 kV, 20 A, 68 nC, TO-263
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 703.67 грн |
| 50+ | 576.59 грн |
| RB218RSM15STL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RB218RSM15STL1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Einfach, zweifache Anode, TO-277A, 3 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROHM - RB218RSM15STL1 - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 20 A, Einfach, zweifache Anode, TO-277A, 3 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: 3A991.b.1.b.2
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.24 грн |
| 10+ | 110.60 грн |
| 100+ | 79.60 грн |
| RD3R02BBHTL1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3R02BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20 A, 0.062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RD3R02BBHTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20 A, 0.062 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAT54HMT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BAT54HMT116 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BAT54HMT116 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.37 грн |
| 112+ | 7.84 грн |
| 500+ | 4.42 грн |
| 1000+ | 3.38 грн |
| LTR18EZPFSR015 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - LTR18EZPFSR015 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.015 ohm, LTR Series, 0612 [Metrisch 1632], 1.5 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.58mm
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0612 [Metrisch 1632]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1.5W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 0ppm/°C bis +300ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - LTR18EZPFSR015 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.015 ohm, LTR Series, 0612 [Metrisch 1632], 1.5 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.58mm
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0612 [Metrisch 1632]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1.5W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 0ppm/°C bis +300ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.86 грн |
| 500+ | 15.85 грн |
| 1000+ | 13.50 грн |
| LTR18EZPFSR015 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - LTR18EZPFSR015 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.015 ohm, LTR Series, 0612 [Metrisch 1632], 1.5 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.58mm
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0612 [Metrisch 1632]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1.5W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 0ppm/°C bis +300ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - LTR18EZPFSR015 - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.015 ohm, LTR Series, 0612 [Metrisch 1632], 1.5 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.58mm
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0612 [Metrisch 1632]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1.5W
Widerstand: 0.015ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 0ppm/°C bis +300ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: LTR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 30.31 грн |
| 100+ | 19.86 грн |
| 500+ | 15.85 грн |
| 1000+ | 13.50 грн |
| BZX84C27VLT116 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BZX84C27VLT116 - Zener-Diode, 27 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BZX84C27VLT116 - Zener-Diode, 27 V, 250 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 27V
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 263+ | 3.32 грн |
| 266+ | 3.28 грн |
| 268+ | 3.26 грн |
| 500+ | 2.99 грн |
| 1000+ | 2.71 грн |
| RSQ015P10FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 108.86 грн |
| 11+ | 81.17 грн |
| 100+ | 57.83 грн |
| RS1L151ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0089ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 141.08 грн |
| 500+ | 108.36 грн |
| 1000+ | 94.06 грн |
| RSH070P05GZETB |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSH070P05GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 7 A, 0.019 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 113.21 грн |
| 500+ | 84.91 грн |
| 1000+ | 67.41 грн |
| RS1L151ATTB1 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RS1L151ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 56 A, 0.0089 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0089ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 19587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 291.75 грн |
| 10+ | 196.82 грн |
| 100+ | 141.08 грн |
| 500+ | 108.36 грн |
| 1000+ | 94.06 грн |
| RSQ015P10FRATR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ015P10FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.47 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.47ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 57.83 грн |
| RSQ025P03HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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| RSQ025P03HZGTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ025P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2.5 A, 0.08 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 74.11 грн |
| 16+ | 55.13 грн |
| 100+ | 36.49 грн |
| RD3P06BBKHRBTL |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.15 грн |
| 10+ | 105.38 грн |
| KTR03EZPF8202 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - KTR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: KTR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - KTR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Hochspannung
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: KTR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 350V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.07 грн |
| 2500+ | 1.85 грн |
| ESR03EZPF8202 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESR03EZPF8202 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 82 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 82kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: No
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.86 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
| 2500+ | 1.32 грн |
| BR25A1MFJ-3MGE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 179.90 грн |
| 250+ | 174.67 грн |
| 500+ | 170.20 грн |
| BR25A1MFJ-3MGE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25A1MFJ-3MGE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423255
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Mbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 249.94 грн |
| 10+ | 233.40 грн |
| 25+ | 227.30 грн |
| 50+ | 198.93 грн |
| 100+ | 179.90 грн |
| 250+ | 174.67 грн |
| 500+ | 170.20 грн |
| BR93G46NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.42 грн |
| 500+ | 19.49 грн |
| 1000+ | 17.62 грн |
| 2500+ | 17.17 грн |
| BR93G76NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.38 грн |
| 500+ | 16.58 грн |
| 1000+ | 14.93 грн |
| 2500+ | 14.56 грн |
| BR93G76NUX-3TTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G76NUX-3TTR - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G76NUX-3TTR - EEPROM, 8 Kbit, 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 8 Bit / 512 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.38 грн |
| 500+ | 16.58 грн |
| 1000+ | 14.93 грн |
| 2500+ | 14.78 грн |
| BR93G86NUX-3TTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.99 грн |
| 36+ | 24.30 грн |
| 100+ | 19.94 грн |
| 500+ | 18.03 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| 2500+ | 15.83 грн |
| BR93G46NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G46NUX-3ATTR - EEPROM, 1 Kbit, 64 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 1Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 1Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 21.86 грн |
| 100+ | 21.42 грн |
| 500+ | 19.49 грн |
| 1000+ | 17.62 грн |
| 2500+ | 17.17 грн |
| BR93G86NUX-3TTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G86NUX-3TTR - EEPROM, 16 Kbit, 1K x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 16Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1K x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.94 грн |
| 500+ | 18.03 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| 2500+ | 15.83 грн |
| BR93G76NUX-3ATTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR93G76NUX-3ATTR - EEPROM, 8 Kbit, 512 x 16 Bit, Microwire, 3 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 8Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 3MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 8Kbit Microwire Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Microwire
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 512 x 16 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 23.08 грн |
| 39+ | 22.38 грн |
| 100+ | 18.38 грн |
| 500+ | 16.58 грн |
| 1000+ | 14.93 грн |
| 2500+ | 14.56 грн |
| BR25G640NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.99 грн |
| 100+ | 24.73 грн |
| 500+ | 22.72 грн |
| 1000+ | 20.53 грн |
| 2500+ | 20.15 грн |
| BR25G1MFJ-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 124.66 грн |
| 250+ | 123.17 грн |
| 500+ | 121.67 грн |
| 1000+ | 116.45 грн |
| BR25G1MFJ-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MFJ-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP-J, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP-J
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 211.62 грн |
| 10+ | 177.66 грн |
| 25+ | 168.95 грн |
| 50+ | 148.80 грн |
| 100+ | 124.66 грн |
| 250+ | 123.17 грн |
| 500+ | 121.67 грн |
| 1000+ | 116.45 грн |
| BR25G128FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 58.09 грн |
| 17+ | 51.73 грн |
| 100+ | 49.64 грн |
| 500+ | 41.40 грн |
| 1000+ | 37.47 грн |
| 2500+ | 36.73 грн |
| BR25G128NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 39.71 грн |
| 500+ | 32.10 грн |
| 1000+ | 28.96 грн |
| 2500+ | 28.37 грн |
| BR25G128FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128FVM-3GTR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.64 грн |
| 500+ | 41.40 грн |
| 1000+ | 37.47 грн |
| 2500+ | 36.73 грн |
| BR25G320NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.53 грн |
| 500+ | 29.35 грн |
| 1000+ | 25.83 грн |
| BR25G640FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 31.35 грн |
| 100+ | 31.09 грн |
| 500+ | 28.55 грн |
| 1000+ | 25.83 грн |
| BR25G320NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G320NUX-3TR - EEPROM, 32 Kbit, 4K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 32Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 32Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 4K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 38.41 грн |
| 25+ | 35.97 грн |
| 100+ | 33.53 грн |
| 500+ | 29.35 грн |
| 1000+ | 25.83 грн |
| BR25G640FVM-3GTR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640FVM-3GTR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, MSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: MSOP
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.09 грн |
| 500+ | 28.55 грн |
| 1000+ | 25.83 грн |
| BR25G1MF-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 211.62 грн |
| 10+ | 178.53 грн |
| 25+ | 169.82 грн |
| 50+ | 149.61 грн |
| 100+ | 124.66 грн |
| 250+ | 123.91 грн |
| 500+ | 122.42 грн |
| 1000+ | 115.70 грн |
| BR25G128NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G128NUX-3TR - EEPROM, 128 Kbit, 16K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 128Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 128Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 16K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.20 грн |
| 21+ | 42.59 грн |
| 100+ | 39.71 грн |
| 500+ | 32.10 грн |
| 1000+ | 28.96 грн |
| 2500+ | 28.37 грн |
| BR25G1MF-3GE2 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G1MF-3GE2 - EEPROM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SPI, 10 MHz, SOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOP
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.1.b.1
Taktfrequenz, max.: 10MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 124.66 грн |
| 250+ | 123.91 грн |
| 500+ | 122.42 грн |
| 1000+ | 115.70 грн |
| BR25G640NUX-3TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - BR25G640NUX-3TR - EEPROM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, SPI, 20 MHz, VSON, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423275
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VSON
Speicherdichte: 64Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 20MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: 64Kbit SPI Serial EEPROM
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.73 грн |
| 500+ | 22.72 грн |
| 1000+ | 20.53 грн |
| 2500+ | 20.15 грн |
| ESR03EZPF2203 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - ESR03EZPF2203 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 220kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - ESR03EZPF2203 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 kohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 220kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: ESR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 213+ | 4.09 грн |
| 345+ | 2.53 грн |
| 500+ | 2.26 грн |
| 1000+ | 1.78 грн |
| VS4V5BU1QST18R |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - VS4V5BU1QST18R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.5 V, 12 V, DSN1006
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - VS4V5BU1QST18R - TVS-Diode, Bidirektional, 4.5 V, 12 V, DSN1006
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DSN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 6.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 4.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 600W
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: -
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 12V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 22.29 грн |
| 58+ | 15.07 грн |
| 151+ | 5.79 грн |
| 500+ | 5.34 грн |
| 1000+ | 4.89 грн |
| 5000+ | 4.82 грн |
| SDR03EZPF1503 |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - SDR03EZPF1503 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 150 kohm, ± 1%, 300 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 300mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 150kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SDR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - SDR03EZPF1503 - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 150 kohm, ± 1%, 300 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 300mW
Widerstandstyp: Überspannungsschutz
Widerstand: 150kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/°C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: SDR Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.26 грн |
| 1000+ | 1.87 грн |
| 2500+ | 1.55 грн |
| RSQ015N06TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 70.37 грн |
| 100+ | 70.19 грн |
| 500+ | 59.68 грн |
| 1000+ | 41.65 грн |
| RSQ015N06TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RSQ015N06TR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.21 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.21ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 70.19 грн |
| 500+ | 59.68 грн |
| 1000+ | 41.65 грн |
| RGW60NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGW60NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 67 A, 1.5 V, 187 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 67A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 184.63 грн |
| 500+ | 160.12 грн |
| 1000+ | 121.67 грн |
| RGW50NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 411.06 грн |
| 10+ | 272.59 грн |
| 100+ | 194.21 грн |
| 500+ | 169.82 грн |
| 1000+ | 125.41 грн |
| RGW50NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGW50NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 57 A, 1.5 V, 165 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 165W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 57A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 194.21 грн |
| 500+ | 169.82 грн |
| 1000+ | 125.41 грн |
| RGW40NL65DHRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGW40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 48 A, 1.5 V, 144 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 48A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 389.28 грн |
| 10+ | 257.78 грн |
| 100+ | 182.89 грн |
| 500+ | 158.50 грн |
| 1000+ | 131.38 грн |
| RGW80NL65HRBTL |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RGW80NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 83 A, 1.5 V, 227 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 83A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 209.01 грн |
| 500+ | 186.80 грн |


























