Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+321.61 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+321.61 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+345.59 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+337.31 грн
10+221.37 грн
100+147.96 грн
500+132.11 грн
1000+112.48 грн
2000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.21 грн
10+200.28 грн
100+141.71 грн
500+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.85 грн
10+164.94 грн
100+117.76 грн
480+108.71 грн
1200+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.28 грн
4+176.14 грн
10+152.55 грн
20+138.40 грн
30+134.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+296.73 грн
4+219.50 грн
10+183.06 грн
20+166.08 грн
30+161.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.54 грн
30+149.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+186.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.44 грн
10+107.73 грн
30+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.13 грн
10+134.25 грн
30+116.07 грн
90+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.99 грн
10+145.85 грн
100+92.85 грн
480+77.75 грн
1200+66.88 грн
2640+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.68 грн
30+109.54 грн
120+88.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.17 грн
10+165.81 грн
100+110.21 грн
480+91.34 грн
1200+78.51 грн
2640+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.88 грн
10+159.63 грн
30+132.89 грн
120+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+279.46 грн
10+198.92 грн
30+159.47 грн
120+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.63 грн
30+124.37 грн
120+101.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.57 грн
10+164.94 грн
100+109.46 грн
480+90.59 грн
1200+78.51 грн
2640+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.56 грн
10+125.82 грн
20+114.81 грн
30+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.82 грн
10+150.98 грн
20+137.77 грн
30+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.74 грн
10+163.21 грн
100+116.25 грн
480+90.59 грн
1200+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+382.23 грн
10+210.96 грн
100+151.73 грн
480+125.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.04 грн
30+192.03 грн
120+158.72 грн
510+126.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+380.47 грн
10+248.29 грн
100+171.36 грн
480+152.49 грн
1200+130.60 грн
2640+123.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.34 грн
10+231.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.88 грн
2+305.73 грн
10+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+399.84 грн
10+232.66 грн
100+166.08 грн
480+144.94 грн
1200+134.37 грн
2640+126.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.14 грн
30+188.96 грн
120+156.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.02 грн
10+243.94 грн
100+148.71 грн
480+120.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+230.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+383.62 грн
10+288.59 грн
30+222.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+460.34 грн
10+359.63 грн
30+267.04 грн
120+257.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+270.13 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+224.99 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
240+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.64 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA(TO-247AB).pdf IGBTs
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.02 грн
10+240.47 грн
100+163.81 грн
500+145.70 грн
1000+128.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88 Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Manufacturer series: MT15
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 12pF
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+0.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88 Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Manufacturer series: MT15
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 12pF
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10000+0.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ngtb15n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 147W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.82 грн
10+375.09 грн
30+331.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 127729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.66 грн
30+279.52 грн
120+234.16 грн
510+188.55 грн
1020+188.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+538.12 грн
10+307.32 грн
120+219.67 грн
420+199.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG NGTB15N120IHRWG onsemi ngtb15n120ihr-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+162.22 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+11.45 грн
77+4.51 грн
134+2.26 грн
500+1.81 грн
1000+1.43 грн
2500+1.28 грн
5000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+10.48 грн
98+3.56 грн
167+1.81 грн
500+1.36 грн
1000+1.13 грн
2500+0.98 грн
5000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.30 грн
73+4.77 грн
134+2.26 грн
500+1.43 грн
1000+1.13 грн
2500+0.75 грн
5000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.30 грн
73+4.77 грн
134+2.26 грн
500+1.43 грн
1000+1.13 грн
2500+0.75 грн
5000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+250.38 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+318.09 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+287.93 грн
150+240.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+776.79 грн
10+669.33 грн
120+526.92 грн
510+520.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+730.04 грн
30+551.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+321.61 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+321.61 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+345.59 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+337.31 грн
10+221.37 грн
100+147.96 грн
500+132.11 грн
1000+112.48 грн
2000+105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.21 грн
10+200.28 грн
100+141.71 грн
500+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.85 грн
10+164.94 грн
100+117.76 грн
480+108.71 грн
1200+92.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.28 грн
4+176.14 грн
10+152.55 грн
20+138.40 грн
30+134.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.73 грн
4+219.50 грн
10+183.06 грн
20+166.08 грн
30+161.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.54 грн
30+149.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+186.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.44 грн
10+107.73 грн
30+96.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.13 грн
10+134.25 грн
30+116.07 грн
90+108.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.99 грн
10+145.85 грн
100+92.85 грн
480+77.75 грн
1200+66.88 грн
2640+63.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.68 грн
30+109.54 грн
120+88.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.17 грн
10+165.81 грн
100+110.21 грн
480+91.34 грн
1200+78.51 грн
2640+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.88 грн
10+159.63 грн
30+132.89 грн
120+122.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.46 грн
10+198.92 грн
30+159.47 грн
120+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.63 грн
30+124.37 грн
120+101.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.57 грн
10+164.94 грн
100+109.46 грн
480+90.59 грн
1200+78.51 грн
2640+74.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.56 грн
10+125.82 грн
20+114.81 грн
30+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.82 грн
10+150.98 грн
20+137.77 грн
30+135.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.74 грн
10+163.21 грн
100+116.25 грн
480+90.59 грн
1200+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.23 грн
10+210.96 грн
100+151.73 грн
480+125.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.04 грн
30+192.03 грн
120+158.72 грн
510+126.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.47 грн
10+248.29 грн
100+171.36 грн
480+152.49 грн
1200+130.60 грн
2640+123.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.34 грн
10+231.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.88 грн
2+305.73 грн
10+277.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.84 грн
10+232.66 грн
100+166.08 грн
480+144.94 грн
1200+134.37 грн
2640+126.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.14 грн
30+188.96 грн
120+156.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.02 грн
10+243.94 грн
100+148.71 грн
480+120.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+383.62 грн
10+288.59 грн
30+222.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.34 грн
10+359.63 грн
30+267.04 грн
120+257.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+270.13 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+224.99 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+115.59 грн
10+102.23 грн
30+95.15 грн
120+88.86 грн
240+86.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.64 грн
3+144.05 грн
10+122.67 грн
30+114.18 грн
120+106.63 грн
240+103.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA(TO-247AB).pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.02 грн
10+240.47 грн
100+163.81 грн
500+145.70 грн
1000+128.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88
MT15N120J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Manufacturer series: MT15
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 12pF
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88
MT15N120J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Dielectric: C0G (NP0)
Type of capacitor: ceramic
Manufacturer series: MT15
Kind of capacitor: MLCC
Mounting: SMD
Operating temperature: -55...125°C
Capacitance: 12pF
Tolerance: ±5%
Operating voltage: 50V
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 147W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.82 грн
10+375.09 грн
30+331.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 127729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+504.66 грн
30+279.52 грн
120+234.16 грн
510+188.55 грн
1020+188.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W-D.PDF
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+538.12 грн
10+307.32 грн
120+219.67 грн
420+199.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+179.15 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
NGTB15N120IHRWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+162.22 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+124.13 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
NGTG15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.45 грн
77+4.51 грн
134+2.26 грн
500+1.81 грн
1000+1.43 грн
2500+1.28 грн
5000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.48 грн
98+3.56 грн
167+1.81 грн
500+1.36 грн
1000+1.13 грн
2500+0.98 грн
5000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.30 грн
73+4.77 грн
134+2.26 грн
500+1.43 грн
1000+1.13 грн
2500+0.75 грн
5000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.30 грн
73+4.77 грн
134+2.26 грн
500+1.43 грн
1000+1.13 грн
2500+0.75 грн
5000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+250.38 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+318.09 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+287.93 грн
150+240.62 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+776.79 грн
10+669.33 грн
120+526.92 грн
510+520.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+730.04 грн
30+551.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]