Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.89 грн
10+224.38 грн
100+149.97 грн
500+133.90 грн
1000+114.01 грн
2000+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+324.04 грн
10+199.74 грн
100+131.60 грн
480+115.54 грн
1200+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.33 грн
4+171.36 грн
7+149.84 грн
10+148.25 грн
18+141.07 грн
20+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+288.40 грн
4+213.54 грн
7+179.81 грн
10+177.90 грн
18+169.29 грн
20+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+182.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.24 грн
10+100.42 грн
26+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.09 грн
10+125.14 грн
26+113.82 грн
120+111.90 грн
240+109.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.09 грн
10+147.83 грн
100+94.11 грн
480+78.81 грн
1200+67.79 грн
2640+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.66 грн
10+167.18 грн
100+110.95 грн
480+92.58 грн
1200+79.57 грн
2640+75.67 грн
10080+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+103.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.78 грн
7+137.09 грн
19+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.73 грн
7+170.83 грн
19+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.12 грн
10+167.18 грн
100+110.95 грн
480+91.82 грн
1200+79.57 грн
2640+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.52 грн
8+125.93 грн
21+118.76 грн
120+117.16 грн
150+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.42 грн
8+156.93 грн
21+142.51 грн
120+140.60 грн
150+137.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.37 грн
10+165.42 грн
100+117.83 грн
480+91.82 грн
1200+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+387.42 грн
10+213.82 грн
100+153.79 грн
480+127.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.63 грн
10+251.66 грн
100+173.69 грн
480+154.56 грн
1200+132.37 грн
2640+124.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+218.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+387.11 грн
4+257.44 грн
10+243.89 грн
30+234.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+405.27 грн
10+235.82 грн
100+168.33 грн
480+146.91 грн
1200+136.20 грн
2640+127.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+218.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.03 грн
10+247.26 грн
100+150.73 грн
480+121.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+225.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+410.28 грн
4+239.11 грн
11+225.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+492.34 грн
4+297.96 грн
11+270.67 грн
120+265.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.16 грн
10+103.61 грн
11+91.66 грн
29+86.88 грн
240+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA(TO-247AB).pdf IGBTs
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.03 грн
10+243.74 грн
100+166.04 грн
500+147.67 грн
1000+130.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88 Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+0.17 грн
20000+0.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+551.67 грн
10+359.01 грн
120+226.48 грн
420+202.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+11.60 грн
77+4.58 грн
134+2.30 грн
500+1.84 грн
1000+1.45 грн
2500+1.30 грн
5000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+10.62 грн
98+3.61 грн
167+1.84 грн
500+1.38 грн
1000+1.15 грн
2500+0.99 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.48 грн
73+4.84 грн
134+2.30 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.77 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.48 грн
73+4.84 грн
134+2.30 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.77 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.33 грн
10+678.41 грн
120+534.07 грн
510+527.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5940.70 грн
10+4959.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+597.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+200.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGW15N120H3 Infineon Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+328.78 грн
10+305.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120 FUJI MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KGH15N120NDA KEC 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KL732B-15NG-T 15N-1206 KOA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG ON Semiconductor ngtb15n120ihr-d.pdf
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWG ON Semiconductor ngtb15n120ihw-d.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor ngtg15n120fl2w-d.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120ATMA1 Infineon SGB15N120_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4279ebd3c7e
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120 INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120 INFINEON 09+ФУ QFP
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.89 грн
10+224.38 грн
100+149.97 грн
500+133.90 грн
1000+114.01 грн
2000+107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+324.04 грн
10+199.74 грн
100+131.60 грн
480+115.54 грн
1200+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.33 грн
4+171.36 грн
7+149.84 грн
10+148.25 грн
18+141.07 грн
20+136.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.40 грн
4+213.54 грн
7+179.81 грн
10+177.90 грн
18+169.29 грн
20+163.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+182.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.24 грн
10+100.42 грн
26+94.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.09 грн
10+125.14 грн
26+113.82 грн
120+111.90 грн
240+109.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.09 грн
10+147.83 грн
100+94.11 грн
480+78.81 грн
1200+67.79 грн
2640+64.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.66 грн
10+167.18 грн
100+110.95 грн
480+92.58 грн
1200+79.57 грн
2640+75.67 грн
10080+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+103.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.78 грн
7+137.09 грн
19+129.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.73 грн
7+170.83 грн
19+155.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.12 грн
10+167.18 грн
100+110.95 грн
480+91.82 грн
1200+79.57 грн
2640+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.52 грн
8+125.93 грн
21+118.76 грн
120+117.16 грн
150+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.42 грн
8+156.93 грн
21+142.51 грн
120+140.60 грн
150+137.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.37 грн
10+165.42 грн
100+117.83 грн
480+91.82 грн
1200+87.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+387.42 грн
10+213.82 грн
100+153.79 грн
480+127.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+385.63 грн
10+251.66 грн
100+173.69 грн
480+154.56 грн
1200+132.37 грн
2640+124.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+218.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+387.11 грн
4+257.44 грн
10+243.89 грн
30+234.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.27 грн
10+235.82 грн
100+168.33 грн
480+146.91 грн
1200+136.20 грн
2640+127.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+218.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.03 грн
10+247.26 грн
100+150.73 грн
480+121.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+225.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+410.28 грн
4+239.11 грн
11+225.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.34 грн
4+297.96 грн
11+270.67 грн
120+265.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.16 грн
10+103.61 грн
11+91.66 грн
29+86.88 грн
240+83.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA(TO-247AB).pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.03 грн
10+243.74 грн
100+166.04 грн
500+147.67 грн
1000+130.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88
MT15N120J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.17 грн
20000+0.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W-D.PDF
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.67 грн
10+359.01 грн
120+226.48 грн
420+202.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.60 грн
77+4.58 грн
134+2.30 грн
500+1.84 грн
1000+1.45 грн
2500+1.30 грн
5000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.62 грн
98+3.61 грн
167+1.84 грн
500+1.38 грн
1000+1.15 грн
2500+0.99 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.48 грн
73+4.84 грн
134+2.30 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.77 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.48 грн
73+4.84 грн
134+2.30 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.77 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.33 грн
10+678.41 грн
120+534.07 грн
510+527.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5940.70 грн
10+4959.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+597.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+200.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGW15N120H3
Виробник: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+328.78 грн
10+305.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KGH15N120NDA
Виробник: KEC
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KL732B-15NG-T 15N-1206
Виробник: KOA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWG ngtb15n120ihw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120ATMA1 SGB15N120_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4279ebd3c7e
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120
Виробник: INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120
Виробник: INFINEON
09+ФУ QFP
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]