Результат пошуку "40n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGH40N60SFD FGH40N60SFD
Код товару: 201597 		China fgh40n60sfd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 67 шт
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400 		FAIR fgh40n60sfd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 200 шт
очікується: 100 шт
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SMD FGH40N60SMD
Код товару: 63296 		FAIR/ON fgh40n60smd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 129 шт
1+205 грн
10+ 186 грн
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.22 грн
3+ 320.62 грн
8+ 302.65 грн
100+ 296.18 грн
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+517.47 грн
3+ 399.55 грн
8+ 363.18 грн
100+ 355.42 грн
AIKB40N65DF5ATMA1 AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB40N65DF5_DataSheet_v02_02_EN-3360428.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.58 грн
10+ 333.33 грн
25+ 273.29 грн
100+ 233.95 грн
250+ 221.53 грн
500+ 208.42 грн
1000+ 178.74 грн
AIKB40N65DH5ATMA1 AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB40N65DH5ATMA1 AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.15 грн
10+ 277.85 грн
100+ 224.75 грн
500+ 187.48 грн
AIKB40N65DH5ATMA1 AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB40N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360420.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.79 грн
10+ 308.73 грн
25+ 264.32 грн
100+ 216.7 грн
250+ 213.94 грн
500+ 193.24 грн
1000+ 164.94 грн
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW40N65DH5_DS_v02_01_EN-3360486.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.56 грн
10+ 579.36 грн
25+ 481.02 грн
100+ 415.46 грн
240+ 342.99 грн
480+ 314.7 грн
BIDW40N65ES5 BIDW40N65ES5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW40N65ES5-3392683.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.9 грн
10+ 298.41 грн
25+ 244.31 грн
100+ 209.8 грн
250+ 198.07 грн
600+ 186.34 грн
1200+ 160.11 грн
BIDW40N65ES5 BIDW40N65ES5 Bourns Inc. BIDW40N65ES5.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.21 грн
30+ 253.36 грн
120+ 217.18 грн
510+ 181.17 грн
1020+ 155.13 грн
2010+ 146.07 грн
BIDW40N65H5 BIDW40N65H5 Bourns Inc. BIDW40N65H5.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 111 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.21 грн
30+ 253.36 грн
120+ 217.18 грн
510+ 181.17 грн
1020+ 155.13 грн
2010+ 146.07 грн
BIDW40N65H5 BIDW40N65H5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW40N65H5-3392639.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.9 грн
10+ 298.41 грн
25+ 244.31 грн
100+ 209.8 грн
250+ 198.07 грн
600+ 186.34 грн
1200+ 160.11 грн
BSPQ000603040N6B00 BSPQ000603040N6B00 Pulse Electronics Yageo_8_16_2022_Datasheet_BSPQ_CI174-3007014.pdf RF Inductors - SMD 0.6nH 500MHz 1100mA RDC=0.04mOhms
на замовлення 14281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.74 грн
42+ 7.7 грн
100+ 4.69 грн
1000+ 3.24 грн
2500+ 3.04 грн
10000+ 2.55 грн
15000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSPQ000603040N6B00 BSPQ000603040N6B00 Pulse Electronics BSPQ000603040N6B00 Description: FIXED IND 0.6NH 1.1A 40MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±0.1nH
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Q @ Freq: 20 @ 500MHz
Frequency - Self Resonant: 20GHz
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 500 MHz
Supplier Device Package: 0201
Height - Seated (Max): 0.017" (0.43mm)
Part Status: Active
Inductance: 0.6 nH
Current Rating (Amps): 1.1 A
на замовлення 14380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+8.96 грн
42+ 6.97 грн
46+ 6.38 грн
52+ 5.28 грн
100+ 4.62 грн
250+ 4.4 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 3.12 грн
2500+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 34
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 onsemi / Fairchild FCH040N65S3_D-2311544.pdf MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+921.9 грн
10+ 805.55 грн
25+ 639.75 грн
50+ 601.79 грн
100+ 601.1 грн
250+ 545.89 грн
450+ 522.43 грн
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3-F155 onsemi fch040n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+848.06 грн
30+ 661.45 грн
120+ 622.53 грн
510+ 529.45 грн
1020+ 485.64 грн
FGA40N65SMD FGA40N65SMD onsemi fga40n65smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.09 грн
30+ 231.22 грн
120+ 198.19 грн
FGAF40N60SMD ON-Semicoductor fgaf40n60smd-d.pdf IGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+247.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40N60SFD Fairchaild IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+320.51 грн
10+ 267.86 грн
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+376.25 грн
3+ 309.12 грн
4+ 267.43 грн
9+ 252.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_D-2313395.pdf IGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 12105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.22 грн
10+ 286.51 грн
25+ 170.46 грн
100+ 162.18 грн
250+ 159.42 грн
450+ 155.97 грн
900+ 151.14 грн
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi fgh40n60smd_f085-d.pdf Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.23 грн
30+ 334.83 грн
120+ 299.57 грн
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60sm-f085jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.22 грн
3+ 279.65 грн
4+ 213.51 грн
11+ 202.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.76 грн
30+ 245.36 грн
120+ 210.32 грн
510+ 175.44 грн
1020+ 150.22 грн
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60UFD_D-2313363.pdf IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.44 грн
25+ 273.02 грн
100+ 203.59 грн
450+ 180.12 грн
900+ 160.8 грн
FGH40N65UFDTU ON-Semicoductor IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+453.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG40N60A4 ON-Semicoductor hgtg40n60a4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+504.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5 IGP40N65F5 Infineon Technologies Infineon_IGW40N65F5_DataSheet_v02_01_EN-3361670.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.2 грн
10+ 180.16 грн
25+ 148.38 грн
100+ 126.98 грн
250+ 122.84 грн
500+ 109.73 грн
1000+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.68 грн
3+ 175.41 грн
6+ 166.06 грн
10+ 157.44 грн
14+ 156.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+256.41 грн
3+ 218.59 грн
6+ 199.28 грн
10+ 188.92 грн
14+ 188.06 грн
50+ 181.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778 Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.07 грн
50+ 152.71 грн
100+ 130.89 грн
500+ 109.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.09 грн
7+ 127.96 грн
18+ 121.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.39 грн
3+ 184.54 грн
7+ 153.55 грн
18+ 145.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp40n65h5_igw40n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.07 грн
50+ 152.71 грн
100+ 130.89 грн
500+ 109.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65H5XKSA1 IGP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGP40N65H5_IGW40N65H5_DS_v02_01_EN-1731483.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.39 грн
10+ 180.16 грн
25+ 147.69 грн
100+ 126.98 грн
250+ 120.08 грн
500+ 104.21 грн
1000+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw40n60h3-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+308.32 грн
30+ 235 грн
120+ 201.44 грн
IGW40N60H3FKSA1 Infineon IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008 IGBT 600V 80A 306W   IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+191.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW40N60TPXKSA1 IGW40N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW40N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361669.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.37 грн
10+ 169.84 грн
100+ 121.46 грн
240+ 119.39 грн
480+ 86.96 грн
1200+ 81.44 грн
2640+ 80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N60TPXKSA1 IGW40N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW40N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a495a2ae24852 Description: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.34 грн
30+ 152.07 грн
120+ 125.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.26 грн
3+ 190.5 грн
6+ 164.62 грн
15+ 156 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+278.71 грн
3+ 237.4 грн
6+ 197.55 грн
15+ 187.2 грн
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw40n65f5-datasheet-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW40N65F5FKSA1 IGW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778 Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
30+ 192.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65F5FKSA1 Infineon Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778 IGBT 650V 74A 255W   IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+164.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.06 грн
3+ 205.6 грн
5+ 177.56 грн
14+ 167.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N65H5FKSA1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+300.07 грн
3+ 256.21 грн
5+ 213.08 грн
14+ 201 грн
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6 Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.58 грн
30+ 192.18 грн
120+ 164.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N60RFFKSA1 IHW40N60RFFKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw40n60rf-ds-v02_06-en.pdffileiddb3a3043271faefd0127286.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+148.95 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW40N65R5 IHW40N65R5 Infineon Technologies Infineon_IHW40N65R5_DS_v02_03_EN-1859199.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.91 грн
10+ 195.24 грн
25+ 160.8 грн
100+ 137.34 грн
240+ 106.28 грн
480+ 104.21 грн
1200+ 98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1 IHW40N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW40N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146adf2552300ab Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.24 грн
30+ 165.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.64 грн
3+ 184.03 грн
6+ 146.65 грн
16+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+264.77 грн
3+ 229.34 грн
6+ 175.98 грн
16+ 165.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1 IHW40N65R6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW40N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583086.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.64 грн
10+ 205.56 грн
25+ 152.52 грн
100+ 131.12 грн
240+ 122.84 грн
480+ 98.69 грн
1200+ 93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SFD
Код товару: 201597		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD
Виробник: China
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 67 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 200 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SMD
Код товару: 63296		 fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 129 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+205 грн
10+ 186 грн
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.22 грн
3+ 320.62 грн
8+ 302.65 грн
100+ 296.18 грн
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+517.47 грн
3+ 399.55 грн
8+ 363.18 грн
100+ 355.42 грн
AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB40N65DF5_DataSheet_v02_02_EN-3360428.pdf
AIKB40N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.58 грн
10+ 333.33 грн
25+ 273.29 грн
100+ 233.95 грн
250+ 221.53 грн
500+ 208.42 грн
1000+ 178.74 грн
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB40N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+177.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB40N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.15 грн
10+ 277.85 грн
100+ 224.75 грн
500+ 187.48 грн
AIKB40N65DH5ATMA1 Infineon_AIKB40N65DH5_DataSheet_v02_01_EN-3360420.pdf
AIKB40N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+372.79 грн
10+ 308.73 грн
25+ 264.32 грн
100+ 216.7 грн
250+ 213.94 грн
500+ 193.24 грн
1000+ 164.94 грн
AIKW40N65DH5XKSA1 Infineon_AIKW40N65DH5_DS_v02_01_EN-3360486.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+650.56 грн
10+ 579.36 грн
25+ 481.02 грн
100+ 415.46 грн
240+ 342.99 грн
480+ 314.7 грн
BIDW40N65ES5 Bourns_01_17_2024_BIDW40N65ES5-3392683.pdf
BIDW40N65ES5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 40A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.9 грн
10+ 298.41 грн
25+ 244.31 грн
100+ 209.8 грн
250+ 198.07 грн
600+ 186.34 грн
1200+ 160.11 грн
BIDW40N65ES5 BIDW40N65ES5.pdf
BIDW40N65ES5
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 106 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/150ns
Switching Energy: 580µJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+332.21 грн
30+ 253.36 грн
120+ 217.18 грн
510+ 181.17 грн
1020+ 155.13 грн
2010+ 146.07 грн
BIDW40N65H5 BIDW40N65H5.pdf
BIDW40N65H5
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 165 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/116ns
Switching Energy: 1.9mJ (on), 0.52mJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 111 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+332.21 грн
30+ 253.36 грн
120+ 217.18 грн
510+ 181.17 грн
1020+ 155.13 грн
2010+ 146.07 грн
BIDW40N65H5 Bourns_01_17_2024_BIDW40N65H5-3392639.pdf
BIDW40N65H5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 40A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.9 грн
10+ 298.41 грн
25+ 244.31 грн
100+ 209.8 грн
250+ 198.07 грн
600+ 186.34 грн
1200+ 160.11 грн
BSPQ000603040N6B00 Yageo_8_16_2022_Datasheet_BSPQ_CI174-3007014.pdf
BSPQ000603040N6B00
Виробник: Pulse Electronics
RF Inductors - SMD 0.6nH 500MHz 1100mA RDC=0.04mOhms
на замовлення 14281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.74 грн
42+ 7.7 грн
100+ 4.69 грн
1000+ 3.24 грн
2500+ 3.04 грн
10000+ 2.55 грн
15000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 34
BSPQ000603040N6B00 BSPQ000603040N6B00
BSPQ000603040N6B00
Виробник: Pulse Electronics
Description: FIXED IND 0.6NH 1.1A 40MOHM SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±0.1nH
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount
Shielding: Unshielded
Type: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
DC Resistance (DCR): 40mOhm Max
Q @ Freq: 20 @ 500MHz
Frequency - Self Resonant: 20GHz
Material - Core: Ceramic
Inductance Frequency - Test: 500 MHz
Supplier Device Package: 0201
Height - Seated (Max): 0.017" (0.43mm)
Part Status: Active
Inductance: 0.6 nH
Current Rating (Amps): 1.1 A
на замовлення 14380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+8.96 грн
42+ 6.97 грн
46+ 6.38 грн
52+ 5.28 грн
100+ 4.62 грн
250+ 4.4 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 3.12 грн
2500+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 34
FCH040N65S3-F155 FCH040N65S3_D-2311544.pdf
FCH040N65S3-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET3 650V 40 mOhm
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+921.9 грн
10+ 805.55 грн
25+ 639.75 грн
50+ 601.79 грн
100+ 601.1 грн
250+ 545.89 грн
450+ 522.43 грн
FCH040N65S3-F155 fch040n65s3-d.pdf
FCH040N65S3-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4740 pF @ 400 V
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+848.06 грн
30+ 661.45 грн
120+ 622.53 грн
510+ 529.45 грн
1020+ 485.64 грн
FGA40N65SMD fga40n65smd-d.pdf
FGA40N65SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+303.09 грн
30+ 231.22 грн
120+ 198.19 грн
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 600V 80A 115W   FGAF40N60SMD TFGAF40N60smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+247.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40N60SFD
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.51 грн
10+ 267.86 грн
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+376.25 грн
3+ 309.12 грн
4+ 267.43 грн
9+ 252.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMD FGH40N60SMD_D-2313395.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 12105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.22 грн
10+ 286.51 грн
25+ 170.46 грн
100+ 162.18 грн
250+ 159.42 грн
450+ 155.97 грн
900+ 151.14 грн
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.23 грн
30+ 334.83 грн
120+ 299.57 грн
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60sm-f085jp-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+335.22 грн
3+ 279.65 грн
4+ 213.51 грн
11+ 202.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+321.76 грн
30+ 245.36 грн
120+ 210.32 грн
510+ 175.44 грн
1020+ 150.22 грн
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD_D-2313363.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.44 грн
25+ 273.02 грн
100+ 203.59 грн
450+ 180.12 грн
900+ 160.8 грн
FGH40N65UFDTU
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+453.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
HGTG40N60A4 hgtg40n60a4-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247   HGTG40N60A4 THGTG40n60a4
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+504.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5 Infineon_IGW40N65F5_DataSheet_v02_01_EN-3361670.pdf
IGP40N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.2 грн
10+ 180.16 грн
25+ 148.38 грн
100+ 126.98 грн
250+ 122.84 грн
500+ 109.73 грн
1000+ 96.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.68 грн
3+ 175.41 грн
6+ 166.06 грн
10+ 157.44 грн
14+ 156.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5XKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 45A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 45A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.41 грн
3+ 218.59 грн
6+ 199.28 грн
10+ 188.92 грн
14+ 188.06 грн
50+ 181.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65F5XKSA1 Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778
IGP40N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.07 грн
50+ 152.71 грн
100+ 130.89 грн
500+ 109.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.09 грн
7+ 127.96 грн
18+ 121.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.39 грн
3+ 184.54 грн
7+ 153.55 грн
18+ 145.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65H5XKSA1 infineon-igp40n65h5_igw40n65h5-ds-v02_01-en.pdf
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP40N65H5XKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+200.07 грн
50+ 152.71 грн
100+ 130.89 грн
500+ 109.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP40N65H5XKSA1 Infineon_IGP40N65H5_IGW40N65H5_DS_v02_01_EN-1731483.pdf
IGP40N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.39 грн
10+ 180.16 грн
25+ 147.69 грн
100+ 126.98 грн
250+ 120.08 грн
500+ 104.21 грн
1000+ 90.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3-DTE.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IGW40N60H3FKSA1 infineon-igw40n60h3-ds-v02_03-en.pdf
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/197ns
Switching Energy: 1.68mJ
Test Condition: 400V, 40A, 7.9Ohm, 15V
Gate Charge: 223 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.32 грн
30+ 235 грн
120+ 201.44 грн
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3_Rev2_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043293a15c401293a9970bb0008
Виробник: Infineon
IGBT 600V 80A 306W   IGW40N60H3FKSA1 TIGW40n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+191.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW40N60TPXKSA1 Infineon_IGW40N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3361669.pdf
IGW40N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.37 грн
10+ 169.84 грн
100+ 121.46 грн
240+ 119.39 грн
480+ 86.96 грн
1200+ 81.44 грн
2640+ 80.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N60TPXKSA1 Infineon-IGW40N60TP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a495a2ae24852
IGW40N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.34 грн
30+ 152.07 грн
120+ 125.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65F5FKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.26 грн
3+ 190.5 грн
6+ 164.62 грн
15+ 156 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65F5FKSA1 IGP40N65F5XKSA1-DTE.pdf
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 20A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+278.71 грн
3+ 237.4 грн
6+ 197.55 грн
15+ 187.2 грн
IGW40N65F5FKSA1 infineon-igw40n65f5-datasheet-v02_01-en.pdf
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW40N65F5FKSA1 Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778
IGW40N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.58 грн
30+ 192.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65F5FKSA1 Infineon-IGW40N65F5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b91b9dc795778
Виробник: Infineon
IGBT 650V 74A 255W   IGW40N65F5FKSA1 TIGW40n65f5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+164.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1.pdf
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.06 грн
3+ 205.6 грн
5+ 177.56 грн
14+ 167.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1.pdf
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 250W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 234 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+300.07 грн
3+ 256.21 грн
5+ 213.08 грн
14+ 201 грн
IGW40N65H5FKSA1 DS_IGP_IGW40N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af52fd5b600b6
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/165ns
Switching Energy: 390µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.58 грн
30+ 192.18 грн
120+ 164.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N60RFFKSA1 infineon-ihw40n60rf-ds-v02_06-en.pdffileiddb3a3043271faefd0127286.pdf
IHW40N60RFFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 305000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+148.95 грн
Мінімальне замовлення: 240
IHW40N65R5 Infineon_IHW40N65R5_DS_v02_03_EN-1859199.pdf
IHW40N65R5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.91 грн
10+ 195.24 грн
25+ 160.8 грн
100+ 137.34 грн
240+ 106.28 грн
480+ 104.21 грн
1200+ 98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R5XKSA1 DS_IHW40N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146adf2552300ab
IHW40N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns
Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 193 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.24 грн
30+ 165.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.64 грн
3+ 184.03 грн
6+ 146.65 грн
16+ 138.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1 Infineon-IHW40N65R6-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46277fc7439017826e19dad7275
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 54A
Power dissipation: 105W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.77 грн
3+ 229.34 грн
6+ 175.98 грн
16+ 165.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW40N65R6XKSA1 Infineon_IHW40N65R6_DataSheet_v01_20_EN-2583086.pdf
IHW40N65R6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.64 грн
10+ 205.56 грн
25+ 152.52 грн
100+ 131.12 грн
240+ 122.84 грн
480+ 98.69 грн
1200+ 93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]