Результат пошуку "15n120" : > 60

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1 Infineon Technologies AIGBG15N120S7ATMA1.pdf Description: AIGBG15N120S7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 93 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.60 грн
10+185.45 грн
100+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1 Infineon Technologies infineon_aigbg15n120s7_datasheet_en.pdf IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+322.14 грн
10+208.52 грн
100+135.42 грн
500+118.12 грн
1000+99.31 грн
2000+98.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKWH15N120CS7XKSA1 AIKWH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.29 грн
10+275.92 грн
240+178.65 грн
720+149.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKWH15N120CS7XKSA1 AIKWH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon_aikwh15n120cs7_datasheet_en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+459.94 грн
10+302.82 грн
100+170.79 грн
480+151.22 грн
2640+148.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH15N120CS7XKSA1 AIKZH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.01 грн
30+268.59 грн
120+224.22 грн
510+179.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH15N120CS7XKSA1 AIKZH15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon_aikzh15n120cs7_datasheet_en.pdf IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 681 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+523.14 грн
10+295.04 грн
100+214.42 грн
480+182.82 грн
1200+176.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+351.69 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+351.69 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+378.14 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+160.39 грн
100+111.71 грн
500+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+273.86 грн
10+176.50 грн
100+106.84 грн
500+87.27 грн
1000+85.77 грн
2000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+290.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon info-tigw15n120h3.pdf Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+208.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw15n120e1-datasheet-en.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 697 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+244.02 грн
10+156.60 грн
100+94.04 грн
480+77.49 грн
1200+71.85 грн
2640+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon info-tihw15n120r3.pdf Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+129.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 578 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+280.00 грн
10+179.96 грн
100+109.84 грн
480+91.04 грн
1200+85.02 грн
2640+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 127W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 346ns
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+257.84 грн
7+146.03 грн
19+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+269.47 грн
10+220.63 грн
100+164.01 грн
480+142.20 грн
1200+134.67 грн
2640+124.89 грн
5040+119.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+214.80 грн
8+134.14 грн
20+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120bh6-datasheet-cn.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 766 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+279.13 грн
10+176.50 грн
100+91.04 грн
480+82.76 грн
1200+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-cn.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.99 грн
30+212.25 грн
120+175.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw15n120cs7-datasheet-cn.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 264 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+445.02 грн
10+287.25 грн
100+183.58 грн
480+164.01 грн
1200+144.45 грн
2640+137.68 грн
5040+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon infineon-ikw15n120h3-datasheet-cn.pdf Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+249.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon infineon-ikw15n120h3-datasheet-cn.pdf Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+249.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon info-tikw15n120t2.pdf IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+258.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 307 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+451.16 грн
10+282.92 грн
100+186.59 грн
480+151.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ikw15n120t2-datasheet-cn.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.50 грн
4+254.71 грн
10+231.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+295.58 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+246.12 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+92.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+162.75 грн
4+135.84 грн
9+109.52 грн
25+103.58 грн
240+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ngtb15n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+496.48 грн
4+314.99 грн
9+298.00 грн
10+293.76 грн
30+286.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+572.29 грн
10+325.32 грн
120+257.31 грн
420+221.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+195.97 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+135.81 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf IGBTs 1200V/15A IGBT LPT TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+329.16 грн
10+212.84 грн
120+136.93 грн
510+115.11 грн
1020+106.84 грн
2520+100.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 5943 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
28+11.41 грн
53+5.88 грн
78+3.46 грн
100+3.01 грн
500+2.18 грн
2000+1.81 грн
4000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
16+19.92 грн
44+7.09 грн
100+3.39 грн
500+2.18 грн
1000+1.66 грн
2500+1.05 грн
5000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 9017 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
24+13.25 грн
65+4.76 грн
119+2.26 грн
500+1.43 грн
1000+1.13 грн
2500+0.75 грн
5000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 27552 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
28+11.41 грн
89+3.46 грн
132+2.03 грн
155+1.73 грн
500+1.20 грн
2000+1.13 грн
4000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP15N120XKSA1 Infineon SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 Транзистори
на замовлення 900 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
2+459.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+721.51 грн
10+439.53 грн
120+305.46 грн
510+289.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2724.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2443.66 грн
10+1746.87 грн
120+1175.94 грн
510+1154.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 45A; 197W; 4,5V~6,1V; 89nC; -40°C~175°C; YGW15N120TMA1 TYGW15n120tma1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+359.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120 FUJI MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1.pdf
AIGBG15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: AIGBG15N120S7ATMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 93 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.60 грн
10+185.45 грн
100+130.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIGBG15N120S7ATMA1 infineon_aigbg15n120s7_datasheet_en.pdf
AIGBG15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.14 грн
10+208.52 грн
100+135.42 грн
500+118.12 грн
1000+99.31 грн
2000+98.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKWH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKWH15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+429.29 грн
10+275.92 грн
240+178.65 грн
720+149.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKWH15N120CS7XKSA1 infineon_aikwh15n120cs7_datasheet_en.pdf
AIKWH15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+459.94 грн
10+302.82 грн
100+170.79 грн
480+151.22 грн
2640+148.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-en.pdf
AIKZH15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 TECHNOL
Packaging: Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.01 грн
30+268.59 грн
120+224.22 грн
510+179.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKZH15N120CS7XKSA1 infineon_aikzh15n120cs7_datasheet_en.pdf
AIKZH15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 681 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+523.14 грн
10+295.04 грн
100+214.42 грн
480+182.82 грн
1200+176.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+351.69 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+351.69 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+378.14 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.51 грн
10+160.39 грн
100+111.71 грн
500+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.86 грн
10+176.50 грн
100+106.84 грн
500+87.27 грн
1000+85.77 грн
2000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+290.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 info-tigw15n120h3.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+208.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 infineon-ihw15n120e1-datasheet-en.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 697 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.02 грн
10+156.60 грн
100+94.04 грн
480+77.49 грн
1200+71.85 грн
2640+67.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 info-tihw15n120r3.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+129.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 578 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+280.00 грн
10+179.96 грн
100+109.84 грн
480+91.04 грн
1200+85.02 грн
2640+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 127W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 346ns
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.84 грн
7+146.03 грн
19+138.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.47 грн
10+220.63 грн
100+164.01 грн
480+142.20 грн
1200+134.67 грн
2640+124.89 грн
5040+119.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 100W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.80 грн
8+134.14 грн
20+127.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 infineon-ikw15n120bh6-datasheet-cn.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 766 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.13 грн
10+176.50 грн
100+91.04 грн
480+82.76 грн
1200+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-cn.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.99 грн
30+212.25 грн
120+175.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 infineon-ikw15n120cs7-datasheet-cn.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 264 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+445.02 грн
10+287.25 грн
100+183.58 грн
480+164.01 грн
1200+144.45 грн
2640+137.68 грн
5040+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 infineon-ikw15n120h3-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+249.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 infineon-ikw15n120h3-datasheet-cn.pdf
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+249.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 info-tikw15n120t2.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+258.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 307 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+451.16 грн
10+282.92 грн
100+186.59 грн
480+151.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 infineon-ikw15n120t2-datasheet-cn.pdf
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 235W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+357.50 грн
4+254.71 грн
10+231.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
78+295.58 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
94+246.12 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+92.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 40W
Case: TO247
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 45A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 245ns
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+162.75 грн
4+135.84 грн
9+109.52 грн
25+103.58 грн
240+100.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+496.48 грн
4+314.99 грн
9+298.00 грн
10+293.76 грн
30+286.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+572.29 грн
10+325.32 грн
120+257.31 грн
420+221.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
118+195.97 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
170+135.81 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A IGBT LPT TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+329.16 грн
10+212.84 грн
120+136.93 грн
510+115.11 грн
1020+106.84 грн
2520+100.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 5943 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+11.41 грн
53+5.88 грн
78+3.46 грн
100+3.01 грн
500+2.18 грн
2000+1.81 грн
4000+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.92 грн
44+7.09 грн
100+3.39 грн
500+2.18 грн
1000+1.66 грн
2500+1.05 грн
5000+0.90 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 9017 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.25 грн
65+4.76 грн
119+2.26 грн
500+1.43 грн
1000+1.13 грн
2500+0.75 грн
5000+0.68 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 27552 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+11.41 грн
89+3.46 грн
132+2.03 грн
155+1.73 грн
500+1.20 грн
2000+1.13 грн
4000+0.83 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
SGP15N120XKSA1
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 Транзистори
на замовлення 900 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+459.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+673.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+721.51 грн
10+439.53 грн
120+305.46 грн
510+289.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2724.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20240912.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2443.66 грн
10+1746.87 грн
120+1175.94 грн
510+1154.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 45A; 197W; 4,5V~6,1V; 89nC; -40°C~175°C; YGW15N120TMA1 TYGW15n120tma1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+225.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+359.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.