Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIGBG15N120S7ATMA1 AIGBG15N120S7ATMA1 Infineon Technologies infineon_aigbg15n120s7_datasheet_en.pdf IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.38 грн
10+178.81 грн
100+122.02 грн
500+105.98 грн
1000+89.25 грн
2000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+326.67 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.41 грн
10+152.35 грн
100+94.13 грн
500+76.70 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.61 грн
10+144.72 грн
100+100.48 грн
500+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.64 грн
10+152.35 грн
100+130.38 грн
480+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+261.20 грн
4+181.28 грн
10+158.62 грн
20+145.19 грн
30+143.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.16 грн
30+150.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+200.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.44 грн
10+114.98 грн
30+103.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies infineon-ihw15n120e1-datasheet-en.pdf Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.00 грн
30+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+124.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+248.55 грн
10+170.37 грн
30+141.84 грн
120+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.67 грн
30+124.63 грн
120+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN.pdf IGBTs INDUSTRY
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+257.05 грн
10+160.36 грн
100+112.95 грн
480+84.37 грн
1200+78.09 грн
2640+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.41 грн
30+188.91 грн
120+156.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.49 грн
10+203.66 грн
100+146.42 грн
480+124.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.30 грн
10+238.14 грн
100+161.76 грн
480+135.26 грн
1200+125.50 грн
2640+117.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+240.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.10 грн
10+246.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.72 грн
30+180.20 грн
120+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+240.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.67 грн
10+268.61 грн
100+173.61 грн
480+140.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+248.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.86 грн
10+252.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+255.33 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+212.66 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC LGEGW15N120TS.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.21 грн
10+110.78 грн
30+102.39 грн
120+95.68 грн
240+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN MT18B.pdf Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG ONSEMI ngtb15n120fl2w-d.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 147W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.18 грн
10+301.30 грн
30+287.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 85504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.91 грн
30+264.22 грн
120+221.33 грн
510+178.22 грн
1020+178.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+500.27 грн
10+283.84 грн
120+228.69 грн
420+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+169.33 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 19567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+10.57 грн
77+4.17 грн
134+2.09 грн
500+1.67 грн
1000+1.32 грн
2500+1.19 грн
5000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.28 грн
73+4.41 грн
134+2.09 грн
500+1.32 грн
1000+1.05 грн
2500+0.70 грн
5000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 39612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+12.28 грн
73+4.41 грн
134+2.09 грн
500+1.32 грн
1000+1.05 грн
2500+0.70 грн
5000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+236.66 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+300.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.52 грн
10+509.96 грн
120+422.52 грн
510+413.46 грн
1020+411.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+882.44 грн
30+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5690.75 грн
30+4045.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5413.45 грн
10+4966.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 45A; 197W; 4,5V~6,1V; 89nC; -40°C~175°C; YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI TYGW15n120tma1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+213.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120 FUJI MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KGH15N120NDA KEC 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KL732B-15NG-T 15N-1206 KOA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIGBG15N120S7ATMA1 infineon_aigbg15n120s7_datasheet_en.pdf
AIGBG15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs Short circuit rugged 1200 V TRENCHSTOP IGBT 7 technology
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.38 грн
10+178.81 грн
100+122.02 грн
500+105.98 грн
1000+89.25 грн
2000+88.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+326.67 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.41 грн
10+152.35 грн
100+94.13 грн
500+76.70 грн
1000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.61 грн
10+144.72 грн
100+100.48 грн
500+76.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN.pdf
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.64 грн
10+152.35 грн
100+130.38 грн
480+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.20 грн
4+181.28 грн
10+158.62 грн
20+145.19 грн
30+143.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.16 грн
30+150.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+200.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.44 грн
10+114.98 грн
30+103.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 infineon-ihw15n120e1-datasheet-en.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.00 грн
30+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.55 грн
10+170.37 грн
30+141.84 грн
120+130.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.67 грн
30+124.63 грн
120+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.05 грн
10+160.36 грн
100+112.95 грн
480+84.37 грн
1200+78.09 грн
2640+73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.41 грн
30+188.91 грн
120+156.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.49 грн
10+203.66 грн
100+146.42 грн
480+124.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.30 грн
10+238.14 грн
100+161.76 грн
480+135.26 грн
1200+125.50 грн
2640+117.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+240.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3-DTE.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.10 грн
10+246.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.72 грн
30+180.20 грн
120+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+240.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.67 грн
10+268.61 грн
100+173.61 грн
480+140.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+320.86 грн
10+252.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+255.33 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+212.66 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+95.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS.pdf
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
на замовлення 364 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.21 грн
10+110.78 грн
30+102.39 грн
120+95.68 грн
240+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT18B.pdf
MT15N120J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 147W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate charge: 109nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 147W
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+468.18 грн
10+301.30 грн
30+287.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 85504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.91 грн
30+264.22 грн
120+221.33 грн
510+178.22 грн
1020+178.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.27 грн
10+283.84 грн
120+228.69 грн
420+204.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+169.33 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 19567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.57 грн
77+4.17 грн
134+2.09 грн
500+1.67 грн
1000+1.32 грн
2500+1.19 грн
5000+1.12 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.28 грн
73+4.41 грн
134+2.09 грн
500+1.32 грн
1000+1.05 грн
2500+0.70 грн
5000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 39612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.28 грн
73+4.41 грн
134+2.09 грн
500+1.32 грн
1000+1.05 грн
2500+0.70 грн
5000+0.63 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+236.66 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+300.66 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.52 грн
10+509.96 грн
120+422.52 грн
510+413.46 грн
1020+411.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+882.44 грн
30+511.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 15MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 18V
Power Dissipation (Max): 431W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 11.7mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 800 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5690.75 грн
30+4045.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5413.45 грн
10+4966.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
YGW15N120TMA1
Виробник: LUXIN-SEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 45A; 45A; 197W; 4,5V~6,1V; 89nC; -40°C~175°C; YGW15N120TMA1 LUXIN-SEMI TYGW15n120tma1
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+213.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KGH15N120NDA
Виробник: KEC
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KL732B-15NG-T 15N-1206
Виробник: KOA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]