Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+282.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+282.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+303.1 грн
Мінімальне замовлення: 70
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1_00_en-3476535.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.48 грн
10+ 280.87 грн
25+ 230.28 грн
100+ 197.48 грн
250+ 186.31 грн
500+ 175.15 грн
1000+ 150.73 грн
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.08 грн
10+ 252.78 грн
25+ 161.89 грн
100+ 136.07 грн
240+ 135.37 грн
1200+ 122.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.89 грн
5+ 178.09 грн
13+ 167.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+311.87 грн
5+ 221.92 грн
13+ 201.49 грн
120+ 200.62 грн
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.98 грн
30+ 187.37 грн
120+ 154.77 грн
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.91 грн
7+ 122.12 грн
19+ 114.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120E1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.29 грн
7+ 152.18 грн
19+ 137.82 грн
120+ 132.58 грн
480+ 131.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.9 грн
10+ 197.41 грн
25+ 114.44 грн
100+ 97.69 грн
1200+ 90.71 грн
2640+ 85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+267.97 грн
30+ 141.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.6 грн
10+ 200.62 грн
25+ 164.68 грн
100+ 143.75 грн
240+ 122.12 грн
1200+ 106.76 грн
5040+ 106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3 Infineon 30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.44 грн
3+ 173 грн
7+ 133.75 грн
18+ 126.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW15N120R3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.93 грн
3+ 215.58 грн
7+ 160.5 грн
18+ 151.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.21 грн
10+ 226.3 грн
25+ 138.17 грн
100+ 115.84 грн
480+ 100.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+302.69 грн
30+ 160.88 грн
120+ 132.19 грн
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120BH6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.76 грн
8+ 115.57 грн
20+ 109.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN-3362341.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.21 грн
10+ 190.99 грн
25+ 156.31 грн
100+ 134.68 грн
240+ 126.3 грн
480+ 119.32 грн
1200+ 101.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+402.17 грн
10+ 361.11 грн
25+ 208.64 грн
100+ 177.24 грн
240+ 176.55 грн
480+ 166.78 грн
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.32 грн
30+ 240.79 грн
120+ 200.67 грн
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+393.21 грн
10+ 325 грн
25+ 266.56 грн
100+ 228.18 грн
240+ 216.32 грн
480+ 203.06 грн
1200+ 173.75 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.28 грн
30+ 236.91 грн
120+ 197.34 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+394.84 грн
10+ 359.51 грн
25+ 203.76 грн
100+ 173.75 грн
240+ 173.06 грн
1200+ 163.29 грн
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+220.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.89 грн
10+ 487.91 грн
25+ 378.21 грн
100+ 353.79 грн
240+ 166.08 грн
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.52 грн
3+ 284.21 грн
4+ 219.52 грн
11+ 207.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+408.62 грн
3+ 354.17 грн
4+ 263.42 грн
11+ 248.59 грн
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+236.45 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+196.45 грн
Мінімальне замовлення: 108
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf IGBTs
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
2+270.28 грн
10+ 204.63 грн
25+ 171.66 грн
100+ 140.96 грн
250+ 136.07 грн
500+ 131.19 грн
1000+ 119.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.75 грн
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W_D-2317897.pdf IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.41 грн
10+ 405.25 грн
30+ 275.63 грн
120+ 247.02 грн
210+ 205.85 грн
420+ 199.57 грн
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+155.76 грн
Мінімальне замовлення: 150
NGTB15N120IHRWG NGTB15N120IHRWG onsemi ngtb15n120ihr-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 149
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
193+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 193
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 138
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.77 грн
22+ 15.25 грн
100+ 6.7 грн
1000+ 4.33 грн
2500+ 4.12 грн
10000+ 3.35 грн
20000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.4 грн
48+ 6.74 грн
100+ 3 грн
1000+ 1.95 грн
2500+ 1.81 грн
10000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 11582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+8.79 грн
73+ 4.41 грн
143+ 1.95 грн
1000+ 1.26 грн
10000+ 1.19 грн
20000+ 0.98 грн
50000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+9.69 грн
55+ 5.86 грн
106+ 2.65 грн
1000+ 1.67 грн
2500+ 1.6 грн
10000+ 1.26 грн
20000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+218.9 грн
Мінімальне замовлення: 97
SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+277.84 грн
Мінімальне замовлення: 76
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba TRS15N120HB_datasheet_en_20240612-3507513.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+763.63 грн
10+ 519.2 грн
25+ 412.4 грн
100+ 337.04 грн
250+ 325.88 грн
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.17 грн
10+ 477.92 грн
30+ 409.4 грн
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba Toshiba_TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4839.06 грн
10+ 3929.73 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+135.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+189.42 грн
6MBI15N-120 FUJI MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb IGBT 1200V 30A 217W   IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+282.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+282.05 грн
Мінімальне замовлення: 75
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+303.1 грн
Мінімальне замовлення: 70
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1_00_en-3476535.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+339.48 грн
10+ 280.87 грн
25+ 230.28 грн
100+ 197.48 грн
250+ 186.31 грн
500+ 175.15 грн
1000+ 150.73 грн
IGB15N120S7ATMA1
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IGW15N120H3 Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+293.08 грн
10+ 252.78 грн
25+ 161.89 грн
100+ 136.07 грн
240+ 135.37 грн
1200+ 122.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.89 грн
5+ 178.09 грн
13+ 167.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3-DTE.pdf
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.87 грн
5+ 221.92 грн
13+ 201.49 грн
120+ 200.62 грн
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+347.98 грн
30+ 187.37 грн
120+ 154.77 грн
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+176.91 грн
7+ 122.12 грн
19+ 114.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.29 грн
7+ 152.18 грн
19+ 137.82 грн
120+ 132.58 грн
480+ 131.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.9 грн
10+ 197.41 грн
25+ 114.44 грн
100+ 97.69 грн
1200+ 90.71 грн
2640+ 85.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.97 грн
30+ 141.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.6 грн
10+ 200.62 грн
25+ 164.68 грн
100+ 143.75 грн
240+ 122.12 грн
1200+ 106.76 грн
5040+ 106.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+100.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.44 грн
3+ 173 грн
7+ 133.75 грн
18+ 126.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.93 грн
3+ 215.58 грн
7+ 160.5 грн
18+ 151.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.21 грн
10+ 226.3 грн
25+ 138.17 грн
100+ 115.84 грн
480+ 100.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.69 грн
30+ 160.88 грн
120+ 132.19 грн
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+274.76 грн
8+ 115.57 грн
20+ 109.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon_IKW15N120BH6_DataSheet_v02_01_EN-3362341.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.21 грн
10+ 190.99 грн
25+ 156.31 грн
100+ 134.68 грн
240+ 126.3 грн
480+ 119.32 грн
1200+ 101.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.17 грн
10+ 361.11 грн
25+ 208.64 грн
100+ 177.24 грн
240+ 176.55 грн
480+ 166.78 грн
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+439.32 грн
30+ 240.79 грн
120+ 200.67 грн
IKW15N120H3 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+393.21 грн
10+ 325 грн
25+ 266.56 грн
100+ 228.18 грн
240+ 216.32 грн
480+ 203.06 грн
1200+ 173.75 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.28 грн
30+ 236.91 грн
120+ 197.34 грн
IKW15N120H3FKSA1 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+394.84 грн
10+ 359.51 грн
25+ 203.76 грн
100+ 173.75 грн
240+ 173.06 грн
1200+ 163.29 грн
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+220.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+547.89 грн
10+ 487.91 грн
25+ 378.21 грн
100+ 353.79 грн
240+ 166.08 грн
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+340.52 грн
3+ 284.21 грн
4+ 219.52 грн
11+ 207.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+408.62 грн
3+ 354.17 грн
4+ 263.42 грн
11+ 248.59 грн
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+236.45 грн
Мінімальне замовлення: 90
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
108+196.45 грн
Мінімальне замовлення: 108
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+270.28 грн
10+ 204.63 грн
25+ 171.66 грн
100+ 140.96 грн
250+ 136.07 грн
500+ 131.19 грн
1000+ 119.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.75 грн
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W_D-2317897.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+462.41 грн
10+ 405.25 грн
30+ 275.63 грн
120+ 247.02 грн
210+ 205.85 грн
420+ 199.57 грн
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+155.76 грн
Мінімальне замовлення: 150
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
NGTB15N120IHRWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
149+141.73 грн
Мінімальне замовлення: 149
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
193+109.45 грн
Мінімальне замовлення: 193
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
NGTG15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
138+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 138
RF15N120F500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.77 грн
22+ 15.25 грн
100+ 6.7 грн
1000+ 4.33 грн
2500+ 4.12 грн
10000+ 3.35 грн
20000+ 3.07 грн
Мінімальне замовлення: 14
RF15N120G500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.4 грн
48+ 6.74 грн
100+ 3 грн
1000+ 1.95 грн
2500+ 1.81 грн
10000+ 0.98 грн
Мінімальне замовлення: 29
RF15N120J100CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 11582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+8.79 грн
73+ 4.41 грн
143+ 1.95 грн
1000+ 1.26 грн
10000+ 1.19 грн
20000+ 0.98 грн
50000+ 0.91 грн
Мінімальне замовлення: 38
RF15N120J500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.69 грн
55+ 5.86 грн
106+ 2.65 грн
1000+ 1.67 грн
2500+ 1.6 грн
10000+ 1.26 грн
20000+ 1.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+218.9 грн
Мінімальне замовлення: 97
SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+277.84 грн
Мінімальне замовлення: 76
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB_datasheet_en_20240612-3507513.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+763.63 грн
10+ 519.2 грн
25+ 412.4 грн
100+ 337.04 грн
250+ 325.88 грн
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+729.17 грн
10+ 477.92 грн
30+ 409.4 грн
TW015N120C,S1F Toshiba_TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4839.06 грн
10+ 3929.73 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+135.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+189.42 грн
6MBI15N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANTDTU_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 30A 217W   IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH15N120CD1
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]