Результат пошуку "15n120" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 108
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 149
Мінімальне замовлення: 193
Мінімальне замовлення: 138
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 76
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGT1S15N120C3 | Harris Corporation |
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 4004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGT1S15N120C3S | Harris Corporation |
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTG15N120C3 | Harris Corporation |
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247 Gate Charge: 100 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 35 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 164 W |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGB15N120S7ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3 Packaging: Tray Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 97 nC Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 141 W |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IGW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 1450ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 62.2W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 90nC Turn-on time: 1940ns Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 1450ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 62.2W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 90nC Turn-on time: 1940ns Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 2085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120E1XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: NPT and Trench Switching Energy: 300µJ (off) Gate Charge: 90 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 156 W |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3 | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod |
на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3 | Infineon |
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 127W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 165nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 346ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 127W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 165nC Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 45A Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW15N120R3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: -/300ns Switching Energy: 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V Gate Charge: 165 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 254 W |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120BH6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs INDUSTRY 14 |
на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 135 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 36 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 176 W |
на замовлення 164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 196 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 260 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns Switching Energy: 1.55mJ Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 217 W |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120H3FKSA1 | Infineon |
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2 | Infineon Technologies | IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW15N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Turn-off time: 457ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 235W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 93nC Turn-on time: 57ns Technology: TRENCHSTOP™ 2 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRG8P15N120KD-EPBF | International Rectifier |
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AD Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 8125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRG8P15N120KDPBF | International Rectifier |
Description: IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A Supplier Device Package: TO-247AC Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 98 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 125 W |
на замовлення 6434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW15N120FA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBTs |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120FL2WG | onsemi |
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120FL2WG | onsemi | IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120FLWG | onsemi |
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120IHRWG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/170ns Switching Energy: 340µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 333 W |
на замовлення 16930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB15N120LWG | onsemi |
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 160 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 229 W |
на замовлення 5057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTG15N120FL2WG | onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 294 W |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120F500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120G500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120J100CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V |
на замовлення 11582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF15N120J500CT | Walsin | Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SGH15N120RUFDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 180 W |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SGH15N120RUFTU | Fairchild Semiconductor |
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 180 W |
на замовлення 1539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRS15N120HB,S1Q | Toshiba | SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TRS15N120HB,S1Q | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 15A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TW015N120C,S1F | Toshiba | SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247 |
на замовлення 22 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
6MBI15N-120 | FUJI | MODULE |
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGA15N120 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA15N120ANDTU | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FGA15N120ANFD |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA15N120ANTD |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FGA15N120ANTDTU-F109 | ON Semiconductor |
на замовлення 34010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FGA15N120ANTDTU_F109 | FAIRCHILD |
на замовлення 26730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IGW15N120H3FKSA1 | Infineon | IGBT 1200V 30A 217W IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IHW15N120R2 | INFINEON | MODULE |
на замовлення 100084 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGH15N120CD1 | IXYS | MODULE |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
HGT1S15N120C3 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 4004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 282.05 грн |
HGT1S15N120C3S |
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 282.05 грн |
HGTG15N120C3 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 303.1 грн |
IGB15N120S7ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 339.48 грн |
10+ | 280.87 грн |
25+ | 230.28 грн |
100+ | 197.48 грн |
250+ | 186.31 грн |
500+ | 175.15 грн |
1000+ | 150.73 грн |
IGB15N120S7ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Description: IGBT TRENCH 1200V 34A TO263-3
Packaging: Tray
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IGW15N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.08 грн |
10+ | 252.78 грн |
25+ | 161.89 грн |
100+ | 136.07 грн |
240+ | 135.37 грн |
1200+ | 122.81 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.89 грн |
5+ | 178.09 грн |
13+ | 167.91 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 311.87 грн |
5+ | 221.92 грн |
13+ | 201.49 грн |
120+ | 200.62 грн |
IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 347.98 грн |
30+ | 187.37 грн |
120+ | 154.77 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 176.91 грн |
7+ | 122.12 грн |
19+ | 114.85 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Turn-on time: 1940ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 212.29 грн |
7+ | 152.18 грн |
19+ | 137.82 грн |
120+ | 132.58 грн |
480+ | 131.71 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.9 грн |
10+ | 197.41 грн |
25+ | 114.44 грн |
100+ | 97.69 грн |
1200+ | 90.71 грн |
2640+ | 85.83 грн |
IHW15N120E1XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 267.97 грн |
30+ | 141.52 грн |
IHW15N120R3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.6 грн |
10+ | 200.62 грн |
25+ | 164.68 грн |
100+ | 143.75 грн |
240+ | 122.12 грн |
1200+ | 106.76 грн |
5040+ | 106.07 грн |
IHW15N120R3 |
Виробник: Infineon
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
30A; 1200V; 254W; IGBT w/ Diode IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 100.97 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.44 грн |
3+ | 173 грн |
7+ | 133.75 грн |
18+ | 126.48 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 45A
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 248.93 грн |
3+ | 215.58 грн |
7+ | 160.5 грн |
18+ | 151.77 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 231.21 грн |
10+ | 226.3 грн |
25+ | 138.17 грн |
100+ | 115.84 грн |
480+ | 100.48 грн |
IHW15N120R3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 302.69 грн |
30+ | 160.88 грн |
120+ | 132.19 грн |
IKW15N120BH6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 274.76 грн |
8+ | 115.57 грн |
20+ | 109.76 грн |
IKW15N120BH6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 231.21 грн |
10+ | 190.99 грн |
25+ | 156.31 грн |
100+ | 134.68 грн |
240+ | 126.3 грн |
480+ | 119.32 грн |
1200+ | 101.88 грн |
IKW15N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 402.17 грн |
10+ | 361.11 грн |
25+ | 208.64 грн |
100+ | 177.24 грн |
240+ | 176.55 грн |
480+ | 166.78 грн |
IKW15N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 439.32 грн |
30+ | 240.79 грн |
120+ | 200.67 грн |
IKW15N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 393.21 грн |
10+ | 325 грн |
25+ | 266.56 грн |
100+ | 228.18 грн |
240+ | 216.32 грн |
480+ | 203.06 грн |
1200+ | 173.75 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 433.28 грн |
30+ | 236.91 грн |
120+ | 197.34 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 394.84 грн |
10+ | 359.51 грн |
25+ | 203.76 грн |
100+ | 173.75 грн |
240+ | 173.06 грн |
1200+ | 163.29 грн |
IKW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 220.33 грн |
IKW15N120T2 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 547.89 грн |
10+ | 487.91 грн |
25+ | 378.21 грн |
100+ | 353.79 грн |
240+ | 166.08 грн |
IKW15N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 340.52 грн |
3+ | 284.21 грн |
4+ | 219.52 грн |
11+ | 207.16 грн |
IKW15N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Turn-on time: 57ns
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 408.62 грн |
3+ | 354.17 грн |
4+ | 263.42 грн |
11+ | 248.59 грн |
IRG8P15N120KD-EPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
Description: IRG8P15N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 236.45 грн |
IRG8P15N120KDPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
Description: IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
108+ | 196.45 грн |
MIW15N120FA-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
IGBTs
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 270.28 грн |
10+ | 204.63 грн |
25+ | 171.66 грн |
100+ | 140.96 грн |
250+ | 136.07 грн |
500+ | 131.19 грн |
1000+ | 119.32 грн |
NGTB15N120FL2WG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
Description: IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 428.75 грн |
NGTB15N120FL2WG |
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 462.41 грн |
10+ | 405.25 грн |
30+ | 275.63 грн |
120+ | 247.02 грн |
210+ | 205.85 грн |
420+ | 199.57 грн |
NGTB15N120FLWG |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 155.76 грн |
NGTB15N120IHRWG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 16930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
149+ | 141.73 грн |
NGTB15N120LWG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
Description: IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
193+ | 109.45 грн |
NGTG15N120FL2WG |
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
Description: IGBT TRENCH/FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
138+ | 152.95 грн |
RF15N120F500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.77 грн |
22+ | 15.25 грн |
100+ | 6.7 грн |
1000+ | 4.33 грн |
2500+ | 4.12 грн |
10000+ | 3.35 грн |
20000+ | 3.07 грн |
RF15N120G500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 11.4 грн |
48+ | 6.74 грн |
100+ | 3 грн |
1000+ | 1.95 грн |
2500+ | 1.81 грн |
10000+ | 0.98 грн |
RF15N120J100CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 11582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 8.79 грн |
73+ | 4.41 грн |
143+ | 1.95 грн |
1000+ | 1.26 грн |
10000+ | 1.19 грн |
20000+ | 0.98 грн |
50000+ | 0.91 грн |
RF15N120J500CT |
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 9.69 грн |
55+ | 5.86 грн |
106+ | 2.65 грн |
1000+ | 1.67 грн |
2500+ | 1.6 грн |
10000+ | 1.26 грн |
20000+ | 1.19 грн |
SGH15N120RUFDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 218.9 грн |
SGH15N120RUFTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
Description: IGBT, 24A, 1200V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
76+ | 277.84 грн |
TRS15N120HB,S1Q |
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 763.63 грн |
10+ | 519.2 грн |
25+ | 412.4 грн |
100+ | 337.04 грн |
250+ | 325.88 грн |
TRS15N120HB,S1Q |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Description: 1200V 3RDGEN SIC-SBD 15A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 729.17 грн |
10+ | 477.92 грн |
30+ | 409.4 грн |
TW015N120C,S1F |
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4839.06 грн |
10+ | 3929.73 грн |
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN |
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 135.78 грн |
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247 |
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 189.42 грн |
FGA15N120ANTDTU-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IGW15N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon
IGBT 1200V 30A 217W IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
IGBT 1200V 30A 217W IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]