Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HGT1S15N120C3 HGT1S15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+322.94 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+322.94 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HGTG15N120C3 Harris Corporation HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+347.03 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+341.24 грн
10+223.95 грн
100+149.68 грн
500+133.64 грн
1000+113.79 грн
2000+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.39 грн
10+201.10 грн
100+142.30 грн
500+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.38 грн
10+166.86 грн
100+119.13 грн
480+109.97 грн
1200+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.15 грн
4+178.19 грн
10+154.33 грн
20+140.01 грн
30+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+300.18 грн
4+222.05 грн
10+185.19 грн
20+168.01 грн
30+163.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.18 грн
30+150.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+186.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.34 грн
10+108.98 грн
30+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.41 грн
10+135.81 грн
30+117.41 грн
90+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.65 грн
10+147.54 грн
100+93.93 грн
480+78.66 грн
1200+67.66 грн
2640+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.48 грн
30+109.99 грн
120+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.16 грн
10+166.86 грн
100+110.73 грн
480+92.40 грн
1200+79.42 грн
2640+75.53 грн
10080+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+235.59 грн
10+161.49 грн
30+134.44 грн
120+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+282.71 грн
10+201.24 грн
30+161.33 грн
120+148.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.74 грн
30+124.89 грн
120+101.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.61 грн
10+166.86 грн
100+110.73 грн
480+91.64 грн
1200+79.42 грн
2640+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.46 грн
10+127.28 грн
20+116.14 грн
30+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.19 грн
10+152.73 грн
20+139.37 грн
30+137.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.85 грн
10+165.11 грн
100+117.61 грн
480+91.64 грн
1200+87.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+386.67 грн
10+213.41 грн
100+153.50 грн
480+126.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.70 грн
30+192.83 грн
120+159.37 грн
510+126.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.89 грн
10+251.17 грн
100+173.35 грн
480+154.26 грн
1200+132.12 грн
2640+124.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.19 грн
10+233.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+373.17 грн
2+309.29 грн
10+280.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.49 грн
10+235.36 грн
100+168.01 грн
480+146.63 грн
1200+135.93 грн
2640+127.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.74 грн
30+189.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.31 грн
10+246.78 грн
100+150.44 грн
480+121.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+230.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+388.08 грн
10+291.95 грн
30+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+465.69 грн
10+363.81 грн
30+270.15 грн
120+260.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRG8P15N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+271.24 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRG8P15N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+225.92 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+88.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.96 грн
10+99.44 грн
30+92.28 грн
120+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS LGEGW15N120TS LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.40 грн
3+140.77 грн
10+119.32 грн
30+110.73 грн
120+105.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA(TO-247AB).pdf IGBTs
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+373.31 грн
10+243.27 грн
100+165.72 грн
500+147.39 грн
1000+129.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88 Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+0.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT MT15N120J500CT WALSIN pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88 Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10000+0.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 138589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.39 грн
30+280.68 грн
120+235.12 грн
510+189.32 грн
1020+189.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG onsemi NGTB15N120FL2W-D.PDF IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.37 грн
10+310.89 грн
120+222.23 грн
420+201.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG NGTB15N120FLWG onsemi ngtb15n120flw-d.pdf Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+179.88 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG NGTB15N120IHRWG onsemi ngtb15n120ihr-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+162.89 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG onsemi NGTB15N120LWG.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG onsemi ngtg15n120fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
121+176.35 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
31+11.58 грн
77+4.57 грн
134+2.29 грн
500+1.83 грн
1000+1.45 грн
2500+1.30 грн
5000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+10.60 грн
98+3.60 грн
167+1.83 грн
500+1.37 грн
1000+1.15 грн
2500+0.99 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.45 грн
73+4.83 грн
134+2.29 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.76 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+13.45 грн
73+4.83 грн
134+2.29 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.76 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFDTU SGH15N120RUFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+251.41 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFTU SGH15N120RUFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+319.40 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+290.42 грн
150+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+785.82 грн
10+677.11 грн
120+533.04 грн
510+526.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.74 грн
30+553.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5929.30 грн
10+4949.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+322.94 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGT1S15N120C3S HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+322.94 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
HGTG15N120C3 HRISS689-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTG15N120C3
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 1200V 35A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247
Gate Charge: 100 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 164 W
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
61+347.03 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1.00_en.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+341.24 грн
10+223.95 грн
100+149.68 грн
500+133.64 грн
1000+113.79 грн
2000+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon-IGB15N120S7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c914a3ac801917eb7408c326a
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 34A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 141 W
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/156ns
Switching Energy: 900µJ (on), 680µJ (off)
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.39 грн
10+201.10 грн
100+142.30 грн
500+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.38 грн
10+166.86 грн
100+119.13 грн
480+109.97 грн
1200+93.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.15 грн
4+178.19 грн
10+154.33 грн
20+140.01 грн
30+136.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.18 грн
4+222.05 грн
10+185.19 грн
20+168.01 грн
30+163.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.18 грн
30+150.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+186.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.34 грн
10+108.98 грн
30+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 1940ns
Gate charge: 90nC
Turn-off time: 1450ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 62.2W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.41 грн
10+135.81 грн
30+117.41 грн
90+109.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.65 грн
10+147.54 грн
100+93.93 грн
480+78.66 грн
1200+67.66 грн
2640+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 300µJ (off)
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.48 грн
30+109.99 грн
120+89.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.16 грн
10+166.86 грн
100+110.73 грн
480+92.40 грн
1200+79.42 грн
2640+75.53 грн
10080+74.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.59 грн
10+161.49 грн
30+134.44 грн
120+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 165nC
Turn-off time: 346ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 127W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.71 грн
10+201.24 грн
30+161.33 грн
120+148.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3_Rev2_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304320d39d590121814cb068197b
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: -/300ns
Switching Energy: 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 254 W
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.74 грн
30+124.89 грн
120+101.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 Infineon-IHW15N120R3-DS-v02_05-EN.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.61 грн
10+166.86 грн
100+110.73 грн
480+91.64 грн
1200+79.42 грн
2640+75.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.46 грн
10+127.28 грн
20+116.14 грн
30+114.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 92nC
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 236 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.19 грн
10+152.73 грн
20+139.37 грн
30+137.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 Infineon-IKW15N120BH6-DataSheet-v02_01-EN.pdf
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 3358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.85 грн
10+165.11 грн
100+117.61 грн
480+91.64 грн
1200+87.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.67 грн
10+213.41 грн
100+153.50 грн
480+126.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon-IKW15N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97db2b905a6
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/170ns
Switching Energy: 750µJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 36 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 176 W
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+357.70 грн
30+192.83 грн
120+159.37 грн
510+126.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.89 грн
10+251.17 грн
100+173.35 грн
480+154.26 грн
1200+132.12 грн
2640+124.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.19 грн
10+233.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.17 грн
2+309.29 грн
10+280.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon-IKW15N120H3-DataSheet-v01_10-EN.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.49 грн
10+235.36 грн
100+168.01 грн
480+146.63 грн
1200+135.93 грн
2640+127.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 260 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/260ns
Switching Energy: 1.55mJ
Test Condition: 600V, 15A, 35Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 217 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.74 грн
30+189.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+222.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon-IKW15N120T2-DataSheet-v02_02-EN.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.31 грн
10+246.78 грн
100+150.44 грн
480+121.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+388.08 грн
10+291.95 грн
30+225.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 57ns
Gate charge: 93nC
Turn-off time: 457ns
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 235W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+465.69 грн
10+363.81 грн
30+270.15 грн
120+260.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 8125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
78+271.24 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P15N120KDPBF IRSD-S-A0000034006-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P15N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 30A TO-247AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/170ns
Switching Energy: 600µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 10A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 98 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 6484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+225.92 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 175W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+88.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2
Виробник: JIAENSEMI
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 180W; 4V~6V; 70nC; -55°C~150°C; JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.96 грн
10+99.44 грн
30+92.28 грн
120+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
LGEGW15N120TS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD091D57F0E67FC60DF&compId=LGEGW15N120TS.pdf?ci_sign=cf82c5e156c48ba915f2281753427b6727a942f8
LGEGW15N120TS
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 40W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 245ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±30V
Power dissipation: 40W
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 433 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.40 грн
3+140.77 грн
10+119.32 грн
30+110.73 грн
120+105.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA(TO-247AB).pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.31 грн
10+243.27 грн
100+165.72 грн
500+147.39 грн
1000+129.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88
MT15N120J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.15 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
MT15N120J500CT pVersion=0046&contRep=ZT&docId=8954D222ECA01EDDB6B794DD6D52C0D4&compId=MT18B.pdf?ci_sign=3a04caf3395832016d03439b826d02e2d1b32b88
MT15N120J500CT
Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±5%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Manufacturer series: MT15
Operating temperature: -55...125°C
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+0.18 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
NGTB15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/132ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 138589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.39 грн
30+280.68 грн
120+235.12 грн
510+189.32 грн
1020+189.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG NGTB15N120FL2W-D.PDF
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.37 грн
10+310.89 грн
120+222.23 грн
420+201.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FLWG ngtb15n120flw-d.pdf
NGTB15N120FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 15A TO247-3
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+179.88 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
NGTB15N120IHRWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/170ns
Switching Energy: 340µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 333 W
на замовлення 13477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+162.89 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120LWG NGTB15N120LWG.pdf
NGTB15N120LWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/165ns
Switching Energy: 2.1mJ (on), 560µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 229 W
на замовлення 4987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+124.64 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
NGTG15N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 64ns/128ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 370µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 294 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+176.35 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.58 грн
77+4.57 грн
134+2.29 грн
500+1.83 грн
1000+1.45 грн
2500+1.30 грн
5000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.60 грн
98+3.60 грн
167+1.83 грн
500+1.37 грн
1000+1.15 грн
2500+0.99 грн
5000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.45 грн
73+4.83 грн
134+2.29 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.76 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT Microwave_Caps.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 3085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+13.45 грн
73+4.83 грн
134+2.29 грн
500+1.45 грн
1000+1.15 грн
2500+0.76 грн
5000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFDTU FAIRS19572-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+251.41 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUFTU FAIRS17744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGH15N120RUFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 1200V 24A TO-3P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/60ns
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+319.40 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT
Type of transistor: IGBT
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+290.42 грн
150+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q 5EC17B2DF493389BCFF5FF85C524A363CE7F23C3F61FDD404FC464FF67D29B8A.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+785.82 грн
10+677.11 грн
120+533.04 грн
510+526.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q docget.jsp?did=158269&prodName=TRS15N120HB
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: DIODE ARRAY SIC 1200V 25A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+732.74 грн
30+553.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5929.30 грн
10+4949.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]