Результат пошуку "15n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IGB15N120S7ATMA1 IGB15N120S7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1_00_en-3476535.pdf IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.04 грн
10+235.87 грн
100+157.66 грн
500+141.58 грн
1000+120.15 грн
2000+112.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 Infineon INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+332.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 IGW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+328.58 грн
10+212.11 грн
100+135.46 грн
480+120.92 грн
1200+103.32 грн
2640+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+327.10 грн
4+233.58 грн
5+193.72 грн
14+183.36 грн
30+176.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+392.52 грн
4+291.08 грн
5+232.47 грн
14+220.03 грн
30+211.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 Infineon DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+184.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 1940ns
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.80 грн
8+132.34 грн
20+125.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 1940ns
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.16 грн
8+164.91 грн
20+150.19 грн
60+144.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 IHW15N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.97 грн
10+157.54 грн
100+115.56 грн
480+96.43 грн
1200+86.48 грн
2640+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 IHW15N120R3 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.22 грн
10+176.02 грн
100+117.09 грн
480+97.96 грн
1200+95.66 грн
2640+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.14 грн
7+145.89 грн
18+137.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+319.37 грн
7+181.80 грн
18+165.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.68 грн
10+175.14 грн
100+116.33 грн
480+95.66 грн
1200+83.42 грн
2640+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 IKW15N120BH6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 IKW15N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.11 грн
10+268.44 грн
100+189.80 грн
480+164.54 грн
1200+145.41 грн
2640+136.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 IKW15N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+404.47 грн
10+264.91 грн
100+182.91 грн
480+162.25 грн
1200+138.52 грн
2640+130.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+387.20 грн
4+257.50 грн
10+243.15 грн
30+234.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+412.51 грн
10+264.03 грн
100+182.15 грн
480+155.36 грн
1200+138.52 грн
2640+130.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 IKW15N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.40 грн
25+273.72 грн
100+197.45 грн
240+193.63 грн
480+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+228.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+410.38 грн
4+239.16 грн
11+225.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+492.45 грн
4+298.03 грн
11+270.73 грн
120+265.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf IGBTs
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+391.08 грн
10+255.23 грн
100+173.73 грн
500+154.59 грн
1000+136.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG onsemi ngtb15n120fl2w-d.pdf IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.69 грн
10+375.81 грн
120+237.25 грн
420+211.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT RF15N120F500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+9.64 грн
91+3.87 грн
149+2.07 грн
500+1.68 грн
1000+1.45 грн
2500+1.30 грн
10000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT RF15N120G500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+9.64 грн
106+3.34 грн
174+1.76 грн
500+1.38 грн
1000+1.22 грн
2500+1.15 грн
10000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT RF15N120J100CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+9.64 грн
174+2.02 грн
286+1.07 грн
500+0.84 грн
1000+0.77 грн
2500+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT RF15N120J500CT Walsin Microwave_Caps-1535561.pdf Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+9.64 грн
174+2.02 грн
286+1.07 грн
500+0.84 грн
1000+0.77 грн
2500+0.69 грн
10000+0.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB,S1Q Toshiba TRS15N120HB_datasheet_en_20240612-3507513.pdf SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+824.12 грн
10+709.37 грн
120+559.45 грн
510+551.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C,S1F Toshiba TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6217.95 грн
10+5190.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+201.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+202.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120 FUJI MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FAIRCHILD FGA15N120AND.pdf 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga15n120antdtu-d.pdf
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109 FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 INFINEON IHW15N120R2.pdf MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741 Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1 IXYS MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI JIAENSEMI JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2 JIAENSEMI JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KGH15N120NDA KEC 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KL732B-15NG-T 15N-1206 KOA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG ON Semiconductor ngtb15n120ihr-d.pdf
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWG ON Semiconductor ngtb15n120ihw-d.pdf
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG ON Semiconductor ngtg15n120fl2w-d.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120ATMA1 Infineon SGB15N120_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4279ebd3c7e
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120 INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120 INFINEON 09+ФУ QFP
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 Infineon Technologies SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
на замовлення 395 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW15N120 INFINEON INFNS14172-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKW15N120 INFINEON MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKW15N120 SKW 08+ SOP
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N120S7ATMA1 Infineon_08012024_DS_IGB15N120S7_v1_00_en-3476535.pdf
IGB15N120S7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs INDUSTRY 14
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.04 грн
10+235.87 грн
100+157.66 грн
500+141.58 грн
1000+120.15 грн
2000+112.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 INFN-S-A0000149040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
Транз. IGBT UltraFast TO247-3 Uces=1200V; Ic=30A; Pdmax=217W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+332.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3 Infineon_IGW15N120H3_DS_v02_01_EN-3360244.pdf
IGW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.58 грн
10+212.11 грн
100+135.46 грн
480+120.92 грн
1200+103.32 грн
2640+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.10 грн
4+233.58 грн
5+193.72 грн
14+183.36 грн
30+176.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF653E938BEB1BF&compId=IGW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=bb785fa6984b96b34d09dda036a6fa741b55c450
IGW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+392.52 грн
4+291.08 грн
5+232.47 грн
14+220.03 грн
30+211.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IGW15N120H3FKSA1 DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Odpowiednik: IGW15N120H3; IGW15N120H3FKSA1 TIGW15n120h3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+184.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 1940ns
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.80 грн
8+132.34 грн
20+125.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB9FA296781820&compId=IHW15N120E1.pdf?ci_sign=476c39c6f7509bba9d8e18c54ceedde48ef8c47d
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 62.2W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 1940ns
Turn-off time: 1450ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 62.2W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.16 грн
8+164.91 грн
20+150.19 грн
60+144.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120E1XKSA1 Infineon_IHW15N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362110.pdf
IHW15N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.97 грн
10+157.54 грн
100+115.56 грн
480+96.43 грн
1200+86.48 грн
2640+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 1804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.22 грн
10+176.02 грн
100+117.09 грн
480+97.96 грн
1200+95.66 грн
2640+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3
Виробник: Infineon
Transistor IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 254W; 5,1V~6,4V; 165nC; -40°C~175°C; IHW15N120R3FKSA1 IHW15N120R3 TIHW15n120r3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.14 грн
7+145.89 грн
18+137.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC54BEBB74D820&compId=IHW15N120R3.pdf?ci_sign=4a3a7bc4b67f8ad8cc77cc34fe03f8e75e2309cc
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 15A; 127W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 45A
Turn-off time: 346ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 127W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 165nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.37 грн
7+181.80 грн
18+165.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R3FKSA1 Infineon_IHW15N120R3_DS_v02_05_EN-3362413.pdf
IHW15N120R3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.68 грн
10+175.14 грн
100+116.33 грн
480+95.66 грн
1200+83.42 грн
2640+79.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120BH6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986B0997F3635D8BF&compId=IKW15N120BH6.pdf?ci_sign=7d5116a5ba65f8a2b5cf2e55505c6de35ec86261
IKW15N120BH6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120CS7XKSA1 Infineon_IKW15N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449081.pdf
IKW15N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+424.11 грн
10+268.44 грн
100+189.80 грн
480+164.54 грн
1200+145.41 грн
2640+136.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.47 грн
10+264.91 грн
100+182.91 грн
480+162.25 грн
1200+138.52 грн
2640+130.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Manufacturer series: H3
Pulsed collector current: 60A
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+387.20 грн
4+257.50 грн
10+243.15 грн
30+234.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 Infineon_IKW15N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3361843.pdf
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.51 грн
10+264.03 грн
100+182.15 грн
480+155.36 грн
1200+138.52 грн
2640+130.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+233.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2 Infineon_IKW15N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362490.pdf
IKW15N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.40 грн
25+273.72 грн
100+197.45 грн
240+193.63 грн
480+159.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2
Виробник: Infineon
IGBT Trench 1200V 30A 235W IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2 TIKW15n120t2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+410.38 грн
4+239.16 грн
11+225.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120T2FKSA1 IKW15N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d2d43acd
IKW15N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 235W; TO247-3
Mounting: THT
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 457ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 235W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 93nC
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.45 грн
4+298.03 грн
11+270.73 грн
120+265.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MIW15N120FA-BP MIW15N120FA_TO_247AB_-3044734.pdf
MIW15N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBTs
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.08 грн
10+255.23 грн
100+173.73 грн
500+154.59 грн
1000+136.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120FL2WG ngtb15n120fl2w-d.pdf
Виробник: onsemi
IGBTs 1200V/15A VERY FAST IGBT
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.69 грн
10+375.81 грн
120+237.25 грн
420+211.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120F500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120F500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-1% 50V T&R RF
на замовлення 20512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+9.64 грн
91+3.87 грн
149+2.07 грн
500+1.68 грн
1000+1.45 грн
2500+1.30 грн
10000+0.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120G500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120G500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12pF , +/-2% 50V T&R RF
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+9.64 грн
106+3.34 грн
174+1.76 грн
500+1.38 грн
1000+1.22 грн
2500+1.15 грн
10000+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J100CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J100CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF 5% 10V
на замовлення 10337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+9.64 грн
174+2.02 грн
286+1.07 грн
500+0.84 грн
1000+0.77 грн
2500+0.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
RF15N120J500CT Microwave_Caps-1535561.pdf
RF15N120J500CT
Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 12pF, +-5%, 50V
на замовлення 4695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+9.64 грн
174+2.02 грн
286+1.07 грн
500+0.84 грн
1000+0.77 грн
2500+0.69 грн
10000+0.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
TRS15N120HB,S1Q TRS15N120HB_datasheet_en_20240612-3507513.pdf
TRS15N120HB,S1Q
Виробник: Toshiba
SiC Schottky Diodes RECT 1200V 15A SBD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.12 грн
10+709.37 грн
120+559.45 грн
510+551.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TW015N120C,S1F TW015N120C_datasheet_en_20220615.pdf?did=143221&prodName=TW015N120C
TW015N120C,S1F
Виробник: Toshiba
SiC MOSFETs G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 15mohm
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6217.95 грн
10+5190.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-3PN
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V TO-247
на замовлення 21 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
6MBI15N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANDTU FGA15N120AND.pdf
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANFD
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTD
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU-F109 fga15n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 34010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FGA15N120ANTDTU_F109
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 26730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IHW15N120R2 IHW15N120R2.pdf
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 100084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3 Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741
Виробник: Infineon
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Replacement: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3; IKW15N120H3FKSA1 TIKW15n120h3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXGH15N120CD1
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120AI
Виробник: JIAENSEMI
JNG15N120AI JIAENSEMI TJNG15n120ai
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
JNG15N120HS2
Виробник: JIAENSEMI
JNG15N120HS2 JIAENSEMI TJNG15n120hs2
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KGH15N120NDA
Виробник: KEC
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KL732B-15NG-T 15N-1206
Виробник: KOA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHRWG ngtb15n120ihr-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB15N120IHWG ngtb15n120ihw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTG15N120FL2WG ngtg15n120fl2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGB15N120ATMA1 SGB15N120_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4279ebd3c7e
Виробник: Infineon
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGH15N120RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120
Виробник: INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120
Виробник: INFINEON
09+ФУ QFP
на замовлення 5176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGP15N120XKSA1 SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
на замовлення 395 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SGW15N120 INFNS14172-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKW15N120
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SKW15N120
Виробник: SKW
08+ SOP
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]