Результат пошуку "8n50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 169
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 224
Мінімальне замовлення: 286
Мінімальне замовлення: 98
Мінімальне замовлення: 109
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 69
Мінімальне замовлення: 197
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 Монтаж: THT |
у наявності: 8 шт
|
|
|||||||||||||||||
SPP08N50C3 Код товару: 113412 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 750/3 Монтаж: THT |
у наявності: 41 шт
|
|
|||||||||||||||||
+1 |
Магніт NdFeB, Диск (шайба) D10 x d4 x 1.5 mm (N50), Ni + Cu + Ni (нікель) Код товару: 23502 |
HHII |
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель) Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм Тип: Неодимовий Форма: Диск (шайба) Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg |
у наявності: 406 шт
|
|
||||||||||||||||
8N50E | PH | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
308N500K | HONEYWELL |
Category: Cond. plastic single turn potentiometers Description: Potentiometer: shaft Type of potentiometer: shaft |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 781 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD3238N5050AHF | TTM Technologies, Inc. |
Description: ULTRA LOW PROFILE SUB MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 50Ohm Insertion Loss (Max): 0.9dB Return Loss (Min): 12dB Phase Difference: 3° Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD3238N5050AHF | TTM Technologies, Inc. |
Description: ULTRA LOW PROFILE SUB MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 50Ohm Insertion Loss (Max): 0.9dB Return Loss (Min): 12dB Phase Difference: 3° Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CHV1808N500103KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1808 X7R .01UF 10% 500V Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Features: High Voltage Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1808 (4520 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.087" (2.20mm) Capacitance: 10000 pF |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CHV1808N500153KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1808 X7R .015UF 10% 500V Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Features: High Voltage Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1808 (4520 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.087" (2.20mm) Capacitance: 0.015 µF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CHV1808N500221JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1808 COG 220PF 5% 500V Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Features: High Voltage Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1808 (4520 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 220 pF |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CHV1808N500472KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1808 X7R 4700PF 10% 500V Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±10% Features: High Voltage Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1808 (4520 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.087" (2.20mm) Capacitance: 4700 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50005T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50005T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 5V TAB PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 5V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50005W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 5V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 5V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N500120T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 120V TAB PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 120V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Green Ratings: AC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N500120T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N500120W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 120V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 120V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: AC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50012T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50012T | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 12V TAB PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 12V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50012W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 12V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 12V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50028T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
CNX718N50028W | Visual Communications Company - VCC |
Description: LED 18MM GREEN 28V WIRE PNL MNT Packaging: Bulk Voltage: 28V Type: LED Millicandela Rating: 2400mcd Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm) Lens Color: Green Ratings: DC Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm) Lens Transparency: Clear Lamp Color: Green Panel Cutout Shape: Round Lens Style: Round with Domed Top Lens Size: 18.50mm Dia |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDA18N50 | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 239W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 1564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDA28N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET UniFET 500V |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDA28N50 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V |
на замовлення 438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP18N50 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 9644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDP18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF18N50T | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 993 шт: термін постачання 224-233 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF18N50T-G | onsemi |
Description: FDPF18N50 - 500V N-CHANNEL MOSFE Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF8N50NZU | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V |
на замовлення 3821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQA18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQA28N50-ON | onsemi |
Description: 28.4A, 500V, 0.16OHM, N-CHANNEL Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 19050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQH18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 277W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 4508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQP18N50V2 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF18N50V2SDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3 |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFK48N50 | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS | MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFK98N50P3 | IXYS | MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFN48N50 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 500V 48A |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXFN48N50Q | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 8 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 210 грн |
SPP08N50C3 Код товару: 113412 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 52 грн |
10+ | 47 грн |
Магніт NdFeB, Диск (шайба) D10 x d4 x 1.5 mm (N50), Ni + Cu + Ni (нікель) Код товару: 23502 |
Виробник: HHII
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
у наявності: 406 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 5.2 грн |
100+ | 3.9 грн |
308N500K |
Виробник: HONEYWELL
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft
Type of potentiometer: shaft
Category: Cond. plastic single turn potentiometers
Description: Potentiometer: shaft
Type of potentiometer: shaft
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2097.63 грн |
AOT8N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 86.44 грн |
8+ | 43.32 грн |
21+ | 39.37 грн |
57+ | 37.23 грн |
100+ | 36.81 грн |
250+ | 35.84 грн |
AOT8N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 103.73 грн |
5+ | 53.98 грн |
21+ | 47.25 грн |
57+ | 44.67 грн |
100+ | 44.17 грн |
250+ | 43.01 грн |
AOT8N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 25 V
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.77 грн |
50+ | 43.88 грн |
100+ | 34.78 грн |
500+ | 27.66 грн |
1000+ | 27.36 грн |
AOT8N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.39 грн |
BD3238N5050AHF |
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: ULTRA LOW PROFILE SUB MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 50Ohm
Insertion Loss (Max): 0.9dB
Return Loss (Min): 12dB
Phase Difference: 3°
Part Status: Active
Description: ULTRA LOW PROFILE SUB MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 50Ohm
Insertion Loss (Max): 0.9dB
Return Loss (Min): 12dB
Phase Difference: 3°
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 18.84 грн |
8000+ | 15.55 грн |
BD3238N5050AHF |
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: ULTRA LOW PROFILE SUB MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 50Ohm
Insertion Loss (Max): 0.9dB
Return Loss (Min): 12dB
Phase Difference: 3°
Part Status: Active
Description: ULTRA LOW PROFILE SUB MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Impedance - Unbalanced/Balanced: 50 / 50Ohm
Insertion Loss (Max): 0.9dB
Return Loss (Min): 12dB
Phase Difference: 3°
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.2 грн |
10+ | 54.46 грн |
25+ | 36.48 грн |
50+ | 30.48 грн |
100+ | 27.92 грн |
250+ | 25.05 грн |
500+ | 24.13 грн |
1000+ | 17.46 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 66.32 грн |
7+ | 55.35 грн |
18+ | 46.54 грн |
48+ | 44 грн |
100+ | 43.59 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.58 грн |
5+ | 68.98 грн |
18+ | 55.85 грн |
48+ | 52.8 грн |
100+ | 52.31 грн |
1000+ | 50.65 грн |
CHV1808N500103KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1808 X7R .01UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 10000 pF
Description: HVCAP1808 X7R .01UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 35.01 грн |
CHV1808N500153KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1808 X7R .015UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 0.015 µF
Description: HVCAP1808 X7R .015UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 32.62 грн |
CHV1808N500221JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1808 COG 220PF 5% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 220 pF
Description: HVCAP1808 COG 220PF 5% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 220 pF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 30.44 грн |
CHV1808N500472KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1808 X7R 4700PF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 4700 pF
Description: HVCAP1808 X7R 4700PF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1808 (4520 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.079" W (4.60mm x 2.00mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.087" (2.20mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 40.77 грн |
CNX718N50005T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1609.61 грн |
10+ | 1196.26 грн |
50+ | 1015.65 грн |
100+ | 873.5 грн |
500+ | 868.85 грн |
1000+ | 867.52 грн |
2500+ | 866.86 грн |
CNX718N50005T |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 5V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 5V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
100+ | 916.67 грн |
CNX718N50005W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 5V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 5V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 5V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
CNX718N500120T |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 120V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 120V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
CNX718N500120T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1514.29 грн |
10+ | 1197.03 грн |
50+ | 1026.94 грн |
100+ | 873.5 грн |
500+ | 867.52 грн |
1000+ | 856.23 грн |
2500+ | 855.56 грн |
CNX718N500120W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 120V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 120V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 120V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: AC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
CNX718N50012T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1081.85 грн |
10+ | 1006.82 грн |
100+ | 867.52 грн |
200+ | 862.87 грн |
500+ | 802.42 грн |
CNX718N50012T |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 12V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 12V TAB PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Quick Connect - 0.187" (4.7mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
100+ | 916.67 грн |
CNX718N50012W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 12V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 12V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 12V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
100+ | 916.67 грн |
CNX718N50028T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1214.37 грн |
10+ | 996.12 грн |
50+ | 798.44 грн |
100+ | 797.77 грн |
200+ | 781.17 грн |
500+ | 765.23 грн |
CNX718N50028W |
Виробник: Visual Communications Company - VCC
Description: LED 18MM GREEN 28V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 28V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
Description: LED 18MM GREEN 28V WIRE PNL MNT
Packaging: Bulk
Voltage: 28V
Type: LED
Millicandela Rating: 2400mcd
Termination Style: Wire Leads - 6" (152.40mm)
Lens Color: Green
Ratings: DC
Panel Cutout Dimensions: 0.69" (17.53mm)
Lens Transparency: Clear
Lamp Color: Green
Panel Cutout Shape: Round
Lens Style: Round with Domed Top
Lens Size: 18.50mm Dia
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.48 грн |
10+ | 1091.25 грн |
100+ | 916.67 грн |
FDA18N50 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 239W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
169+ | 119.76 грн |
FDA28N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UniFET 500V
MOSFET UniFET 500V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.76 грн |
10+ | 307.09 грн |
25+ | 213.23 грн |
100+ | 203.26 грн |
450+ | 161.41 грн |
900+ | 156.1 грн |
FDA28N50 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5140 pF @ 25 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 319.04 грн |
30+ | 243.24 грн |
120+ | 208.51 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 149.46 грн |
7+ | 118.32 грн |
19+ | 112.09 грн |
50+ | 111.4 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.71 грн |
3+ | 186.25 грн |
7+ | 141.99 грн |
19+ | 134.51 грн |
50+ | 133.68 грн |
250+ | 129.53 грн |
FDP18N50 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 235W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2860 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.79 грн |
50+ | 138.83 грн |
100+ | 119.01 грн |
500+ | 99.27 грн |
FDP18N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.52 грн |
10+ | 176.46 грн |
50+ | 104.29 грн |
100+ | 96.32 грн |
250+ | 95.65 грн |
500+ | 90.34 грн |
1000+ | 81.04 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.68 грн |
3+ | 168.83 грн |
7+ | 130.08 грн |
18+ | 122.47 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.22 грн |
3+ | 210.39 грн |
7+ | 156.1 грн |
18+ | 146.97 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.59 грн |
10+ | 132.15 грн |
50+ | 112.92 грн |
100+ | 108.94 грн |
250+ | 104.95 грн |
500+ | 100.97 грн |
1000+ | 88.35 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 153.35 грн |
FDPF18N50T |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 224-233 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.19 грн |
50+ | 198.61 грн |
100+ | 148.13 грн |
500+ | 132.19 грн |
1000+ | 106.28 грн |
FDPF18N50T-G |
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
224+ | 90.15 грн |
FDPF8N50NZU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 25 V
на замовлення 3821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
286+ | 70.64 грн |
FQA18N50V2 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
98+ | 207.21 грн |
FQA28N50-ON |
на замовлення 19050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
109+ | 185.69 грн |
FQH18N50V2 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 203.85 грн |
FQP18N50V2 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
69+ | 294 грн |
FQPF18N50V2SDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 265mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
197+ | 102.93 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 140.46 грн |
8+ | 112.79 грн |
20+ | 106.56 грн |
250+ | 103.79 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.19 грн |
3+ | 175.04 грн |
8+ | 135.34 грн |
20+ | 127.87 грн |
250+ | 124.55 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.15 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 334.79 грн |
10+ | 277.29 грн |
25+ | 191.97 грн |
100+ | 173.37 грн |
250+ | 168.72 грн |
500+ | 160.75 грн |
1000+ | 150.79 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 326.94 грн |
50+ | 249.46 грн |
100+ | 213.82 грн |
500+ | 178.36 грн |
1000+ | 152.73 грн |
IXFK48N50 |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1753.26 грн |
25+ | 1399.79 грн |
100+ | 1312.32 грн |
500+ | 1050.93 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1139.35 грн |
3+ | 999.85 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1367.22 грн |
3+ | 1245.96 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1545.29 грн |
10+ | 1438.42 грн |
25+ | 1098.02 грн |
50+ | 1081.41 грн |
100+ | 1028.94 грн |
250+ | 994.39 грн |
500+ | 957.86 грн |
IXFK98N50P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1288 грн |
10+ | 1119.11 грн |
25+ | 920 грн |
50+ | 893.43 грн |
100+ | 840.95 грн |
250+ | 805.75 грн |
500+ | 761.24 грн |
IXFN48N50 |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 500V 48A
Discrete Semiconductor Modules 500V 48A
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2866.61 грн |
10+ | 2517.8 грн |
20+ | 2059.2 грн |
50+ | 1990.12 грн |
100+ | 1921.7 грн |
200+ | 1853.28 грн |
500+ | 1766.93 грн |
IXFN48N50Q |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds
Discrete Semiconductor Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2866.61 грн |
10+ | 2517.04 грн |
20+ | 2058.54 грн |
50+ | 1990.12 грн |
100+ | 1921.03 грн |
200+ | 1852.62 грн |
500+ | 1766.93 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]