Результат пошуку "IRF840" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 325
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 80
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 208
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 80
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 164
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 35892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 Монтаж: THT |
у наявності: 59 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро очікується:
200 шт
200 шт - очікується 27.11.2025
|
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 145 шт
127 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 2 шт - РАДІОМАГ-Харків очікується:
420 шт
20 шт - очікується
400 шт - очікується 06.12.2025 |
|
||||||||||||||||
|
IRF840SPBF Код товару: 82665
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263 (D2PAK) Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 177 шт
142 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||
| IRF84093 | HARRIS | IRF84093 |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF840A |
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220 |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| IRF840A | Siliconix |
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840aкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF840ALPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF840ALPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ALPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 6297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 371 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 9328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF840ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840ASTRRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF840B | Siliconix |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840bкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF840B | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840bкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRF840B | Siliconix |
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF840BPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF840BPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840HPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840HPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF840LCLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 708 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 4614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 4417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840LCSPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 5076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF840PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 2907 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF840S | Siliconix |
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
IRF840SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840STRLPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRF840STRRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRF840--401F | IR | 2002 TO-220 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840APBF | Vishay/IR |
TO-220AB |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840AS | IR |
TO-263 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840FI | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF840LCLPBF | VISHAY |
|
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840LCS | IR |
TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840LCSPBF | VISHAY |
|
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840LPBF | IR |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840N | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRF840PBF |
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 5041 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRF840PBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 35892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 59 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
200 шт
200 шт - очікується 27.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| 100+ | 38.90 грн |
| IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 145 шт
127 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
420 шт
20 шт - очікується
400 шт - очікується 06.12.2025
400 шт - очікується 06.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 34.00 грн |
| 10+ | 30.50 грн |
| 100+ | 27.20 грн |
| IRF840SPBF Код товару: 82665
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 177 шт
142 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 74.00 грн |
| 10+ | 68.00 грн |
| IRF84093 |
Виробник: HARRIS
IRF84093
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 325+ | 95.38 грн |
| IRF840A | ![]() |
![]() |
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 111.14 грн |
| IRF840A | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 58.94 грн |
| IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 156.26 грн |
| 100+ | 123.82 грн |
| 101+ | 123.39 грн |
| 500+ | 112.96 грн |
| 1000+ | 92.72 грн |
| IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 6297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.08 грн |
| 10+ | 110.25 грн |
| 100+ | 95.12 грн |
| 500+ | 91.34 грн |
| 1000+ | 84.55 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 135.49 грн |
| 50+ | 73.92 грн |
| 100+ | 62.91 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.59 грн |
| 50+ | 92.11 грн |
| 100+ | 75.49 грн |
| 500+ | 71.72 грн |
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 172.62 грн |
| 10+ | 101.57 грн |
| 100+ | 87.57 грн |
| 500+ | 86.81 грн |
| 1000+ | 84.55 грн |
| 2000+ | 66.88 грн |
| 5000+ | 66.20 грн |
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.92 грн |
| 50+ | 75.49 грн |
| 100+ | 72.34 грн |
| 250+ | 66.84 грн |
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.70 грн |
| 50+ | 94.07 грн |
| 100+ | 86.81 грн |
| 250+ | 80.21 грн |
| 500+ | 75.49 грн |
| 750+ | 72.66 грн |
| 1000+ | 70.77 грн |
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 93.36 грн |
| 10+ | 88.55 грн |
| 500+ | 65.60 грн |
| 1000+ | 64.92 грн |
| IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.42 грн |
| 10+ | 155.40 грн |
| 100+ | 108.71 грн |
| 500+ | 107.95 грн |
| 800+ | 86.06 грн |
| 2400+ | 85.30 грн |
| IRF840ASTRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.03 грн |
| 10+ | 178.83 грн |
| 100+ | 123.05 грн |
| 500+ | 122.29 грн |
| 800+ | 92.85 грн |
| 2400+ | 90.59 грн |
| IRF840B | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 56.58 грн |
| IRF840B | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 56.58 грн |
| IRF840B | ![]() |
![]() |
на замовлення 185 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 46.96 грн |
| IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 46.06 грн |
| 20+ | 36.75 грн |
| 21+ | 33.68 грн |
| 25+ | 32.38 грн |
| 50+ | 29.93 грн |
| IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 45.54 грн |
| IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840LCLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.76 грн |
| 10+ | 119.80 грн |
| 100+ | 100.40 грн |
| 500+ | 89.08 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 139.73 грн |
| 10+ | 84.93 грн |
| 25+ | 75.49 грн |
| 50+ | 69.99 грн |
| 100+ | 65.27 грн |
| 250+ | 60.55 грн |
| 500+ | 58.98 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 167.67 грн |
| 10+ | 105.83 грн |
| 25+ | 90.59 грн |
| 50+ | 83.98 грн |
| 100+ | 78.32 грн |
| 250+ | 72.66 грн |
| 500+ | 70.77 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 208+ | 59.73 грн |
| 227+ | 54.76 грн |
| 500+ | 54.20 грн |
| 1000+ | 51.74 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 75.92 грн |
| 11+ | 64.34 грн |
| 100+ | 58.99 грн |
| 500+ | 56.31 грн |
| 1000+ | 51.61 грн |
| IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 169.10 грн |
| 10+ | 88.55 грн |
| 100+ | 65.60 грн |
| 500+ | 64.47 грн |
| 1000+ | 64.32 грн |
| IRF840LCPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 169.10 грн |
| 10+ | 101.57 грн |
| 100+ | 83.04 грн |
| 500+ | 70.73 грн |
| 1000+ | 58.05 грн |
| IRF840LCSPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 302.97 грн |
| 10+ | 114.59 грн |
| 100+ | 98.89 грн |
| 500+ | 95.87 грн |
| 1000+ | 95.12 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 88.07 грн |
| 6+ | 72.34 грн |
| 10+ | 68.41 грн |
| 50+ | 60.55 грн |
| 100+ | 57.40 грн |
| 150+ | 55.83 грн |
| 250+ | 54.26 грн |
| 500+ | 51.90 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 105.69 грн |
| 4+ | 94.07 грн |
| 5+ | 86.81 грн |
| 10+ | 82.10 грн |
| 50+ | 72.66 грн |
| 100+ | 68.88 грн |
| 150+ | 67.00 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 5076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.45 грн |
| 10+ | 75.44 грн |
| 100+ | 63.94 грн |
| 500+ | 59.56 грн |
| 1000+ | 55.11 грн |
| 2000+ | 54.13 грн |
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 129.71 грн |
| 10+ | 99.70 грн |
| IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2907 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.56 грн |
| 10+ | 104.18 грн |
| 100+ | 73.38 грн |
| 500+ | 61.00 грн |
| 1000+ | 56.47 грн |
| 2000+ | 52.69 грн |
| 5000+ | 51.26 грн |
| IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 155.96 грн |
| 108+ | 114.70 грн |
| 112+ | 110.57 грн |
| IRF840S |
![]() |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.06 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 95.69 грн |
| 6+ | 77.06 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.83 грн |
| 5+ | 96.03 грн |
| 10+ | 84.93 грн |
| 50+ | 69.83 грн |
| 100+ | 66.05 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 164+ | 75.79 грн |
| 177+ | 70.27 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 81.20 грн |
| 10+ | 75.29 грн |
| IRF840SPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.83 грн |
| 10+ | 70.14 грн |
| 100+ | 60.84 грн |
| 500+ | 60.77 грн |
| 1000+ | 59.56 грн |
| IRF840STRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.95 грн |
| 10+ | 126.75 грн |
| 100+ | 95.12 грн |
| 800+ | 72.70 грн |
| 2400+ | 62.66 грн |
| IRF840STRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 265.09 грн |
| 10+ | 173.63 грн |
| 100+ | 104.93 грн |
| 800+ | 77.75 грн |
| IRF840--401F |
Виробник: IR
2002 TO-220
2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
TO-220AB
TO-220AB
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840AS |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840FI |
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840LCLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840LCS |
![]() |
Виробник: IR
TO-263
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840LCSPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840LPBF |
![]() |
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840N |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840PBF |
![]() |
IRF840PBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 5041 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]














