Результат пошуку "IRF840" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
4 Додати до обраних Обраний товар
Vishay Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 266 шт
  • 231 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 123 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 221455
Додати до обраних Обраний товар
vishay IRF840PBF.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, В: 500 В
Напруга насичення Vce, В: 8 А
Струм колектора Ic при 25°С, А: 0,85 Ом
Струм колектора Ic при 100°С, А: 1300/63 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 25.07.2026
1+33.00 грн
10+29.50 грн
100+26.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF
Код товару: 82665
1 Додати до обраних Обраний товар
Vishay sihf840s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,84 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 171 шт
  • 141 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840-ML MOSLEADER Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF840; IRF840-BE3; IRF840-ML MOSLEADER TIRF840 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093 HARRIS IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A 91065.pdf description MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A Siliconix 91065.pdf description Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.00 грн
123+115.09 грн
124+114.60 грн
500+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.50 грн
10+115.54 грн
100+115.05 грн
500+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.07 грн
50+134.88 грн
100+122.16 грн
500+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.34 грн
10+107.94 грн
50+95.39 грн
100+88.70 грн
250+82.00 грн
500+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf TO-220AB Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+132.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay Semiconductors 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY VISH-S-A0019267830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+194.93 грн
83+171.23 грн
100+160.69 грн
250+142.25 грн
500+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+151.86 грн
94+150.34 грн
124+114.13 грн
500+108.45 грн
1000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.36 грн
50+171.62 грн
100+130.28 грн
500+123.80 грн
1000+113.48 грн
2000+106.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.86 грн
50+150.34 грн
100+114.13 грн
500+108.45 грн
1000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.81 грн
50+131.54 грн
100+119.07 грн
500+91.24 грн
1000+84.65 грн
2000+79.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+161.14 грн
89+159.54 грн
120+118.57 грн
500+112.56 грн
1000+103.19 грн
2000+96.57 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91065.pdf MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay Siliconix 91065.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.81 грн
10+170.20 грн
100+119.07 грн
500+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.85 грн
5+142.25 грн
10+126.35 грн
50+97.07 грн
100+88.70 грн
250+82.00 грн
500+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.95 грн
10+156.79 грн
100+144.06 грн
500+86.39 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.31 грн
50+147.62 грн
100+133.90 грн
500+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+226.54 грн
81+175.18 грн
100+160.69 грн
250+142.25 грн
500+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.02 грн
100+143.36 грн
500+89.15 грн
1000+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay doc91066.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Siliconix sihf840.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.31 грн
10+190.23 грн
100+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF IRF840ASTRRPBF Vishay Semiconductors sihf840.pdf MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B IRF840B Vishay TIRF840_0841.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B IRF840B Siliconix TIRF840_0841.pdf description N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B IRF840B Siliconix TIRF840_0841.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.74 грн
56+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Semiconductors irf840b.pdf MOSFETs 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.29 грн
50+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 IRF840BPBF-BE3 Vishay Siliconix irf840b.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 IRF840BPBF-BE3 Vishay / Siliconix irf840b.pdf MOSFETs TO220 500V 8.7A N-CH MOSFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF VISHAY 3789918.pdf Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay Siliconix irf840hpbf.pdf Description: POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay Semiconductors irf840hpbf.pdf MOSFETs N-CHANNEL 500V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Vishay Siliconix sihf840l.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.58 грн
50+141.24 грн
100+128.00 грн
500+98.38 грн
1000+91.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF IRF840LCLPBF Vishay Semiconductors sihf840l.pdf description MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.03 грн
10+138.91 грн
25+113.80 грн
50+95.39 грн
100+81.17 грн
250+68.62 грн
500+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.11 грн
14+56.34 грн
100+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+205.47 грн
82+172.54 грн
100+146.20 грн
250+119.39 грн
500+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
4 Додати до обраних Обраний товар
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 266 шт
  • 231 шт - склад
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
4 Додати до обраних Обраний товар
irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,85 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 184 шт
  • 123 шт - склад
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 17 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+34.00 грн
10+30.50 грн
100+27.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 221455
Додати до обраних Обраний товар
IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: vishay
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220AB
Напруга колектор-емітер Vces, В: 500 В
Напруга насичення Vce, В: 8 А
Струм колектора Ic при 25°С, А: 0,85 Ом
Струм колектора Ic при 100°С, А: 1300/63 А
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: THT
товару немає в наявності
очікується: 200 шт
  • 200 шт - очікується 25.07.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+33.00 грн
10+29.50 грн
100+26.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF
Код товару: 82665
1 Додати до обраних Обраний товар
sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-263 (D2PAK)
Напруга сток-витік Uds, В: 500 В
Струм стоку Idd, А: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,84 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 171 шт
  • 141 шт - склад
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840-ML
Виробник: MOSLEADER
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 695mOhm; 10A; 178W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF840; IRF840-BE3; IRF840-ML MOSLEADER TIRF840 MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.59 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093
Виробник: HARRIS
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+108.75 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+118.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+63.61 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF doc91066.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+134.00 грн
123+115.09 грн
124+114.60 грн
500+106.68 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF doc91066.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+134.50 грн
10+115.54 грн
100+115.05 грн
500+107.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.07 грн
50+134.88 грн
100+122.16 грн
500+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+188.34 грн
10+107.94 грн
50+95.39 грн
100+88.70 грн
250+82.00 грн
500+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
TO-220AB Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+132.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF VISH-S-A0019267830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 2741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+194.93 грн
83+171.23 грн
100+160.69 грн
250+142.25 грн
500+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+151.86 грн
94+150.34 грн
124+114.13 грн
500+108.45 грн
1000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+173.36 грн
50+171.62 грн
100+130.28 грн
500+123.80 грн
1000+113.48 грн
2000+106.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+151.86 грн
50+150.34 грн
100+114.13 грн
500+108.45 грн
1000+99.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 4920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.81 грн
50+131.54 грн
100+119.07 грн
500+91.24 грн
1000+84.65 грн
2000+79.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
IRF840APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
88+161.14 грн
89+159.54 грн
120+118.57 грн
500+112.56 грн
1000+103.19 грн
2000+96.57 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 9852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.81 грн
10+170.20 грн
100+119.07 грн
500+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.85 грн
5+142.25 грн
10+126.35 грн
50+97.07 грн
100+88.70 грн
250+82.00 грн
500+76.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 11169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF doc91066.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+292.95 грн
10+156.79 грн
100+144.06 грн
500+86.39 грн
1000+79.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.31 грн
50+147.62 грн
100+133.90 грн
500+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF doc91066.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
63+226.54 грн
81+175.18 грн
100+160.69 грн
250+142.25 грн
500+123.48 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF doc91066.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
91+156.02 грн
100+143.36 грн
500+89.15 грн
1000+85.10 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF doc91066.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF doc91066.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF doc91066.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF doc91066.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1018 pF @ 25 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.31 грн
10+190.23 грн
100+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRRPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description TIRF840_0841.pdf
IRF840B
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description TIRF840_0841.pdf
IRF840B
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+50.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description TIRF840_0841.pdf
IRF840B
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 0.85Ohm IRF840B; LTB:04.11.2024 ; LTS:04.05.2025 ; NEW->IRF840 IRF840B TIRF840b
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
55+13.74 грн
56+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V 850mOhm@10V 8.7A N-Ch D-SRS
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.29 грн
50+71.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 irf840b.pdf
IRF840BPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF-BE3 irf840b.pdf
IRF840BPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8.7A N-CH MOSFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF 3789918.pdf
IRF840HPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+47.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1059 pF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 500V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
IRF840LCLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.58 грн
50+141.24 грн
100+128.00 грн
500+98.38 грн
1000+91.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCLPBF description sihf840l.pdf
IRF840LCLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 602 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+182.03 грн
10+138.91 грн
25+113.80 грн
50+95.39 грн
100+81.17 грн
250+68.62 грн
500+62.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.11 грн
14+56.34 грн
100+55.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
69+205.47 грн
82+172.54 грн
100+146.20 грн
250+119.39 грн
500+101.14 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]