Результат пошуку "IRF840" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
Додати до обраних Обраний товар

Vishay Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 260 шт
181 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

Siliconix irf840pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 460 шт
394 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+32.00 грн
10+27.80 грн
100+25.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар

Vishay sihf840s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
156 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840 Vishay irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+78.06 грн
10+64.43 грн
100+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093 HARRIS IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A IRF840A 91065.pdf description MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+109.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A Siliconix 91065.pdf description Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.64 грн
10+175.76 грн
100+142.09 грн
500+117.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+138.94 грн
25+118.18 грн
100+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF IRF840ALPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.52 грн
10+103.72 грн
17+53.38 грн
46+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF Vishay 91065.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+60.71 грн
10+50.47 грн
100+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY IRF840A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.62 грн
10+129.25 грн
17+64.06 грн
46+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840APBF VISHAY VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+170.83 грн
10+133.87 грн
100+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.69 грн
10+134.69 грн
25+128.12 грн
50+111.35 грн
100+97.15 грн
500+92.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 IRF840APBF-BE3 Vishay 91065.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+131.76 грн
96+126.74 грн
100+122.44 грн
250+114.49 грн
500+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY IRF840ASPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.94 грн
10+82.37 грн
15+61.01 грн
41+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF VISHAY VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.94 грн
10+110.06 грн
100+106.77 грн
500+96.09 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+88.75 грн
50+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+96.09 грн
128+95.07 грн
500+94.27 грн
1000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.15 грн
600+120.75 грн
900+112.36 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+121.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF IRF840ASTRLPBF Vishay sihf840.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B Siliconix IRF%28S%29840B.pdf description N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF VISHAY VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.45 грн
10+87.88 грн
100+67.35 грн
500+52.39 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF IRF840BPBF Vishay irf840b.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+66.78 грн
11+58.99 грн
25+56.87 грн
50+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.36 грн
25+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF VISHAY 3789918.pdf Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.19 грн
10+98.56 грн
100+68.25 грн
500+43.32 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF IRF840HPBF Vishay irf840hpbf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.77 грн
16+58.72 грн
42+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY IRF840LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.12 грн
16+73.18 грн
42+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+231.84 грн
95+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.01 грн
10+151.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF Vishay 91067.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.86 грн
50+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LCPBF VISHAY VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.83 грн
10+160.98 грн
100+101.84 грн
500+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.48 грн
10+91.52 грн
19+48.81 грн
50+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF Vishay/IR irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
9+75.86 грн
10+70.81 грн
100+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY IRF840PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.81 грн
3+130.20 грн
10+109.82 грн
19+58.57 грн
50+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+66.45 грн
50+65.21 грн
100+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+93.88 грн
134+91.19 грн
199+61.21 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+152.72 грн
117+104.64 грн
118+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF VISHAY VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.05 грн
10+119.09 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+89.25 грн
3100+81.56 грн
4650+75.88 грн
6200+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.17 грн
50+84.67 грн
100+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+144.09 грн
113+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+81.23 грн
Мінімальне замовлення: 900
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 VISHAY VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.84 грн
10+124.84 грн
25+118.27 грн
50+104.48 грн
100+93.63 грн
500+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 IRF840PBF-BE3 Vishay 91070.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF; 8A; 500V; 0,85R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840S IR sihf840s.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=500V; Id=8A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+72.28 грн
10+43.04 грн
100+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840S Siliconix sihf840s.pdf N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.73 грн
10+79.31 грн
17+54.91 грн
45+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF Vishay/IR sihf840s.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
14+45.41 грн
15+42.39 грн
100+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY IRF840SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.47 грн
10+98.84 грн
17+65.89 грн
45+62.23 грн
1000+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+126.25 грн
140+86.83 грн
146+83.47 грн
1000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF VISHAY VISH-S-A0013329290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.23 грн
10+129.77 грн
100+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+135.21 грн
25+86.22 грн
100+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF Vishay sihf840s.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+117.24 грн
25+80.63 грн
100+77.50 грн
1000+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Код товару: 35892
Додати до обраних Обраний товар

IRF840APBF (TO-220AB, Vishay)
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 260 шт
181 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
15 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+48.00 грн
10+43.50 грн
100+38.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF
Код товару: 182602
Додати до обраних Обраний товар

irf840pbf-datasheet.pdf
IRF840PBF
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 460 шт
394 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+32.00 грн
10+27.80 грн
100+25.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF
Код товару: 82665
Додати до обраних Обраний товар

sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 205 шт
156 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+74.00 грн
10+68.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840 irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf IRF840.pdf
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.06 грн
10+64.43 грн
100+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF84093
Виробник: HARRIS
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+93.57 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
IRF840A
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840A description 91065.pdf
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ALPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+240.64 грн
10+175.76 грн
100+142.09 грн
500+117.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+138.94 грн
25+118.18 грн
100+113.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ALPBF sihf840.pdf
IRF840ALPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
116+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.52 грн
10+103.72 грн
17+53.38 грн
46+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF 91065.pdf
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.71 грн
10+50.47 грн
100+46.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF IRF840A.pdf
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.62 грн
10+129.25 грн
17+64.06 грн
46+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF VISH-S-A0013276592-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+170.83 грн
10+133.87 грн
100+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 VISH-S-A0001435520-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840APBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+180.69 грн
10+134.69 грн
25+128.12 грн
50+111.35 грн
100+97.15 грн
500+92.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840APBF-BE3 91065.pdf
IRF840APBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
93+131.76 грн
96+126.74 грн
100+122.44 грн
250+114.49 грн
500+103.12 грн
Мінімальне замовлення: 93
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF IRF840ASPBF.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.94 грн
10+82.37 грн
15+61.01 грн
41+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF VISH-S-A0013329313-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840ASPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.94 грн
10+110.06 грн
100+106.77 грн
500+96.09 грн
1000+86.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+88.75 грн
50+73.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
127+96.09 грн
128+95.07 грн
500+94.27 грн
1000+76.80 грн
Мінімальне замовлення: 127
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASPBF sihf840.pdf
IRF840ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
92+132.15 грн
600+120.75 грн
900+112.36 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840ASTRLPBF sihf840.pdf
IRF840ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840B description IRF%28S%29840B.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840 TIRF840
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF VISH-S-A0014180325-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840BPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+117.45 грн
10+87.88 грн
100+67.35 грн
500+52.39 грн
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840BPBF irf840b.pdf
IRF840BPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.78 грн
11+58.99 грн
25+56.87 грн
50+48.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+40.36 грн
25+40.24 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF 3789918.pdf
IRF840HPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.19 грн
10+98.56 грн
100+68.25 грн
500+43.32 грн
1000+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840HPBF irf840hpbf.pdf
IRF840HPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.77 грн
16+58.72 грн
42+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF IRF840LC.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.12 грн
16+73.18 грн
42+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+231.84 грн
95+128.80 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.01 грн
10+151.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF 91067.pdf
IRF840LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+87.86 грн
50+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840LCPBF VISH-S-A0013276628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840LCPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.83 грн
10+160.98 грн
100+101.84 грн
500+93.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.48 грн
10+91.52 грн
19+48.81 грн
50+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF irf840_SiHF840_RevD_5-2-16.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
9+75.86 грн
10+70.81 грн
100+65.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF IRF840PBF.pdf
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+149.81 грн
3+130.20 грн
10+109.82 грн
19+58.57 грн
50+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+66.45 грн
50+65.21 грн
100+49.42 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
130+93.88 грн
134+91.19 грн
199+61.21 грн
Мінімальне замовлення: 130
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+152.72 грн
117+104.64 грн
118+103.50 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF VISH-S-A0013329288-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.05 грн
10+119.09 грн
100+88.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
137+89.25 грн
3100+81.56 грн
4650+75.88 грн
6200+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 137
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF 91070.pdf
IRF840PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+87.17 грн
50+84.67 грн
100+56.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
85+144.09 грн
113+107.66 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
900+81.23 грн
Мінімальне замовлення: 900
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 VISH-S-A0002281136-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840PBF-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.84 грн
10+124.84 грн
25+118.27 грн
50+104.48 грн
100+93.63 грн
500+85.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF-BE3 91070.pdf
IRF840PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840PBF; 8A; 500V; 0,85R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
11+64.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840S sihf840s.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=500V; Id=8A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
4+72.28 грн
10+43.04 грн
100+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840S sihf840s.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 8A 500V 125W 0.85Ω IRF840S smd TIRF840s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.73 грн
10+79.31 грн
17+54.91 грн
45+51.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF sihf840s.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 8 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 4,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 125; D2PAK
на замовлення 63 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
14+45.41 грн
15+42.39 грн
100+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF IRF840SPBF.pdf
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.47 грн
10+98.84 грн
17+65.89 грн
45+62.23 грн
1000+61.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
132+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+126.25 грн
140+86.83 грн
146+83.47 грн
1000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF VISH-S-A0013329290-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF840SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.23 грн
10+129.77 грн
100+87.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+135.21 грн
25+86.22 грн
100+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF840SPBF sihf840s.pdf
IRF840SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+117.24 грн
25+80.63 грн
100+77.50 грн
1000+70.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]