Результат пошуку "IRF840" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 325
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 50
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 90
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 93
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 126
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 94
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 20
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 9
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 159
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 5
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 2
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 10
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 137
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 172
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 132
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 85
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 6
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 11
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 35892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38 Монтаж: THT |
у наявності: 255 шт
178 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ 56 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Одеса 13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
![]() Корпус: TO-220AB Uds,V: 500 V Idd,A: 8 A Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: THT |
у наявності: 438 шт
382 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ 8 шт - РАДІОМАГ-Львів 24 шт - РАДІОМАГ-Харків 2 шт - РАДІОМАГ-Одеса 12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840SPBF Код товару: 82665
Додати до обраних
Обраний товар
|
Vishay |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 8 А Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63 Монтаж: SMD |
у наявності: 200 шт
156 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ 10 шт - РАДІОМАГ-Львів 5 шт - РАДІОМАГ-Харків 8 шт - РАДІОМАГ-Одеса 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||
IRF840 | Vishay |
![]() ![]() |
на замовлення 247 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF84093 | HARRIS | IRF84093 |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840A |
![]() ![]() |
на замовлення 7 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF840A | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7419 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ALPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF840APBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 9 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 11231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840APBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85364900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 10014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASTRLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840ASTRRPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF840B | Siliconix |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 205 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: D productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840BPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840HPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCLPBF | Vishay Semiconductors |
![]() ![]() |
на замовлення 867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 28A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 727 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 MSL: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 4675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 2754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840LCSPBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2753 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 9453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 10453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 12158 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 10444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF | Vishay |
![]() |
на замовлення 9453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 7216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: IRF840 Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF840PBF-BE3 | Vishay |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF840PBF; 8A; 500V; 0,85R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF840S | IR |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF840S | Siliconix |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
IRF840APBF (TO-220AB, Vishay) Код товару: 35892
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1018/38
Монтаж: THT
у наявності: 255 шт
178 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
56 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
13 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 48.00 грн |
10+ | 43.50 грн |
100+ | 38.90 грн |
IRF840PBF Код товару: 182602
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 A
Rds(on), Ohm: 0,85 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: THT
у наявності: 438 шт
382 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
24 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Одеса
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 32.00 грн |
10+ | 27.80 грн |
100+ | 25.30 грн |
IRF840SPBF Код товару: 82665
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 8 А
Rds(on), Ohm: 0,84 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/63
Монтаж: SMD
у наявності: 200 шт
156 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
8 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 74.00 грн |
10+ | 68.00 грн |
IRF840 |
![]() ![]() |
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 247 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 78.44 грн |
IRF84093 |
Виробник: HARRIS
IRF84093
IRF84093
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
325+ | 94.02 грн |
IRF840A | ![]() |
![]() |
MOSFET 500V 8A (32A pulse), N Channel TO-220
на замовлення 7 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.56 грн |
IRF840A | ![]() |
![]() |
Виробник: Siliconix
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840A; IRF840A-VB; IRF840A-BE3; IRF840A VISHAY TIRF840a
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 56.53 грн |
IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 7419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 147.63 грн |
25+ | 126.91 грн |
500+ | 99.32 грн |
1000+ | 92.70 грн |
5000+ | 91.22 грн |
IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF840ALPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 241.81 грн |
10+ | 176.61 грн |
100+ | 142.77 грн |
500+ | 118.02 грн |
IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
90+ | 136.56 грн |
101+ | 120.99 грн |
102+ | 120.64 грн |
IRF840ALPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) I2PAK
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 127.73 грн |
25+ | 113.17 грн |
100+ | 112.84 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 136.17 грн |
10+ | 104.22 грн |
17+ | 53.64 грн |
46+ | 50.58 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=500V; Id=8A; Pdmax=125W; Rds=0,85 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.00 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.41 грн |
10+ | 129.88 грн |
17+ | 64.37 грн |
46+ | 60.69 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.67 грн |
10+ | 171.74 грн |
25+ | 91.22 грн |
100+ | 89.75 грн |
500+ | 85.34 грн |
5000+ | 84.60 грн |
IRF840APBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF840APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 171.66 грн |
10+ | 134.52 грн |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
93+ | 132.40 грн |
96+ | 127.35 грн |
100+ | 123.03 грн |
250+ | 115.04 грн |
500+ | 103.62 грн |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 11231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 161.36 грн |
10+ | 109.98 грн |
25+ | 94.90 грн |
100+ | 86.81 грн |
500+ | 63.78 грн |
1000+ | 62.75 грн |
2000+ | 51.94 грн |
IRF840APBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840APBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85364900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 181.56 грн |
10+ | 135.35 грн |
25+ | 128.74 грн |
50+ | 111.88 грн |
100+ | 97.62 грн |
500+ | 92.67 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 152.68 грн |
10+ | 82.76 грн |
15+ | 61.31 грн |
41+ | 57.48 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 10014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.74 грн |
10+ | 120.14 грн |
25+ | 97.85 грн |
100+ | 91.22 грн |
500+ | 85.34 грн |
1000+ | 69.89 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF840ASPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 175.79 грн |
10+ | 110.59 грн |
100+ | 107.29 грн |
500+ | 96.56 грн |
1000+ | 87.01 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 90.67 грн |
50+ | 74.60 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
126+ | 96.94 грн |
153+ | 79.76 грн |
IRF840ASPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
94+ | 130.01 грн |
500+ | 118.80 грн |
750+ | 110.53 грн |
IRF840ASTRLPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
MOSFETs N-Chan 500V 8.0 Amp
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 218.87 грн |
10+ | 153.13 грн |
100+ | 109.62 грн |
800+ | 97.85 грн |
IRF840ASTRRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 269.50 грн |
10+ | 194.59 грн |
100+ | 128.74 грн |
500+ | 125.07 грн |
800+ | 100.05 грн |
2400+ | 97.11 грн |
IRF840B | ![]() |
![]() |
на замовлення 205 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 45.03 грн |
IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF840BPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 118.02 грн |
10+ | 88.31 грн |
100+ | 67.67 грн |
500+ | 52.65 грн |
1000+ | 41.24 грн |
IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 50.48 грн |
13+ | 47.44 грн |
25+ | 46.55 грн |
50+ | 42.06 грн |
IRF840BPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - IRF840HPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.3 A, 0.74 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.74ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 146.08 грн |
10+ | 99.03 грн |
100+ | 68.33 грн |
500+ | 46.98 грн |
1000+ | 39.90 грн |
IRF840HPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 7.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 38.23 грн |
IRF840LCLPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO262 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 261.78 грн |
10+ | 198.82 грн |
25+ | 106.67 грн |
100+ | 103.73 грн |
500+ | 96.37 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 107.29 грн |
16+ | 59.01 грн |
42+ | 55.94 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 28A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 727 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.74 грн |
16+ | 73.53 грн |
42+ | 67.13 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 72.12 грн |
50+ | 68.83 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 4732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.66 грн |
10+ | 122.67 грн |
25+ | 84.60 грн |
100+ | 75.04 грн |
500+ | 71.29 грн |
1000+ | 69.82 грн |
2000+ | 66.36 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - N CHANNEL MOSFET, 500V, 8A TO-220AB
tariffCode: 85412900
MSL: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 193.94 грн |
10+ | 151.85 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
159+ | 77.10 грн |
166+ | 73.59 грн |
IRF840LCPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF840LCPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 194.77 грн |
10+ | 161.76 грн |
100+ | 102.34 грн |
500+ | 94.26 грн |
IRF840LCPBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO252 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 2754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 171.66 грн |
10+ | 122.67 грн |
25+ | 91.96 грн |
100+ | 87.55 грн |
250+ | 86.81 грн |
500+ | 85.34 грн |
1000+ | 75.78 грн |
IRF840LCSPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 266.93 грн |
10+ | 191.20 грн |
25+ | 135.37 грн |
100+ | 131.69 грн |
250+ | 129.48 грн |
500+ | 126.54 грн |
1000+ | 105.20 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 104.99 грн |
10+ | 91.96 грн |
19+ | 49.81 грн |
50+ | 46.75 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2753 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 150.53 грн |
3+ | 130.83 грн |
10+ | 110.35 грн |
19+ | 59.77 грн |
50+ | 56.10 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 86.03 грн |
50+ | 83.53 грн |
100+ | 79.44 грн |
500+ | 56.37 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 66.58 грн |
50+ | 65.30 грн |
100+ | 63.17 грн |
500+ | 49.15 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 12158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.46 грн |
10+ | 124.37 грн |
25+ | 84.60 грн |
100+ | 83.13 грн |
250+ | 82.40 грн |
500+ | 77.25 грн |
1000+ | 64.23 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRF840PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 133.70 грн |
10+ | 119.67 грн |
100+ | 89.13 грн |
500+ | 76.02 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
137+ | 89.69 грн |
3000+ | 81.95 грн |
4500+ | 76.25 грн |
6000+ | 69.34 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
172+ | 71.18 грн |
175+ | 69.82 грн |
181+ | 67.54 грн |
500+ | 52.55 грн |
IRF840PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 9453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
132+ | 92.65 грн |
136+ | 89.95 грн |
143+ | 85.55 грн |
500+ | 60.70 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
85+ | 144.79 грн |
113+ | 108.18 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 500V 8A N-CH MOSFET
на замовлення 7216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 154.49 грн |
10+ | 113.37 грн |
25+ | 94.90 грн |
100+ | 77.98 грн |
500+ | 65.62 грн |
1000+ | 57.90 грн |
2000+ | 54.96 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRF840PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 500V, 8A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: IRF840 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 148.55 грн |
10+ | 125.44 грн |
25+ | 118.84 грн |
50+ | 104.99 грн |
100+ | 94.08 грн |
500+ | 85.59 грн |
IRF840PBF-BE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF840PBF; 8A; 500V; 0,85R; 125W; N-канальний; корпус: ТО220; VISHAY |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 65.07 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]