Результат пошуку "irf64" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY IRF644S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.76 грн
10+ 68.89 грн
15+ 56.24 грн
41+ 52.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY IRF644S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+98.12 грн
10+ 85.85 грн
15+ 67.49 грн
41+ 63.27 грн
1000+ 61.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF644SPBF IRF644SPBF VISHAY VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+245.29 грн
10+ 161.25 грн
100+ 139.3 грн
500+ 118.1 грн
1000+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+145.67 грн
10+ 136.47 грн
25+ 127.41 грн
100+ 115.46 грн
250+ 106.39 грн
500+ 98.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+81.24 грн
10+ 77.9 грн
25+ 74.46 грн
100+ 68.87 грн
250+ 63.55 грн
500+ 59.33 грн
1000+ 56.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.18 грн
10+ 189.37 грн
25+ 141.72 грн
100+ 126.2 грн
250+ 122.83 грн
500+ 113.38 грн
1000+ 105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.8 грн
50+ 180.04 грн
100+ 154.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644SPBF IRF644SPBF Vishay sihf644s.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+156.87 грн
80+ 146.97 грн
86+ 137.29 грн
100+ 124.34 грн
250+ 114.57 грн
500+ 105.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRF644STRLPBF IRF644STRLPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.33 грн
10+ 189.37 грн
25+ 155.22 грн
100+ 132.95 грн
250+ 125.53 грн
500+ 111.35 грн
800+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Semiconductors sihf644s.pdf MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.33 грн
10+ 189.37 грн
25+ 155.22 грн
100+ 132.95 грн
250+ 125.53 грн
500+ 120.13 грн
800+ 105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644STRRPBF IRF644STRRPBF Vishay Siliconix sihf644s.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.75 грн
10+ 199.58 грн
100+ 161.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF647 IRF647 Harris Corporation HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
290+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 290
IRF640A FAI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640A FAIRCHILD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640B FSC 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640B Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640B FSC 04+ BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640FPorSTF40NF20 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640L sihf640s.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640N description IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF640N Infineon description N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NPBF Infineon Technologies irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
на замовлення 520 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF640NPBF/IR IR 08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NS IR description TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NS IR description 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NS IR description 0739
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRL IR 01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRLPBF/IR IR 08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640STR
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640STRR IR sihf640s.pdf TO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF644B
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF644NS IR IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF646H
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
9+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
Транзистор IRF644
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
DH640 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640N IRF640N
Код товару: 30510 		IR description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF640NL
Код товару: 143762 		IRF640.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF640PBF IRF640PBF
Код товару: 22635 		IR sihf640.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF640S IRF640S
Код товару: 49257 		sihf640s.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF640SPBF
Код товару: 175573 		sihf640s.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF644B
Код товару: 192729 		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF644PBF IRF644PBF
Код товару: 123223 		SILI sihf644-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF644PBF IRF644PBF
Код товару: 22636 		Vishay IRF644.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF640 IRF640 STMicroelectronics 3007.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF640 IRF640 STMicroelectronics en.CD00000702.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640 IRF640 Vishay sihf640.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF640,127 IRF640,127 NXP USA Inc. IRF640,S.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640FP IRF640FP STMicroelectronics en.CD00000702.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640FP IRF640FP STMicroelectronics 3007.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IRF640L IRF640L Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640LPBF IRF640LPBF Vishay Siliconix sihf640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640LPBF IRF640LPBF Vishay 8855794227845844sihf640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF640N IRF640N Infineon Technologies irf640n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF640NHR IR - ASA only Supplier irf640n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товар відсутній
IRF644SPBF IRF644S.pdf
IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.76 грн
10+ 68.89 грн
15+ 56.24 грн
41+ 52.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF644SPBF IRF644S.pdf
IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 623 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.12 грн
10+ 85.85 грн
15+ 67.49 грн
41+ 63.27 грн
1000+ 61.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF644SPBF VISH-S-A0011126101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF644SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+245.29 грн
10+ 161.25 грн
100+ 139.3 грн
500+ 118.1 грн
1000+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+78.07 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+145.67 грн
10+ 136.47 грн
25+ 127.41 грн
100+ 115.46 грн
250+ 106.39 грн
500+ 98.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.24 грн
10+ 77.9 грн
25+ 74.46 грн
100+ 68.87 грн
250+ 63.55 грн
500+ 59.33 грн
1000+ 56.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+225.18 грн
10+ 189.37 грн
25+ 141.72 грн
100+ 126.2 грн
250+ 122.83 грн
500+ 113.38 грн
1000+ 105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.84 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.8 грн
50+ 180.04 грн
100+ 154.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644SPBF sihf644s.pdf
IRF644SPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+156.87 грн
80+ 146.97 грн
86+ 137.29 грн
100+ 124.34 грн
250+ 114.57 грн
500+ 105.58 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRF644STRLPBF sihf644s.pdf
IRF644STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 2404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.33 грн
10+ 189.37 грн
25+ 155.22 грн
100+ 132.95 грн
250+ 125.53 грн
500+ 111.35 грн
800+ 101.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+228.33 грн
10+ 189.37 грн
25+ 155.22 грн
100+ 132.95 грн
250+ 125.53 грн
500+ 120.13 грн
800+ 105.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF644STRRPBF sihf644s.pdf
IRF644STRRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.75 грн
10+ 199.58 грн
100+ 161.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF647 HRISSD75-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF647
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
290+71.09 грн
Мінімальне замовлення: 290
IRF640A
Виробник: FAI
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640A
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640B
Виробник: FSC
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640B
Виробник: Fairchild
на замовлення 10005 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640B
Виробник: FSC
04+ BGA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640FPorSTF40NF20
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640L sihf640s.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640N description
IRF640N Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF640N description
Виробник: Infineon
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
IRF640N-005(94-2065)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
на замовлення 520 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF640NPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NS description
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NS description
Виробник: IR
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NS description
Виробник: IR
0739
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRL
Виробник: IR
01+
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRLPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 18550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640NSTRRPBF irf640npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7be9019ee
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640STR
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF640STRR sihf640s.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF644B
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF644NS IRF%2CSiHF644N%2CNS%2CNL%2C.pdf
Виробник: IR
TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF646H
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор польовий IRF640NPBF 18A 200V N-ch TO-220
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
Транзистор IRF644
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
DH640
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 104W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF640; IRF640N; DH640 DONGHAI TIRF640 DH
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+25.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF640N
Код товару: 30510		 description
IRF640N
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1160/67
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF640NL
Код товару: 143762		 IRF640.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF640PBF
Код товару: 22635		 sihf640.pdf
IRF640PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 200 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF640S
Код товару: 49257		 description sihf640s.pdf
IRF640S
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF640SPBF
Код товару: 175573		 sihf640s.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF644B
Код товару: 192729
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRF644PBF
Код товару: 123223		 sihf644-datasheet.pdf
IRF644PBF
Виробник: SILI
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 250 V
Idd,A: 8,5 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/68
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF644PBF
Код товару: 22636		 IRF644.pdf
IRF644PBF
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 250 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF640 description 3007.pdf
IRF640
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF640 description en.CD00000702.pdf
IRF640
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640 description sihf640.pdf
IRF640
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IRF640,127 IRF640,S.pdf
IRF640,127
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640FP description en.CD00000702.pdf
IRF640FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640FP description 3007.pdf
IRF640FP
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
IRF640L sihf640s.pdf
IRF640L
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640LPBF sihf640s.pdf
IRF640LPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRF640LPBF 8855794227845844sihf640s.pdf
IRF640LPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товар відсутній
IRF640N description irf640n.pdf
IRF640N
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF640NHR irf640n.pdf
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]