Результат пошуку "p60n" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STP60NF06 STP60NF06
Код товару: 2993
ST STP60NF06.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 720 шт
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн
STP60NF06L STP60NF06L
Код товару: 105102
ST stp60nf06l.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
P60N02LDG
на замовлення 23290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LDG NIKO 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06 ST TO-220 03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06 IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE03L-10 ST
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06L-16
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03 ST 05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03L ST 05+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06 ST 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06L ST TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG8P60N120KD-EPBF IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+486.5 грн
Мінімальне замовлення: 41
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+443.37 грн
3+ 311.32 грн
7+ 294.37 грн
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+532.05 грн
3+ 387.95 грн
7+ 353.24 грн
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS media-3319826.pdf MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+562.9 грн
10+ 476.99 грн
50+ 380.26 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.49 грн
3+ 315.39 грн
7+ 297.76 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+538.18 грн
3+ 393.03 грн
7+ 357.31 грн
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.4 грн
4+ 112.59 грн
10+ 85.46 грн
26+ 80.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+161.28 грн
3+ 140.31 грн
10+ 102.55 грн
26+ 96.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS media-3322180.pdf MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.43 грн
10+ 165.48 грн
100+ 114.6 грн
250+ 105.48 грн
500+ 95.07 грн
1000+ 82.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.6 грн
3+ 308.61 грн
4+ 234 грн
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+443.52 грн
3+ 384.57 грн
4+ 280.8 грн
10+ 265.34 грн
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS media-3322086.pdf MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+430.72 грн
10+ 367.66 грн
50+ 292.36 грн
100+ 255.89 грн
250+ 249.38 грн
500+ 231.8 грн
1000+ 192.73 грн
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS media-3320538.pdf MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.03 грн
10+ 633.48 грн
50+ 468.16 грн
100+ 446.02 грн
250+ 419.33 грн
500+ 369.84 грн
1000+ 347.05 грн
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS IXTP60N20X4_DS.pdf Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.24 грн
50+ 516.09 грн
100+ 461.76 грн
500+ 382.36 грн
1000+ 344.13 грн
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS media-3323590.pdf IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+471.74 грн
10+ 428.31 грн
50+ 317.75 грн
100+ 288.45 грн
250+ 279.33 грн
500+ 249.38 грн
1000+ 218.13 грн
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.58 грн
50+ 333.79 грн
100+ 298.65 грн
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.55 грн
8+ 111.23 грн
20+ 105.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+214.75 грн
3+ 161.44 грн
8+ 133.48 грн
20+ 126.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.57 грн
5+ 194.66 грн
6+ 151.25 грн
15+ 142.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+310.29 грн
5+ 242.58 грн
6+ 181.5 грн
15+ 170.92 грн
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+252 грн
5+ 194.66 грн
7+ 130.23 грн
17+ 122.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+302.4 грн
5+ 242.58 грн
7+ 156.27 грн
17+ 147.32 грн
NP60N04ILF-E1-AZ NP60N04ILF-E1-AZ Renesas np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+125.53 грн
Мінімальне замовлення: 156
NP60N04VDK-E1-AY NP60N04VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856 Description: POWER TRS2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VDK-E1-AY NP60N04VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856 Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.13 грн
10+ 81.87 грн
100+ 65.13 грн
500+ 51.72 грн
1000+ 43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.95 грн
10+ 83.7 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.13 грн
10+ 81.87 грн
100+ 65.13 грн
500+ 51.72 грн
1000+ 43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.61 грн
5000+ 42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.43 грн
10+ 80.92 грн
100+ 64.39 грн
500+ 51.13 грн
1000+ 43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.13 грн
10+ 81.53 грн
100+ 64.88 грн
500+ 51.52 грн
1000+ 43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.96 грн
5000+ 42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf MOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 195-204 дні (днів)
3+110.91 грн
10+ 91.35 грн
100+ 62.96 грн
250+ 60.1 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 45.06 грн
2500+ 42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.95 грн
10+ 83.7 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
PD30CNP60NAM5SA PD30CNP60NAM5SA Carlo Gavazzi PD30CNP60NAM5SA-2525508.pdf Photoelectric Sensors Polarized Retro-reflective Photoelectric Sensor, Range 6000mm, red polarized modulated light 625nm, Power Supply 10-30VDC, NPN Output, NO and NC, Light and Dark Switching, M8 Plug
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6146.35 грн
5+ 5410.08 грн
10+ 4361.92 грн
25+ 4290.3 грн
PD30CNP60NASA PD30CNP60NASA Carlo Gavazzi Inc. PD30CNP06NAM5SA.pdf Description: SENSOR REFLECTIVE 6M NPN NO/NC
Packaging: Box
Adjustment Type: Adjustable, 210° Turn Potentiometer
Sensing Distance: 236.22" (6m)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 500µs
Ingress Protection: IEC 60529 IP67
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Red (625nm)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5658.73 грн
SQP60N06-15_GE3 SQP60N06-15_GE3 Vishay Siliconix sqp60n06-15.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.26 грн
10+ 98.21 грн
100+ 78.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9-2943597.pdf MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816.63 грн
10+ 689.64 грн
25+ 543.69 грн
100+ 499.42 грн
250+ 470.77 грн
500+ 451.88 грн
1000+ 383.52 грн
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.35 грн
7+ 49.51 грн
10+ 44.56 грн
24+ 34.05 грн
64+ 32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+96.42 грн
5+ 61.7 грн
10+ 53.47 грн
24+ 40.86 грн
64+ 38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.58 грн
50+ 85.56 грн
100+ 70.4 грн
500+ 55.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics cd0000231.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
STP60NF06
Код товару: 2993
description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 720 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн
STP60NF06L
Код товару: 105102
stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 90 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
P60N02LDG
на замовлення 23290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LDG
Виробник: NIKO
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06
Виробник: ST
TO-220 03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE03L-10
Виробник: ST
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06L-16
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03
Виробник: ST
05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03L
Виробник: ST
05+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06
Виробник: ST
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06L
Виробник: ST
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG8P60N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P60N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+486.5 грн
Мінімальне замовлення: 41
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.37 грн
3+ 311.32 грн
7+ 294.37 грн
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+532.05 грн
3+ 387.95 грн
7+ 353.24 грн
IXFP60N25X3 media-3319826.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+562.9 грн
10+ 476.99 грн
50+ 380.26 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.49 грн
3+ 315.39 грн
7+ 297.76 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+538.18 грн
3+ 393.03 грн
7+ 357.31 грн
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.4 грн
4+ 112.59 грн
10+ 85.46 грн
26+ 80.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 176W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 59ns
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.28 грн
3+ 140.31 грн
10+ 102.55 грн
26+ 96.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N10T media-3322180.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.43 грн
10+ 165.48 грн
100+ 114.6 грн
250+ 105.48 грн
500+ 95.07 грн
1000+ 82.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+369.6 грн
3+ 308.61 грн
4+ 234 грн
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+443.52 грн
3+ 384.57 грн
4+ 280.8 грн
10+ 265.34 грн
IXTP60N20T media-3322086.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+430.72 грн
10+ 367.66 грн
50+ 292.36 грн
100+ 255.89 грн
250+ 249.38 грн
500+ 231.8 грн
1000+ 192.73 грн
IXTP60N20X4 media-3320538.pdf
IXTP60N20X4
Виробник: IXYS
MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+730.03 грн
10+ 633.48 грн
50+ 468.16 грн
100+ 446.02 грн
250+ 419.33 грн
500+ 369.84 грн
1000+ 347.05 грн
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4_DS.pdf
IXTP60N20X4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+671.24 грн
50+ 516.09 грн
100+ 461.76 грн
500+ 382.36 грн
1000+ 344.13 грн
IXYP60N65A5 media-3323590.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+471.74 грн
10+ 428.31 грн
50+ 317.75 грн
100+ 288.45 грн
250+ 279.33 грн
500+ 249.38 грн
1000+ 218.13 грн
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.58 грн
50+ 333.79 грн
100+ 298.65 грн
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.55 грн
8+ 111.23 грн
20+ 105.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.75 грн
3+ 161.44 грн
8+ 133.48 грн
20+ 126.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.57 грн
5+ 194.66 грн
6+ 151.25 грн
15+ 142.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.29 грн
5+ 242.58 грн
6+ 181.5 грн
15+ 170.92 грн
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252 грн
5+ 194.66 грн
7+ 130.23 грн
17+ 122.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.4 грн
5+ 242.58 грн
7+ 156.27 грн
17+ 147.32 грн
NP60N04ILF-E1-AZ np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet
NP60N04ILF-E1-AZ
Виробник: Renesas
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
156+125.53 грн
Мінімальне замовлення: 156
NP60N04VDK-E1-AY np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856
NP60N04VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VDK-E1-AY np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856
NP60N04VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.13 грн
10+ 81.87 грн
100+ 65.13 грн
500+ 51.72 грн
1000+ 43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.95 грн
10+ 83.7 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.13 грн
10+ 81.87 грн
100+ 65.13 грн
500+ 51.72 грн
1000+ 43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.61 грн
5000+ 42.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.43 грн
10+ 80.92 грн
100+ 64.39 грн
500+ 51.13 грн
1000+ 43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.13 грн
10+ 81.53 грн
100+ 64.88 грн
500+ 51.52 грн
1000+ 43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.96 грн
5000+ 42.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VDK-E1-AY REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 195-204 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.91 грн
10+ 91.35 грн
100+ 62.96 грн
250+ 60.1 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 45.06 грн
2500+ 42.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.95 грн
10+ 83.7 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
PD30CNP60NAM5SA PD30CNP60NAM5SA-2525508.pdf
PD30CNP60NAM5SA
Виробник: Carlo Gavazzi
Photoelectric Sensors Polarized Retro-reflective Photoelectric Sensor, Range 6000mm, red polarized modulated light 625nm, Power Supply 10-30VDC, NPN Output, NO and NC, Light and Dark Switching, M8 Plug
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6146.35 грн
5+ 5410.08 грн
10+ 4361.92 грн
25+ 4290.3 грн
PD30CNP60NASA PD30CNP06NAM5SA.pdf
PD30CNP60NASA
Виробник: Carlo Gavazzi Inc.
Description: SENSOR REFLECTIVE 6M NPN NO/NC
Packaging: Box
Adjustment Type: Adjustable, 210° Turn Potentiometer
Sensing Distance: 236.22" (6m)
Sensing Method: Reflective, Diffuse
Operating Temperature: -25°C ~ 60°C
Output Configuration: NPN
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Response Time: 500µs
Ingress Protection: IEC 60529 IP67
Cable Length: 78.74" (2m)
Connection Method: Cable
Light Source: Red (625nm)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5658.73 грн
SQP60N06-15_GE3 sqp60n06-15.pdf
SQP60N06-15_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.26 грн
10+ 98.21 грн
100+ 78.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60N043DM9 stp60n043dm9-2943597.pdf
STP60N043DM9
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+816.63 грн
10+ 689.64 грн
25+ 543.69 грн
100+ 499.42 грн
250+ 470.77 грн
500+ 451.88 грн
1000+ 383.52 грн
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.35 грн
7+ 49.51 грн
10+ 44.56 грн
24+ 34.05 грн
64+ 32.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.42 грн
5+ 61.7 грн
10+ 53.47 грн
24+ 40.86 грн
64+ 38.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.58 грн
50+ 85.56 грн
100+ 70.4 грн
500+ 55.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 description cd0000231.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.66 грн
Мінімальне замовлення: 12
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]