Результат пошуку "p60n" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP60NF06 STP60NF06
Код товару: 2993
4 Додати до обраних Обраний товар
ST STP60NF06.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 180 шт
114 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
27 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар
ST stp60nf06l.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 45 шт
16 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P60N02LDG
на замовлення 23290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N03LDG NIKO 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N03LR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N06 ST TO-220 03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NE03L-10 ST
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NE06
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NE06L-16
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF03 ST 05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF03L ST 05+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06 ST 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06L ST TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AMIXFP60N25X3 AMIXFP60N25X3 Analog Power Inc. datasheet.php?part=AMIXFP60N25X3 Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220CFM
Packaging: Bulk
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+971.03 грн
50+514.57 грн
100+474.14 грн
500+393.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EJP60N100 EJP60N100 ETEK MICROELECTRONICS b32b8afedec4fc66183f0a6a29224142.pdf Description: 60V N-Channel Trench Power MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.42 грн
20+21.50 грн
50+20.05 грн
100+17.61 грн
1000+16.39 грн
3000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
EJP60NP930 EJP60NP930 ETEK MICROELECTRONICS aa2303b9450f7f7493621ef8ef3dcab2.pdf Description: 60V N&P-Channel Trench Power MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.42 грн
20+21.50 грн
50+20.05 грн
100+17.61 грн
1000+16.39 грн
3000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P60N120KD-EPBF IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 1200V 100A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+563.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+590.02 грн
3+496.93 грн
10+407.57 грн
50+382.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+644.34 грн
10+399.75 грн
100+343.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Power dissipation: 36W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+594.52 грн
3+501.10 грн
10+410.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixf-60n25x3-datasheet?assetguid=27d3d003-ebe6-4c6c-ad92-c705963c1606 Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+668.95 грн
50+355.02 грн
100+327.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP60N25X3M_Datasheet.PDF MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.77 грн
10+399.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+201.47 грн
10+170.38 грн
25+144.49 грн
50+113.58 грн
100+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N10T_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.94 грн
10+134.05 грн
100+87.42 грн
500+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+441.61 грн
10+374.99 грн
50+303.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.88 грн
10+256.13 грн
100+205.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.56 грн
50+257.91 грн
100+236.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixtp60n20x4_datasheet.pdf MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+783.57 грн
10+433.27 грн
100+371.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS IXTP60N20X4_DS.pdf Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+807.89 грн
50+437.06 грн
100+404.21 грн
500+325.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp60n65a5_datasheet.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.45 грн
10+340.71 грн
100+237.29 грн
500+205.38 грн
1000+187.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; yellow; STAR; 120°; 590nm; 30÷40lm; 1W
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
Type of diode: power LED
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+178.98 грн
4+130.29 грн
10+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white warm; STAR; 1W; 2600-4000K; 80÷90lm; 120°
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+270.72 грн
5+204.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white cold; STAR; 1W; 4000-10000K; 85÷100lm; 120°
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+253.64 грн
5+195.43 грн
25+162.02 грн
100+134.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04ILF-E1-AZ NP60N04ILF-E1-AZ Renesas np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+147.79 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VDK-E1-AY NP60N04VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856 Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.46 грн
10+98.09 грн
100+66.87 грн
500+50.21 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.51 грн
10+106.74 грн
100+72.84 грн
500+54.74 грн
1000+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.46 грн
10+98.09 грн
100+66.87 грн
500+50.21 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds0588ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.04 грн
10+110.11 грн
100+65.64 грн
500+52.32 грн
1000+48.15 грн
2500+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.03 грн
5000+44.16 грн
7500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.60 грн
10+104.10 грн
100+70.90 грн
500+53.22 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.04 грн
10+103.35 грн
100+70.45 грн
500+52.89 грн
1000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+175.66 грн
10+110.91 грн
100+66.26 грн
500+52.66 грн
1000+48.43 грн
2500+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1339ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.89 грн
10+113.30 грн
100+67.44 грн
500+53.84 грн
1000+49.54 грн
2500+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.16 грн
10+105.38 грн
100+71.94 грн
500+54.06 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.32 грн
50+417.12 грн
100+385.46 грн
500+309.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+803.00 грн
10+442.04 грн
100+355.24 грн
500+346.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+141.21 грн
10+67.65 грн
50+56.62 грн
100+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.90 грн
10+77.56 грн
100+56.55 грн
500+46.28 грн
1000+42.25 грн
2000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.77 грн
50+71.86 грн
100+64.42 грн
500+48.18 грн
1000+44.24 грн
2000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 JSMSEMI en.CD00002318.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 ST en.CD00002318.pdf description N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.84 грн
50+66.25 грн
100+59.31 грн
500+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP STP60NF06FP STMicroelectronics en.CD00154892.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.75 грн
10+71.33 грн
100+55.44 грн
500+44.06 грн
1000+40.31 грн
2000+36.77 грн
5000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.20 грн
5+108.57 грн
10+94.88 грн
25+79.68 грн
50+70.74 грн
100+62.14 грн
500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STP60NF06L STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.09 грн
50+85.57 грн
100+76.92 грн
500+57.96 грн
1000+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06
Код товару: 2993
4 Додати до обраних Обраний товар
description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 180 шт
114 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
12 шт - РАДІОМАГ-Львів
27 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+46.50 грн
10+41.60 грн
100+37.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L
Код товару: 105102
Додати до обраних Обраний товар
stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 45 шт
16 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+60.50 грн
10+54.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
P60N02LDG
на замовлення 23290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N03LDG
Виробник: NIKO
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N03LR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60N06
Виробник: ST
TO-220 03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NE03L-10
Виробник: ST
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NE06
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NE06L-16
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF03
Виробник: ST
05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF03L
Виробник: ST
05+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06
Виробник: ST
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
P60NF06L
Виробник: ST
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AMIXFP60N25X3 datasheet.php?part=AMIXFP60N25X3
AMIXFP60N25X3
Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 90A TO220CFM
Packaging: Bulk
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+971.03 грн
50+514.57 грн
100+474.14 грн
500+393.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EJP60N100 b32b8afedec4fc66183f0a6a29224142.pdf
EJP60N100
Виробник: ETEK MICROELECTRONICS
Description: 60V N-Channel Trench Power MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.42 грн
20+21.50 грн
50+20.05 грн
100+17.61 грн
1000+16.39 грн
3000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
EJP60NP930 aa2303b9450f7f7493621ef8ef3dcab2.pdf
EJP60NP930
Виробник: ETEK MICROELECTRONICS
Description: 60V N&P-Channel Trench Power MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.42 грн
20+21.50 грн
50+20.05 грн
100+17.61 грн
1000+16.39 грн
3000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRG8P60N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P60N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 1200V 100A TO-247AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+563.90 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.02 грн
3+496.93 грн
10+407.57 грн
50+382.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXF_60N25X3_Datasheet.PDF
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.34 грн
10+399.75 грн
100+343.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 50nC
Reverse recovery time: 95ns
Power dissipation: 36W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.52 грн
3+501.10 грн
10+410.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M littelfuse-discrete-mosfets-ixf-60n25x3-datasheet?assetguid=27d3d003-ebe6-4c6c-ad92-c705963c1606
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+668.95 грн
50+355.02 грн
100+327.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFP60N25X3M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXFP60N25X3M_Datasheet.PDF
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.77 грн
10+399.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Gate charge: 49nC
Reverse recovery time: 59ns
On-state resistance: 18mΩ
Power dissipation: 176W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.47 грн
10+170.38 грн
25+144.49 грн
50+113.58 грн
100+95.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N10T_Datasheet.PDF
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.94 грн
10+134.05 грн
100+87.42 грн
500+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+441.61 грн
10+374.99 грн
50+303.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+484.88 грн
10+256.13 грн
100+205.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.56 грн
50+257.91 грн
100+236.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4 littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_junction_ixtp60n20x4_datasheet.pdf
IXTP60N20X4
Виробник: IXYS
MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.57 грн
10+433.27 грн
100+371.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4_DS.pdf
IXTP60N20X4
Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+807.89 грн
50+437.06 грн
100+404.21 грн
500+325.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyp60n65a5_datasheet.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.45 грн
10+340.71 грн
100+237.29 грн
500+205.38 грн
1000+187.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+433.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; yellow; STAR; 120°; 590nm; 30÷40lm; 1W
LED colour: yellow
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Wavelength: 590nm
Luminosity: 30...40lm
LED version: STAR
Type of diode: power LED
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.98 грн
4+130.29 грн
10+121.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white warm; STAR; 1W; 2600-4000K; 80÷90lm; 120°
LED colour: white warm
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.72 грн
5+204.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; white cold; STAR; 1W; 4000-10000K; 85÷100lm; 120°
LED colour: white cold
Power: 1W
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
LED version: STAR
Type of diode: power LED
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.64 грн
5+195.43 грн
25+162.02 грн
100+134.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04ILF-E1-AZ np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet
NP60N04ILF-E1-AZ
Виробник: Renesas
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+147.79 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VDK-E1-AY np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856
NP60N04VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.46 грн
10+98.09 грн
100+66.87 грн
500+50.21 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.51 грн
10+106.74 грн
100+72.84 грн
500+54.74 грн
1000+50.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.46 грн
10+98.09 грн
100+66.87 грн
500+50.21 грн
1000+46.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY REN_r07ds0588ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 55V 60A 5.5mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.04 грн
10+110.11 грн
100+65.64 грн
500+52.32 грн
1000+48.15 грн
2500+44.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.03 грн
5000+44.16 грн
7500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.60 грн
10+104.10 грн
100+70.90 грн
500+53.22 грн
1000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.04 грн
10+103.35 грн
100+70.45 грн
500+52.89 грн
1000+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VDK-E1-AY REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524.pdf
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.66 грн
10+110.91 грн
100+66.26 грн
500+52.66 грн
1000+48.43 грн
2500+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AY REN_r07ds1339ej0200-pomosfet_DST_20180524.pdf
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Nch Power MOSFET 60V 60A 7.9mohm TO-252 / DPAK
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.89 грн
10+113.30 грн
100+67.44 грн
500+53.84 грн
1000+49.54 грн
2500+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.16 грн
10+105.38 грн
100+71.94 грн
500+54.06 грн
1000+49.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N043DM9 stp60n043dm9.pdf
STP60N043DM9
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4675 pF @ 400 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+774.32 грн
50+417.12 грн
100+385.46 грн
500+309.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60N043DM9 stp60n043dm9.pdf
STP60N043DM9
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+803.00 грн
10+442.04 грн
100+355.24 грн
500+346.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.21 грн
10+67.65 грн
50+56.62 грн
100+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 2197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.90 грн
10+77.56 грн
100+56.55 грн
500+46.28 грн
1000+42.25 грн
2000+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.77 грн
50+71.86 грн
100+64.42 грн
500+48.18 грн
1000+44.24 грн
2000+40.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: JSMSEMI
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: STP60NF06 STMicroelectronics; STP60NF06 JSMICRO TSTP60NF06 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+29.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
Виробник: ST
N-MOSFET 60A 60V 150W 0.012Ω STP60NF06 TSTP60NF06
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.84 грн
50+66.25 грн
100+59.31 грн
500+44.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06FP en.CD00154892.pdf
STP60NF06FP
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.75 грн
10+71.33 грн
100+55.44 грн
500+44.06 грн
1000+40.31 грн
2000+36.77 грн
5000+36.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L STB60NF06LT4.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.20 грн
5+108.57 грн
10+94.88 грн
25+79.68 грн
50+70.74 грн
100+62.14 грн
500+49.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP60NF06L en.CD00002907.pdf
STP60NF06L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.09 грн
50+85.57 грн
100+76.92 грн
500+57.96 грн
1000+53.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]