Результат пошуку "p60n" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STP60NF06 STP60NF06
Код товару: 2993 		ST STP60NF06.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 608 шт
очікується: 30 шт
2+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP60NF06L STP60NF06L
Код товару: 105102 		ST stp60nf06l.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
P60N02LDG
на замовлення 23290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LDG NIKO 09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06 ST TO-220 03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06 IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE03L-10 ST
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06L-16
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03 ST 05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03L ST 05+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06 ST 09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06L ST TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG8P60N120KD-EPBF IRG8P60N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+530.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+455.49 грн
3+ 336.45 грн
7+ 318.13 грн
50+ 313 грн
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS IXFA(P,Q)60N25X3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+546.58 грн
3+ 419.27 грн
7+ 381.75 грн
50+ 375.6 грн
IXFP60N25X3 IXFP60N25X3 IXYS media-3319826.pdf MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+609.17 грн
10+ 515.49 грн
50+ 406.03 грн
100+ 372.96 грн
250+ 347.63 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+460.22 грн
3+ 342.32 грн
7+ 323.26 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS IXFP60N25X3M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+552.27 грн
3+ 426.58 грн
7+ 387.91 грн
50+ 380 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp60n25x3m_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.67 грн
50+ 439.43 грн
100+ 393.18 грн
500+ 325.57 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M IXYS media-3322791.pdf MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
1+614.91 грн
10+ 558.38 грн
50+ 414.48 грн
100+ 376.48 грн
250+ 346.92 грн
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.15 грн
4+ 115.82 грн
10+ 92.36 грн
26+ 87.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.77 грн
3+ 144.33 грн
10+ 110.83 грн
26+ 104.67 грн
250+ 102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N10T IXTP60N10T Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.59 грн
50+ 148.61 грн
100+ 122.27 грн
500+ 97.1 грн
1000+ 82.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS media-3322180.pdf MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.89 грн
10+ 164.28 грн
100+ 116.81 грн
250+ 111.89 грн
500+ 92.18 грн
1000+ 90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+379.7 грн
3+ 316.66 грн
4+ 252.89 грн
10+ 238.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 118ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+455.64 грн
3+ 394.61 грн
4+ 303.47 грн
10+ 286.76 грн
IXTP60N20T IXTP60N20T Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.13 грн
50+ 330.27 грн
100+ 283.09 грн
500+ 236.15 грн
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS media-3322086.pdf MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.67 грн
10+ 384.39 грн
50+ 315.96 грн
100+ 271.63 грн
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 IXYS media-3320538.pdf MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.96 грн
10+ 684.63 грн
50+ 505.96 грн
100+ 482.03 грн
250+ 453.18 грн
500+ 399.7 грн
1000+ 375.07 грн
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 Littelfuse Inc. IXTP60N20X4_DS.pdf Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+732.28 грн
50+ 563.25 грн
100+ 503.96 грн
500+ 417.3 грн
1000+ 375.57 грн
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS media-3323590.pdf IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.08 грн
10+ 306.71 грн
50+ 251.92 грн
100+ 216.03 грн
250+ 203.37 грн
500+ 191.41 грн
1000+ 163.96 грн
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5 IXYS IXYP60N65A5.pdf Description: IGBT PT 650V 134A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.83 грн
50+ 263.4 грн
100+ 225.78 грн
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.68 грн
8+ 119.48 грн
20+ 112.88 грн
25+ 111.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
LL-HP60NUYC LL-HP60NUYC LUCKYLIGHT ll-hp60nuyc.pdf Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.77 грн
3+ 165.33 грн
8+ 143.38 грн
20+ 135.46 грн
25+ 133.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.45 грн
5+ 199.38 грн
6+ 164.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB LL-HP60NW6EB LUCKYLIGHT ll-hp60nw6eb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.34 грн
5+ 248.46 грн
6+ 197.91 грн
15+ 187.36 грн
100+ 183.84 грн
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+258.13 грн
5+ 199.38 грн
7+ 140.01 грн
17+ 131.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NWEB LL-HP60NWEB LUCKYLIGHT ll-hp60nweb.pdf Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+309.76 грн
5+ 248.46 грн
7+ 168.01 грн
17+ 158.33 грн
NP60N04ILF-E1-AZ NP60N04ILF-E1-AZ Renesas np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+137 грн
Мінімальне замовлення: 156
NP60N04VDK-E1-AY NP60N04VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856 Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.14 грн
10+ 89.35 грн
100+ 71.08 грн
500+ 56.44 грн
1000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VLK-E1-AY NP60N04VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+ 91.33 грн
100+ 72.69 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VUK-E1-AY NP60N04VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n04vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.14 грн
10+ 89.35 грн
100+ 71.08 грн
500+ 56.44 грн
1000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds0588ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930618.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.04 грн
10+ 97.92 грн
100+ 67.41 грн
500+ 56.93 грн
1000+ 48.34 грн
2500+ 45.88 грн
5000+ 44.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.77 грн
5000+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N055VUK-E1-AY NP60N055VUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n055vukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.38 грн
10+ 88.33 грн
100+ 70.27 грн
500+ 55.8 грн
1000+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.14 грн
10+ 88.99 грн
100+ 70.82 грн
500+ 56.23 грн
1000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.15 грн
5000+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VDK-E1-AY NP60N06VDK-E1-AY Renesas Electronics REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf MOSFETs P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.04 грн
10+ 97.92 грн
100+ 67.41 грн
250+ 62.56 грн
500+ 56.72 грн
1000+ 48.63 грн
2500+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AY NP60N06VLK-E1-AY Renesas Electronics Corporation np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911 Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.18 грн
10+ 91.33 грн
100+ 72.69 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
PD30CNP60NAM5SA PD30CNP60NAM5SA Carlo Gavazzi PD30CNP60NAM5SA-2525508.pdf Photoelectric Sensors PHOTO PRR 6M NPN NO+NC PLUG
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6310.04 грн
5+ 5908.33 грн
10+ 4975.83 грн
25+ 4813.28 грн
STP60N043DM9 STP60N043DM9 STMicroelectronics stp60n043dm9-2943597.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+817.69 грн
10+ 691.1 грн
25+ 545.36 грн
100+ 500.33 грн
250+ 471.48 грн
500+ 453.18 грн
1000+ 384.22 грн
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+82.1 грн
8+ 50.8 грн
10+ 45.74 грн
24+ 36.87 грн
50+ 36.8 грн
64+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics STP60NF06.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+98.52 грн
5+ 63.3 грн
10+ 54.89 грн
24+ 44.24 грн
50+ 44.16 грн
64+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics en.CD00002318.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.03 грн
50+ 93.37 грн
100+ 76.83 грн
500+ 61.01 грн
1000+ 51.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 STP60NF06 STMicroelectronics stp60nf06-1851601.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.05 грн
10+ 71.54 грн
100+ 49.68 грн
250+ 49.47 грн
500+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP60NF06
Код товару: 2993		 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/49
Монтаж: THT
у наявності: 608 шт
очікується: 30 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+46.5 грн
10+ 41.6 грн
100+ 37.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP60NF06L
Код товару: 105102		 stp60nf06l.pdf
STP60NF06L
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,012 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: THT
у наявності: 76 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+60.5 грн
10+ 54.5 грн
P60N02LDG
на замовлення 23290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LD
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LDG
Виробник: NIKO
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N03LR
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06
Виробник: ST
TO-220 03+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60N06
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE03L-10
Виробник: ST
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NE06L-16
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03
Виробник: ST
05+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF03L
Виробник: ST
05+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06
Виробник: ST
09+
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06FP
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P60NF06L
Виробник: ST
TO220 03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRG8P60N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P60N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P60N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/240ns
Switching Energy: 2.8mJ (on), 2.3mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 345 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 420 W
на замовлення 8826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+530.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.49 грн
3+ 336.45 грн
7+ 318.13 грн
50+ 313 грн
IXFP60N25X3 IXFA(P,Q)60N25X3.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546.58 грн
3+ 419.27 грн
7+ 381.75 грн
50+ 375.6 грн
IXFP60N25X3 media-3319826.pdf
IXFP60N25X3
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+609.17 грн
10+ 515.49 грн
50+ 406.03 грн
100+ 372.96 грн
250+ 347.63 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.22 грн
3+ 342.32 грн
7+ 323.26 грн
IXFP60N25X3M IXFP60N25X3M.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 36W; TO220FP; 95ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 95ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+552.27 грн
3+ 426.58 грн
7+ 387.91 грн
50+ 380 грн
IXFP60N25X3M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixfp60n25x3m_datasheet.pdf.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220AB (IXFP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+571.67 грн
50+ 439.43 грн
100+ 393.18 грн
500+ 325.57 грн
IXFP60N25X3M media-3322791.pdf
IXFP60N25X3M
Виробник: IXYS
MOSFETs 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+614.91 грн
10+ 558.38 грн
50+ 414.48 грн
100+ 376.48 грн
250+ 346.92 грн
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.15 грн
4+ 115.82 грн
10+ 92.36 грн
26+ 87.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.77 грн
3+ 144.33 грн
10+ 110.83 грн
26+ 104.67 грн
250+ 102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTP60N10T
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.59 грн
50+ 148.61 грн
100+ 122.27 грн
500+ 97.1 грн
1000+ 82.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N10T media-3322180.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.89 грн
10+ 164.28 грн
100+ 116.81 грн
250+ 111.89 грн
500+ 92.18 грн
1000+ 90.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+379.7 грн
3+ 316.66 грн
4+ 252.89 грн
10+ 238.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Power dissipation: 500W
Case: TO220AB
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 118ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.64 грн
3+ 394.61 грн
4+ 303.47 грн
10+ 286.76 грн
IXTP60N20T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n20t_datasheet.pdf.pdf
IXTP60N20T
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.13 грн
50+ 330.27 грн
100+ 283.09 грн
500+ 236.15 грн
IXTP60N20T media-3322086.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+464.67 грн
10+ 384.39 грн
50+ 315.96 грн
100+ 271.63 грн
IXTP60N20X4 media-3320538.pdf
IXTP60N20X4
Виробник: IXYS
MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.96 грн
10+ 684.63 грн
50+ 505.96 грн
100+ 482.03 грн
250+ 453.18 грн
500+ 399.7 грн
1000+ 375.07 грн
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4_DS.pdf
IXTP60N20X4
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+732.28 грн
50+ 563.25 грн
100+ 503.96 грн
500+ 417.3 грн
1000+ 375.57 грн
IXYP60N65A5 media-3323590.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO220
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+371.08 грн
10+ 306.71 грн
50+ 251.92 грн
100+ 216.03 грн
250+ 203.37 грн
500+ 191.41 грн
1000+ 163.96 грн
IXYP60N65A5 IXYP60N65A5.pdf
IXYP60N65A5
Виробник: IXYS
Description: IGBT PT 650V 134A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-220 (IXYP)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/230ns
Switching Energy: 600µJ (on), 1.45mJ (off)
Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 260 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+344.83 грн
50+ 263.4 грн
100+ 225.78 грн
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.68 грн
8+ 119.48 грн
20+ 112.88 грн
25+ 111.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
LL-HP60NUYC ll-hp60nuyc.pdf
LL-HP60NUYC
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: Colour power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; yellow; 120°; 590nm; P: 1W; 30÷40lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: yellow
Type of diode: power LED
Wavelength: 590nm
Viewing angle: 120°
Luminosity: 30...40lm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.77 грн
3+ 165.33 грн
8+ 143.38 грн
20+ 135.46 грн
25+ 133.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.45 грн
5+ 199.38 грн
6+ 164.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NW6EB ll-hp60nw6eb.pdf
LL-HP60NW6EB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white warm; 120°; P: 1W; 80÷90lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white warm
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 80...90lm
Colour temperature: 2600-4000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+317.34 грн
5+ 248.46 грн
6+ 197.91 грн
15+ 187.36 грн
100+ 183.84 грн
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+258.13 грн
5+ 199.38 грн
7+ 140.01 грн
17+ 131.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
LL-HP60NWEB ll-hp60nweb.pdf
LL-HP60NWEB
Виробник: LUCKYLIGHT
Category: White power LEDs - Emiter
Description: Power LED; STAR; white cold; 120°; P: 1W; 85÷100lm
Power: 1W
LED version: STAR
LED colour: white cold
Type of diode: power LED
Viewing angle: 120°
Luminosity: 85...100lm
Colour temperature: 4000-10000K
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+309.76 грн
5+ 248.46 грн
7+ 168.01 грн
17+ 158.33 грн
NP60N04ILF-E1-AZ np60n04hlfnp60n04ilf-data-sheet
NP60N04ILF-E1-AZ
Виробник: Renesas
Description: NP60N04ILF-E1-AZ - SWITCHINGN-CH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3Z)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
156+137 грн
Мінімальне замовлення: 156
NP60N04VDK-E1-AY np60n04vdk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499856
NP60N04VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: POWER TRS2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.14 грн
10+ 89.35 грн
100+ 71.08 грн
500+ 56.44 грн
1000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VLK-E1-AY np60n04vlk40-v-60-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499861
NP60N04VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.18 грн
10+ 91.33 грн
100+ 72.69 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N04VUK-E1-AY np60n04vukmos-field-effect-transistor
NP60N04VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.85mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 25 V
на замовлення 4199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.14 грн
10+ 89.35 грн
100+ 71.08 грн
500+ 56.44 грн
1000+ 47.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AY REN_r07ds0588ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930618.pdf
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.04 грн
10+ 97.92 грн
100+ 67.41 грн
500+ 56.93 грн
1000+ 48.34 грн
2500+ 45.88 грн
5000+ 44.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.77 грн
5000+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N055VUK-E1-AY np60n055vukmos-field-effect-transistor
NP60N055VUK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 253µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
на замовлення 7973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.38 грн
10+ 88.33 грн
100+ 70.27 грн
500+ 55.8 грн
1000+ 47.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.14 грн
10+ 88.99 грн
100+ 70.82 грн
500+ 56.23 грн
1000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VDK-E1-AY np60n06vdk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499906
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+50.15 грн
5000+ 46.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VDK-E1-AY REN_r07ds1340ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930603.pdf
NP60N06VDK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics
MOSFETs P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.04 грн
10+ 97.92 грн
100+ 67.41 грн
250+ 62.56 грн
500+ 56.72 грн
1000+ 48.63 грн
2500+ 46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+47.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NP60N06VLK-E1-AY np60n06vlk60-v-60-n-channel-power-mos-fet-application-automotive?r=499911
NP60N06VLK-E1-AY
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: P-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.18 грн
10+ 91.33 грн
100+ 72.69 грн
500+ 57.73 грн
1000+ 48.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
PD30CNP60NAM5SA PD30CNP60NAM5SA-2525508.pdf
PD30CNP60NAM5SA
Виробник: Carlo Gavazzi
Photoelectric Sensors PHOTO PRR 6M NPN NO+NC PLUG
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+6310.04 грн
5+ 5908.33 грн
10+ 4975.83 грн
25+ 4813.28 грн
STP60N043DM9 stp60n043dm9-2943597.pdf
STP60N043DM9
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+817.69 грн
10+ 691.1 грн
25+ 545.36 грн
100+ 500.33 грн
250+ 471.48 грн
500+ 453.18 грн
1000+ 384.22 грн
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+82.1 грн
8+ 50.8 грн
10+ 45.74 грн
24+ 36.87 грн
50+ 36.8 грн
64+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP60NF06 description STP60NF06.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 42A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.52 грн
5+ 63.3 грн
10+ 54.89 грн
24+ 44.24 грн
50+ 44.16 грн
64+ 41.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 description en.CD00002318.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 1661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.03 грн
50+ 93.37 грн
100+ 76.83 грн
500+ 61.01 грн
1000+ 51.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP60NF06 description stp60nf06-1851601.pdf
STP60NF06
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 3322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.05 грн
10+ 71.54 грн
100+ 49.68 грн
250+ 49.47 грн
500+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]