Результат пошуку "stp12" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STP120F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP120WF10
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12N120K5 STMicroelectronics NV en.DM00036727.pdf N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STP12N60
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NB30
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK50Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60Z ST en.CD00052678.pdf TO220
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZF
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZFP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50FD en.CD00002913.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50FDFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50N ST en.CD00056230.pdf
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50ZFP
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12P06
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5STP 12.5-R 5STP 12.5-R Bel Fuse Inc. ds-cp-5st-5stp-series.pdf Description: FUSE GLASS 12.5A 250VAC 5X20MM
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm (Axial)
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.827" L (5.50mm x 21.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Slow Blow
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 125A
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 12.5 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 490
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.05 грн
10+ 49.45 грн
100+ 34.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
5STP 125-R Bel Fuse Inc. ds-cp-5st-5stp-series.pdf Description: FUSE GLASS 125MA 250VAC 5X20MM
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm (Axial)
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.827" L (5.50mm x 21.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Slow Blow
Approval Agency: CCC, CE, CSA, cULus, IMQ, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 125 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.05
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.05 грн
10+ 49.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
STEVAL-ISA165V1 STEVAL-ISA165V1 STMicroelectronics en.DM00163190.pdf Description: EVAL BOARD SRK2001 W/STP120N4F6
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 32V
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Resonant
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SRK2001, STP120N4F6
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1123.71 грн
STP12NK80Z
Код товару: 174528 		en.CD00003379.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP12NM50 STP12NM50
Код товару: 32729 		en.CD00002079.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP12NM50FP STP12NM50FP
Код товару: 116311 		en.CD00002079.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP1203 STP1203 STATICTEC Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 484x175x50mm; black
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
товар відсутній
STP120N10F4 STP120N10F4 STMicroelectronics en.DM00112520.pdf Description: MOSFET N-CH 100V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товар відсутній
STP120N4F6 STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STP120N4F6 STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics en.CD00263682.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STP120N4F6 STP120N4F6 STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120N4F6 STMicroelectronics 812146837085240dm00029509.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NF04 STP120NF04 STMicroelectronics 11222.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NF04 STP120NF04 STMicroelectronics en.CD00050267.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товар відсутній
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics STB120NF10.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+358.59 грн
3+ 303.31 грн
9+ 120.17 грн
23+ 113.49 грн
STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NF10 STP120NF10 STMicroelectronics 4013069314299558cd000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NH03L STP120NH03L STMicroelectronics STx120NH03L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товар відсутній
STP122153A Essentra Conduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товар відсутній
STP122153B Essentra Conduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товар відсутній
STP1290 STP1290 STATICTEC Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1232.13 грн
3+ 1123.13 грн
5+ 1056.5 грн
STP12IE90F4 STP12IE90F4 STMicroelectronics stp12ie90f4.pdf Description: TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
Packaging: Tube
Voltage - Rated: 900V
Package / Case: TO-220-4 Full Pack
Current Rating (Amps): 12A
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Emitter Switched Bipolar
Applications: Gate Driver
Supplier Device Package: TO-220FP
товар відсутній
STP12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STP12N120K5 STMicroelectronics en.DM00036727.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N120K5 STP12N120K5 STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N120K5 STMicroelectronics 84dm00036727.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STP12N50M2 STMicroelectronics en.DM00121831.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N50M2 STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N50M2 STP12N50M2 STMicroelectronics 714768774103887dm00121831.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.62 грн
5+ 110.06 грн
12+ 80.95 грн
33+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics 731078787278482dm00187280.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics en.DM00187280.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товар відсутній
STP12N60M2 STP12N60M2 STMicroelectronics 731078787278482dm00187280.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N60M2 STMicroelectronics 731078787278482dm00187280.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N65M2 STMicroelectronics stp12n65m2.pdf Description: POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товар відсутній
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics STP12N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics STP12N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics stf12n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N65M5 STMicroelectronics 402185352322717cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N65M5 STP12N65M5 STMicroelectronics 402185352322717cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N80K5 STMicroelectronics STP12N80K5
товар відсутній
STP120F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP120WF10
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12A60
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
Виробник: STMicroelectronics NV
N-Channel 1200 V 12A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
STP12N60
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NB30
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK50Z
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60Z en.CD00052678.pdf
Виробник: ST
TO220
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZF
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NK60ZFP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50FD en.CD00002913.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50FDFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50N en.CD00056230.pdf
Виробник: ST
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12NM50ZFP
на замовлення 3585 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STP12P06
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
5STP 12.5-R ds-cp-5st-5stp-series.pdf
5STP 12.5-R
Виробник: Bel Fuse Inc.
Description: FUSE GLASS 12.5A 250VAC 5X20MM
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm (Axial)
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.827" L (5.50mm x 21.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Slow Blow
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 125A
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 12.5 A
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 490
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.05 грн
10+ 49.45 грн
100+ 34.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
5STP 125-R ds-cp-5st-5stp-series.pdf
Виробник: Bel Fuse Inc.
Description: FUSE GLASS 125MA 250VAC 5X20MM
Packaging: Bulk
Package / Case: 5mm x 20mm (Axial)
Size / Dimension: 0.217" Dia x 0.827" L (5.50mm x 21.00mm)
Fuse Type: Cartridge, Glass
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Response Time: Slow Blow
Approval Agency: CCC, CE, CSA, cULus, IMQ, SEMKO, VDE
Breaking Capacity @ Rated Voltage: 35A
Current Rating (Amps): 125 mA
Voltage Rating - AC: 250 V
Melting I²t: 0.05
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.05 грн
10+ 49.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
STEVAL-ISA165V1 en.DM00163190.pdf
STEVAL-ISA165V1
Виробник: STMicroelectronics
Description: EVAL BOARD SRK2001 W/STP120N4F6
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 32V
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Resonant
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: SRK2001, STP120N4F6
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1123.71 грн
STP12NK80Z
Код товару: 174528		 en.CD00003379.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP12NM50
Код товару: 32729		 description en.CD00002079.pdf
STP12NM50
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP12NM50FP
Код товару: 116311		 en.CD00002079.pdf
STP12NM50FP
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STP1203
STP1203
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Boxes, Lockers
Description: Conductive PCB rack; ESD; 484x175x50mm; black
Colour: black
Body dimensions: 484x175x50mm
Material: electrically conductive material
Type of antistatic accessories: conductive PCB rack
Version: ESD
товар відсутній
STP120N10F4 en.DM00112520.pdf
STP120N10F4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
товар відсутній
STP120N4F6 en.CD00263682.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STP120N4F6 en.CD00263682.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 40V; 80A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ H6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP120N4F6 en.CD00263682.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
STP120N4F6 812146837085240dm00029509.pdf
STP120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120N4F6 812146837085240dm00029509.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NF04 11222.pdf
STP120NF04
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NF04 en.CD00050267.pdf
STP120NF04
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товар відсутній
STP120NF10 STB120NF10.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 77A; 312W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 77A
Power dissipation: 312W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 746 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.59 грн
3+ 303.31 грн
9+ 120.17 грн
23+ 113.49 грн
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NF10 4013069314299558cd000.pdf
STP120NF10
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP120NH03L STx120NH03L.pdf
STP120NH03L
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V
товар відсутній
STP122153A
Виробник: Essentra
Conduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товар відсутній
STP122153B
Виробник: Essentra
Conduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товар відсутній
STP1290
STP1290
Виробник: STATICTEC
Category: Antistatic Protection Others
Description: Tool: tape applicator; ESD; 50mm
Colour: black
Tape width: 50mm
Type of tool: tape applicator
Version: ESD
Related items: ATS-154-0140; ATS-054-0109; ATS-054-0114; ATS-054-0007; ERS-421150115; ESD-TAPE1; PRT-STP1300; PRT-STP1312; PRT-STP1410; PRT-STP1412; SCS-242210; SCS-242271; SCS-242275; SCS-242276; SCS-242293; SCS-242294; SCS-242295
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1232.13 грн
3+ 1123.13 грн
5+ 1056.5 грн
STP12IE90F4 stp12ie90f4.pdf
STP12IE90F4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
Packaging: Tube
Voltage - Rated: 900V
Package / Case: TO-220-4 Full Pack
Current Rating (Amps): 12A
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN - Emitter Switched Bipolar
Applications: Gate Driver
Supplier Device Package: TO-220FP
товар відсутній
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STP12N120K5 en.DM00036727.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.2kV; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP12N120K5 84dm00036727.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N120K5 84dm00036727.pdf
STP12N120K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N120K5 84dm00036727.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
STP12N50M2 en.DM00121831.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 500V; 7A; Idm: 40A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP12N50M2 714768774103887dm00121831.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N50M2 714768774103887dm00121831.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N50M2 714768774103887dm00121831.pdf
STP12N50M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.62 грн
5+ 110.06 грн
12+ 80.95 грн
33+ 76.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP12N60M2 731078787278482dm00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N60M2 en.DM00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
товар відсутній
STP12N60M2 731078787278482dm00187280.pdf
STP12N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N60M2 731078787278482dm00187280.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N65M2 stp12n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 100 V
товар відсутній
STP12N65M5 STP12N65M5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STP12N65M5 STP12N65M5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 5.4A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STP12N65M5 stf12n65m5.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N65M5 402185352322717cd002.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N65M5 402185352322717cd002.pdf
STP12N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 8.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STP12N80K5
Виробник: STMicroelectronics
STP12N80K5
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]