Продукція > SHINDENGEN > Всі товари виробника SHINDENGEN (2122) > Сторінка 25 з 36
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P30B10EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P30LA10SL-5070 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 21mΩ Drain current: 30A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 142W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LA Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P30W60HP2V-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Hi-PotMOS2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 310W Case: MTO3PV (TO247AD) Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P32FG15SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W Polarisation: unipolar Gate charge: 72nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 150V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 976 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P32FG15SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P32LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 19.7mΩ Drain current: 32A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 96A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P34F6EL-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P34F6EL-5600 | Shindengen | MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P36F25HP2-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91) Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 36A Power dissipation: 77W Case: FTO-220AG (SC91) Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: bulk Kind of channel: enhancement |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P36F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P3F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 66nC On-state resistance: 18.5mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 62.5W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 1419 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P40B6SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 12mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 44W Drain-source voltage: 60V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FB (TO252AA) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 836 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P40F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P40F12SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P40LF12SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 16.3mΩ Drain current: 40A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 120V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 93 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P42F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P46LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W Polarisation: unipolar Gate charge: 61nC On-state resistance: 10.3mΩ Drain current: 46A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 138A Power dissipation: 168W Drain-source voltage: 75V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P4B40HP2-5071 | Shindengen |
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P4F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P50F10SN-5600 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W Case: FTO-220AG (SC91) Mounting: THT Kind of package: bulk Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 114nC On-state resistance: 8.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 51W Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement |
на замовлення 221 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P50F10SN-5600 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50LF10SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 102nC On-state resistance: 11.3mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 100V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P50LF10SLK-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W Type of transistor: N-MOSFET Technology: EETMOS3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Power dissipation: 217W Case: LF (MO235B similar) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 102nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 200A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P55F6EN-5600 | Shindengen |
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P5B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P5F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P5F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P60B4EL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 57nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
на замовлення 575 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P60B4EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P60B6EL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 60A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 62.5W Case: FB (TO252AA) Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 55nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: EETMOS2 |
на замовлення 935 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P60B6EL-5071 | Shindengen |
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P60B6EN-5071 | Shindengen |
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P60B6SN-5071 | Shindengen | MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P66F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P6B40HP2-5071 | Shindengen | MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P6B52HP2-5071 | Shindengen |
MOSFET Hi Voltage Low Noise |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P6F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5061 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P6FE25VX5K-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P70F5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P70F7R5EN-5600 | Shindengen |
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P72LF7R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 72A; Idm: 288A; 217W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 5.8mΩ Drain current: 72A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 288A Power dissipation: 217W Drain-source voltage: 75V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: LF (MO235B similar) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
на замовлення 36 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
P7F60HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs High Switching Speed High Voltage |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P80FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P80FH5ENK-7071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P82F7R5SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P85FG6EAL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P85GC28HP2F-5100 | SHINDENGEN |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 280V Drain current: 85A Power dissipation: 430W Case: GC (TO247AD); TO247AD Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| P85W28HP2F-7071 | Shindengen |
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P86F6SN-5600 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P8B30HP2-5071 | Shindengen | MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P8F28HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
P8F50HP2-5600 | Shindengen |
MOSFETs Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P90FG5R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC On-state resistance: 3.8mΩ Drain current: 90A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 128W Drain-source voltage: 55V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
P90FG5R5SL-5071 | Shindengen |
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| P94FG5R5SL-5071 | SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 94A; Idm: 376A; 156W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC On-state resistance: 3.2mΩ Drain current: 94A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 376A Power dissipation: 156W Drain-source voltage: 55V Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhancement Case: FG (TO263AB) Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P94FG5R5SL-5071 | Shindengen | MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| P9B40HP2 | Shindengen | MOSFET Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| P30B10EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30LA10SL-5070 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 30A; Idm: 90A; 142W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 21mΩ
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 142W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LA
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P30W60HP2V-5100 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 310W
Case: MTO3PV (TO247AD)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 600V; 30A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Hi-PotMOS2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 310W
Case: MTO3PV (TO247AD)
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 544.44 грн |
| 3+ | 454.24 грн |
| 10+ | 402.08 грн |
| P32F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 100W
Drain-source voltage: 150V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 150V; 32A; Idm: 96A; 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 72nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 100W
Drain-source voltage: 150V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 976 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 78.81 грн |
| 7+ | 65.61 грн |
| 25+ | 58.88 грн |
| 100+ | 52.15 грн |
| P32FG15SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P32LF10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 32A; Idm: 96A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Drain current: 32A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 55.26 грн |
| 10+ | 45.76 грн |
| 25+ | 40.46 грн |
| P34F6EL-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 34A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P34F6EL-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET DIS.34A 60V N-CH FTO-220AG Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P36F25HP2-5600 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36A; 77W; FTO-220AG (SC91)
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36A
Power dissipation: 77W
Case: FTO-220AG (SC91)
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhancement
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 83.34 грн |
| 7+ | 69.82 грн |
| 25+ | 61.41 грн |
| 100+ | 54.68 грн |
| P36F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 36A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P3F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.73 грн |
| 10+ | 121.35 грн |
| 100+ | 83.16 грн |
| 500+ | 69.88 грн |
| 1000+ | 60.03 грн |
| 2500+ | 57.02 грн |
| 5000+ | 56.60 грн |
| P40B10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 40A; Idm: 40A; 62.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 18.5mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 62.5W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.54 грн |
| 10+ | 43.40 грн |
| 25+ | 38.27 грн |
| 100+ | 34.49 грн |
| 500+ | 34.40 грн |
| P40B6SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 60V; 40A; Idm: 120A; 44W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 44W
Drain-source voltage: 60V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FB (TO252AA)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 836 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 36.51 грн |
| 25+ | 30.53 грн |
| 100+ | 27.00 грн |
| 500+ | 24.23 грн |
| P40F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40F12SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P40LF12SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 40A; Idm: 160A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 16.3mΩ
Drain current: 40A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 120V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 60.56 грн |
| 25+ | 52.99 грн |
| P42F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 42A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P46LF7R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 46A; Idm: 138A; 168W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 10.3mΩ
Drain current: 46A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 138A
Power dissipation: 168W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P4B40HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 51W
Case: FTO-220AG (SC91)
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 114nC
On-state resistance: 8.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 51W
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 84.12 грн |
| 25+ | 74.86 грн |
| 100+ | 66.45 грн |
| P50F10SN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50LF10SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 102nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 100V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P50LF10SLK-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 100V; 50A; Idm: 200A; 217W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: EETMOS3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Power dissipation: 217W
Case: LF (MO235B similar)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P55F6EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 60V, 55A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P5F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.36 грн |
| 10+ | 122.15 грн |
| 100+ | 84.56 грн |
| 500+ | 70.58 грн |
| 1000+ | 60.66 грн |
| 2500+ | 57.65 грн |
| 5000+ | 57.23 грн |
| P5F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 40V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
на замовлення 575 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 50.10 грн |
| 25+ | 41.97 грн |
| 100+ | 37.10 грн |
| 500+ | 33.31 грн |
| P60B4EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 40V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS2; unipolar; 60V; 60A; Idm: 240A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 62.5W
Case: FB (TO252AA)
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: EETMOS2
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 53.72 грн |
| 25+ | 44.75 грн |
| 100+ | 39.54 грн |
| 500+ | 35.50 грн |
| P60B6EL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6EN-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 60V, 60A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P60B6SN-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P66F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B40HP2-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6B52HP2-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi Voltage Low Noise
MOSFET Hi Voltage Low Noise
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6F50HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6FE25VX5K-5061 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P6FE25VX5K-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P70F5EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 50V, 70A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P70F7R5EN-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
MOSFET 75V, 70A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P72LF7R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 72A; Idm: 288A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 5.8mΩ
Drain current: 72A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 75V; 72A; Idm: 288A; 217W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 5.8mΩ
Drain current: 72A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 217W
Drain-source voltage: 75V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: LF (MO235B similar)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 60.56 грн |
| 25+ | 52.99 грн |
| P7F60HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
MOSFETs High Switching Speed High Voltage
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P80FG6EAL-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P80FH5ENK-7071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P82F7R5SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P85FG6EAL-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P85GC28HP2F-5100 |
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 280V; 85A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 280V
Drain current: 85A
Power dissipation: 430W
Case: GC (TO247AD); TO247AD
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 333.36 грн |
| 5+ | 278.43 грн |
| 30+ | 245.62 грн |
| P85W28HP2F-7071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
MOSFET Hi-PotMOS Power MOSFET Through Hole
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| P86F6SN-5600 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET Through Hole
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P8B30HP2-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
MOSFET Hi-PotMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P8F28HP2-5600 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 280V, 8A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P90FG5R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 55V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 90A; Idm: 360A; 128W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 3.8mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 55V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P90FG5R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: Shindengen
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET
MOSFETs 55V, 90A EETMOS POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P94FG5R5SL-5071 |
![]() |
Виробник: SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 94A; Idm: 376A; 156W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 3.2mΩ
Drain current: 94A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 376A
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 55V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 55V; 94A; Idm: 376A; 156W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 3.2mΩ
Drain current: 94A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 376A
Power dissipation: 156W
Drain-source voltage: 55V
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhancement
Case: FG (TO263AB)
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P94FG5R5SL-5071 |
Виробник: Shindengen
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
MOSFETs EETMOS series Power MOSFET SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
















