Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25287) > Сторінка 26 з 422
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSP15U50S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSP15U50S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSP20U60S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP20U60S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A |
на замовлення 37426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSPB10U45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSPB10U45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSS4B03G D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSS54U RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 0603 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSS54U RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 0603 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V |
на замовлення 22007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TSSA3U45 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC |
на замовлення 21638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSA3U60 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC |
на замовлення 6496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSA5U50 E3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC |
на замовлення 4662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSA5U60 E3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H45 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H45 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
на замовлення 299431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3U60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3U60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST10H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST10L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST10L60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST30H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST30L60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30U60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30U60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST40L100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST40L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UDZS15B RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UDZS15B RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V |
на замовлення 6695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
UG8J C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
UGF1008G C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
US1B R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
US1D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
US1D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
US1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
US1G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
US1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 3600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
US1J R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
на замовлення 3799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
US1K R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
US1K R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
US1M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
US1M R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000 |
на замовлення 11212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| LL4001G L0 | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A MELFPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
1N4001G R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N4001GHR1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N4002G R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N4002GHR1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N4003G R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N4003GHR1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
1N4004G R1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204ALPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSP15U50S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 42.75 грн |
| 3000+ | 38.19 грн |
| TSP15U50S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 108.57 грн |
| 10+ | 86.97 грн |
| 100+ | 69.24 грн |
| 500+ | 54.98 грн |
| TSP20U60S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP20U60S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 37426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSPB10U45S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSPB10U45S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSS4B03G D2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSS54U RGG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.61 грн |
| 8000+ | 3.45 грн |
| 12000+ | 3.37 грн |
| 20000+ | 2.87 грн |
| TSS54U RGG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 22007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.55 грн |
| 48+ | 6.23 грн |
| 100+ | 6.15 грн |
| 500+ | 4.80 грн |
| 1000+ | 4.55 грн |
| TSSA3U45 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSA3U60 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSA5U50 E3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSA5U60 E3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H45 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H45 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 299431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3U60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSSE3U60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.22 грн |
| TST10H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST10L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 147.06 грн |
| 10+ | 126.79 грн |
| 100+ | 101.88 грн |
| 500+ | 78.55 грн |
| TST10L60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20H120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.67 грн |
| 10+ | 123.01 грн |
| 100+ | 98.88 грн |
| 500+ | 76.24 грн |
| TST30H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.16 грн |
| 10+ | 146.81 грн |
| 100+ | 118.00 грн |
| 500+ | 90.98 грн |
| TST30L60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30U60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30U60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST40L100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST40L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| UDZS15B RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.74 грн |
| UDZS15B RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 13.86 грн |
| 38+ | 8.01 грн |
| 100+ | 4.97 грн |
| 500+ | 3.41 грн |
| 1000+ | 3.00 грн |
| UG8J C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| UGF1008G C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| US1B R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| US1D R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 13.48 грн |
| US1D R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.13 грн |
| 10+ | 31.73 грн |
| 100+ | 20.51 грн |
| 500+ | 14.70 грн |
| US1G R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| US1G R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.18 грн |
| 17+ | 18.09 грн |
| US1J R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1800+ | 13.28 грн |
| 3600+ | 11.67 грн |
| US1J R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.36 грн |
| 10+ | 31.29 грн |
| 100+ | 20.21 грн |
| 500+ | 14.49 грн |
| US1K R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| US1K R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| US1M R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| US1M R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
на замовлення 11212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.96 грн |
| 13+ | 22.84 грн |
| 100+ | 18.88 грн |
| 500+ | 12.41 грн |
| LL4001G L0 |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4001G R1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4001GHR1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4002G R1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4002GHR1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4003G R1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4003GHR1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N4004G R1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.











