Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25129) > Сторінка 26 з 419
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
TSM9435CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSM9435CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSM950N10CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSM950N10CW RPG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V |
на замовлення 9154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSM9N90ECI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ITO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSM9N90ECZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10H200S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10H45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A |
на замовлення 10500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10H45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10U100S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10U100S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A |
на замовлення 37890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10U45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP10U45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP12U120S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP12U120S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A |
на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15H120S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15H120S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15H150S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15H150S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A |
на замовлення 5732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15H200S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15H200S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A |
на замовлення 7105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15U100S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15U100S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP15U50S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277APackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSP15U50S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSP20U60S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A |
на замовлення 34500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSP20U60S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A |
на замовлення 37426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSPB10U45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSPB10U45S S1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSS4B03G D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TSS54U RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 0603 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TSS54U RGG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: 0603 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V |
на замовлення 23207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
TSSA3U45 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC |
на замовлення 21638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSA3U60 R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC |
на замовлення 6496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSA5U50 E3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC |
на замовлення 4662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSA5U60 E3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC |
на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H45 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H45 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
на замовлення 297000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3H60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
на замовлення 299431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3U60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
TSSE3U60 RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST10H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST10L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
на замовлення 901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST10L60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST20L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST30H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
TST30L60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30U60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST30U60CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST40L100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
TST40L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| TSM9435CS RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSM9435CS RLG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSM950N10CW RPG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.46 грн |
| TSM950N10CW RPG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 9154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 62.93 грн |
| 10+ | 42.90 грн |
| 100+ | 31.28 грн |
| 500+ | 23.43 грн |
| 1000+ | 19.62 грн |
| TSM9N90ECI C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSM9N90ECZ C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSP10H200S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP10H45S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP10H45S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP10U100S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP10U100S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
на замовлення 37890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP10U45S S1G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSP10U45S S1G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 460 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 45 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSP12U120S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP12U120S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP15H120S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSP15H120S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSP15H150S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP15H150S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
на замовлення 5732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP15H200S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP15H200S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP15U100S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSP15U100S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP15U50S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 45.97 грн |
| 3000+ | 41.07 грн |
| TSP15U50S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.76 грн |
| 10+ | 93.53 грн |
| 100+ | 74.47 грн |
| 500+ | 59.13 грн |
| TSP20U60S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSP20U60S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 37426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSPB10U45S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSPB10U45S S1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSS4B03G D2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSS54U RGG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.33 грн |
| TSS54U RGG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 23207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 12.42 грн |
| 48+ | 6.78 грн |
| 100+ | 6.55 грн |
| 500+ | 4.69 грн |
| 1000+ | 4.49 грн |
| TSSA3U45 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSA3U60 R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSA5U50 E3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSA5U60 E3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H45 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H45 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3H60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 299431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TSSE3U60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| TSSE3U60 RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.21 грн |
| TST10H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST10L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 158.16 грн |
| 10+ | 136.35 грн |
| 100+ | 109.56 грн |
| 500+ | 84.48 грн |
| TST10L60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20H120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST20L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.36 грн |
| 10+ | 132.29 грн |
| 100+ | 106.34 грн |
| 500+ | 81.99 грн |
| TST30H150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30H200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L120CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L150CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.00 грн |
| 10+ | 157.88 грн |
| 100+ | 126.90 грн |
| 500+ | 97.85 грн |
| TST30L60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30U60C C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST30U60CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST40L100CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TST40L200CW C0G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.









