Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (22565) > Сторінка 22 з 377
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSF20H150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF20H200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF20L200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF20L60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF30H150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF30H200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF30H60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF30L120C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF30L150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF30L200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSF30L60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF30U100C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF30U120C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF30U45C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF30U60C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSF40H120C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF40H150C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB |
на замовлення 962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF40L100C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSF40L200C C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSH248CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TSOT-23-3 Part Status: Active Output Type: Analog Voltage Polarization: North Pole, South Pole Function: Omnipolar Switch Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V Technology: Hall Effect Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release Current - Output (Max): 2mA Current - Supply (Max): 16µA Test Condition: 25°C |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSH248CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TSOT-23-3 Part Status: Active Output Type: Analog Voltage Polarization: North Pole, South Pole Function: Omnipolar Switch Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V Technology: Hall Effect Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release Current - Output (Max): 2mA Current - Supply (Max): 16µA Test Condition: 25°C |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSI10H100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSI10H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSI10H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSI10H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSI10L200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSI20H100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSI20H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSI20H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSI20H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSI30H100CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSI30H120CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSI30H150CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSI30H200CW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM015NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN |
на замовлення 4988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM018NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN |
на замовлення 4815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM020N04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM020N04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM024NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM026NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN |
на замовлення 4850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM033NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM033NA04LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM036N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM040N03CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM042N03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 14282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM052N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM052N06PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM055N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TSM055N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
TSF20H150C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF20H200C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF20L200C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
товар відсутній
TSF20L60C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30H150C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
товар відсутній
TSF30H200C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF30H60C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30L120C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF30L150C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF30L200C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 144.31 грн |
10+ | 125.07 грн |
100+ | 100.53 грн |
500+ | 77.51 грн |
TSF30L60C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U100C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U120C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
товар відсутній
TSF30U45C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF30U60C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товар відсутній
TSF40H120C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF40H150C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF40L100C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSF40L200C C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.35 грн |
10+ | 144.03 грн |
TSH248CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 20.16 грн |
6000+ | 17.96 грн |
9000+ | 16.81 грн |
TSH248CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.19 грн |
10+ | 37.65 грн |
25+ | 32.45 грн |
50+ | 29.37 грн |
100+ | 25.02 грн |
500+ | 21.75 грн |
1000+ | 18.72 грн |
TSI10H100CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товар відсутній
TSI10H120CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSI10H150CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
товар відсутній
TSI10H200CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
товар відсутній
TSI10L200CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.99 грн |
10+ | 106.38 грн |
100+ | 85.52 грн |
500+ | 65.93 грн |
1000+ | 54.63 грн |
2000+ | 50.86 грн |
TSI20H100CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSI20H120CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSI20H150CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSI20H200CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSI30H100CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товар відсутній
TSI30H120CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
товар відсутній
TSI30H150CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSI30H200CW C0G |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM015NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM015NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM018NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM018NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM020N04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM020N04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.55 грн |
TSM024NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM024NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 100.95 грн |
10+ | 79.48 грн |
TSM026NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM026NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM033NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
товар відсутній
TSM033NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)TSM033NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
товар відсутній
TSM033NA04LCR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.21 грн |
10+ | 83.18 грн |
TSM036N03PQ56 RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM036N03PQ56 RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.45 грн |
10+ | 43.61 грн |
100+ | 33.92 грн |
TSM040N03CP ROG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 32.92 грн |
5000+ | 30.19 грн |
TSM040N03CP ROG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.62 грн |
10+ | 62.71 грн |
100+ | 48.76 грн |
500+ | 38.79 грн |
1000+ | 31.6 грн |
TSM042N03CS RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 21.56 грн |
5000+ | 19.67 грн |
TSM042N03CS RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 56.87 грн |
10+ | 47.37 грн |
100+ | 32.78 грн |
500+ | 25.7 грн |
1000+ | 21.87 грн |
TSM045NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товар відсутній
TSM045NA03CR RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.32 грн |
10+ | 44.22 грн |
100+ | 30.64 грн |
TSM052N06PQ56 RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товар відсутній
TSM052N06PQ56 RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товар відсутній
TSM055N03EPQ56 RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM055N03EPQ56 RLG |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 49.05 грн |
10+ | 40.8 грн |
100+ | 28.24 грн |