Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (24852) > Сторінка 22 з 415

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSF30L200C C0G TSF30L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L100C-TSF30L200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.77 грн
10+139.33 грн
100+111.99 грн
500+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30L60C C0G TSF30L60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30L45C%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U100C C0G TSF30U100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U120C C0G TSF30U120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U45C C0G TSF30U45C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U45C_F14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U60C C0G TSF30U60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF30U60C_G2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40H120C C0G TSF40H120C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40H150C C0G TSF40H150C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40L100C C0G TSF40L100C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L100C%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40L200C C0G TSF40L200C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.32 грн
10+160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSH248CX RFG TSH248CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH248_B14.pdf Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.88 грн
6000+21.23 грн
9000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSH248CX RFG TSH248CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSH248_B14.pdf Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.39 грн
10+30.66 грн
25+26.42 грн
50+24.88 грн
100+23.48 грн
500+20.46 грн
1000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H100CW C0G TSI10H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H120CW C0G TSI10H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H150CW C0G TSI10H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H200CW C0G TSI10H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10L200CW C0G TSI10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI10L200CW_B2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.01 грн
10+118.51 грн
100+95.27 грн
500+73.45 грн
1000+60.86 грн
2000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW C0G TSI20H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H120CW C0G TSI20H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H150CW C0G TSI20H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H200CW C0G TSI20H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H100CW C0G TSI30H100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H120CW C0G TSI30H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H150CW C0G TSI30H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW-TSI30H200CW_E2104.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H200CW C0G TSI30H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR_A1612.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM015NA03CR_A1612.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR_A1611.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM018NA03CR_A1611.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM020N04LCR RLG TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM024NA04LCR RLG TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.26 грн
10+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM026NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM033NA03CR_B1610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA04LCR RLG TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA04LCR RLG TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.01 грн
10+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56_B1607.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM036N03PQ56_B1607.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+51.71 грн
100+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM040N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.47 грн
10+80.54 грн
100+54.12 грн
500+40.15 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.81 грн
5000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM042N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.68 грн
10+104.33 грн
100+83.03 грн
500+65.93 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM045NA03CR RLG TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM045NA03CR RLG TSM045NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.40 грн
10+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM052N06PQ56 RLG TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM052N06PQ56 RLG TSM052N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03EPQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03EPQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.65 грн
10+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03PQ56 RLG TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03PQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03PQ56 RLG TSM055N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM055N03PQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.65 грн
10+45.76 грн
100+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM05N03CW RPG TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM05N03CW Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.02 грн
5000+16.44 грн
12500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM05N03CW RPG TSM05N03CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM05N03CW Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 22115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.52 грн
10+39.58 грн
100+27.40 грн
500+21.48 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03CP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.33 грн
10+52.16 грн
100+34.39 грн
500+25.10 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.45 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03ECP_B1807.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 9057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.81 грн
10+47.13 грн
100+37.13 грн
500+26.56 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33_C1608.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30L200C C0G TSF30L100C-TSF30L200C_C2105.pdf
TSF30L200C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.77 грн
10+139.33 грн
100+111.99 грн
500+86.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30L60C C0G TSF30L45C%20SERIES_E14.pdf
TSF30L60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U100C C0G TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf
TSF30U100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U120C C0G TSF30U100C%20SERIES_D14.pdf
TSF30U120C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U45C C0G TSF30U45C_F14.pdf
TSF30U45C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF30U60C C0G TSF30U60C_G2105.pdf
TSF30U60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 60V ITO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40H120C C0G TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf
TSF40H120C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 120V ITO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40H150C C0G TSF40H100C%20SERIES_B14.pdf
TSF40H150C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 150V ITO220AB
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40L100C C0G TSF40L100C%20SERIES_B14.pdf
TSF40L100C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 100V ITO220AB
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSF40L200C C0G TSF40H100C-TSF40H200C_C2105.pdf
TSF40L200C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTT 200V ITO220AB
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.32 грн
10+160.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSH248CX RFG TSH248_B14.pdf
TSH248CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.88 грн
6000+21.23 грн
9000+20.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSH248CX RFG TSH248_B14.pdf
TSH248CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MAGNETIC SWITCH TSOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: TSOT-23-3
Part Status: Active
Output Type: Analog Voltage
Polarization: North Pole, South Pole
Function: Omnipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.5V ~ 3.5V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 6mT Trip, -6mT Release
Current - Output (Max): 2mA
Current - Supply (Max): 16µA
Test Condition: 25°C
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.39 грн
10+30.66 грн
25+26.42 грн
50+24.88 грн
100+23.48 грн
500+20.46 грн
1000+19.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H100CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H120CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H150CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10H200CW C0G TSI10H100CW%20SERIES_A15.pdf
TSI10H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI10L200CW C0G TSI10L200CW_B2104.pdf
TSI10L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.01 грн
10+118.51 грн
100+95.27 грн
500+73.45 грн
1000+60.86 грн
2000+56.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H100CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H120CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H150CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI20H200CW C0G TSI20H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI20H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H100CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H120CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H150CW C0G TSI30H100CW-TSI30H200CW_E2104.pdf
TSI30H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V I2PAK
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSI30H200CW C0G TSI30H100CW%20SERIES_D15.pdf
TSI30H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V I2PAK
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR_A1612.pdf
TSM015NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM015NA03CR RLG TSM015NA03CR_A1612.pdf
TSM015NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR_A1611.pdf
TSM018NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM018NA03CR RLG TSM018NA03CR_A1611.pdf
TSM018NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM020N04LCR RLG
TSM020N04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM020N04LCR RLG
TSM020N04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7942 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM024NA04LCR RLG
TSM024NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM024NA04LCR RLG
TSM024NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4224 pF @ 20 V
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.26 грн
10+86.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR_B1610.pdf
TSM026NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM026NA03CR RLG TSM026NA03CR_B1610.pdf
TSM026NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR_B1610.pdf
TSM033NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA03CR RLG TSM033NA03CR_B1610.pdf
TSM033NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA04LCR RLG
TSM033NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM033NA04LCR RLG
TSM033NA04LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 20 V
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.01 грн
10+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56_B1607.pdf
TSM036N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM036N03PQ56 RLG TSM036N03PQ56_B1607.pdf
TSM036N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 15 V
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.99 грн
10+51.71 грн
100+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM040N03CP ROG TSM040N03CP_B1807.pdf
TSM040N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.47 грн
10+80.54 грн
100+54.12 грн
500+40.15 грн
1000+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+58.81 грн
5000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM042N03CS RLG TSM042N03CS_A14.pdf
TSM042N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 14177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.68 грн
10+104.33 грн
100+83.03 грн
500+65.93 грн
1000+55.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM045NA03CR RLG
TSM045NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM045NA03CR RLG
TSM045NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1194 pF @ 15 V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.40 грн
10+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM052N06PQ56 RLG
TSM052N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM052N06PQ56 RLG
TSM052N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 100A 8PDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56_B1710.pdf
TSM055N03EPQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03EPQ56 RLG TSM055N03EPQ56_B1710.pdf
TSM055N03EPQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.65 грн
10+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03PQ56 RLG TSM055N03PQ56_B1710.pdf
TSM055N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM055N03PQ56 RLG TSM055N03PQ56_B1710.pdf
TSM055N03PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.65 грн
10+45.76 грн
100+31.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM05N03CW RPG pdf.php?pn=TSM05N03CW
TSM05N03CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.02 грн
5000+16.44 грн
12500+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM05N03CW RPG pdf.php?pn=TSM05N03CW
TSM05N03CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 22115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.52 грн
10+39.58 грн
100+27.40 грн
500+21.48 грн
1000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP_B1807.pdf
TSM060N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.45 грн
5000+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP_B1807.pdf
TSM060N03CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 7429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.33 грн
10+52.16 грн
100+34.39 грн
500+25.10 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP_B1807.pdf
TSM060N03ECP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.45 грн
5000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03ECP ROG TSM060N03ECP_B1807.pdf
TSM060N03ECP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 9057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.81 грн
10+47.13 грн
100+37.13 грн
500+26.56 грн
1000+22.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM060N03PQ33 RGG TSM060N03PQ33_C1608.pdf
TSM060N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1342 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 415  [ Наступна Сторінка >> ]