Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25365) > Сторінка 22 з 423

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420 423  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSM10N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2336 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC60CF C0G TSM10NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC65CF C0G TSM10NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 50 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROG TSM120N06LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCP_A1602.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROG TSM120N06LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCP_A1602.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.24 грн
10+60.98 грн
100+40.64 грн
500+29.93 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR_A1610.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS_C1710.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS_C1710.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.58 грн
10+58.14 грн
100+38.65 грн
500+28.41 грн
1000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLG TSM120NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLG TSM120NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM126CX RFG TSM126CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM126_VerA14.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGG TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33_D1710.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.12 грн
10000+13.49 грн
15000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGG TSM150P03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P03PQ33_D1710.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+39.51 грн
100+25.73 грн
500+18.59 грн
1000+16.80 грн
2000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLG TSM150P04LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P04LCS_C2212.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.56 грн
5000+21.87 грн
7500+20.97 грн
12500+18.72 грн
17500+18.15 грн
25000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLG TSM150P04LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM150P04LCS_C2212.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
на замовлення 32580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.24 грн
10+56.64 грн
100+37.44 грн
500+27.39 грн
1000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2263 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2263 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160N10CZ C0G TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 30 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160N10LCR RLG TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10LCR_A1610.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.66 грн
5000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160N10LCR RLG TSM160N10LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10LCR_A1610.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V
на замовлення 10447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.10 грн
10+100.86 грн
100+77.22 грн
500+58.77 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160P02CS RLG TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS_B2209.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160P02CS RLG TSM160P02CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM160P02CS_B2209.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.78 грн
10+70.86 грн
100+47.24 грн
500+34.83 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06CH C5G TSM170N06CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06CH_A2211.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.70 грн
100+36.19 грн
500+26.50 грн
1000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06CP ROG TSM170N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.14 грн
5000+22.41 грн
7500+21.48 грн
12500+19.19 грн
17500+18.62 грн
25000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06CP ROG TSM170N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 96850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.80 грн
10+57.77 грн
100+38.24 грн
500+28.00 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56_A1608.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.63 грн
5000+21.94 грн
7500+21.03 грн
12500+18.78 грн
17500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM170N06PQ56_A1608.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V
на замовлення 19196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.24 грн
10+56.79 грн
100+37.55 грн
500+27.47 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03CS RLG TSM180N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03CS RLG TSM180N03CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03CS_A14.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.40 грн
11+28.28 грн
100+18.22 грн
500+13.00 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.40 грн
11+28.21 грн
100+18.14 грн
500+12.94 грн
1000+11.62 грн
2000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM190N08CZ C0G TSM190N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM190N08_B15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.83 грн
50+145.42 грн
100+132.49 грн
500+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPG TSM1N80CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N80_B15.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPG TSM1N80CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N80_B15.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03D_B1710.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03DPQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM200N03D_B1710.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.16 грн
10+37.19 грн
100+24.22 грн
500+17.46 грн
1000+15.77 грн
2000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM210N02CX RFG TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 76154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.97 грн
6000+8.66 грн
9000+7.71 грн
15000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM210N02CX RFG TSM210N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 77679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.74 грн
13+23.12 грн
100+15.71 грн
500+12.75 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFG TSM2303CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2303_B15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFG TSM2303CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2303_B15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TSM2307CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2307CX_D15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TSM2307CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2307CX_D15.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG TSM2308CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2308_C15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.12 грн
6000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG TSM2308CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2308_C15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.02 грн
10+56.87 грн
100+37.50 грн
500+27.40 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2309CX_D2212.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.39 грн
6000+9.14 грн
9000+8.69 грн
15000+7.69 грн
21000+7.42 грн
30000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2309CX_D2212.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.85 грн
12+26.94 грн
100+17.26 грн
500+12.27 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROG TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06_D1802.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.37 грн
5000+18.10 грн
7500+17.33 грн
12500+15.45 грн
17500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROG TSM230N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06_D1802.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.26 грн
10+47.66 грн
100+31.34 грн
500+22.82 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06PQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.01 грн
5000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM230N06PQ56_B1710.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.33 грн
10+71.53 грн
100+47.82 грн
500+35.33 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFG TSM2318CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2318_C15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFG TSM2318CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2318_C15.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 142784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.28 грн
10+37.79 грн
100+25.96 грн
500+19.32 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.67 грн
6000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 8262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.96 грн
12+25.29 грн
100+16.17 грн
500+11.46 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM240N03CX6_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.95 грн
11+29.11 грн
100+18.71 грн
500+13.33 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.35 грн
6000+7.76 грн
9000+6.18 грн
15000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02CX_B1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 97530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.64 грн
14+22.67 грн
100+15.18 грн
500+11.49 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ_C2212.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.20 грн
6000+11.67 грн
9000+10.78 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM250N02DCQ_C2212.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.95 грн
10+33.07 грн
100+21.43 грн
500+15.39 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10N80CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2336 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC60CF C0G
TSM10NC60CF C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1652 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM10NC65CF C0G
TSM10NC65CF C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 10A ITO220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 50 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROG TSM120N06LCP_A1602.pdf
TSM120N06LCP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCP ROG TSM120N06LCP_A1602.pdf
TSM120N06LCP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2118 pF @ 30 V
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.24 грн
10+60.98 грн
100+40.64 грн
500+29.93 грн
1000+27.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCR RLG TSM120N06LCR_A1610.pdf
TSM120N06LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS_C1710.pdf
TSM120N06LCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120N06LCS RLG TSM120N06LCS_C1710.pdf
TSM120N06LCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193 pF @ 30 V
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.58 грн
10+58.14 грн
100+38.65 грн
500+28.41 грн
1000+25.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLG
TSM120NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM120NA03CR RLG
TSM120NA03CR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 562 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM126CX RFG TSM126_VerA14.pdf
TSM126CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 30MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800Ohm @ 16mA, 10V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 51.42 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGG TSM150P03PQ33_D1710.pdf
TSM150P03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.12 грн
10000+13.49 грн
15000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P03PQ33 RGG TSM150P03PQ33_D1710.pdf
TSM150P03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.1)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1829 pF @ 15 V
на замовлення 19678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+39.51 грн
100+25.73 грн
500+18.59 грн
1000+16.80 грн
2000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLG TSM150P04LCS_C2212.pdf
TSM150P04LCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.56 грн
5000+21.87 грн
7500+20.97 грн
12500+18.72 грн
17500+18.15 грн
25000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM150P04LCS RLG TSM150P04LCS_C2212.pdf
TSM150P04LCS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 20 V
на замовлення 32580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.24 грн
10+56.64 грн
100+37.44 грн
500+27.39 грн
1000+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 14A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2263 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM15N50CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2263 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160N10CZ C0G
TSM160N10CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9840 pF @ 30 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160N10LCR RLG TSM160N10LCR_A1610.pdf
TSM160N10LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.66 грн
5000+49.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160N10LCR RLG TSM160N10LCR_A1610.pdf
TSM160N10LCR RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4431 pF @ 50 V
на замовлення 10447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.10 грн
10+100.86 грн
100+77.22 грн
500+58.77 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160P02CS RLG TSM160P02CS_B2209.pdf
TSM160P02CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM160P02CS RLG TSM160P02CS_B2209.pdf
TSM160P02CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 20V 11A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 15 V
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.78 грн
10+70.86 грн
100+47.24 грн
500+34.83 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06CH C5G TSM170N06CH_A2211.pdf
TSM170N06CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251S (IPAK SL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.14 грн
10+54.70 грн
100+36.19 грн
500+26.50 грн
1000+24.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06CP ROG TSM170N06_B15.pdf
TSM170N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.14 грн
5000+22.41 грн
7500+21.48 грн
12500+19.19 грн
17500+18.62 грн
25000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06CP ROG TSM170N06_B15.pdf
TSM170N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 96850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.80 грн
10+57.77 грн
100+38.24 грн
500+28.00 грн
1000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56_A1608.pdf
TSM170N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.63 грн
5000+21.94 грн
7500+21.03 грн
12500+18.78 грн
17500+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM170N06PQ56 RLG TSM170N06PQ56_A1608.pdf
TSM170N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 30 V
на замовлення 19196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.24 грн
10+56.79 грн
100+37.55 грн
500+27.47 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03CS RLG TSM180N03CS_A14.pdf
TSM180N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03CS RLG TSM180N03CS_A14.pdf
TSM180N03CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 1622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.40 грн
11+28.28 грн
100+18.22 грн
500+13.00 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33_B1710.pdf
TSM180N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM180N03PQ33 RGG TSM180N03PQ33_B1710.pdf
TSM180N03PQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3.1x3.08)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 9857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.40 грн
11+28.21 грн
100+18.14 грн
500+12.94 грн
1000+11.62 грн
2000+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM190N08CZ C0G TSM190N08_B15.pdf
TSM190N08CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 190A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 30 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.83 грн
50+145.42 грн
100+132.49 грн
500+114.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPG TSM1N80_B15.pdf
TSM1N80CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM1N80CW RPG TSM1N80_B15.pdf
TSM1N80CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03D_B1710.pdf
TSM200N03DPQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM200N03DPQ33 RGG TSM200N03D_B1710.pdf
TSM200N03DPQ33 RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Part Status: Active
на замовлення 12674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.16 грн
10+37.19 грн
100+24.22 грн
500+17.46 грн
1000+15.77 грн
2000+14.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TSM210N02CX RFG TSM210N02CX_B1811.pdf
TSM210N02CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 76154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.97 грн
6000+8.66 грн
9000+7.71 грн
15000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM210N02CX RFG TSM210N02CX_B1811.pdf
TSM210N02CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
на замовлення 77679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.74 грн
13+23.12 грн
100+15.71 грн
500+12.75 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFG TSM2303_B15.pdf
TSM2303CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFG TSM2303_B15.pdf
TSM2303CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TSM2307CX_D15.pdf
TSM2307CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG TSM2307CX_D15.pdf
TSM2307CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG TSM2308_C15.pdf
TSM2308CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.12 грн
6000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG TSM2308_C15.pdf
TSM2308CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.02 грн
10+56.87 грн
100+37.50 грн
500+27.40 грн
1000+24.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX_D2212.pdf
TSM2309CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.39 грн
6000+9.14 грн
9000+8.69 грн
15000+7.69 грн
21000+7.42 грн
30000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFG TSM2309CX_D2212.pdf
TSM2309CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.85 грн
12+26.94 грн
100+17.26 грн
500+12.27 грн
1000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROG TSM230N06_D1802.pdf
TSM230N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.37 грн
5000+18.10 грн
7500+17.33 грн
12500+15.45 грн
17500+15.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROG TSM230N06_D1802.pdf
TSM230N06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.26 грн
10+47.66 грн
100+31.34 грн
500+22.82 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56_B1710.pdf
TSM230N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.01 грн
5000+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLG TSM230N06PQ56_B1710.pdf
TSM230N06PQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.33 грн
10+71.53 грн
100+47.82 грн
500+35.33 грн
1000+32.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFG TSM2318_C15.pdf
TSM2318CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2318CX RFG TSM2318_C15.pdf
TSM2318CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 142784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.28 грн
10+37.79 грн
100+25.96 грн
500+19.32 грн
1000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.67 грн
6000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX RFG TSM240N03CX_B1811.pdf
TSM240N03CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 8262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.96 грн
12+25.29 грн
100+16.17 грн
500+11.46 грн
1000+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM240N03CX6 RFG TSM240N03CX6_B1811.pdf
TSM240N03CX6 RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.95 грн
11+29.11 грн
100+18.71 грн
500+13.33 грн
1000+11.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX_B1811.pdf
TSM250N02CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.35 грн
6000+7.76 грн
9000+6.18 грн
15000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02CX RFG TSM250N02CX_B1811.pdf
TSM250N02CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 10 V
на замовлення 97530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.64 грн
14+22.67 грн
100+15.18 грн
500+11.49 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ_C2212.pdf
TSM250N02DCQ RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.20 грн
6000+11.67 грн
9000+10.78 грн
15000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TSM250N02DCQ RFG TSM250N02DCQ_C2212.pdf
TSM250N02DCQ RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 620mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TDFN (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 18270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.95 грн
10+33.07 грн
100+21.43 грн
500+15.39 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420 423  [ Наступна Сторінка >> ]