Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25053) > Сторінка 27 з 418

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
TSS54U RGG TSS54U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54U_C1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TSS54U RGG TSS54U RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSS54U_C1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.09 грн
43+7.49 грн
100+5.63 грн
500+4.68 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA3U45 R3G TSSA3U45 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U45_N1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA3U60 R3G TSSA3U60 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60_F1612.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA5U50 E3G TSSA5U50 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA5U60 E3G TSSA5U60 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H45 RVG TSSE3H45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H45 RVG TSSE3H45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H60 RVG TSSE3H60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H60 RVG TSSE3H60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 299431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3U60 RVG TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3U60 RVG TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TST10H150CW C0G TST10H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW%20SERIES_A14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST10L200CW C0G TST10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.28 грн
10+134.74 грн
100+108.26 грн
500+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TST10L60CW C0G TST10L60CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10L60CW_A1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20H120CW C0G TST20H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20H150CW C0G TST20H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20H200CW C0G TST20H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20L200CW C0G TST20L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20L100CW-TST20L200CW%20_C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.56 грн
10+130.72 грн
100+105.08 грн
500+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TST30H150CW C0G TST30H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30H200CW C0G TST30H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L100CW C0G TST30L100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L120CW C0G TST30L120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L150CW C0G TST30L150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L200CW C0G TST30L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.83 грн
10+156.01 грн
100+125.40 грн
500+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L60CW C0G TST30L60CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L45CW%20SERIES_B15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30U60C C0G TST30U60C C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30U45C%20SERIES_E2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30U60CW C0G TST30U60CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L45CW-TST30L60CW_D2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST40L100CW C0G TST40L100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST40L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST40L200CW C0G TST40L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST40L100CW-TST40L200CW%20C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS15B RRG UDZS15B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B SERIES_H2212.pdf Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS15B RRG UDZS15B RRG Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B SERIES_H2212.pdf Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.73 грн
38+8.43 грн
100+5.21 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
UG8J C0G UG8J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG8J_H1511.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1008G C0G UGF1008G C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGF1004G%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US1B R3G US1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1B R3G US1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.46 грн
11+30.73 грн
100+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
US1D R3G US1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
US1D R3G US1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.64 грн
10+33.57 грн
100+21.69 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
US1G R3G US1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1G R3G US1G R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.37 грн
18+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
US1J R3G US1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1800+13.32 грн
3600+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
US1J R3G US1J R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.19 грн
12+28.37 грн
100+19.34 грн
500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
US1K R3G US1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1K R3G US1K R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1M R3G US1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1M R3G US1M R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1A%20SERIES_N2102.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.46 грн
13+25.45 грн
100+19.42 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LL4001G L0 Taiwan Semiconductor Corporation LL4001G%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001G R1G 1N4001G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001GHR1G 1N4001GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002G R1G 1N4002G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002GHR1G 1N4002GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003G R1G 1N4003G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003GHR1G 1N4003GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004G R1G 1N4004G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GHR1G 1N4004GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005G R1G 1N4005G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005GHR1G 1N4005GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006G R1G 1N4006G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006GHR1G 1N4006GHR1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007G R1G 1N4007G R1G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSS54U RGG TSS54U_C1601.pdf
TSS54U RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
TSS54U RGG TSS54U_C1601.pdf
TSS54U RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 24437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.09 грн
43+7.49 грн
100+5.63 грн
500+4.68 грн
1000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA3U45 R3G TSSA3U45_N1707.pdf
TSSA3U45 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA3U60 R3G TSSA3U60_F1612.pdf
TSSA3U60 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA5U50 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U50 E3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSA5U60 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U60 E3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H45 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H45 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H45 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H45 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H60 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3H60 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 299431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3U60 RVG TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf
TSSE3U60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSSE3U60 RVG TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf
TSSE3U60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TST10H150CW C0G TST10H100CW%20SERIES_A14.pdf
TST10H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST10L200CW C0G TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf
TST10L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.28 грн
10+134.74 грн
100+108.26 грн
500+83.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TST10L60CW C0G TST10L60CW_A1601.pdf
TST10L60CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20H120CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20H150CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20H200CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST20L200CW C0G TST20L100CW-TST20L200CW%20_C2104.pdf
TST20L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.56 грн
10+130.72 грн
100+105.08 грн
500+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TST30H150CW C0G TST30H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST30H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30H200CW C0G TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf
TST30H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L100CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L120CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L150CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L200CW C0G TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf
TST30L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.83 грн
10+156.01 грн
100+125.40 грн
500+96.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TST30L60CW C0G TST30L45CW%20SERIES_B15.pdf
TST30L60CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30U60C C0G TST30U45C%20SERIES_E2104.pdf
TST30U60C C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST30U60CW C0G TST30L45CW-TST30L60CW_D2104.pdf
TST30U60CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST40L100CW C0G TST40L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST40L100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TST40L200CW C0G TST40L100CW-TST40L200CW%20C2104.pdf
TST40L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 20A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS15B RRG UDZS3V6B SERIES_H2212.pdf
UDZS15B RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
UDZS15B RRG UDZS3V6B SERIES_H2212.pdf
UDZS15B RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 11 V
на замовлення 7570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.73 грн
38+8.43 грн
100+5.21 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
UG8J C0G UG8J_H1511.pdf
UG8J C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
UGF1008G C0G UGF1004G%20SERIES_E15.pdf
UGF1008G C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A ITO220AB
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
US1B R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1B R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1B R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1B R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.46 грн
11+30.73 грн
100+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
US1D R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
US1D R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.64 грн
10+33.57 грн
100+21.69 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
US1G R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1G R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1G R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1G R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.37 грн
18+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
US1J R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1800+13.32 грн
3600+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 1800
В кошику  од. на суму  грн.
US1J R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1J R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 4349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.19 грн
12+28.37 грн
100+19.34 грн
500+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
US1K R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1K R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1K R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1M R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
US1M R3G US1A%20SERIES_N2102.pdf
US1M R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 1000
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 13732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.46 грн
13+25.45 грн
100+19.42 грн
500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
LL4001G L0 LL4001G%20SERIES_E15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A MELF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: MELF
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4001G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4001GHR1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4001GHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4002G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4002GHR1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4002GHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4003G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003GHR1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4003GHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4004G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4004GHR1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4004GHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4005G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4005GHR1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4005GHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4006G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4006GHR1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4006GHR1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007G R1G 1N4001G%20SERIES_P2104.pdf
1N4007G R1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-204AL (DO-41)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 41 82 123 164 205 246 287 328 369 410 418  [ Наступна Сторінка >> ]