Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (22648) > Сторінка 27 з 378

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 37 74 111 148 185 222 259 296 333 370 378  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
TSM900N06CH X0G TSM900N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 48594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.61 грн
75+ 30.8 грн
150+ 22.36 грн
525+ 17.53 грн
1050+ 14.92 грн
2025+ 13.29 грн
5025+ 12.38 грн
10050+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.31 грн
5000+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM900N06CW RPG TSM900N06CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.08 грн
12+ 22.71 грн
100+ 15.8 грн
500+ 11.58 грн
1000+ 9.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM900N10CH X0G TSM900N10CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товар відсутній
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.86 грн
5000+ 17.21 грн
12500+ 15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM900N10CP ROG TSM900N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 29089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+49.84 грн
10+ 41.43 грн
100+ 28.68 грн
500+ 22.49 грн
1000+ 19.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM9435CS RLG TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS_D1602.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM9435CS RLG TSM9435CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM9435CS_D1602.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15 грн
5000+ 13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM950N10CW RPG TSM950N10CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 14762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.31 грн
10+ 32.99 грн
100+ 22.81 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM9N90ECI C0G TSM9N90ECI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM9N90ECZ C0G TSM9N90ECZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товар відсутній
TSP10H200S S1G TSP10H200S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H200S_D15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10H45S S1G TSP10H45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10H45S S1G TSP10H45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10U100S S1G TSP10U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10U100S S1G TSP10U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
на замовлення 37890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10U45S S1G TSP10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U45S_F15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
товар відсутній
TSP10U45S S1G TSP10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP10U45S_F15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
товар відсутній
TSP12U120S S1G TSP12U120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP12U120S S1G TSP12U120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H120S S1G TSP15H120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товар відсутній
TSP15H120S S1G TSP15H120S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP12U120S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товар відсутній
TSP15H150S S1G TSP15H150S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H150S S1G TSP15H150S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_C2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
на замовлення 5732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H200S S1G TSP15H200S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_B15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H200S S1G TSP15H200S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15H120S%20SERIES_B15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15U100S S1G TSP15U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U100S_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
товар відсутній
TSP15U100S S1G TSP15U100S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP15U100S_E2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15U50S S1G TSP15U50S S1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.38 грн
3000+ 44.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TSP15U50S S1G TSP15U50S S1G Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.78 грн
10+ 81.52 грн
100+ 64.9 грн
500+ 51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSP20U60S S1G TSP20U60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP20U60S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP20U60S S1G TSP20U60S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSP20U60S_F2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 37426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSPB10U45S S1G TSPB10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB10U45S_G15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товар відсутній
TSPB10U45S S1G TSPB10U45S S1G Taiwan Semiconductor Corporation TSPB10U45S_G15.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товар відсутній
TSS4B03G D2G TSS4B03G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TSS4B01G%20SERIES_E15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
товар відсутній
TSS54U RGG TSS54U RGG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.71 грн
8000+ 4.34 грн
12000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TSS54U RGG TSS54U RGG Taiwan Semiconductor Corporation Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 29190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+25.97 грн
16+ 17.64 грн
100+ 8.92 грн
500+ 6.82 грн
1000+ 5.06 грн
2000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSSA3U45 R3G TSSA3U45 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U45_N1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSA3U60 R3G TSSA3U60 R3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA3U60_F1612.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSA5U50 E3G TSSA5U50 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSA5U60 E3G TSSA5U60 E3G Taiwan Semiconductor Corporation TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H45 RVG TSSE3H45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H45 RVG TSSE3H45 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H60 RVG TSSE3H60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H60 RVG TSSE3H60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 299431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3U60 RVG TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
товар відсутній
TSSE3U60 RVG TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
TST10H150CW C0G TST10H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW%20SERIES_A14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST10L200CW C0G TST10L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.07 грн
10+ 115.58 грн
100+ 92.87 грн
500+ 71.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
TST10L60CW C0G TST10L60CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST10L60CW_A1601.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20H120CW C0G TST20H120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20H150CW C0G TST20H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20H200CW C0G TST20H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20L200CW C0G TST20L200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST20L100CW-TST20L200CW%20_C2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.15 грн
10+ 112.14 грн
100+ 90.14 грн
500+ 69.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TST30H150CW C0G TST30H150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW%20SERIES_E14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30H200CW C0G TST30H200CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30L100CW C0G TST30L100CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30L120CW C0G TST30L120CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30L150CW C0G TST30L150CW C0G Taiwan Semiconductor Corporation TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM900N06CH X0G
TSM900N06CH X0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 48594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.61 грн
75+ 30.8 грн
150+ 22.36 грн
525+ 17.53 грн
1050+ 14.92 грн
2025+ 13.29 грн
5025+ 12.38 грн
10050+ 11.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.31 грн
5000+ 8.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM900N06CW RPG
TSM900N06CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 30 V
на замовлення 10020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.08 грн
12+ 22.71 грн
100+ 15.8 грн
500+ 11.58 грн
1000+ 9.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
TSM900N10CH X0G
TSM900N10CH X0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
товар відсутній
TSM900N10CP ROG
TSM900N10CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+18.86 грн
5000+ 17.21 грн
12500+ 15.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM900N10CP ROG
TSM900N10CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 29089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.84 грн
10+ 41.43 грн
100+ 28.68 грн
500+ 22.49 грн
1000+ 19.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
TSM9435CS RLG TSM9435CS_D1602.pdf
TSM9435CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM9435CS RLG TSM9435CS_D1602.pdf
TSM9435CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 5.3A 8SOP
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSM950N10CW RPG
TSM950N10CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15 грн
5000+ 13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
TSM950N10CW RPG
TSM950N10CW RPG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 14762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.31 грн
10+ 32.99 грн
100+ 22.81 грн
500+ 17.88 грн
1000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
TSM9N90ECI C0G
TSM9N90ECI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 9A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товар відсутній
TSM9N90ECZ C0G
TSM9N90ECZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 25 V
товар відсутній
TSP10H200S S1G TSP10H200S_D15.pdf
TSP10H200S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10H45S S1G TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf
TSP10H45S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10H45S S1G TSP10H45S%20SERIES_E2103.pdf
TSP10H45S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10U100S S1G TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf
TSP10U100S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10U100S S1G TSP10U100S%20SERIES_E15.pdf
TSP10U100S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A
на замовлення 37890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP10U45S S1G TSP10U45S_F15.pdf
TSP10U45S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
товар відсутній
TSP10U45S S1G TSP10U45S_F15.pdf
TSP10U45S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A
товар відсутній
TSP12U120S S1G TSP12U120S_F2103.pdf
TSP12U120S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP12U120S S1G TSP12U120S_F2103.pdf
TSP12U120S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H120S S1G TSP12U120S_F2103.pdf
TSP15H120S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товар відсутній
TSP15H120S S1G TSP12U120S_F2103.pdf
TSP15H120S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 120 V
товар відсутній
TSP15H150S S1G TSP15H120S%20SERIES_C2103.pdf
TSP15H150S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H150S S1G TSP15H120S%20SERIES_C2103.pdf
TSP15H150S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO277A
на замовлення 5732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H200S S1G TSP15H120S%20SERIES_B15.pdf
TSP15H200S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15H200S S1G TSP15H120S%20SERIES_B15.pdf
TSP15H200S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO277A
на замовлення 7105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15U100S S1G TSP15U100S_E2103.pdf
TSP15U100S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
товар відсутній
TSP15U100S S1G TSP15U100S_E2103.pdf
TSP15U100S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP15U50S S1G
TSP15U50S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+48.38 грн
3000+ 44.26 грн
Мінімальне замовлення: 1500
TSP15U50S S1G
TSP15U50S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 15A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 mA @ 50 V
на замовлення 3392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.78 грн
10+ 81.52 грн
100+ 64.9 грн
500+ 51.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
TSP20U60S S1G TSP20U60S_F2103.pdf
TSP20U60S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 34500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSP20U60S S1G TSP20U60S_F2103.pdf
TSP20U60S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO277A
на замовлення 37426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSPB10U45S S1G TSPB10U45S_G15.pdf
TSPB10U45S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товар відсутній
TSPB10U45S S1G TSPB10U45S_G15.pdf
TSPB10U45S S1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A SMPC4.0
товар відсутній
TSS4B03G D2G TSS4B01G%20SERIES_E15.pdf
TSS4B03G D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 4A TS4B
товар відсутній
TSS54U RGG
TSS54U RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+4.71 грн
8000+ 4.34 грн
12000+ 3.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
TSS54U RGG
TSS54U RGG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: 0603
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 30 V
на замовлення 29190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+25.97 грн
16+ 17.64 грн
100+ 8.92 грн
500+ 6.82 грн
1000+ 5.06 грн
2000+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
TSSA3U45 R3G TSSA3U45_N1707.pdf
TSSA3U45 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO214AC
на замовлення 21638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSA3U60 R3G TSSA3U60_F1612.pdf
TSSA3U60 R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AC
на замовлення 6496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSA5U50 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U50 E3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO214AC
на замовлення 4662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSA5U60 E3G TSSA5U50%20SERIES_D1512.pdf
TSSA5U60 E3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A DO214AC
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H45 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H45 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H45 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H45 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123HE
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H60 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 297000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3H60 RVG TSSE3H45%20SERIES_B1707.pdf
TSSE3H60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 299431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TSSE3U60 RVG TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf
TSSE3U60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
товар відсутній
TSSE3U60 RVG TSSE3U45%20SERIES_I2103.pdf
TSSE3U60 RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD123HE
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
TST10H150CW C0G TST10H100CW%20SERIES_A14.pdf
TST10H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 5A TO220AB
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST10L200CW C0G TST10H100CW-TST10H200CW_B2104.pdf
TST10L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.07 грн
10+ 115.58 грн
100+ 92.87 грн
500+ 71.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
TST10L60CW C0G TST10L60CW_A1601.pdf
TST10L60CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A TO220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20H120CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 10A TO220AB
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20H150CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20H200CW C0G TST20H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST20H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST20L200CW C0G TST20L100CW-TST20L200CW%20_C2104.pdf
TST20L200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220AB
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.15 грн
10+ 112.14 грн
100+ 90.14 грн
500+ 69.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
TST30H150CW C0G TST30H100CW%20SERIES_E14.pdf
TST30H150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30H200CW C0G TST30H100CW-TST30H200CW_F2104.pdf
TST30H200CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30L100CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L100CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO220AB
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30L120CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L120CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 120V 15A TO220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
TST30L150CW C0G TST30L100CW%20SERIES_B14.pdf
TST30L150CW C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE SCHOTTKY 150V 15A TO220AB
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 37 74 111 148 185 222 259 296 333 370 378  [ Наступна Сторінка >> ]