Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25553) > Сторінка 24 з 426

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420 426  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TSM680P06DPQ56 RLG TSM680P06DPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06D_B1710.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.40 грн
5000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM680P06DPQ56 RLG TSM680P06DPQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06D_B1710.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+66.26 грн
100+44.15 грн
500+32.53 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6963SDCA RVG TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.14W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.40 грн
6000+26.31 грн
9000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6963SDCA RVG TSM6963SDCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.14W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 63143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+67.90 грн
100+45.19 грн
500+33.26 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968DCA RVG TSM6968DCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 501000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968DCA RVG TSM6968DCA RVG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6N60CH C5G TSM6N60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6N60CP ROG TSM6N60CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N10CP ROG TSM70N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N10CP ROG TSM70N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CH C5G TSM70N1R4CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4_D1706.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4_D1706.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4_D1706.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N1R4_D1706.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CH C5G TSM70N380CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.44 грн
75+136.80 грн
150+125.94 грн
525+103.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CI C0G TSM70N380CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N380_E1706.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CP ROG TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CP ROG TSM70N380CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.71 грн
10+201.48 грн
100+142.28 грн
500+109.80 грн
1000+102.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600ACL X0G TSM70N600ACL X0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO262S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CH C5G TSM70N600CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.22 грн
75+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CI C0G TSM70N600CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CP ROG TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CP ROG TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CH C5G TSM70N750CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CP ROG TSM70N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CP ROG TSM70N750CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CH C5G TSM70N900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CI C0G TSM70N900CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CP ROG TSM70N900CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70NB1R4CP ROG TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70NB1R4CP_C1612.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70NB1R4CP ROG TSM70NB1R4CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM70NB1R4CP_C1612.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7N90CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7N90CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7NC60CF C0G TSM7NC60CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation pdf.php?pn=TSM7NC60CF Description: MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7NC65CF C0G TSM7NC65CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06_B1802.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7P06CP ROG TSM7P06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM7P06_B1802.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.30 грн
10+33.65 грн
100+23.27 грн
500+18.25 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N08CZ C0G TSM80N08CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CH C5G TSM80N1R2CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2_B1706.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CI C0G TSM80N1R2CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CI_A1604.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CL C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2CL_A1603.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CP ROG TSM80N1R2CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2_B1706.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CP ROG TSM80N1R2CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N1R2_B1706.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N400CF C0G TSM80N400CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N400CF_B1704.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CH C5G TSM80N950CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950_B1706.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CI C0G TSM80N950CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950_B1706.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.96 грн
10+476.38 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CP ROG TSM80N950CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950_B1706.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CP ROG TSM80N950CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM80N950_B1706.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX_C1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.58 грн
6000+9.31 грн
9000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX_C1811.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 14377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.49 грн
11+27.54 грн
100+17.61 грн
500+12.51 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8568CS RLG TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8568CS_B1611.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8568CS RLG TSM8568CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM8568CS_B1611.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 21149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.31 грн
10+57.83 грн
100+38.18 грн
500+27.91 грн
1000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM85N10CZ C0G TSM85N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CH C5G TSM8N50CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N50_C15.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROG TSM8N50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROG TSM8N50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CI C0G TSM8N70CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CI C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CH X0G TSM900N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N06CH_A2205.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 21960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.36 грн
10+68.87 грн
100+45.89 грн
500+33.82 грн
1000+30.85 грн
3750+26.42 грн
7500+24.22 грн
11250+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM680P06DPQ56 RLG TSM680P06D_B1710.pdf
TSM680P06DPQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+29.40 грн
5000+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM680P06DPQ56 RLG TSM680P06D_B1710.pdf
TSM680P06DPQ56 RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 60V 12A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 9816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.49 грн
10+66.26 грн
100+44.15 грн
500+32.53 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6963SDCA RVG
TSM6963SDCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.14W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.40 грн
6000+26.31 грн
9000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6963SDCA RVG
TSM6963SDCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.14W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 63143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.59 грн
10+67.90 грн
100+45.19 грн
500+33.26 грн
1000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968DCA RVG
TSM6968DCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 501000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6968DCA RVG
TSM6968DCA RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.04W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6N60CH C5G
TSM6N60CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM6N60CP ROG
TSM6N60CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1248 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N10CP ROG
TSM70N10CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N10CP ROG
TSM70N10CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CH C5G TSM70N1R4_D1706.pdf
TSM70N1R4CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO251
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4_D1706.pdf
TSM70N1R4CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4_D1706.pdf
TSM70N1R4CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N1R4CP ROG TSM70N1R4_D1706.pdf
TSM70N1R4CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 3.3A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CH C5G
TSM70N380CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.44 грн
75+136.80 грн
150+125.94 грн
525+103.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CI C0G TSM70N380_E1706.pdf
TSM70N380CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 11A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CP ROG
TSM70N380CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+110.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N380CP ROG
TSM70N380CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 100 V
на замовлення 14899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+317.71 грн
10+201.48 грн
100+142.28 грн
500+109.80 грн
1000+102.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600ACL X0G
TSM70N600ACL X0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO262S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Short Leads, I2PAK
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262S (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CH C5G
TSM70N600CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.22 грн
75+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CI C0G
TSM70N600CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CP ROG
TSM70N600CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N600CP ROG
TSM70N600CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 100 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CH C5G
TSM70N750CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CP ROG
TSM70N750CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N750CP ROG
TSM70N750CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 100 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+212.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CH C5G
TSM70N900CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CI C0G
TSM70N900CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70N900CP ROG
TSM70N900CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 482 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70NB1R4CP ROG TSM70NB1R4CP_C1612.pdf
TSM70NB1R4CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM70NB1R4CP ROG TSM70NB1R4CP_C1612.pdf
TSM70NB1R4CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 700V 3A TO252
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7N90CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 900V 7A ITO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ITO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7N90CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 900V 7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1969 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7NC60CF C0G pdf.php?pn=TSM7NC60CF
TSM7NC60CF C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 7A ITO220S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7NC65CF C0G
TSM7NC65CF C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7P06CP ROG TSM7P06_B1802.pdf
TSM7P06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM7P06CP ROG TSM7P06_B1802.pdf
TSM7P06CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.30 грн
10+33.65 грн
100+23.27 грн
500+18.25 грн
1000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N08CZ C0G
TSM80N08CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3905 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 113.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CH C5G TSM80N1R2_B1706.pdf
TSM80N1R2CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CI C0G TSM80N1R2CI_A1604.pdf
TSM80N1R2CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A ITO220
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CL C0G TSM80N1R2CL_A1603.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CP ROG TSM80N1R2_B1706.pdf
TSM80N1R2CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N1R2CP ROG TSM80N1R2_B1706.pdf
TSM80N1R2CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N400CF C0G TSM80N400CF_B1704.pdf
TSM80N400CF C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 12A ITO220S
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CH C5G TSM80N950_B1706.pdf
TSM80N950CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO251
на замовлення 3236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CI C0G TSM80N950_B1706.pdf
TSM80N950CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+550.96 грн
10+476.38 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CP ROG TSM80N950_B1706.pdf
TSM80N950CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM80N950CP ROG TSM80N950_B1706.pdf
TSM80N950CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO252
на замовлення 10422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.58 грн
6000+9.31 грн
9000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM850N06CX RFG TSM850N06CX_C1811.pdf
TSM850N06CX RFG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 30 V
на замовлення 14377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.49 грн
11+27.54 грн
100+17.61 грн
500+12.51 грн
1000+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8568CS RLG TSM8568CS_B1611.pdf
TSM8568CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8568CS RLG TSM8568CS_B1611.pdf
TSM8568CS RLG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N/P-CH 30V 15A 8SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 10V, 24mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 15V, 1089pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 21149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.31 грн
10+57.83 грн
100+38.18 грн
500+27.91 грн
1000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM85N10CZ C0G
TSM85N10CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 100V 81A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CH C5G TSM8N50_C15.pdf
TSM8N50CH C5G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO251
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1875 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROG
TSM8N50CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N50CP ROG
TSM8N50CP ROG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1595 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N70CI C0G
TSM8N70CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 700V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2006 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CI C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM8N80CZ C0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1921 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM900N06CH X0G TSM900N06CH_A2205.pdf
TSM900N06CH X0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
на замовлення 21960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.36 грн
10+68.87 грн
100+45.89 грн
500+33.82 грн
1000+30.85 грн
3750+26.42 грн
7500+24.22 грн
11250+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420 426  [ Наступна Сторінка >> ]