Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25196) > Сторінка 4 з 420

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BZT52B2V4 RHG BZT52B2V4 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4 RHG BZT52B2V4 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1 V
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
38+8.84 грн
100+5.46 грн
500+3.73 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V3 RHG BZT52B3V3 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
6000+2.50 грн
9000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V3 RHG BZT52B3V3 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 19183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.15 грн
31+10.98 грн
100+5.36 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V6 RHG BZT52B3V6 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.99 грн
6000+2.57 грн
9000+2.41 грн
15000+2.10 грн
21000+2.00 грн
30000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9 RHG BZT52B3V9 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9 RHG BZT52B3V9 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.15 грн
54+6.19 грн
130+2.55 грн
500+2.19 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1 RHG BZT52B5V1 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.03 грн
6000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1 RHG BZT52B5V1 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 7993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.44 грн
38+8.84 грн
100+5.50 грн
500+3.77 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5 RHG BZT52B7V5 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.29 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5 RHG BZT52B7V5 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B2V4 series_F15.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
на замовлення 8857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.58 грн
38+8.92 грн
100+4.57 грн
500+3.66 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10 RHG BZT52C10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10 RHG BZT52C10 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.43 грн
55+6.11 грн
110+3.01 грн
500+2.76 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12S RRG BZT52C12S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12S RRG BZT52C12S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+10.29 грн
49+6.77 грн
103+3.21 грн
500+2.98 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15 RHG BZT52C15 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15 RHG BZT52C15 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15S RRG BZT52C15S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15S RRG BZT52C15S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.72 грн
41+8.18 грн
100+3.35 грн
500+3.08 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C27 RHG BZT52C27 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C27 RHG BZT52C27 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+16.30 грн
32+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C51S RRG BZT52C51S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S%20SERIES_I1804.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C51S RRG BZT52C51S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S%20SERIES_I1804.pdf Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
на замовлення 5607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+28.30 грн
17+20.32 грн
100+11.49 грн
500+7.14 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V1S RRG BZT52C5V1S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.04 грн
6000+1.75 грн
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V1S RRG BZT52C5V1S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 9428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+11.15 грн
50+6.69 грн
115+2.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
D2SB60 D2G D2SB60 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB05%20SERIES_K2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+66.90 грн
10+56.41 грн
100+43.27 грн
500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D2SB80 D2G D2SB80 D2G Taiwan Semiconductor Corporation D2SB05%20SERIES_K2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
на замовлення 8470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.62 грн
10+63.51 грн
100+48.68 грн
500+36.11 грн
1000+28.89 грн
2000+26.18 грн
5000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DBL106G C1G DBL106G C1G Taiwan Semiconductor Corporation DBL101G%20SERIES_Q15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS102G RDG DBLS102G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS102G RDG DBLS102G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS104G RDG DBLS104G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS104G RDG DBLS104G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS105G RDG DBLS105G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS105G RDG DBLS105G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS107G RDG DBLS107G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS107G RDG DBLS107G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS157G RDG DBLS157G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS157G RDG DBLS157G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS159G RDG DBLS159G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS159G RDG DBLS159G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS203G RDG DBLS203G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_I15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS203G RDG DBLS203G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_I15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS205G RDG DBLS205G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS205G RDG DBLS205G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_J2103.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS207G RDG DBLS207G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_I15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS207G RDG DBLS207G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_I15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS209G RDG DBLS209G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_I15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS209G RDG DBLS209G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS201G%20SERIES_I15.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1AL RVG ES1AL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1ALHRVG ES1ALHRVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B R3G ES1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B R3G ES1B R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1BL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.32 грн
10+47.65 грн
100+35.59 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CL RVG ES1CL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.38 грн
6000+16.44 грн
9000+15.80 грн
15000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CL RVG ES1CL RVG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 54342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.48 грн
10+49.06 грн
100+32.02 грн
500+23.16 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D R3G ES1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D R3G ES1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1A%20SERIES_O2112.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1DL R3G Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL%20SERIES_L2103.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.60 грн
10+46.83 грн
100+34.93 грн
500+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B2V4 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B2V4 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B2V4 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 2.4V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1 V
на замовлення 4361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
38+8.84 грн
100+5.46 грн
500+3.73 грн
1000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V3 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B3V3 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.80 грн
6000+2.50 грн
9000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V3 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B3V3 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 19183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.15 грн
31+10.98 грн
100+5.36 грн
500+4.20 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V6 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B3V6 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.99 грн
6000+2.57 грн
9000+2.41 грн
15000+2.10 грн
21000+2.00 грн
30000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B3V9 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B3V9 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B3V9 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.15 грн
54+6.19 грн
130+2.55 грн
500+2.19 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B5V1 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.03 грн
6000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B5V1 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B5V1 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 7993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.44 грн
38+8.84 грн
100+5.50 грн
500+3.77 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B7V5 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.29 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52B7V5 RHG BZT52B2V4 series_F15.pdf
BZT52B7V5 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
на замовлення 8857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.58 грн
38+8.92 грн
100+4.57 грн
500+3.66 грн
1000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C10 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C10 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C10 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.43 грн
55+6.11 грн
110+3.01 грн
500+2.76 грн
1000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C12S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C12S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C12S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+10.29 грн
49+6.77 грн
103+3.21 грн
500+2.98 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C15 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C15 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C15S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C15S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C15S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
на замовлення 1193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.72 грн
41+8.18 грн
100+3.35 грн
500+3.08 грн
1000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C27 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C27 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C27 RHG BZT52C2V4 SERIES_G1804.pdf
BZT52C27 RHG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.30 грн
32+10.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C51S RRG BZT52C2V4S%20SERIES_I1804.pdf
BZT52C51S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C51S RRG BZT52C2V4S%20SERIES_I1804.pdf
BZT52C51S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
на замовлення 5607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+28.30 грн
17+20.32 грн
100+11.49 грн
500+7.14 грн
1000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V1S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C5V1S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.04 грн
6000+1.75 грн
9000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V1S RRG BZT52C2V4S SERIES_J2212.pdf
BZT52C5V1S RRG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 9428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+11.15 грн
50+6.69 грн
115+2.87 грн
500+2.63 грн
1000+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
D2SB60 D2G D2SB05%20SERIES_K2103.pdf
D2SB60 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.90 грн
10+56.41 грн
100+43.27 грн
500+32.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
D2SB80 D2G D2SB05%20SERIES_K2103.pdf
D2SB80 D2G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
на замовлення 8470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.62 грн
10+63.51 грн
100+48.68 грн
500+36.11 грн
1000+28.89 грн
2000+26.18 грн
5000+24.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DBL106G C1G DBL101G%20SERIES_Q15.pdf
DBL106G C1G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS102G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS102G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS102G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS102G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS104G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS104G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS104G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS104G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS105G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS105G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS105G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS105G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS107G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS107G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS107G RDG DBLS101G%20SERIES_P2103.pdf
DBLS107G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS157G RDG DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf
DBLS157G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS157G RDG DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf
DBLS157G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS159G RDG DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf
DBLS159G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS159G RDG DBLS151G%20SERIES_M2103.pdf
DBLS159G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS203G RDG DBLS201G%20SERIES_I15.pdf
DBLS203G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS203G RDG DBLS201G%20SERIES_I15.pdf
DBLS203G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS205G RDG DBLS201G%20SERIES_J2103.pdf
DBLS205G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS205G RDG DBLS201G%20SERIES_J2103.pdf
DBLS205G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS207G RDG DBLS201G%20SERIES_I15.pdf
DBLS207G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS207G RDG DBLS201G%20SERIES_I15.pdf
DBLS207G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS209G RDG DBLS201G%20SERIES_I15.pdf
DBLS209G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DBLS209G RDG DBLS201G%20SERIES_I15.pdf
DBLS209G RDG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1AL RVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1AL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1ALHRVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1ALHRVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B R3G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1B R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1B R3G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1B R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1BL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1BL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1BL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.32 грн
10+47.65 грн
100+35.59 грн
500+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CL RVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.38 грн
6000+16.44 грн
9000+15.80 грн
15000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ES1CL RVG ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1CL RVG
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 54342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.48 грн
10+49.06 грн
100+32.02 грн
500+23.16 грн
1000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D R3G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D R3G ES1A%20SERIES_O2112.pdf
ES1D R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES1DL R3G ES1AL%20SERIES_L2103.pdf
ES1DL R3G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.60 грн
10+46.83 грн
100+34.93 грн
500+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 42 84 126 168 210 252 294 336 378 420  [ Наступна Сторінка >> ]