Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > Всі товари виробника TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION (25312) > Сторінка 4 з 422
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BZT52B3V3 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZT52B3V3 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V |
на замовлення 3420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52B3V6 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52B3V9 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52B3V9 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V |
на замовлення 14001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52B5V1 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52B5V1 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZT52B7V5 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52B7V5 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±2% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V |
на замовлення 8857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C10 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZT52C10 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V |
на замовлення 2434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C12S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C12S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V |
на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C15 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZT52C15 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Part Status: Active Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C15S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZT52C15S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C27 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BZT52C27 RHG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SOD-123F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms Supplier Device Package: SOD-123F Power - Max: 500 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C51S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C51S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F |
на замовлення 5607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C5V1S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323FPackaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BZT52C5V1S RRG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323FPackaging: Cut Tape (CT) Tolerance: ±5% Package / Case: SC-90, SOD-323F Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms Supplier Device Package: SOD-323F Part Status: Active Power - Max: 200 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V |
на замовлення 9428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
D2SB60 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL |
на замовлення 532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
D2SB80 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL |
на замовлення 8470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DBL106G C1G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS102G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS102G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS104G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS104G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS |
на замовлення 3331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS105G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS105G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS107G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS107G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS |
на замовлення 5298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS157G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS157G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS159G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS159G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS203G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS203G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS205G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS205G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS |
на замовлення 796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS207G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS207G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS209G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DBLS209G RDG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1AL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1ALHRVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1B R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1B R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1BL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1BL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ES1CL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 150V 1A SUB SMAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ES1CL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 150V 1A SUB SMAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V |
на замовлення 49088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ES1D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1DL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1DL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ES1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
ES1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BZT52B3V3 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52B3V3 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.3 V
Impedance (Max) (Zzt): 95 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 3420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.01 грн |
| 47+ | 6.38 грн |
| 112+ | 2.67 грн |
| 500+ | 2.44 грн |
| 1000+ | 2.38 грн |
| BZT52B3V6 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.6 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 1 V
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.69 грн |
| 6000+ | 2.31 грн |
| 9000+ | 2.17 грн |
| 15000+ | 1.88 грн |
| 21000+ | 1.79 грн |
| 30000+ | 1.71 грн |
| BZT52B3V9 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.32 грн |
| BZT52B3V9 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
Description: DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3.9 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.7 µA @ 1 V
на замовлення 14001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.01 грн |
| 54+ | 5.56 грн |
| 130+ | 2.29 грн |
| 500+ | 1.97 грн |
| 1000+ | 1.73 грн |
| BZT52B5V1 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.47 грн |
| BZT52B5V1 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52B7V5 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.06 грн |
| 6000+ | 1.73 грн |
| BZT52B7V5 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
Description: DIODE ZENER 7.5V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±2%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 900 nA @ 5 V
на замовлення 8857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.09 грн |
| 38+ | 8.01 грн |
| 100+ | 4.10 грн |
| 500+ | 3.28 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| BZT52C10 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52C10 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
Description: DIODE ZENER 10V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 10 V
Impedance (Max) (Zzt): 20 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 180 nA @ 7 V
на замовлення 2434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.47 грн |
| 55+ | 5.49 грн |
| 110+ | 2.71 грн |
| 500+ | 2.48 грн |
| 1000+ | 2.36 грн |
| BZT52C12S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.72 грн |
| BZT52C12S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
Description: DIODE ZENER 12V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Impedance (Max) (Zzt): 25 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 nA @ 8 V
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.24 грн |
| 49+ | 6.08 грн |
| 104+ | 2.87 грн |
| 500+ | 2.67 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| BZT52C15 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52C15 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
Description: DIODE ZENER 15V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Part Status: Active
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.32 грн |
| 40+ | 7.41 грн |
| 100+ | 4.57 грн |
| 500+ | 3.13 грн |
| 1000+ | 2.75 грн |
| BZT52C15S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52C15S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
Description: DIODE ZENER 15V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 15 V
Impedance (Max) (Zzt): 30 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 10.5 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.32 грн |
| 41+ | 7.34 грн |
| BZT52C27 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BZT52C27 RHG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
Description: DIODE ZENER 27V 500MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 27 V
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 nA @ 18.9 V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.63 грн |
| 32+ | 9.49 грн |
| BZT52C51S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| BZT52C51S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
Description: DIODE ZENER 51V 200MW SOD323F
на замовлення 5607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.41 грн |
| 17+ | 18.24 грн |
| 100+ | 10.31 грн |
| 500+ | 6.41 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| BZT52C5V1S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.82 грн |
| 6000+ | 1.63 грн |
| 9000+ | 1.51 грн |
| BZT52C5V1S RRG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
Description: DIODE ZENER 5.1V 200MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 5.1 V
Impedance (Max) (Zzt): 60 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.8 µA @ 2 V
на замовлення 9428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.01 грн |
| 50+ | 5.93 грн |
| 116+ | 2.57 грн |
| 500+ | 2.35 грн |
| 1000+ | 2.29 грн |
| D2SB60 D2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBL
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.06 грн |
| 10+ | 50.64 грн |
| 100+ | 38.84 грн |
| 500+ | 28.82 грн |
| D2SB80 D2G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
на замовлення 8470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.99 грн |
| 10+ | 57.02 грн |
| 100+ | 43.70 грн |
| 500+ | 32.42 грн |
| 1000+ | 25.93 грн |
| 2000+ | 23.50 грн |
| 5000+ | 21.74 грн |
| DBL106G C1G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBL
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS102G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS102G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 1A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS104G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS104G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 1A DBLS
на замовлення 3331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS105G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS105G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DBLS
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS107G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS107G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DBLS
на замовлення 5298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS157G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS157G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS159G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS159G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1P 1.4KV 1.5A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS203G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS203G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS205G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS205G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A DBLS
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS207G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS207G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A DBLS
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DBLS209G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DBLS209G RDG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1.4KV 2A DBLS
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1AL RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1ALHRVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
Description: DIODE STANDARD 50V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1B R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1B R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1BL R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1BL R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.36 грн |
| 10+ | 42.78 грн |
| 100+ | 31.95 грн |
| 500+ | 23.56 грн |
| ES1CL RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 150V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Description: DIODE STANDARD 150V 1A SUB SMA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.96 грн |
| 6000+ | 14.16 грн |
| 9000+ | 13.55 грн |
| 15000+ | 12.07 грн |
| 21000+ | 11.78 грн |
| ES1CL RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 150V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
Description: DIODE STANDARD 150V 1A SUB SMA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 10pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: Sub SMA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
на замовлення 49088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.68 грн |
| 10+ | 39.07 грн |
| 100+ | 25.49 грн |
| 500+ | 18.44 грн |
| 1000+ | 16.67 грн |
| ES1D R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1D R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ES1DL R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1DL R3G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.82 грн |
| 10+ | 42.04 грн |
| 100+ | 31.36 грн |
| 500+ | 23.12 грн |
| ES1DL RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| ES1DL RVG |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.19 грн |
| 12+ | 26.25 грн |
| 100+ | 16.36 грн |
| 500+ | 10.50 грн |
| 1000+ | 8.08 грн |





