Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (269657) > Сторінка 3512 з 4495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3507 3508 3509 3510 3511 3512 3513 3514 3515 3516 3517 3592 4041 4490 4495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR158DP-T1-RE3 SIR158DP-T1-RE3 VISHAY sir158dp.pdf Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 SIR167DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3 VISHAY 2687542.pdf Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY 2687524.pdf Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 SISA18BDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001798660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY sira18bdp.pdf Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 17W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY plzseries.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TAP TZX5V1B-TAP VISHAY VISH-S-A0023658947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3208 VS-1N3208 VISHAY vs-1n3208series.pdf Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNS471A6 CNS471A6 VISHAY VISH-S-A0018701643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: ± 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: ± 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
isCanonical: Y
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Widerstand, R2: -
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/57T RS3G-E3/57T VISHAY VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
593D105X9025A2TE3 593D105X9025A2TE3 VISHAY 593d.pdf Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DQ-T1-E3 DG408DQ-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0020654125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP CRCW080527R0FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APH03L-N3 VS-60APH03L-N3 VISHAY VISH-S-A0008532333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RO116SF1D502 RO116SF1D502 VISHAY VISH-S-A0001109830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TNPU0805100RBZEN00 TNPU0805100RBZEN00 VISHAY VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL103B-GS08 LL103B-GS08 VISHAY VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY 3646755.pdf Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY 3646755.pdf Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY 2687527.pdf Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC246804475 BFC246804475 VISHAY VISH-S-A0016863917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233810334 BFC233810334 VISHAY VISH-S-A0025511197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F339X143348KII2B0 F339X143348KII2B0 VISHAY VISH-S-A0025448500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED CRCW020113K0FNED VISHAY crcw0201e3.pdf Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 13kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED. CRCW020113K0FNED. VISHAY 2238160.pdf Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 BZT52C4V7-E3-08 VISHAY VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 6896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 BZT52C4V7-E3-08 VISHAY VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
489D106X0016C1VE3 489D106X0016C1VE3 VISHAY Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
489D475X0035D6VE3 489D475X0035D6VE3 VISHAY Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 13mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
489D105X0035B1VE3 489D105X0035B1VE3 VISHAY VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
790D335X9016A2BE3 790D335X9016A2BE3 VISHAY VISH-S-A0014425663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 790D335X9016A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 3.3 µF, 16 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.3mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.54mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 4.7mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 3.3µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
298D227X0004P2T VISHAY VISH-S-A0021451355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - 298D227X0004P2T - KONDENSATOR, 220µF, 4V, 20%, SMD
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.25mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1005 [Metrisch 2512]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3ohm
Produktlänge: 2.45mm
euEccn: NLR
Kapazität: 220µF
Spannung (DC): 4V
Rippelstrom: 122mA
Produktpalette: MICROTAN 298D Series
Hersteller-Größencode: P
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 sir158dp.pdf
SIR158DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 VISH-S-A0011029482-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR167DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.8W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3 2687542.pdf
SISS67DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 2687524.pdf
SIRA10BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 VISH-S-A0001798660-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 4205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 sira18bdp.pdf
SIRA18BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 17W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 tf-sisha04dn-t1-ge3.pdf
SISHA04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TAP VISH-S-A0023658947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TZX5V1B-TAP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3208 vs-1n3208series.pdf
VS-1N3208
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CNS471A6 VISH-S-A0018701643-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CNS471A6
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: ± 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: ± 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
isCanonical: Y
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Widerstand, R2: -
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/57T VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS3G-E3/57T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
593D105X9025A2TE3 593d.pdf
593D105X9025A2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DQ-T1-E3 VISH-S-A0020654125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DG408DQ-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW080527R0FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APH03L-N3 VISH-S-A0008532333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VS-60APH03L-N3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RO116SF1D502 VISH-S-A0001109830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RO116SF1D502
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TNPU0805100RBZEN00 VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TNPU0805100RBZEN00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
LL103B-GS08 VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LL103B-GS08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 3646755.pdf
SIR584DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 3646755.pdf
SIR584DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR120DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR120DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 VISH-S-A0019629322-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 2400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 13965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 2687527.pdf
SIRA62DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 5000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 11075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFC246804475 VISH-S-A0016863917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC246804475
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC246804475 - Universeller Folienkondensator, Metallisiertes PET, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 4.7 µF, ± 10%, 63 V
tariffCode: 85322900
Produkthöhe: 19.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 19.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PET
Spannung (AC): 63V
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 100V
Produktpalette: MKT468 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
Produktbreite: 26mm
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BFC233810334 VISH-S-A0025511197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFC233810334
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BFC233810334 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 20%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 27.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: MKP338 1 Series
Nennspannung X: 440VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung A)
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
F339X143348KII2B0 VISH-S-A0025448500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F339X143348KII2B0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - F339X143348KII2B0 - Sicherheitskondensator, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 0.33 µF, ± 10%, X1
tariffCode: 85322500
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
euEccn: NLR
dv/dt: 100V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 22.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 0.33µF
Produktpalette: F339X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 110°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Testbedingung B)
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED crcw0201e3.pdf
CRCW020113K0FNED
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 50mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 13kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6mm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.3mm
на замовлення 6550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW020113K0FNED. 2238160.pdf
CRCW020113K0FNED.
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW020113K0FNED. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, Dickschicht, 13 kohm, ± 1%, 50 mW, 0201 [Metrisch 0603]
tariffCode: 85332100
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0201 [Metrisch 0603]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
Qualifikation: -
Nennleistung: 50
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 13
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 200ppm/K
Produktlänge: 0.6
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 30
Betriebstemperatur, max.: 155
Produktbreite: 0.3
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52C4V7-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 6896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C4V7-E3-08 VISH-S-A0024180998-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZT52C4V7-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - BZT52C4V7-E3-08 - Zener-Diode, 4.7 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
489D106X0016C1VE3
489D106X0016C1VE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D106X0016C1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 10 µF, 16 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 8mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
489D475X0035D6VE3
489D475X0035D6VE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D475X0035D6VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 4.7 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 13mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 4.7µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
489D105X0035B1VE3 VISH-S-A0011038576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
489D105X0035B1VE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 489D105X0035B1VE3 - Tantalkondensator, Harzbeschichtung, 1 µF, 35 V, ± 20%, Radial bedrahtet, 2.5 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: -
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 35V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 489D Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: -
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
790D335X9016A2BE3 VISH-S-A0014425663-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
790D335X9016A2BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 790D335X9016A2BE3 - Tantalkondensator, Harz-Formteil, 3.3 µF, 16 V, ± 10%, Radial bedrahtet, 2.54 mm
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 7.3mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
Anschlussabstand: 2.54mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 4.7mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Kapazität: 3.3µF
Spannung (DC): 16V
Rippelstrom: -
Produktpalette: 790D Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktdurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Radial bedrahtet
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
298D227X0004P2T VISH-S-A0021451355-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 298D227X0004P2T - KONDENSATOR, 220µF, 4V, 20%, SMD
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.25mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1005 [Metrisch 2512]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 3ohm
Produktlänge: 2.45mm
euEccn: NLR
Kapazität: 220µF
Spannung (DC): 4V
Rippelstrom: 122mA
Produktpalette: MICROTAN 298D Series
Hersteller-Größencode: P
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 449 898 1347 1796 2245 2694 3143 3507 3508 3509 3510 3511 3512 3513 3514 3515 3516 3517 3592 4041 4490 4495  [ Наступна Сторінка >> ]