Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1255) > Сторінка 11 з 21

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON WMF10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.17 грн
12+37.34 грн
14+31.19 грн
25+27.51 грн
40+24.35 грн
100+24.27 грн
110+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C4 WMF10N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 19A
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C2 WMF10N65C2 WAYON WMF10N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C4 WMF10N65C4 WAYON WMF10N65C4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: SJMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N70C2 WMF10N70C2 WAYON WMF10N70C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF17N25JN WMF17N25JN WAYON WMx17N25JN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF18N20JN WMF18N20JN WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG04N70C2 WMG04N70C2 WAYON WMx04N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N60C2 WMG07N60C2 WAYON WMO07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N65C2 WMG07N65C2 WAYON WMx07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: WMOS™ C2
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N70C2 WMG07N70C2 WAYON WMx07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG09N60C2 WMG09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG09N65C2 WMG09N65C2 WAYON WMx09N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N60C2 WAYON WMx04N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N70C2 WAYON WMx04N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N60C2 WAYON WMO07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N65C2 WAYON WMx07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: WMOS™ C2
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N70C2 WAYON WMx07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH09N65C2 WAYON WMx09N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH7N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.36 грн
4+134.16 грн
10+100.83 грн
30+90.58 грн
120+83.74 грн
300+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ020N10HGS WMJ020N10HGS WAYON WMJ020N10HGS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+238.34 грн
3+209.35 грн
6+169.19 грн
16+159.79 грн
90+155.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGS WMJ028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+127.91 грн
5+94.85 грн
10+70.92 грн
19+52.12 грн
52+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1 WMJ11N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+531.89 грн
3+457.15 грн
10+436.65 грн
30+392.21 грн
120+374.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1 WMJ12N120D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+297.23 грн
3+220.46 грн
10+164.92 грн
30+149.54 грн
120+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N20JN WAYON WMx130N20JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3 WMJ15N80M3 WAYON WMx15N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+457.35 грн
3+339.23 грн
6+187.99 грн
15+177.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ180N20JN WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+121.47 грн
5+89.72 грн
10+67.51 грн
20+50.42 грн
54+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD WMJ26N65FD WAYON WMx26N65FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 85A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+310.12 грн
3+229.86 грн
8+127.32 грн
21+120.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+391.10 грн
3+289.67 грн
6+161.50 грн
17+152.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 27.3nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+533.73 грн
3+396.49 грн
5+220.46 грн
13+208.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+481.28 грн
3+358.03 грн
5+205.08 грн
14+193.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ C2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD WMJ38N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ FD
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1 WMJ3N120D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Gate charge: 22.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.43 грн
6+81.18 грн
10+61.52 грн
30+54.69 грн
120+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.08 грн
4+128.17 грн
10+95.70 грн
30+86.30 грн
120+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Technology: WMOS™ D1
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+416.86 грн
3+309.33 грн
6+171.75 грн
16+162.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1 WMJ4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+172.08 грн
4+128.17 грн
10+95.70 грн
30+86.30 грн
120+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+620.23 грн
3+460.57 грн
4+255.49 грн
11+240.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+320.24 грн
3+275.15 грн
4+262.33 грн
11+247.80 грн
30+238.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WMJ53N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+631.27 грн
3+468.26 грн
10+351.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65FD WMJ53N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Power dissipation: 378W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 240A
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ C4
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+832.80 грн
3+619.51 грн
10+465.70 грн
30+418.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Technology: WMOS™ EM
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1608.55 грн
3+1203.13 грн
10+892.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C2 WMF10N60C2.pdf
WMF10N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+44.17 грн
12+37.34 грн
14+31.19 грн
25+27.51 грн
40+24.35 грн
100+24.27 грн
110+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C4
WMF10N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 19A
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C2 WMF10N65C2.pdf
WMF10N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C4 WMF10N65C4.pdf
WMF10N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Technology: SJMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N70C2 WMF10N70C2.pdf
WMF10N70C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF17N25JN WMx17N25JN.pdf
WMF17N25JN
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF18N20JN
WMF18N20JN
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG04N70C2 WMx04N70C2.pdf
WMG04N70C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N60C2 WMO07N60C2.pdf
WMG07N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N65C2 WMx07N65C2.pdf
WMG07N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: WMOS™ C2
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N70C2 WMx07N70C2.pdf
WMG07N70C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG09N60C2 WMx09N60C2.pdf
WMG09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG09N65C2 WMx09N65C2.pdf
WMG09N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N60C2 WMx04N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N70C2 WMx04N70C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N60C2 WMO07N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N65C2 WMx07N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Technology: WMOS™ C2
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N70C2 WMx07N70C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH09N60C2 WMx09N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH09N65C2 WMx09N65C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH7N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Technology: WMOS™ D1
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.36 грн
4+134.16 грн
10+100.83 грн
30+90.58 грн
120+83.74 грн
300+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ020N10HGS WMJ020N10HGS.pdf
WMJ020N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.34 грн
3+209.35 грн
6+169.19 грн
16+159.79 грн
90+155.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGS
WMJ028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+127.91 грн
5+94.85 грн
10+70.92 грн
19+52.12 грн
52+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1
WMJ11N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+531.89 грн
3+457.15 грн
10+436.65 грн
30+392.21 грн
120+374.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1
WMJ12N120D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.23 грн
3+220.46 грн
10+164.92 грн
30+149.54 грн
120+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N20JN WMx130N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3 WMx15N80M3.pdf
WMJ15N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+457.35 грн
3+339.23 грн
6+187.99 грн
15+177.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ180N20JN
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+121.47 грн
5+89.72 грн
10+67.51 грн
20+50.42 грн
54+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD WMx26N65FD.pdf
WMJ26N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 85A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+310.12 грн
3+229.86 грн
8+127.32 грн
21+120.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.10 грн
3+289.67 грн
6+161.50 грн
17+152.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 27.3nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+533.73 грн
3+396.49 грн
5+220.46 грн
13+208.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+481.28 грн
3+358.03 грн
5+205.08 грн
14+193.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ C2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD
WMJ38N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ FD
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1
WMJ3N120D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Gate charge: 22.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+110.43 грн
6+81.18 грн
10+61.52 грн
30+54.69 грн
120+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.08 грн
4+128.17 грн
10+95.70 грн
30+86.30 грн
120+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Technology: WMOS™ D1
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.86 грн
3+309.33 грн
6+171.75 грн
16+162.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+172.08 грн
4+128.17 грн
10+95.70 грн
30+86.30 грн
120+80.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+620.23 грн
3+460.57 грн
4+255.49 грн
11+240.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+320.24 грн
3+275.15 грн
4+262.33 грн
11+247.80 грн
30+238.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+631.27 грн
3+468.26 грн
10+351.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65FD
WMJ53N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Power dissipation: 378W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 240A
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ C4
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+832.80 грн
3+619.51 грн
10+465.70 грн
30+418.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Technology: WMOS™ EM
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1608.55 грн
3+1203.13 грн
10+892.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.