Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1445) > Сторінка 11 з 25

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ53N65C4 WMJ53N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+734.42 грн
3+567.16 грн
10+409.37 грн
30+368.04 грн
120+341.47 грн
300+325.73 грн
900+292.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WMJ53N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+596.12 грн
3+442.01 грн
10+332.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WMJ53N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+715.34 грн
3+550.81 грн
10+398.55 грн
30+358.20 грн
120+331.63 грн
300+316.87 грн
900+284.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH WAYON WMJ69N30DMH-CYG THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+506.57 грн
4+334.58 грн
10+316.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+780.70 грн
3+581.42 грн
10+436.27 грн
30+391.99 грн
120+363.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+936.83 грн
3+724.54 грн
10+523.53 грн
30+470.39 грн
120+435.94 грн
300+415.28 грн
900+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1508.40 грн
3+1127.58 грн
10+836.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1810.08 грн
3+1405.14 грн
10+1003.75 грн
30+907.31 грн
120+840.40 грн
300+803.00 грн
900+766.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1041.22 грн
3+768.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1249.47 грн
3+957.54 грн
10+692.79 грн
30+623.90 грн
120+577.65 грн
300+551.08 грн
900+527.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+987.35 грн
3+736.41 грн
10+551.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1184.82 грн
3+917.68 грн
10+662.28 грн
30+596.35 грн
120+552.06 грн
300+526.48 грн
900+473.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+744.49 грн
3+552.72 грн
10+414.95 грн
30+373.13 грн
120+345.24 грн
300+329.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+893.38 грн
3+688.77 грн
10+497.94 грн
30+447.75 грн
120+414.29 грн
300+395.60 грн
900+386.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350S WAYON WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+512.93 грн
6+223.38 грн
15+210.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1420.09 грн
2+586.51 грн
6+554.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1117.17 грн
3+824.98 грн
10+620.78 грн
30+559.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1340.61 грн
3+1028.05 грн
10+744.94 грн
30+671.14 грн
120+620.95 грн
300+592.41 грн
900+559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1260.24 грн
3+934.87 грн
10+700.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1512.29 грн
3+1164.99 грн
10+840.40 грн
30+757.73 грн
120+700.66 грн
300+669.17 грн
900+601.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1327.36 грн
3+984.89 грн
10+737.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1592.83 грн
3+1227.32 грн
10+884.68 грн
30+795.13 грн
120+737.07 грн
300+703.61 грн
900+632.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.14 грн
3+479.73 грн
10+458.41 грн
30+411.67 грн
120+396.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+669.77 грн
3+597.82 грн
10+550.10 грн
30+494.00 грн
120+476.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1409.49 грн
3+1047.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1691.39 грн
3+1304.99 грн
10+942.74 грн
30+853.19 грн
120+785.29 грн
300+747.89 грн
900+711.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1557.86 грн
3+1159.56 грн
10+866.80 грн
30+779.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1869.43 грн
3+1444.99 грн
10+1040.16 грн
30+934.87 грн
120+867.95 грн
300+830.55 грн
900+785.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1 WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.32 грн
3+508.44 грн
10+381.33 грн
30+342.78 грн
120+317.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1 WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+822.38 грн
3+633.59 грн
10+457.59 грн
30+411.34 грн
120+380.84 грн
300+364.11 грн
900+346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.26 грн
3+263.24 грн
10+196.81 грн
25+177.13 грн
125+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+423.91 грн
3+328.04 грн
10+236.18 грн
25+212.56 грн
125+196.81 грн
300+195.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4 WMK020N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 1032A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS WAYON WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.89 грн
13+90.53 грн
36+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD WAYON WMK028N08HGD-CYG THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
17+69.87 грн
47+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.56 грн
10+90.21 грн
50+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.87 грн
10+112.41 грн
50+95.45 грн
250+85.61 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.70 грн
10+54.70 грн
50+48.47 грн
250+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.24 грн
10+68.16 грн
50+58.16 грн
250+52.16 грн
1000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4 WMK030N06LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS WAYON WMK036N12HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
14+87.58 грн
37+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS WMK043N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.47 грн
10+57.24 грн
50+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS WMK043N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.36 грн
10+71.33 грн
50+60.52 грн
250+54.32 грн
1000+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10LGS WMK043N10LGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4 WAYON WMK048NV6HG4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.97 грн
31+38.18 грн
85+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6LG4 WAYON WMK048NV6LG4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.28 грн
31+38.28 грн
84+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N09HGS WAYON WMK053N09HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+75.56 грн
37+31.79 грн
102+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS WMK053N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.05 грн
10+42.64 грн
50+35.67 грн
250+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS WMK053N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+72.06 грн
10+53.14 грн
50+42.81 грн
250+38.38 грн
1000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053NV8HGS WAYON WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.83 грн
30+39.07 грн
83+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WAYON WMK05N80M3-CYG THT N channel transistors
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.85 грн
28+42.81 грн
76+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2 WAYON WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+90.61 грн
25+47.24 грн
69+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N10LGS WAYON WMK060N10LGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.97 грн
22+55.30 грн
59+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDA21010A44E0C4&compId=WMx06N80M3.pdf?ci_sign=ec8e8d7d3709bd363b5b8ab33fb3f9a55c0975cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+66.24 грн
8+51.66 грн
10+41.33 грн
50+31.16 грн
100+27.72 грн
250+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDA21010A44E0C4&compId=WMx06N80M3.pdf?ci_sign=ec8e8d7d3709bd363b5b8ab33fb3f9a55c0975cf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.48 грн
5+64.38 грн
10+49.60 грн
50+37.39 грн
100+33.26 грн
250+31.29 грн
500+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2 WAYON WMK071N15HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+276.60 грн
7+180.08 грн
18+170.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK072N12HG2 WAYON WMK072N12HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.23 грн
14+83.65 грн
39+78.73 грн
2000+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK072N12LG2 WAYON WMK072N12LG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
13+92.50 грн
35+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N60C2 WMK07N60C2 WAYON WMK07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.42 грн
3+567.16 грн
10+409.37 грн
30+368.04 грн
120+341.47 грн
300+325.73 грн
900+292.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.12 грн
3+442.01 грн
10+332.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.34 грн
3+550.81 грн
10+398.55 грн
30+358.20 грн
120+331.63 грн
300+316.87 грн
900+284.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
WMJ69N30DMH-CYG THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.57 грн
4+334.58 грн
10+316.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.70 грн
3+581.42 грн
10+436.27 грн
30+391.99 грн
120+363.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8EEF1F39AF1E80C4&compId=WMJ80N60C4.pdf?ci_sign=7ead3b04bb3dfa6f94eae41389d42abca306e18c
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+936.83 грн
3+724.54 грн
10+523.53 грн
30+470.39 грн
120+435.94 грн
300+415.28 грн
900+373.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1508.40 грн
3+1127.58 грн
10+836.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1810.08 грн
3+1405.14 грн
10+1003.75 грн
30+907.31 грн
120+840.40 грн
300+803.00 грн
900+766.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1041.22 грн
3+768.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1249.47 грн
3+957.54 грн
10+692.79 грн
30+623.90 грн
120+577.65 грн
300+551.08 грн
900+527.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+987.35 грн
3+736.41 грн
10+551.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1184.82 грн
3+917.68 грн
10+662.28 грн
30+596.35 грн
120+552.06 грн
300+526.48 грн
900+473.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.49 грн
3+552.72 грн
10+414.95 грн
30+373.13 грн
120+345.24 грн
300+329.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+893.38 грн
3+688.77 грн
10+497.94 грн
30+447.75 грн
120+414.29 грн
300+395.60 грн
900+386.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350S
Виробник: WAYON
WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+512.93 грн
6+223.38 грн
15+210.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1420.09 грн
2+586.51 грн
6+554.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1117.17 грн
3+824.98 грн
10+620.78 грн
30+559.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 295A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ F2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1340.61 грн
3+1028.05 грн
10+744.94 грн
30+671.14 грн
120+620.95 грн
300+592.41 грн
900+559.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1260.24 грн
3+934.87 грн
10+700.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1512.29 грн
3+1164.99 грн
10+840.40 грн
30+757.73 грн
120+700.66 грн
300+669.17 грн
900+601.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1327.36 грн
3+984.89 грн
10+737.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1592.83 грн
3+1227.32 грн
10+884.68 грн
30+795.13 грн
120+737.07 грн
300+703.61 грн
900+632.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.14 грн
3+479.73 грн
10+458.41 грн
30+411.67 грн
120+396.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.77 грн
3+597.82 грн
10+550.10 грн
30+494.00 грн
120+476.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1409.49 грн
3+1047.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1691.39 грн
3+1304.99 грн
10+942.74 грн
30+853.19 грн
120+785.29 грн
300+747.89 грн
900+711.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1557.86 грн
3+1159.56 грн
10+866.80 грн
30+779.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1869.43 грн
3+1444.99 грн
10+1040.16 грн
30+934.87 грн
120+867.95 грн
300+830.55 грн
900+785.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.32 грн
3+508.44 грн
10+381.33 грн
30+342.78 грн
120+317.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+822.38 грн
3+633.59 грн
10+457.59 грн
30+411.34 грн
120+380.84 грн
300+364.11 грн
900+346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.26 грн
3+263.24 грн
10+196.81 грн
25+177.13 грн
125+164.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.91 грн
3+328.04 грн
10+236.18 грн
25+212.56 грн
125+196.81 грн
300+195.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4
WMK020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 1032A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.89 грн
13+90.53 грн
36+85.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD
Виробник: WAYON
WMK028N08HGD-CYG THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
17+69.87 грн
47+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.56 грн
10+90.21 грн
50+79.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+112.41 грн
50+95.45 грн
250+85.61 грн
1000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.70 грн
10+54.70 грн
50+48.47 грн
250+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.24 грн
10+68.16 грн
50+58.16 грн
250+52.16 грн
1000+50.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4
WMK030N06LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS
Виробник: WAYON
WMK036N12HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
14+87.58 грн
37+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS
WMK043N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.47 грн
10+57.24 грн
50+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS
WMK043N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.36 грн
10+71.33 грн
50+60.52 грн
250+54.32 грн
1000+52.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10LGS
WMK043N10LGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4
Виробник: WAYON
WMK048NV6HG4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.97 грн
31+38.18 грн
85+36.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6LG4
Виробник: WAYON
WMK048NV6LG4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.28 грн
31+38.28 грн
84+36.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N09HGS
Виробник: WAYON
WMK053N09HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.56 грн
37+31.79 грн
102+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS
WMK053N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.05 грн
10+42.64 грн
50+35.67 грн
250+31.98 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS
WMK053N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 540 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.06 грн
10+53.14 грн
50+42.81 грн
250+38.38 грн
1000+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053NV8HGS
Виробник: WAYON
WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.83 грн
30+39.07 грн
83+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3
Виробник: WAYON
WMK05N80M3-CYG THT N channel transistors
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.85 грн
28+42.81 грн
76+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2
Виробник: WAYON
WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.61 грн
25+47.24 грн
69+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N10LGS
Виробник: WAYON
WMK060N10LGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.97 грн
22+55.30 грн
59+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDA21010A44E0C4&compId=WMx06N80M3.pdf?ci_sign=ec8e8d7d3709bd363b5b8ab33fb3f9a55c0975cf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+66.24 грн
8+51.66 грн
10+41.33 грн
50+31.16 грн
100+27.72 грн
250+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DDA21010A44E0C4&compId=WMx06N80M3.pdf?ci_sign=ec8e8d7d3709bd363b5b8ab33fb3f9a55c0975cf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.48 грн
5+64.38 грн
10+49.60 грн
50+37.39 грн
100+33.26 грн
250+31.29 грн
500+29.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2
Виробник: WAYON
WMK071N15HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.60 грн
7+180.08 грн
18+170.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK072N12HG2
Виробник: WAYON
WMK072N12HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.23 грн
14+83.65 грн
39+78.73 грн
2000+78.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK072N12LG2
Виробник: WAYON
WMK072N12LG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
13+92.50 грн
35+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N60C2 WMK07N60C2.pdf
WMK07N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]