Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1204) > Сторінка 11 з 21

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+174.58 грн
4+129.86 грн
10+97.60 грн
30+87.67 грн
120+81.06 грн
300+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ020N10HGS WMJ020N10HGS WAYON WMJ020N10HGS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+249.40 грн
3+219.18 грн
6+162.94 грн
16+153.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+123.81 грн
5+91.81 грн
10+68.65 грн
19+50.45 грн
52+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1 WMJ11N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+514.84 грн
3+442.50 грн
10+422.65 грн
30+379.64 грн
120+362.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1 WMJ12N120D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.71 грн
3+213.39 грн
10+159.63 грн
30+144.74 грн
120+133.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N20JN WAYON WMx130N20JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3 WMJ15N80M3 WAYON WMx15N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: WMOS™ M3
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+443.58 грн
3+328.36 грн
6+182.79 грн
15+172.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ180N20JN WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+117.58 грн
5+86.85 грн
10+65.34 грн
20+48.80 грн
54+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD WMJ26N65FD WAYON WMx26N65FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON WMx28N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+300.18 грн
3+222.49 грн
8+123.24 грн
22+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+378.56 грн
3+281.22 грн
7+157.15 грн
17+148.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 27.3nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+517.51 грн
3+384.60 грн
5+212.57 грн
13+200.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+465.85 грн
3+346.56 грн
5+197.68 грн
14+186.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ C2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD WMJ38N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ FD
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1 WMJ3N120D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Gate charge: 22.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.89 грн
6+78.58 грн
10+59.55 грн
30+52.93 грн
120+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.57 грн
4+124.07 грн
10+92.64 грн
30+83.54 грн
120+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.33 грн
3+277.08 грн
10+207.60 грн
30+186.93 грн
120+172.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1 WMJ4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+166.57 грн
4+124.07 грн
10+92.64 грн
30+83.54 грн
120+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+600.35 грн
3+445.81 грн
4+247.30 грн
11+233.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+309.08 грн
3+265.50 грн
4+255.58 грн
10+253.09 грн
11+241.52 грн
30+232.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WMJ53N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+611.04 грн
3+453.25 грн
10+339.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65FD WMJ53N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Power dissipation: 378W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 240A
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ C4
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+806.11 грн
3+599.65 грн
10+450.77 грн
30+405.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Technology: WMOS™ EM
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1557.00 грн
3+1164.57 грн
10+863.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1074.22 грн
3+793.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1010.09 грн
3+753.49 грн
10+564.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+769.59 грн
3+571.53 грн
10+429.27 грн
30+386.26 грн
120+357.31 грн
300+340.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 255mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ85N20JN WAYON WMx85N20JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4 WMJ90N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1059.97 грн
3+788.23 грн
10+593.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WMJ90N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1127.66 грн
3+832.90 грн
10+626.12 грн
30+564.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Gate charge: 142nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1303.14 грн
3+966.89 грн
10+723.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1370.83 грн
3+1017.34 грн
10+761.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 183nC
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+600.35 грн
3+516.94 грн
10+492.96 грн
30+443.33 грн
120+419.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Gate charge: 39.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ98N25JN WAYON WMx98N25JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 72A; Idm: 360A; 290W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 290W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.6mΩ
Reverse recovery time: 198ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1575.70 грн
3+1172.84 грн
10+876.73 грн
30+788.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1 WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 85.2nC
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+703.68 грн
3+522.73 грн
10+392.05 грн
30+352.35 грн
120+325.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+360.75 грн
3+267.98 грн
10+200.99 грн
25+180.31 грн
125+167.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4 WMK020N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1032A
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS WMK023N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 329W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.00 грн
10+92.64 грн
50+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD WMK028N08HGD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 167A; Idm: 668A; 166.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 668A
Power dissipation: 166.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.38 грн
10+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HG2 WMK028N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 245A; Idm: 780A; 278W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 245A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.25 грн
10+106.70 грн
12+78.58 грн
33+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.59 грн
10+60.05 грн
20+48.47 грн
54+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4 WMK030N06LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS WMK036N12HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 752A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+101.54 грн
10+88.50 грн
50+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK040N08HGS WMK040N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A; 227.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 227.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 720A
Gate charge: 78.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+174.58 грн
4+129.86 грн
10+97.60 грн
30+87.67 грн
120+81.06 грн
300+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ020N10HGS WMJ020N10HGS.pdf
WMJ020N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 288A; Idm: 1152A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 288A
Pulsed drain current: 1152A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 250nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.40 грн
3+219.18 грн
6+162.94 грн
16+153.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
Technology: WMOS™ D1
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+123.81 грн
5+91.81 грн
10+68.65 грн
19+50.45 грн
52+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ11N150D1
WMJ11N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 11A; Idm: 44A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+514.84 грн
3+442.50 грн
10+422.65 грн
30+379.64 грн
120+362.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ12N120D1
WMJ12N120D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 48A; 278W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 278W
Gate charge: 94nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 12A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.25Ω
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.71 грн
3+213.39 грн
10+159.63 грн
30+144.74 грн
120+133.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ130N20JN WMx130N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO247-3
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 188nC
Reverse recovery time: 196ns
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3 WMx15N80M3.pdf
WMJ15N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: WMOS™ M3
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+443.58 грн
3+328.36 грн
6+182.79 грн
15+172.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ180N20JN
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 72A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+117.58 грн
5+86.85 грн
10+65.34 грн
20+48.80 грн
54+46.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD WMx26N65FD.pdf
WMJ26N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMx28N60C4.pdf
WMJ28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 286 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.18 грн
3+222.49 грн
8+123.24 грн
22+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 65A
Polarisation: unipolar
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+378.56 грн
3+281.22 грн
7+157.15 грн
17+148.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Gate charge: 27.3nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ30N65EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 16A; Idm: 100A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 100A
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+517.51 грн
3+384.60 грн
5+212.57 грн
13+200.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ F2
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.85 грн
3+346.56 грн
5+197.68 грн
14+186.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ C2
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD
WMJ38N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 277W
Technology: WMOS™ FD
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1
WMJ3N120D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 12A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 156.2W
Gate charge: 22.2nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ D1
Drain current: 3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 6.3Ω
на замовлення 252 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.89 грн
6+78.58 грн
10+59.55 грн
30+52.93 грн
120+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 40nC
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.57 грн
4+124.07 грн
10+92.64 грн
30+83.54 грн
120+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+372.33 грн
3+277.08 грн
10+207.60 грн
30+186.93 грн
120+172.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 41nC
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+166.57 грн
4+124.07 грн
10+92.64 грн
30+83.54 грн
120+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+600.35 грн
3+445.81 грн
4+247.30 грн
11+233.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Gate charge: 58nC
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.08 грн
3+265.50 грн
4+255.58 грн
10+253.09 грн
11+241.52 грн
30+232.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.04 грн
3+453.25 грн
10+339.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65FD
WMJ53N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Power dissipation: 378W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Pulsed drain current: 240A
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ C4
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+806.11 грн
3+599.65 грн
10+450.77 грн
30+405.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Technology: WMOS™ EM
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1557.00 грн
3+1164.57 грн
10+863.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 245A
Technology: WMOS™ F2
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1074.22 грн
3+793.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1010.09 грн
3+753.49 грн
10+564.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+769.59 грн
3+571.53 грн
10+429.27 грн
30+386.26 грн
120+357.31 грн
300+340.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 78A
Power dissipation: 227W
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 13A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 255mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ85N20JN WMx85N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 21nC
Reverse recovery time: 160ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1059.97 грн
3+788.23 грн
10+593.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1127.66 грн
3+832.90 грн
10+626.12 грн
30+564.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 295A
Gate charge: 142nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1303.14 грн
3+966.89 грн
10+723.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1370.83 грн
3+1017.34 грн
10+761.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 183nC
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+600.35 грн
3+516.94 грн
10+492.96 грн
30+443.33 грн
120+419.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 310W
Gate charge: 39.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: WMOS™ S
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 900V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.26Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ98N25JN WMx98N25JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 72A; Idm: 360A; 290W; TO247-3
Case: TO247-3
Mounting: THT
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 290W
Gate charge: 96nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 72A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
On-state resistance: 10.6mΩ
Reverse recovery time: 198ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1575.70 грн
3+1172.84 грн
10+876.73 грн
30+788.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 9A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 36A
Gate charge: 85.2nC
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+703.68 грн
3+522.73 грн
10+392.05 грн
30+352.35 грн
120+325.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+360.75 грн
3+267.98 грн
10+200.99 грн
25+180.31 грн
125+167.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4
WMK020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1032A
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 329W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+106.00 грн
10+92.64 грн
50+81.88 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD
WMK028N08HGD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 167A; Idm: 668A; 166.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 668A
Power dissipation: 166.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.38 грн
10+68.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HG2
WMK028N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 245A; Idm: 780A; 278W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 245A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 278W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 134nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+120.25 грн
10+106.70 грн
12+78.58 грн
33+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.59 грн
10+60.05 грн
20+48.47 грн
54+45.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4
WMK030N06LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS
WMK036N12HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 752A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+101.54 грн
10+88.50 грн
50+77.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMK040N08HGS
WMK040N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A; 227.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 227.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 720A
Gate charge: 78.5nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.