Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (947) > Сторінка 9 з 16

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.97 грн
4+122.21 грн
10+92.08 грн
30+82.03 грн
120+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+372.30 грн
3+276.23 грн
10+206.75 грн
30+186.67 грн
120+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1 WMJ4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.97 грн
4+122.21 грн
10+92.08 грн
30+82.03 грн
120+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+558.00 грн
3+414.35 грн
10+310.55 грн
30+279.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+287.56 грн
3+246.93 грн
10+243.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+794.18 грн
3+590.97 грн
10+443.64 грн
30+398.44 грн
120+369.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1533.37 грн
3+1146.78 грн
10+850.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1058.31 грн
3+780.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+764.43 грн
3+568.37 грн
10+426.07 грн
30+383.38 грн
120+354.92 грн
300+339.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Technology: WMOS™ S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 255mΩ
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 227W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+591.35 грн
3+508.93 грн
10+485.50 грн
30+436.11 грн
120+412.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90R260S WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Technology: WMOS™ S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39.5nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 310W
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1416.18 грн
3+1052.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1564.02 грн
3+1164.36 грн
10+870.55 грн
30+782.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1 WMJ9N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85.2nC
Drain current: 9A
On-state resistance: 2.9Ω
Pulsed drain current: 36A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+695.92 грн
3+516.47 грн
10+386.72 грн
30+348.22 грн
120+322.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+359.68 грн
3+267.02 грн
10+200.06 грн
25+179.97 грн
125+166.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4 WMK020N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 1032A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS WMK023N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 329W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+103.67 грн
10+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD WMK028N08HGD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 167A; Idm: 668A; 166.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 668A
Power dissipation: 166.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.43 грн
10+68.64 грн
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS WMK028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.77 грн
10+92.08 грн
50+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.10 грн
10+55.16 грн
50+48.97 грн
250+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4 WMK030N06LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS WMK036N12HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 752A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK037N10HGS WMK037N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 680A; 215.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 215.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS WMK043N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.90 грн
10+57.26 грн
50+50.47 грн
250+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10LGS WMK043N10LGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4 WMK048NV6HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 65V
Power dissipation: 104.2W
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+225.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS WMK053N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.40 грн
10+43.19 грн
50+36.16 грн
250+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2 WMK060N08HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; Idm: 278A; 86.2W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 278A
Power dissipation: 86.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.51 грн
10+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2 WMK071N15HG2 WAYON WMK071N15HG2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 135A; Idm: 540A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 135A
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.33 грн
10+182.48 грн
50+160.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N60C2 WMK07N60C2 WAYON WMK07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N65C2 WMK07N65C2 WAYON WMK07N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.52 грн
7+60.27 грн
10+47.55 грн
25+35.66 грн
100+31.98 грн
250+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N80M3 WMK07N80M3 WAYON WMx07N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK080N10LG2 WMK080N10LG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41A; Idm: 328A; 108.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 108.7W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.89 грн
11+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMK08N80M3 WMK08N80M3 WAYON WMx08N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.93 грн
7+64.20 грн
10+50.89 грн
50+38.34 грн
100+34.65 грн
250+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.33 грн
7+61.36 грн
10+48.80 грн
25+37.00 грн
100+33.15 грн
250+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK100N07TS WMK100N07TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 133W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 133W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.81 грн
10+43.95 грн
50+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N70C2 WMK10N70C2 WAYON WMx10N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 920mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N80M3 WMK10N80M3 WAYON WMx10N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.85 грн
4+122.21 грн
10+97.94 грн
25+73.66 грн
100+66.13 грн
250+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK110N20HG2 WMK110N20HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 125A; Idm: 500A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+367.79 грн
10+323.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK120N04TS WMK120N04TS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+56.79 грн
13+34.49 грн
50+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK130N20JN WAYON WMx130N20JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 196ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK13N50D1 WMK13N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+76.62 грн
7+60.02 грн
10+47.80 грн
50+35.91 грн
100+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N60C2 WMK14N60C2 WAYON WMx14N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.35 грн
4+118.03 грн
10+93.75 грн
50+71.15 грн
100+63.62 грн
250+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N65C4 WAYON WMx14N65C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N70C2 WMK14N70C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+84.54 грн
50+63.62 грн
100+56.92 грн
250+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N80M3 WMK15N80M3 WAYON WMx15N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK161N15T2 WMK161N15T2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 161A
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 365W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+197.42 грн
10+172.44 грн
50+152.35 грн
100+138.12 грн
250+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N10T1 WMK16N10T1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.8A; Idm: 63.2A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N60C2 WMK16N60C2 WAYON WMx16N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N60FD WMK16N60FD WAYON WMx16N60FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N65C2 WMK16N65C2 WAYON WMx16N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+161.36 грн
4+124.72 грн
10+99.61 грн
50+75.34 грн
100+66.97 грн
250+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N65FD WMK16N65FD WAYON WMx16N65FD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK175N10HG4 WMK175N10HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 184A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
12+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK175N10LG4 WMK175N10LG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 184A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.90 грн
13+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK17N25JN WAYON WMx17N25JN.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 6.5A; Idm: 33A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40nC
Drain current: 3A
On-state resistance: 5.7Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.97 грн
4+122.21 грн
10+92.08 грн
30+82.03 грн
120+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 290 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+372.30 грн
3+276.23 грн
10+206.75 грн
30+186.67 грн
120+172.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.97 грн
4+122.21 грн
10+92.08 грн
30+82.03 грн
120+76.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.00 грн
3+414.35 грн
10+310.55 грн
30+279.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.56 грн
3+246.93 грн
10+243.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+794.18 грн
3+590.97 грн
10+443.64 грн
30+398.44 грн
120+369.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1533.37 грн
3+1146.78 грн
10+850.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1058.31 грн
3+780.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+764.43 грн
3+568.37 грн
10+426.07 грн
30+383.38 грн
120+354.92 грн
300+339.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 13A; Idm: 78A; 227W
Mounting: THT
Technology: WMOS™ S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 255mΩ
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 227W
Pulsed drain current: 78A
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+591.35 грн
3+508.93 грн
10+485.50 грн
30+436.11 грн
120+412.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90R260S
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 900V; 10A; Idm: 50A; 310W
Mounting: THT
Technology: WMOS™ S
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 39.5nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 10A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 310W
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1416.18 грн
3+1052.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1564.02 грн
3+1164.36 грн
10+870.55 грн
30+782.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 9A; Idm: 36A; 320W
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 85.2nC
Drain current: 9A
On-state resistance: 2.9Ω
Pulsed drain current: 36A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 320W
Drain-source voltage: 1.5kV
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.92 грн
3+516.47 грн
10+386.72 грн
30+348.22 грн
120+322.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+359.68 грн
3+267.02 грн
10+200.06 грн
25+179.97 грн
125+166.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK020N06HG4
WMK020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 258A; Idm: 1032A; 227W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 1032A
Power dissipation: 227W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 270A; Idm: 1080A; 329W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 270A
Pulsed drain current: 1.08kA
Power dissipation: 329W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+103.67 грн
10+91.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N08HGD
WMK028N08HGD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 167A; Idm: 668A; 166.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 167A
Pulsed drain current: 668A
Power dissipation: 166.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.43 грн
10+68.64 грн
50+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 257A; Idm: 1028A; 379W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 257A
Pulsed drain current: 1028A
Power dissipation: 379W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 134nC
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+102.77 грн
10+92.08 грн
50+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 258 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.10 грн
10+55.16 грн
50+48.97 грн
250+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06LG4
WMK030N06LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 185A; Idm: 740A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 185A
Pulsed drain current: 740A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS
WMK036N12HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 188A; Idm: 752A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 188A
Pulsed drain current: 752A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK037N10HGS
WMK037N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 680A; 215.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 680A
Power dissipation: 215.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS
WMK043N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 562 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.90 грн
10+57.26 грн
50+50.47 грн
250+45.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10LGS
WMK043N10LGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 145A; Idm: 580A; 208W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 145A
Pulsed drain current: 580A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4
WMK048NV6HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 110A; Idm: 440A; 104.2W
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28.5nC
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 110A
Drain-source voltage: 65V
Power dissipation: 104.2W
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS
WMK053N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 123A; Idm: 480A; 197.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 197.4W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.40 грн
10+43.19 грн
50+36.16 грн
250+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2
WMK060N08HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; Idm: 278A; 86.2W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 278A
Power dissipation: 86.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.51 грн
10+50.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2 WMK071N15HG2.pdf
WMK071N15HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 135A; Idm: 540A; 255W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 135A
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 255W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.33 грн
10+182.48 грн
50+160.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N60C2 WMK07N60C2.pdf
WMK07N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N65C2 WMK07N65C2.pdf
WMK07N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.52 грн
7+60.27 грн
10+47.55 грн
25+35.66 грн
100+31.98 грн
250+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK07N80M3 WMx07N80M3.pdf
WMK07N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 55W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 55W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ M3
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK080N10LG2
WMK080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 41A; Idm: 328A; 108.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 108.7W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.89 грн
11+41.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMK08N80M3 WMx08N80M3.pdf
WMK08N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 7A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.93 грн
7+64.20 грн
10+50.89 грн
50+38.34 грн
100+34.65 грн
250+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK09N60C2 WMK09N60C2.pdf
WMK09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.33 грн
7+61.36 грн
10+48.80 грн
25+37.00 грн
100+33.15 грн
250+30.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK100N07TS
WMK100N07TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 133W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 133W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.81 грн
10+43.95 грн
50+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N70C2 WMx10N70C2.pdf
WMK10N70C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 7.5A; 57W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 57W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 920mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK10N80M3 WMx10N80M3.pdf
WMK10N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.03Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.85 грн
4+122.21 грн
10+97.94 грн
25+73.66 грн
100+66.13 грн
250+61.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK110N20HG2
WMK110N20HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 125A; Idm: 500A; 347.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 347.2W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+367.79 грн
10+323.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK120N04TS
WMK120N04TS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.79 грн
13+34.49 грн
50+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK130N20JN WMx130N20JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 117A; Idm: 620A; 416W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 416W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 196ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK13N50D1
WMK13N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+76.62 грн
7+60.02 грн
10+47.80 грн
50+35.91 грн
100+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N60C2 WMx14N60C2.pdf
WMK14N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.35 грн
4+118.03 грн
10+93.75 грн
50+71.15 грн
100+63.62 грн
250+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N65C4 WMx14N65C4.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
Pulsed drain current: 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK14N70C2
WMK14N70C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 11A; 85W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 418 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.31 грн
10+84.54 грн
50+63.62 грн
100+56.92 грн
250+53.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK15N80M3 WMx15N80M3.pdf
WMK15N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK161N15T2
WMK161N15T2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 161A; Idm: 540A; 365W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 161A
Pulsed drain current: 540A
Power dissipation: 365W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+197.42 грн
10+172.44 грн
50+152.35 грн
100+138.12 грн
250+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N10T1
WMK16N10T1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15.8A; Idm: 63.2A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15.8A
Pulsed drain current: 63.2A
Power dissipation: 44.6W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N60C2 WMx16N60C2.pdf
WMK16N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N60FD WMx16N60FD.pdf
WMK16N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N65C2 WMx16N65C2.pdf
WMK16N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.36 грн
4+124.72 грн
10+99.61 грн
50+75.34 грн
100+66.97 грн
250+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK16N65FD WMx16N65FD.pdf
WMK16N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 13A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMK175N10HG4
WMK175N10HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 17mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 184A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
12+36.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK175N10LG4
WMK175N10LG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 184A; 73W; TO220-3
Mounting: THT
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.7nC
On-state resistance: 17.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 46A
Power dissipation: 73W
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 184A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.90 грн
13+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK17N25JN WMx17N25JN.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 6.5A; Idm: 33A; 36W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 36W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 98ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]