| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WMB034N06LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 79A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 89.2W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 73.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB03DN06T1 | WAYON | WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 28W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB040N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 38A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 28W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB040N08HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 130A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 122.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB040N08HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 130A Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 122.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 78.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB042DN03LG2 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 45/50A Power dissipation: 26/27.1W Case: PDFN5060D-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5/4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB042DN03LG2 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 45/50A Power dissipation: 26/27.1W Case: PDFN5060D-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5/4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8/15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: asymmetric кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10HGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 98.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10LGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 111.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB043N10LGS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 131.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 111.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB048NV6HG4 | WAYON | WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB048NV6LG4 | WAYON | WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB049N12HG2 | WAYON | WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB050N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 31.25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB050N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 65A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 31.25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB060N08LG2 | WAYON | WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 87 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB060N10HGS | WAYON | WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB060N10LGS | WAYON | WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB072N12HG2 | WAYON | WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 54 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB072N12LG2-S | WAYON | WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 30.4W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 30.4W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10HG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 80.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10HG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 47A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 80.6W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46.8A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 84W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB080N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 46.8A Pulsed drain current: 296A Power dissipation: 84W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB090DN04LG2 | WAYON | WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB090DNV6LG4 | WAYON | WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB090N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 32.9W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB090N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 32.9W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB090NV6LG4 | WAYON | WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB093N15HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W Case: PDFN5060-8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 37.2nC On-state resistance: 9.3mΩ Drain current: 95A Pulsed drain current: 380A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 178.5W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| WMB098N03LG2 | WAYON | WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB099N10HGS | WAYON | WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB099N10LG2 | WAYON | WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB099N10LGS | WAYON | WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMB100N04TS | WAYON | WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB100N07TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 70V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 125W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 92nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMB100P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Pulsed drain current: -400A Power dissipation: 73.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB100P03TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Pulsed drain current: -400A Power dissipation: 73.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 134nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB108N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 108A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 69W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB108N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 108A Pulsed drain current: 432A Power dissipation: 69W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB115N15HG4 | WAYON | WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB119N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 21nC On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 75W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 148A |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB119N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 21nC On-state resistance: 13mΩ Power dissipation: 75W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Pulsed drain current: 148A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB119N12HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 23.7nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 96.1W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 65A Drain-source voltage: 120V Pulsed drain current: 260A |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB119N12HG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 23.7nC On-state resistance: 12mΩ Power dissipation: 96.1W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 65A Drain-source voltage: 120V Pulsed drain current: 260A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB119N12LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 30nC On-state resistance: 11.9mΩ Power dissipation: 96.1W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 65A Drain-source voltage: 120V Pulsed drain current: 260A |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB119N12LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PDFN5060-8 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 30nC On-state resistance: 11.9mΩ Power dissipation: 96.1W Gate-source voltage: ±20V Drain current: 65A Drain-source voltage: 120V Pulsed drain current: 260A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB128N10T2 | WAYON | WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMB129N10T2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 129A Pulsed drain current: 402A Power dissipation: 127.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB129N10T2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 129A Pulsed drain current: 402A Power dissipation: 127.5W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 91nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB13N65EM | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ EM Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 31W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WMB140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 32A Pulsed drain current: 128A Power dissipation: 25W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB140NV6LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 27W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMB140NV6LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 34A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 27W Case: PDFN5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMB14N60C4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C4 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Case: PDFN5060-8 On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| WMB034N06LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.97 грн |
| 10+ | 63.79 грн |
| 25+ | 54.47 грн |
| 100+ | 50.51 грн |
| 500+ | 48.87 грн |
| 3000+ | 47.13 грн |
| WMB03DN06T1 |
Виробник: WAYON
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
WMB03DN06T1-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.93 грн |
| 75+ | 15.26 грн |
| 206+ | 14.39 грн |
| WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.80 грн |
| 22+ | 18.83 грн |
| 25+ | 16.90 грн |
| 100+ | 14.97 грн |
| WMB040N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.56 грн |
| 13+ | 23.47 грн |
| 25+ | 20.28 грн |
| 100+ | 17.96 грн |
| 500+ | 16.71 грн |
| 3000+ | 15.74 грн |
| WMB040N08HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 76.28 грн |
| 10+ | 66.80 грн |
| 25+ | 59.56 грн |
| WMB040N08HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 122.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.53 грн |
| 10+ | 83.25 грн |
| 25+ | 71.47 грн |
| 100+ | 65.68 грн |
| 500+ | 63.74 грн |
| 3000+ | 61.81 грн |
| WMB042DN03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.74 грн |
| 10+ | 49.74 грн |
| 25+ | 47.00 грн |
| WMB042DN03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 45/50A; 26/27.1W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 45/50A
Power dissipation: 26/27.1W
Case: PDFN5060D-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5/4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8/15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: asymmetric
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.09 грн |
| 10+ | 61.98 грн |
| 25+ | 56.40 грн |
| 100+ | 49.93 грн |
| 500+ | 46.36 грн |
| 3000+ | 43.27 грн |
| WMB043N10HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 67.61 грн |
| 10+ | 59.72 грн |
| 25+ | 52.96 грн |
| WMB043N10HGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.13 грн |
| 10+ | 74.42 грн |
| 25+ | 63.55 грн |
| 100+ | 58.92 грн |
| 500+ | 56.98 грн |
| 3000+ | 55.05 грн |
| WMB043N10LGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 67.61 грн |
| 10+ | 59.72 грн |
| 25+ | 52.96 грн |
| 100+ | 49.10 грн |
| WMB043N10LGS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.13 грн |
| 10+ | 74.42 грн |
| 25+ | 63.55 грн |
| 100+ | 58.92 грн |
| 500+ | 56.98 грн |
| 3000+ | 55.05 грн |
| WMB048NV6HG4 |
Виробник: WAYON
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB048NV6HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.06 грн |
| 37+ | 31.00 грн |
| 102+ | 29.26 грн |
| WMB048NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB048NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.10 грн |
| 40+ | 28.49 грн |
| 110+ | 26.95 грн |
| WMB049N12HG2 |
Виробник: WAYON
WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB049N12HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 159.14 грн |
| 11+ | 103.34 грн |
| 31+ | 97.55 грн |
| WMB050N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.80 грн |
| 26+ | 15.86 грн |
| 31+ | 13.12 грн |
| 100+ | 11.51 грн |
| WMB050N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.56 грн |
| 16+ | 19.76 грн |
| 25+ | 15.74 грн |
| 100+ | 13.81 грн |
| 500+ | 12.85 грн |
| 3000+ | 11.98 грн |
| WMB060N08LG2 |
Виробник: WAYON
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.55 грн |
| 26+ | 44.62 грн |
| 71+ | 42.21 грн |
| WMB060N10HGS |
Виробник: WAYON
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB060N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.79 грн |
| 23+ | 51.67 грн |
| 61+ | 48.87 грн |
| WMB060N10LGS |
Виробник: WAYON
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMB060N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.51 грн |
| 22+ | 52.15 грн |
| 61+ | 49.35 грн |
| WMB072N12HG2 |
Виробник: WAYON
WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors
WMB072N12HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 119.61 грн |
| 15+ | 77.27 грн |
| 41+ | 73.40 грн |
| WMB072N12LG2-S |
Виробник: WAYON
WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors
WMB072N12LG2-S-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.85 грн |
| 18+ | 64.71 грн |
| 49+ | 60.85 грн |
| WMB080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.80 грн |
| 28+ | 14.89 грн |
| 33+ | 12.39 грн |
| 100+ | 11.75 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| WMB080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.56 грн |
| 17+ | 18.55 грн |
| 25+ | 14.87 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| 500+ | 12.46 грн |
| 3000+ | 11.20 грн |
| 6000+ | 10.91 грн |
| WMB080N10HG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.01 грн |
| 10+ | 43.14 грн |
| 25+ | 40.73 грн |
| WMB080N10HG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.01 грн |
| 10+ | 53.76 грн |
| 25+ | 48.87 грн |
| 100+ | 43.08 грн |
| 500+ | 40.18 грн |
| 3000+ | 37.76 грн |
| WMB080N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.14 грн |
| 13+ | 32.44 грн |
| 25+ | 29.14 грн |
| WMB080N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.37 грн |
| 10+ | 40.42 грн |
| 25+ | 34.96 грн |
| 100+ | 31.00 грн |
| 500+ | 28.68 грн |
| 3000+ | 26.85 грн |
| WMB090DN04LG2 |
Виробник: WAYON
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
WMB090DN04LG2-CYG Multi channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.84 грн |
| 58+ | 19.80 грн |
| 159+ | 18.64 грн |
| WMB090DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
WMB090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.95 грн |
| 34+ | 34.29 грн |
| 92+ | 32.36 грн |
| WMB090N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 41.60 грн |
| 21+ | 19.64 грн |
| 25+ | 16.26 грн |
| 100+ | 14.33 грн |
| WMB090N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 32.9W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.93 грн |
| 13+ | 24.47 грн |
| 25+ | 19.51 грн |
| 100+ | 17.19 грн |
| 500+ | 15.84 грн |
| 3000+ | 14.87 грн |
| WMB090NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMB090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.25 грн |
| 69+ | 16.71 грн |
| 188+ | 15.84 грн |
| WMB093N15HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 178.5W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 178.5W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB098N03LG2 |
Виробник: WAYON
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.56 грн |
| 104+ | 10.91 грн |
| 286+ | 10.33 грн |
| WMB099N10HGS |
Виробник: WAYON
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
WMB099N10HGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.90 грн |
| 39+ | 29.55 грн |
| 106+ | 27.91 грн |
| WMB099N10LG2 |
Виробник: WAYON
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
WMB099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.33 грн |
| 29+ | 40.47 грн |
| 78+ | 38.25 грн |
| WMB099N10LGS |
Виробник: WAYON
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMB099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.90 грн |
| 39+ | 29.55 грн |
| 106+ | 27.91 грн |
| WMB100N04TS |
Виробник: WAYON
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
WMB100N04TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.26 грн |
| 50+ | 22.99 грн |
| 137+ | 21.73 грн |
| WMB100N07TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 100A; Idm: 400A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 70V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB100P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 86.68 грн |
| WMB100P03TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; Idm: -400A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Pulsed drain current: -400A
Power dissipation: 73.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 134nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.85 грн |
| 10+ | 43.03 грн |
| 25+ | 37.28 грн |
| 100+ | 33.03 грн |
| 500+ | 30.62 грн |
| 3000+ | 28.59 грн |
| WMB108N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.67 грн |
| 22+ | 19.08 грн |
| 25+ | 17.06 грн |
| 100+ | 15.13 грн |
| WMB108N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.60 грн |
| 13+ | 23.77 грн |
| 25+ | 20.48 грн |
| 100+ | 18.16 грн |
| 500+ | 16.81 грн |
| 3000+ | 15.84 грн |
| WMB115N15HG4 |
Виробник: WAYON
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
WMB115N15HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.93 грн |
| 18+ | 66.64 грн |
| 48+ | 62.78 грн |
| WMB119N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 52.01 грн |
| 13+ | 31.55 грн |
| 25+ | 28.41 грн |
| 100+ | 25.11 грн |
| WMB119N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Power dissipation: 75W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 148A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.41 грн |
| 10+ | 39.32 грн |
| 25+ | 34.09 грн |
| 100+ | 30.13 грн |
| 500+ | 27.91 грн |
| 3000+ | 26.17 грн |
| WMB119N12HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.01 грн |
| 10+ | 41.53 грн |
| 25+ | 39.20 грн |
| 100+ | 34.77 грн |
| WMB119N12HG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.01 грн |
| 10+ | 51.75 грн |
| 25+ | 47.04 грн |
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 38.63 грн |
| 3000+ | 36.12 грн |
| WMB119N12LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 65.01 грн |
| 10+ | 41.53 грн |
| 25+ | 39.20 грн |
| 100+ | 34.77 грн |
| WMB119N12LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 65A; Idm: 260A; 96.1W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
On-state resistance: 11.9mΩ
Power dissipation: 96.1W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 65A
Drain-source voltage: 120V
Pulsed drain current: 260A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 78.01 грн |
| 10+ | 51.75 грн |
| 25+ | 47.04 грн |
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 38.63 грн |
| 3000+ | 36.12 грн |
| WMB128N10T2 |
Виробник: WAYON
WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors
WMB128N10T2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 110.25 грн |
| 16+ | 71.47 грн |
| 44+ | 67.61 грн |
| WMB129N10T2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 66.74 грн |
| 10+ | 58.51 грн |
| 25+ | 51.91 грн |
| WMB129N10T2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.09 грн |
| 10+ | 72.92 грн |
| 25+ | 62.30 грн |
| 100+ | 57.76 грн |
| 500+ | 55.82 грн |
| 3000+ | 53.99 грн |
| WMB13N65EM |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMB140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.27 грн |
| 15+ | 27.77 грн |
| 25+ | 24.95 грн |
| 100+ | 22.05 грн |
| 500+ | 20.44 грн |
| WMB140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.33 грн |
| 10+ | 34.60 грн |
| 25+ | 29.94 грн |
| 100+ | 26.46 грн |
| 500+ | 24.53 грн |
| 3000+ | 23.18 грн |
| WMB140NV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 41.60 грн |
| 21+ | 19.80 грн |
| 25+ | 16.18 грн |
| 100+ | 14.41 грн |
| 500+ | 13.28 грн |
| WMB140NV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.93 грн |
| 13+ | 24.67 грн |
| 25+ | 19.41 грн |
| 100+ | 17.29 грн |
| 500+ | 15.94 грн |
| 3000+ | 15.26 грн |
| WMB14N60C4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.


