Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1022) > Сторінка 9 з 18

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMB80N06TS WMB80N06TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 95W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+60.92 грн
12+34.02 грн
25+30.73 грн
36+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N60C2 WMF04N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD87CE00F67C0C4&compId=WMF04N60C2.pdf?ci_sign=98162057cea0c9e0a8887b110df732dec6bd223c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N65C2 WMF04N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.99 грн
17+23.16 грн
20+19.49 грн
25+17.12 грн
58+15.52 грн
160+14.68 грн
500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N70C2 WMF04N70C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD888679EA1A0C4&compId=WMF04N70C2.pdf?ci_sign=72e7f34bea9246372f3312f9b422b7696b018cfe Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF05N65MM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 5W
Gate charge: 5.3nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 8.8A
Drain current: 3.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF05N70MM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 700V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF06N80M3 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF06N90C2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF07N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF07N65C4 WMF07N65C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBFF47E7EBF8140D5&compId=WMF07N65C4.pdf?ci_sign=6e0d51a0b0fb47c8afeca1a7187b64ad5be71e6a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+38.22 грн
12+32.26 грн
25+28.29 грн
40+23.01 грн
108+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMF07N70C2 WMF07N70C2 WAYON WMF07N70C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+34.58 грн
13+29.59 грн
16+24.31 грн
25+21.79 грн
49+18.50 грн
134+17.43 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMF08N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF08N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF09N60C2 WMF09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD89BD8ADBAA0C4&compId=WMF09N60C2.pdf?ci_sign=1b626106b7d0ec7b9f82db25f0883cf7db8cafd5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8A8BCEF6920C4&compId=WMF10N60C2.pdf?ci_sign=1eecff99283ecee9eb5dc742284ed246b2e32a6e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+38.69 грн
12+32.87 грн
14+27.52 грн
25+24.31 грн
40+22.48 грн
110+21.25 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C2 WMF10N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8ACB16C61A0C4&compId=WMF10N65C2.pdf?ci_sign=0f3e72560d9b3c2d1eeb84a53c412550a82ca723 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBFF47868E18E20D5&compId=WMF10N65C4.pdf?ci_sign=f085d6596d641bcb61a7e31ad34b01713d8accce Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N60C2 WMG07N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8424D8A3F60C4&compId=WMO07N60C2.pdf?ci_sign=e655245c5f75cfee74cfeb3d6895fb3178cd8e59 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N65C2 WMG07N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8DDDE141D80C4&compId=WMx07N65C2.pdf?ci_sign=12fb0e6fbf32e6c1e4a842214d0eefc693fd8b91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N70C2 WMG07N70C2 WAYON WMx07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG09N60C2 WMG09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N60C2 WAYON WMx04N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N65C2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N70C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8C3437C9FE0C4&compId=WMx04N70C2.pdf?ci_sign=9a5ca69f43daafa66c363b03d22784e32e3dc88c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N60C2 WAYON WMO07N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8DDDE141D80C4&compId=WMx07N65C2.pdf?ci_sign=12fb0e6fbf32e6c1e4a842214d0eefc693fd8b91 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N70C2 WAYON WMx07N70C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH09N60C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH7N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1 WMI30N60D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.49 грн
10+98.62 грн
13+70.33 грн
36+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ023N08HGS WMJ023N08HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 280A; Idm: 1120A; 320.5W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 280A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1120A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGS WMJ028N10HGS WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.61 грн
8+112.38 грн
22+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1 WMJ10N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+116.91 грн
5+86.39 грн
10+64.98 грн
20+47.40 грн
53+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3 WMJ15N80M3 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD92A98CDB9C0C4&compId=WMx15N80M3.pdf?ci_sign=d5ab24a300fc96ab8c59964563494928e6c74256 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.17 грн
3+314.20 грн
6+174.30 грн
15+165.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B WMJ18N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.45 грн
10+57.34 грн
22+42.05 грн
59+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B WMJ25N50D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+110.32 грн
5+81.80 грн
10+61.16 грн
21+44.34 грн
56+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3 WMJ25N80M3 WAYON WMx25N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+404.24 грн
3+299.68 грн
5+181.95 грн
14+172.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD WMJ26N65FD WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD95C76B3D6C0C4&compId=WMx26N65FD.pdf?ci_sign=0701854ad1ff916f82eddd8d840516d4ff9f951e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 WMJ28N60C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DC7AB76899DE0DE&compId=WMx28N60C4.pdf?ci_sign=447ad9e5b437857b1ef7d82bf35dfcac05d3243a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.21 грн
3+210.23 грн
8+113.14 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2 WMJ28N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+357.31 грн
3+265.28 грн
7+149.84 грн
17+141.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8B8D0180CC9E00D5&compId=WMx36N60C4.pdf?ci_sign=2ee99726ae86f346a07fc5c79dd34c3026451d81 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+488.21 грн
3+362.37 грн
5+194.94 грн
13+184.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+441.29 грн
3+327.97 грн
5+188.06 грн
14+178.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD WMJ38N60FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB26D3FAE73C0C4&compId=WMx38N65C2.pdf?ci_sign=e673a9db466554b7f807d4621d8ef54817bd5ed8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD WMJ38N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+167.13 грн
4+123.85 грн
10+93.27 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1 WMJ4N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.25 грн
4+126.91 грн
10+95.56 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WMJ53N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.45 грн
3+358.55 грн
5+221.70 грн
12+209.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WMJ53N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+289.80 грн
3+249.99 грн
4+243.11 грн
10+238.52 грн
11+230.11 грн
30+220.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65FD WMJ53N65FD WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Power dissipation: 378W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1269.52 грн
2+530.56 грн
3+529.79 грн
5+500.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH WMJ69N30DMH WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+358.96 грн
3+316.50 грн
4+254.57 грн
10+240.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMB80N06TS
WMB80N06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 95W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 95W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+60.92 грн
12+34.02 грн
25+30.73 грн
36+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD87CE00F67C0C4&compId=WMF04N60C2.pdf?ci_sign=98162057cea0c9e0a8887b110df732dec6bd223c
WMF04N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD882DC214500C4&compId=WMF04N65C2.pdf?ci_sign=33031bc257c11798fcd11d3425426dbd4f6d0370
WMF04N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
17+23.16 грн
20+19.49 грн
25+17.12 грн
58+15.52 грн
160+14.68 грн
500+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMF04N70C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD888679EA1A0C4&compId=WMF04N70C2.pdf?ci_sign=72e7f34bea9246372f3312f9b422b7696b018cfe
WMF04N70C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF05N65MM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 650V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 5W
Gate charge: 5.3nC
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 8.8A
Drain current: 3.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF05N70MM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ MM; unipolar; 700V; 3.2A; Idm: 8.8A; 5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ MM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.3nC
Pulsed drain current: 8.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF06N80M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF06N90C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 900V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Case: SOT223
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF07N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 2.8A; Idm: 9A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 42W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF07N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBFF47E7EBF8140D5&compId=WMF07N65C4.pdf?ci_sign=6e0d51a0b0fb47c8afeca1a7187b64ad5be71e6a
WMF07N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SJMOS™ C4
на замовлення 2312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.22 грн
12+32.26 грн
25+28.29 грн
40+23.01 грн
108+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMF07N70C2 WMF07N70C2.pdf
WMF07N70C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 5W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+34.58 грн
13+29.59 грн
16+24.31 грн
25+21.79 грн
49+18.50 грн
134+17.43 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WMF08N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF08N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 3.6A; Idm: 12A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 45W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD89BD8ADBAA0C4&compId=WMF09N60C2.pdf?ci_sign=1b626106b7d0ec7b9f82db25f0883cf7db8cafd5
WMF09N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 980mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8A8BCEF6920C4&compId=WMF10N60C2.pdf?ci_sign=1eecff99283ecee9eb5dc742284ed246b2e32a6e
WMF10N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+38.69 грн
12+32.87 грн
14+27.52 грн
25+24.31 грн
40+22.48 грн
110+21.25 грн
500+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 57W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8ACB16C61A0C4&compId=WMF10N65C2.pdf?ci_sign=0f3e72560d9b3c2d1eeb84a53c412550a82ca723
WMF10N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMF10N65C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDBFF47868E18E20D5&compId=WMF10N65C4.pdf?ci_sign=f085d6596d641bcb61a7e31ad34b01713d8accce
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8424D8A3F60C4&compId=WMO07N60C2.pdf?ci_sign=e655245c5f75cfee74cfeb3d6895fb3178cd8e59
WMG07N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8DDDE141D80C4&compId=WMx07N65C2.pdf?ci_sign=12fb0e6fbf32e6c1e4a842214d0eefc693fd8b91
WMG07N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG07N70C2 WMx07N70C2.pdf
WMG07N70C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMG09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
WMG09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N60C2 WMx04N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH04N70C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8C3437C9FE0C4&compId=WMx04N70C2.pdf?ci_sign=9a5ca69f43daafa66c363b03d22784e32e3dc88c
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 2.6A; 29W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 29W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N60C2 WMO07N60C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD8DDDE141D80C4&compId=WMx07N65C2.pdf?ci_sign=12fb0e6fbf32e6c1e4a842214d0eefc693fd8b91
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 5A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH07N70C2 WMx07N70C2.pdf
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 4A; 42W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH09N60C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD90D8CA62340C4&compId=WMx09N60C2.pdf?ci_sign=c2500c98390796df7676a15ee5870e63b821da12
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO251S2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO251S2
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH4N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251S3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMH7N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 7A; Idm: 28A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 150W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.35Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMI30N60D1
WMI30N60D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.49 грн
10+98.62 грн
13+70.33 грн
36+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ023N08HGS
WMJ023N08HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 280A; Idm: 1120A; 320.5W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 280A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1120A
Mounting: THT
Case: TO247-3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ028N10HGS
WMJ028N10HGS
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 228A; Idm: 912A; 320.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 228A
Pulsed drain current: 912A
Power dissipation: 320.5W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.61 грн
8+112.38 грн
22+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ10N80D1
WMJ10N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 10A; Idm: 40A; 215W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 215W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 910mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Pulsed drain current: 40A
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+116.91 грн
5+86.39 грн
10+64.98 грн
20+47.40 грн
53+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ15N80M3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD92A98CDB9C0C4&compId=WMx15N80M3.pdf?ci_sign=d5ab24a300fc96ab8c59964563494928e6c74256
WMJ15N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 15A; 150W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 15A
Power dissipation: 150W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.17 грн
3+314.20 грн
6+174.30 грн
15+165.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ18N50D1B
WMJ18N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.45 грн
10+57.34 грн
22+42.05 грн
59+39.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ20N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 278W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 278W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N50D1B
WMJ25N50D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.32 грн
5+81.80 грн
10+61.16 грн
21+44.34 грн
56+42.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ25N80M3 WMx25N80M3.pdf
WMJ25N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.24 грн
3+299.68 грн
5+181.95 грн
14+172.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65FD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8DD95C76B3D6C0C4&compId=WMx26N65FD.pdf?ci_sign=0701854ad1ff916f82eddd8d840516d4ff9f951e
WMJ26N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ26N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 12A; Idm: 50A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 147W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 198mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N50C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 500V; 16A; Idm: 85A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 85A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD08DC7AB76899DE0DE&compId=WMx28N60C4.pdf?ci_sign=447ad9e5b437857b1ef7d82bf35dfcac05d3243a
WMJ28N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.21 грн
3+210.23 грн
8+113.14 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N60F2
WMJ28N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+357.31 грн
3+265.28 грн
7+149.84 грн
17+141.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ28N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 65A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 65A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE8B8D0180CC9E00D5&compId=WMx36N60C4.pdf?ci_sign=2ee99726ae86f346a07fc5c79dd34c3026451d81
WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.21 грн
3+362.37 грн
5+194.94 грн
13+184.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.29 грн
3+327.97 грн
5+188.06 грн
14+178.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N60FD
WMJ38N60FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB26D3FAE73C0C4&compId=WMx38N65C2.pdf?ci_sign=e673a9db466554b7f807d4621d8ef54817bd5ed8
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65FD
WMJ38N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.13 грн
4+123.85 грн
10+93.27 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 4A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.25 грн
4+126.91 грн
10+95.56 грн
13+71.10 грн
35+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+482.45 грн
3+358.55 грн
5+221.70 грн
12+209.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 350W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.80 грн
3+249.99 грн
4+243.11 грн
10+238.52 грн
11+230.11 грн
30+220.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65FD
WMJ53N65FD
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Power dissipation: 378W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1269.52 грн
2+530.56 грн
3+529.79 грн
5+500.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ69N30DMH
WMJ69N30DMH
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 65A; Idm: 260A; 568W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 383nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+358.96 грн
3+316.50 грн
4+254.57 грн
10+240.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]