Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1254) > Сторінка 9 з 21

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WM02DN48A WM02DN48A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.45 грн
45+9.57 грн
75+5.74 грн
100+5.16 грн
500+4.55 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.77 грн
55+7.86 грн
131+3.28 грн
145+2.96 грн
500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON WM02DN560Q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Gate charge: 27.8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: DFN3030-8
On-state resistance: 5.4mΩ
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.89 грн
13+32.90 грн
25+29.57 грн
41+23.93 грн
112+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.37 грн
44+9.74 грн
74+5.81 грн
100+5.21 грн
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A WAYON WM02DN70A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.57 грн
33+13.16 грн
41+10.42 грн
100+9.91 грн
500+8.72 грн
2000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON WM02DN70M3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.97 грн
38+11.36 грн
63+6.87 грн
100+6.12 грн
500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T WAYON WM02DP06T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: -2.64A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.85 грн
53+8.20 грн
87+4.92 грн
100+4.42 грн
500+3.90 грн
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.69 грн
52+8.37 грн
120+3.59 грн
171+2.50 грн
500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.73 грн
35+12.56 грн
43+10.08 грн
100+9.48 грн
500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2 WM02P60M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.37 грн
44+9.74 грн
74+5.84 грн
100+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N06M WM03N06M WAYON WM03N06M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Version: ESD
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 0.75nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+32.21 грн
34+12.65 грн
102+4.20 грн
242+1.77 грн
500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N115A WM03N115A WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.65 грн
33+12.99 грн
41+10.42 грн
100+9.91 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M WM03N57M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.65 грн
34+12.82 грн
79+5.43 грн
113+3.80 грн
500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M WM03N58M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.29 грн
42+10.25 грн
98+4.38 грн
140+3.06 грн
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2 WM03N58M2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.85 грн
56+7.69 грн
133+3.21 грн
148+2.89 грн
500+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03P42M WM03P42M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.53 грн
46+9.31 грн
108+3.96 грн
155+2.76 грн
500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04N50M WM04N50M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.60 грн
34+12.94 грн
78+5.50 грн
111+3.86 грн
381+2.57 грн
1046+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2 WM04P56M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 17.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+32.28 грн
41+10.45 грн
69+6.28 грн
100+5.64 грн
233+4.20 грн
639+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05DP01D WM05DP01D WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -0.52A; 200mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -0.52A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.69 грн
52+8.29 грн
123+3.49 грн
137+3.13 грн
384+2.52 грн
1054+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G WM05N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.53 грн
38+11.28 грн
84+5.13 грн
199+2.15 грн
500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M WM05N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.45 грн
37+11.71 грн
110+3.90 грн
262+1.63 грн
500+1.48 грн
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G WAYON WM05N03G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.93 грн
56+7.69 грн
129+3.32 грн
186+2.31 грн
500+2.07 грн
3000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M WAYON WM05N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.61 грн
46+9.40 грн
100+4.27 грн
240+1.79 грн
500+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WAYON WM05P02F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Case: DFN1006-3
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02G WM05P02G WAYON WM05P02G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 300mW
Case: SOT323
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.53 грн
39+11.19 грн
84+5.13 грн
200+2.14 грн
500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02M WM05P02M WAYON WM05P02M.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 380mW
Case: SOT23
Power dissipation: 0.38W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P20M WM05P20M WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -2A; Idm: -8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.85 грн
55+7.78 грн
132+3.25 грн
146+2.93 грн
500+2.60 грн
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WAYON WM06N03FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WAYON WM06N03FE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE WAYON WM06N03GE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.29 грн
41+10.51 грн
89+4.82 грн
213+2.01 грн
500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03HE WAYON WM06N03He.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE WAYON WM06N03LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.53 грн
38+11.45 грн
83+5.20 грн
197+2.17 грн
500+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME WAYON WM06N03ME.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02G WM10N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.69 грн
39+11.02 грн
86+4.99 грн
204+2.10 грн
500+1.89 грн
589+1.67 грн
1619+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02M WM10N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.13 грн
38+11.36 грн
113+3.79 грн
266+1.61 грн
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N20M WM10N20M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 5.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+30.37 грн
44+9.91 грн
101+4.24 грн
145+2.95 грн
455+2.15 грн
1250+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N33M WM10N33M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M2 WM10N35M2 WAYON WM10N35M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1.65W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.57 грн
33+12.99 грн
55+7.83 грн
100+6.99 грн
173+5.66 грн
476+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON WM10N35M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.33 грн
32+13.59 грн
53+8.20 грн
100+7.35 грн
165+5.98 грн
453+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A WAYON WM4C62160A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.05 грн
27+16.15 грн
33+13.33 грн
100+11.79 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 14.5nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA6N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB007N03LG4 WMB007N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 220A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 220A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.90 грн
10+72.63 грн
25+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON WMB010N04LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Power dissipation: 114W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 118nC
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.76 грн
10+68.10 грн
20+50.59 грн
54+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4 WMB014N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 660A
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.46 грн
10+57.34 грн
21+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4 WMB014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.21 грн
13+34.78 грн
25+31.19 грн
100+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N06HG4 WMB020N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 696A
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.98 грн
10+71.61 грн
17+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.21 грн
12+36.06 грн
25+32.56 грн
100+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 560A
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 560A
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.46 грн
10+65.63 грн
19+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB027N08HG4 WMB027N08HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 780A
Gate charge: 77.9nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.86 грн
10+55.71 грн
25+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.86 грн
10+55.88 грн
25+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB037N10HGS WMB037N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A
WM02DN48A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.45 грн
45+9.57 грн
75+5.74 грн
100+5.16 грн
500+4.55 грн
2000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.77 грн
55+7.86 грн
131+3.28 грн
145+2.96 грн
500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q.pdf
WM02DN560Q
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Gate charge: 27.8nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 20V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: DFN3030-8
On-state resistance: 5.4mΩ
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+58.89 грн
13+32.90 грн
25+29.57 грн
41+23.93 грн
112+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.37 грн
44+9.74 грн
74+5.81 грн
100+5.21 грн
500+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A.pdf
WM02DN70A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.57 грн
33+13.16 грн
41+10.42 грн
100+9.91 грн
500+8.72 грн
2000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3.pdf
WM02DN70M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.97 грн
38+11.36 грн
63+6.87 грн
100+6.12 грн
500+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T.pdf
WM02DP06T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: -2.64A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.85 грн
53+8.20 грн
87+4.92 грн
100+4.42 грн
500+3.90 грн
3000+3.51 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G
WM02N20G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 8A
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.69 грн
52+8.37 грн
120+3.59 грн
171+2.50 грн
500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R
WM02P160R
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+37.73 грн
35+12.56 грн
43+10.08 грн
100+9.48 грн
500+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2
WM02P60M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.37 грн
44+9.74 грн
74+5.84 грн
100+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N06M WM03N06M.pdf
WM03N06M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Version: ESD
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 0.75nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+32.21 грн
34+12.65 грн
102+4.20 грн
242+1.77 грн
500+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N115A
WM03N115A
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.65 грн
33+12.99 грн
41+10.42 грн
100+9.91 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M
WM03N57M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.65 грн
34+12.82 грн
79+5.43 грн
113+3.80 грн
500+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M
WM03N58M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.29 грн
42+10.25 грн
98+4.38 грн
140+3.06 грн
500+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2
WM03N58M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.85 грн
56+7.69 грн
133+3.21 грн
148+2.89 грн
500+2.56 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03P42M
WM03P42M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.2A; Idm: -25A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -25A
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.53 грн
46+9.31 грн
108+3.96 грн
155+2.76 грн
500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04N50M
WM04N50M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10nC
на замовлення 3854 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.60 грн
34+12.94 грн
78+5.50 грн
111+3.86 грн
381+2.57 грн
1046+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2
WM04P56M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Pulsed drain current: -22.4A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 17.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -40V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+32.28 грн
41+10.45 грн
69+6.28 грн
100+5.64 грн
233+4.20 грн
639+3.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05DP01D
WM05DP01D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -130mA; Idm: -0.52A; 200mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.13A
Pulsed drain current: -0.52A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.69 грн
52+8.29 грн
123+3.49 грн
137+3.13 грн
384+2.52 грн
1054+2.38 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G
WM05N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.53 грн
38+11.28 грн
84+5.13 грн
199+2.15 грн
500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M
WM05N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.45 грн
37+11.71 грн
110+3.90 грн
262+1.63 грн
500+1.48 грн
3000+1.16 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G.pdf
WM05N03G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.93 грн
56+7.69 грн
129+3.32 грн
186+2.31 грн
500+2.07 грн
3000+1.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M.pdf
WM05N03M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.61 грн
46+9.40 грн
100+4.27 грн
240+1.79 грн
500+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WM05P02F.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Case: DFN1006-3
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 2.1nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -0.25A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02G WM05P02G.pdf
WM05P02G
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 300mW
Case: SOT323
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
на замовлення 2486 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.53 грн
39+11.19 грн
84+5.13 грн
200+2.14 грн
500+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02M WM05P02M.pdf
WM05P02M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -200mA; Idm: -0.8A; 380mW
Case: SOT23
Power dissipation: 0.38W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: -200mA
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P20M
WM05P20M
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -2A; Idm: -8A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -2A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.85 грн
55+7.78 грн
132+3.25 грн
146+2.93 грн
500+2.60 грн
3000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WM06N03FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WM06N03FE.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE.pdf
WM06N03GE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+31.29 грн
41+10.51 грн
89+4.82 грн
213+2.01 грн
500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03He.pdf
WM06N03HE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE.pdf
WM06N03LE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+28.53 грн
38+11.45 грн
83+5.20 грн
197+2.17 грн
500+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME.pdf
WM06N03ME
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02G
WM10N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.5A; 200mW
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+26.69 грн
39+11.02 грн
86+4.99 грн
204+2.10 грн
500+1.89 грн
589+1.67 грн
1619+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N02M
WM10N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.13 грн
38+11.36 грн
113+3.79 грн
266+1.61 грн
500+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N20M
WM10N20M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2A; Idm: 8A; 1.2W; SOT23
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Gate charge: 5.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+30.37 грн
44+9.91 грн
101+4.24 грн
145+2.95 грн
455+2.15 грн
1250+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N33M
WM10N33M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.3A; Idm: 13.2A; 1.5W; SOT23
Pulsed drain current: 13.2A
Power dissipation: 1.5W
Gate charge: 4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M2 WM10N35M2.pdf
WM10N35M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 1.65W; SOT23
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 1.65W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.57 грн
33+12.99 грн
55+7.83 грн
100+6.99 грн
173+5.66 грн
476+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3.pdf
WM10N35M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23-6
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.33 грн
32+13.59 грн
53+8.20 грн
100+7.35 грн
165+5.98 грн
453+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A.pdf
WM4C62160A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8A
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 19.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.05 грн
27+16.15 грн
33+13.33 грн
100+11.79 грн
500+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Gate charge: 14.5nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA6N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB007N03LG4
WMB007N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 220A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 220A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.90 грн
10+72.63 грн
25+64.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4.pdf
WMB010N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
Power dissipation: 114W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 118nC
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+77.76 грн
10+68.10 грн
20+50.59 грн
54+47.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4
WMB014N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 660A
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+75.46 грн
10+57.34 грн
21+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4
WMB014N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Gate charge: 46nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 63.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 2.5mΩ
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 500A
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.21 грн
13+34.78 грн
25+31.19 грн
100+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N06HG4
WMB020N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 174A; Idm: 696A; 113.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 174A
Power dissipation: 113.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 696A
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.98 грн
10+71.61 грн
17+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.21 грн
12+36.06 грн
25+32.56 грн
100+28.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 560A
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 560A
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+75.46 грн
10+65.63 грн
19+52.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB027N08HG4
WMB027N08HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 780A
Gate charge: 77.9nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.86 грн
10+55.71 грн
25+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+70.86 грн
10+55.88 грн
25+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB037N10HGS
WMB037N10HGS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.