Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1237) > Сторінка 9 з 21

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMJ36N60C4 WMJ36N60C4 WAYON WMx36N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+563.29 грн
3+434.33 грн
10+313.44 грн
30+282.79 грн
120+262.02 грн
300+249.17 грн
900+224.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+422.38 грн
3+313.93 грн
10+235.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2 WMJ36N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+506.86 грн
3+391.21 грн
10+282.79 грн
30+254.11 грн
120+236.31 грн
300+224.45 грн
900+222.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMJ38N65C2 WAYON WMx38N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1 WAYON WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+142.69 грн
20+59.33 грн
54+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.61 грн
4+119.48 грн
10+89.81 грн
30+79.93 грн
120+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1 WMJ3N150D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+192.73 грн
3+148.89 грн
10+107.78 грн
30+95.91 грн
120+89.98 грн
300+85.03 грн
900+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+364.70 грн
3+271.09 грн
10+203.52 грн
30+182.92 грн
120+169.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1 WMJ40N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+437.64 грн
3+337.82 грн
10+244.22 грн
30+219.51 грн
120+203.69 грн
300+193.80 грн
900+174.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1 WAYON WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.29 грн
13+91.96 грн
35+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4 WAYON WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+738.99 грн
5+278.83 грн
12+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2 WAYON WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+380.14 грн
4+316.40 грн
11+299.60 грн
900+298.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4 WAYON WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+820.98 грн
4+310.47 грн
11+293.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2 WAYON WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+799.68 грн
4+301.57 грн
11+284.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM WMJ60N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+775.55 грн
3+577.60 грн
10+433.41 грн
30+389.74 грн
120+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+930.66 грн
3+719.78 грн
10+520.09 грн
30+467.69 грн
120+433.08 грн
300+413.30 грн
900+371.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1498.74 грн
3+1120.60 грн
10+831.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM WMJ80N60EM WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1798.49 грн
3+1396.44 грн
10+997.66 грн
30+901.75 грн
120+834.52 грн
300+797.93 грн
900+771.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1034.65 грн
3+763.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2 WMJ80N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1241.58 грн
3+951.84 грн
10+688.18 грн
30+619.96 грн
120+574.47 грн
300+547.78 грн
900+530.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+969.88 грн
3+722.62 грн
10+541.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4 WMJ80N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1163.85 грн
3+900.50 грн
10+649.62 грн
30+585.35 грн
120+541.84 грн
300+517.12 грн
900+464.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+738.28 грн
3+548.76 грн
10+411.99 грн
30+370.79 грн
120+342.77 грн
300+327.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2 WAYON WMJ80N65F2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+885.93 грн
3+683.84 грн
10+494.38 грн
30+444.94 грн
120+411.33 грн
300+392.54 грн
900+388.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350S WAYON WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+594.17 грн
6+224.45 грн
15+211.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4 WAYON WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1407.70 грн
2+588.32 грн
6+555.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2 WAYON WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1498.21 грн
2+620.94 грн
6+586.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1266.25 грн
3+939.33 грн
10+703.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4 WMJ90N65C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1519.50 грн
3+1170.55 грн
10+844.41 грн
30+761.35 грн
120+704.00 грн
300+672.36 грн
900+604.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1333.69 грн
3+989.59 грн
10+740.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2 WMJ90N65F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1600.43 грн
3+1233.18 грн
10+888.90 грн
30+798.92 грн
120+740.58 грн
300+706.97 грн
900+635.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.82 грн
3+475.43 грн
10+454.01 грн
30+407.87 грн
120+397.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR WMJ90N65SR WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+663.39 грн
3+592.46 грн
10+544.81 грн
30+489.44 грн
120+477.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1381.61 грн
3+1025.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4 WMJ99N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1657.93 грн
3+1278.36 грн
10+923.51 грн
30+835.51 грн
120+769.26 грн
300+732.67 грн
900+718.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1526.25 грн
3+1135.43 грн
10+848.69 грн
30+763.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2 WMJ99N60F2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1831.50 грн
3+1414.92 грн
10+1018.43 грн
30+915.60 грн
120+850.34 грн
300+813.75 грн
900+792.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1 WAYON WMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+921.07 грн
4+384.63 грн
9+363.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+353.17 грн
3+262.02 грн
10+196.10 грн
25+176.33 грн
125+163.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1 WMJP32N50D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+423.80 грн
3+326.52 грн
10+235.33 грн
25+211.60 грн
125+196.76 грн
300+195.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS WAYON WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+139.49 грн
14+88.99 грн
37+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS WAYON WMK028N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+137.36 грн
14+88.99 грн
37+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+62.11 грн
10+53.48 грн
50+47.46 грн
250+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4 WMK030N06HG4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 321 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.54 грн
10+66.64 грн
50+56.95 грн
250+51.12 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS WAYON WMK036N12HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+134.17 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS WAYON WMK043N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.78 грн
21+56.26 грн
58+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4 WAYON WMK048NV6HG4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.72 грн
31+38.36 грн
84+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N09HGS WAYON WMK053N09HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.86 грн
37+31.84 грн
102+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS WAYON WMK053N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.61 грн
30+40.14 грн
81+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053NV8HGS WAYON WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.06 грн
31+38.56 грн
84+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WMK05N80M3 WAYON WMx05N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.83 грн
6+73.91 грн
10+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WMK05N80M3 WAYON WMx05N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.00 грн
4+92.10 грн
10+70.99 грн
50+53.29 грн
100+47.96 грн
250+44.40 грн
500+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2 WAYON WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+91.15 грн
25+47.46 грн
68+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N10LGS WAYON WMK060N10LGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.72 грн
22+55.67 грн
58+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+71.88 грн
8+55.45 грн
10+44.58 грн
50+33.62 грн
100+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+86.25 грн
5+69.10 грн
10+53.49 грн
50+40.34 грн
100+35.89 грн
250+33.72 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2 WAYON WMK071N15HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+274.72 грн
7+177.98 грн
19+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK072N12HG2 WAYON WMK072N12HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+130.97 грн
14+84.04 грн
39+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60C4 WMx36N60C4.pdf
WMJ36N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.29 грн
3+434.33 грн
10+313.44 грн
30+282.79 грн
120+262.02 грн
300+249.17 грн
900+224.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+422.38 грн
3+313.93 грн
10+235.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N60F2
WMJ36N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.86 грн
3+391.21 грн
10+282.79 грн
30+254.11 грн
120+236.31 грн
300+224.45 грн
900+222.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ36N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ38N65C2 WMx38N65C2.pdf
WMJ38N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N120D1
Виробник: WAYON
WMJ3N120D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 253 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.69 грн
20+59.33 грн
54+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.61 грн
4+119.48 грн
10+89.81 грн
30+79.93 грн
120+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ3N150D1
WMJ3N150D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1.5kV; 3A; Idm: 12A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.73 грн
3+148.89 грн
10+107.78 грн
30+95.91 грн
120+89.98 грн
300+85.03 грн
900+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+364.70 грн
3+271.09 грн
10+203.52 грн
30+182.92 грн
120+169.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ40N50D1
WMJ40N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 40A; Idm: 160A; 416W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 416W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 165.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 296 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.64 грн
3+337.82 грн
10+244.22 грн
30+219.51 грн
120+203.69 грн
300+193.80 грн
900+174.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ4N150D1
Виробник: WAYON
WMJ4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.29 грн
13+91.96 грн
35+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60C4
Виробник: WAYON
WMJ53N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.99 грн
5+278.83 грн
12+264.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N60F2
Виробник: WAYON
WMJ53N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.14 грн
4+316.40 грн
11+299.60 грн
900+298.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65C4
Виробник: WAYON
WMJ53N65C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+820.98 грн
4+310.47 грн
11+293.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ53N65F2
Виробник: WAYON
WMJ53N65F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.68 грн
4+301.57 грн
11+284.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ60N60EM
WMJ60N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 36A; Idm: 240A; 403W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 403W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.55 грн
3+577.60 грн
10+433.41 грн
30+389.74 грн
120+360.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.66 грн
3+719.78 грн
10+520.09 грн
30+467.69 грн
120+433.08 грн
300+413.30 грн
900+371.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1498.74 грн
3+1120.60 грн
10+831.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60EM
WMJ80N60EM
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 600V; 48A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1798.49 грн
3+1396.44 грн
10+997.66 грн
30+901.75 грн
120+834.52 грн
300+797.93 грн
900+771.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1034.65 грн
3+763.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N60F2
WMJ80N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1241.58 грн
3+951.84 грн
10+688.18 грн
30+619.96 грн
120+574.47 грн
300+547.78 грн
900+530.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+969.88 грн
3+722.62 грн
10+541.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65C4
WMJ80N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1163.85 грн
3+900.50 грн
10+649.62 грн
30+585.35 грн
120+541.84 грн
300+517.12 грн
900+464.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+738.28 грн
3+548.76 грн
10+411.99 грн
30+370.79 грн
120+342.77 грн
300+327.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80N65F2 WMJ80N65F2.pdf
WMJ80N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 308 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+885.93 грн
3+683.84 грн
10+494.38 грн
30+444.94 грн
120+411.33 грн
300+392.54 грн
900+388.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ80R350S
Виробник: WAYON
WMJ80R350S-CYG THT N channel transistors
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.17 грн
6+224.45 грн
15+211.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60C4
Виробник: WAYON
WMJ90N60C4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1407.70 грн
2+588.32 грн
6+555.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N60F2
Виробник: WAYON
WMJ90N60F2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1498.21 грн
2+620.94 грн
6+586.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1266.25 грн
3+939.33 грн
10+703.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65C4
WMJ90N65C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1519.50 грн
3+1170.55 грн
10+844.41 грн
30+761.35 грн
120+704.00 грн
300+672.36 грн
900+604.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1333.69 грн
3+989.59 грн
10+740.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65F2
WMJ90N65F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 50A; Idm: 295A; 430W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 295A
Power dissipation: 430W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1600.43 грн
3+1233.18 грн
10+888.90 грн
30+798.92 грн
120+740.58 грн
300+706.97 грн
900+635.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.82 грн
3+475.43 грн
10+454.01 грн
30+407.87 грн
120+397.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ90N65SR
WMJ90N65SR
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ SR
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+663.39 грн
3+592.46 грн
10+544.81 грн
30+489.44 грн
120+477.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1381.61 грн
3+1025.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60C4
WMJ99N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 175nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1657.93 грн
3+1278.36 грн
10+923.51 грн
30+835.51 грн
120+769.26 грн
300+732.67 грн
900+718.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1526.25 грн
3+1135.43 грн
10+848.69 грн
30+763.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ99N60F2
WMJ99N60F2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 460W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Gate charge: 174nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1831.50 грн
3+1414.92 грн
10+1018.43 грн
30+915.60 грн
120+850.34 грн
300+813.75 грн
900+792.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJ9N150D1
Виробник: WAYON
WMJ9N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 195 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+921.07 грн
4+384.63 грн
9+363.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+353.17 грн
3+262.02 грн
10+196.10 грн
25+176.33 грн
125+163.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMJP32N50D1
WMJP32N50D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; TO247PLUS
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Case: TO247PLUS
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+423.80 грн
3+326.52 грн
10+235.33 грн
25+211.60 грн
125+196.76 грн
300+195.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMK023N08HGS
Виробник: WAYON
WMK023N08HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.49 грн
14+88.99 грн
37+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK028N10HGS
Виробник: WAYON
WMK028N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.36 грн
14+88.99 грн
37+85.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+62.11 грн
10+53.48 грн
50+47.46 грн
250+42.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMK030N06HG4
WMK030N06HG4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 736A; 208.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 208.3W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 321 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.54 грн
10+66.64 грн
50+56.95 грн
250+51.12 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK036N12HGS
Виробник: WAYON
WMK036N12HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.17 грн
14+86.02 грн
38+81.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK043N10HGS
Виробник: WAYON
WMK043N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 172 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.78 грн
21+56.26 грн
58+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK048NV6HG4
Виробник: WAYON
WMK048NV6HG4-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.72 грн
31+38.36 грн
84+36.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N09HGS
Виробник: WAYON
WMK053N09HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 95 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.86 грн
37+31.84 грн
102+30.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053N10HGS
Виробник: WAYON
WMK053N10HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.61 грн
30+40.14 грн
81+37.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK053NV8HGS
Виробник: WAYON
WMK053NV8HGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.06 грн
31+38.56 грн
84+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WMx05N80M3.pdf
WMK05N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.83 грн
6+73.91 грн
10+59.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMK05N80M3 WMx05N80M3.pdf
WMK05N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.00 грн
4+92.10 грн
10+70.99 грн
50+53.29 грн
100+47.96 грн
250+44.40 грн
500+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N08HG2
Виробник: WAYON
WMK060N08HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.15 грн
25+47.46 грн
68+44.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK060N10LGS
Виробник: WAYON
WMK060N10LGS-CYG THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.72 грн
22+55.67 грн
58+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.88 грн
8+55.45 грн
10+44.58 грн
50+33.62 грн
100+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 248 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.25 грн
5+69.10 грн
10+53.49 грн
50+40.34 грн
100+35.89 грн
250+33.72 грн
500+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMK071N15HG2
Виробник: WAYON
WMK071N15HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.72 грн
7+177.98 грн
19+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WMK072N12HG2
Виробник: WAYON
WMK072N12HG2-CYG THT N channel transistors
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.97 грн
14+84.04 грн
39+79.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]