Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (952) > Сторінка 7 з 16

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
T1635H-800NL WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 16A; Igt: 35mA; TO262; THT; tube; Ifsm: 160A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO262
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2050H-800K WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 50mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 200A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Gate current: 50mA
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800A WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800AY WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 250A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220-3
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3035H-800A WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 30A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Mounting: THT
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Gate current: 35mA
Case: TO220ABIns
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4050H-800EA WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 40A; Igt: 50mA; TO3PF; THT; tube; Ifsm: 400A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high temperature
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Case: TO3PF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO252
Gate current: 35mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800L WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 40A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800A WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800AM WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO252
Gate current: 35mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800K WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 80A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220-3
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800L WAYON Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 80A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TE P0050150.00j5 WAYON 265V; 150R; 20%; 150°C; 200mA; dimensions: 7x5mm; r=6mm;   Thermistor PTC; 150R TE P0050150.00j5
кількість в упаковці: 32 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
64+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DH08D WM02DH08D WAYON WM02DH08D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
56+7.48 грн
133+3.12 грн
148+2.82 грн
500+2.49 грн
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN080C WM02DN080C WAYON WM02DN080C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
25+16.79 грн
30+13.96 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN085C WM02DN085C WAYON WM02DN085C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+44.74 грн
25+16.79 грн
30+13.96 грн
100+13.21 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08D WM02DN08D WAYON WM02DN08D.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
55+7.64 грн
131+3.19 грн
145+2.88 грн
500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08T WM02DN08T WAYON WM02DN08T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
52+8.14 грн
86+4.89 грн
100+4.38 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN095C WM02DN095C WAYON WM02DN095C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 9.4mΩ
Gate charge: 22nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.53 грн
21+20.61 грн
25+17.20 грн
100+16.29 грн
500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN110C WM02DN110C WAYON WM02DN110C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+34.90 грн
23+18.53 грн
28+15.21 грн
100+13.46 грн
500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A WM02DN48A WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 10nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
44+9.47 грн
74+5.68 грн
100+5.09 грн
500+4.50 грн
2000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
55+7.64 грн
131+3.19 грн
145+2.88 грн
500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON WM02DN560Q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate charge: 27.8nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.59 грн
14+30.16 грн
25+27.09 грн
100+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
44+9.47 грн
74+5.68 грн
100+5.09 грн
500+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A WAYON WM02DN70A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.48 грн
33+12.80 грн
41+10.14 грн
100+9.64 грн
500+8.48 грн
2000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON WM02DN70M3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.01 грн
38+11.05 грн
63+6.68 грн
100+5.95 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T WAYON WM02DP06T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
52+8.14 грн
86+4.85 грн
100+4.35 грн
500+3.84 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N08FB WAYON WM02N08FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20F WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.95 грн
52+8.06 грн
121+3.46 грн
173+2.41 грн
500+2.16 грн
3000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N31M WM02N31M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12.4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
57+7.31 грн
132+3.16 грн
189+2.20 грн
500+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.69 грн
35+12.22 грн
43+9.81 грн
100+9.22 грн
500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2 WM02P60M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
44+9.47 грн
74+5.65 грн
100+5.07 грн
500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M WM03N57M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
34+12.46 грн
79+5.28 грн
113+3.70 грн
500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M WM03N58M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.43 грн
42+9.97 грн
98+4.25 грн
140+2.97 грн
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2 WM03N58M2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.16 грн
56+7.48 грн
133+3.12 грн
148+2.81 грн
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2 WM04P56M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G WM05N02G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
39+10.89 грн
84+4.99 грн
200+2.09 грн
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M WM05N02M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.64 грн
37+11.30 грн
110+3.79 грн
262+1.59 грн
500+1.43 грн
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G WAYON WM05N03G.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
56+7.48 грн
129+3.22 грн
187+2.23 грн
500+2.00 грн
3000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M WAYON WM05N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WAYON WM05P02F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WAYON WM06N03FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WAYON WM06N03FE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE WAYON WM06N03GE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.53 грн
42+10.05 грн
92+4.55 грн
217+1.92 грн
500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03HE WAYON WM06N03He.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE WAYON WM06N03LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+26.85 грн
39+10.89 грн
84+4.95 грн
201+2.07 грн
500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME WAYON WM06N03ME.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON WM10N35M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.59 грн
35+12.13 грн
57+7.31 грн
100+6.56 грн
500+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A WAYON WM4C62160A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.01 грн
26+16.20 грн
32+13.38 грн
100+11.88 грн
500+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.5nC
Technology: WMOS™ D1
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON WMB010N04LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.54 грн
10+55.92 грн
25+49.61 грн
100+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4 WMB014N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Gate charge: 116nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 660A
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.91 грн
10+52.43 грн
25+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4 WMB014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+149.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.69 грн
13+33.99 грн
25+30.58 грн
100+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.48 грн
12+35.73 грн
25+32.24 грн
100+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T1635H-800NL
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 16A; Igt: 35mA; TO262; THT; tube; Ifsm: 160A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 16A
Case: TO262
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 160A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2050H-800K
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 20A; Igt: 50mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 200A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 20A
Gate current: 50mA
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 200A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800A
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T2535H-800AY
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 25A; Igt: 35mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 250A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 25A
Case: TO220-3
Gate current: 35mA
Max. forward impulse current: 250A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3035H-800A
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 30A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Mounting: THT
Type of thyristor: thyristor
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Gate current: 35mA
Case: TO220ABIns
Max. load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.3kA
Max. off-state voltage: 0.8kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T4050H-800EA
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 40A; Igt: 50mA; TO3PF; THT; tube; Ifsm: 400A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: high temperature
Kind of package: tube
Type of thyristor: thyristor
Gate current: 50mA
Max. load current: 40A
Max. forward impulse current: 0.4kA
Max. off-state voltage: 0.8kV
Case: TO3PF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO252
Gate current: 35mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T435H-800L
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 4A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 40A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 4A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: high temperature
Max. forward impulse current: 40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800A
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO220ABIns; THT; tube
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220ABIns
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800AM
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO252; SMD; reel,tape
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO252
Gate current: 35mA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800K
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO220-3; THT; tube; Ifsm: 80A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220-3
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T835H-800L
Виробник: WAYON
Category: SMD/THT thyristors
Description: Thyristor; 800V; Ifmax: 8A; Igt: 35mA; TO220FP; THT; tube; Ifsm: 80A
Type of thyristor: thyristor
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. load current: 8A
Case: TO220FP
Gate current: 35mA
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 80A
Features of semiconductor devices: high temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TE P0050150.00j5
Виробник: WAYON
265V; 150R; 20%; 150°C; 200mA; dimensions: 7x5mm; r=6mm;   Thermistor PTC; 150R TE P0050150.00j5
кількість в упаковці: 32 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
64+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DH08D WM02DH08D.pdf
WM02DH08D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 750/-660mA; 200mW; ESD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 750/-660mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 380/520mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1/2.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.16 грн
56+7.48 грн
133+3.12 грн
148+2.82 грн
500+2.49 грн
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN080C WM02DN080C.pdf
WM02DN080C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; Idm: 49A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 49A
On-state resistance: 15.5mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.74 грн
25+16.79 грн
30+13.96 грн
100+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN085C WM02DN085C.pdf
WM02DN085C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8.5A; Idm: 56A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
On-state resistance: 10.9mΩ
Gate charge: 22.1nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+44.74 грн
25+16.79 грн
30+13.96 грн
100+13.21 грн
500+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08D WM02DN08D.pdf
WM02DN08D
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1589 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
55+7.64 грн
131+3.19 грн
145+2.88 грн
500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN08T WM02DN08T.pdf
WM02DN08T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 800mA; Idm: 3A; 270mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.27W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 3A
On-state resistance: 0.25Ω
Gate charge: 1.1nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
52+8.14 грн
86+4.89 грн
100+4.38 грн
500+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN095C WM02DN095C.pdf
WM02DN095C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 9.5A; Idm: 60A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 9.5A
Pulsed drain current: 60A
On-state resistance: 9.4mΩ
Gate charge: 22nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.53 грн
21+20.61 грн
25+17.20 грн
100+16.29 грн
500+14.29 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN110C WM02DN110C.pdf
WM02DN110C
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 11A; Idm: 70A; 1.56W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.56W
Case: DFN2030-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 70A
On-state resistance: 7.5mΩ
Gate charge: 23nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+34.90 грн
23+18.53 грн
28+15.21 грн
100+13.46 грн
500+12.46 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN48A
WM02DN48A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 30A; 1.25W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.25W
Case: SOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 30A
On-state resistance: 30mΩ
Gate charge: 10nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
44+9.47 грн
74+5.68 грн
100+5.09 грн
500+4.50 грн
2000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
55+7.64 грн
131+3.19 грн
145+2.88 грн
500+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q.pdf
WM02DN560Q
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
On-state resistance: 5.4mΩ
Gate charge: 27.8nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+54.59 грн
14+30.16 грн
25+27.09 грн
100+24.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
44+9.47 грн
74+5.68 грн
100+5.09 грн
500+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A.pdf
WM02DN70A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.48 грн
33+12.80 грн
41+10.14 грн
100+9.64 грн
500+8.48 грн
2000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3.pdf
WM02DN70M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.01 грн
38+11.05 грн
63+6.68 грн
100+5.95 грн
500+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T.pdf
WM02DP06T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
52+8.14 грн
86+4.85 грн
100+4.35 грн
500+3.84 грн
3000+3.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N08FB WM02N08FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20F
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G
WM02N20G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.95 грн
52+8.06 грн
121+3.46 грн
173+2.41 грн
500+2.16 грн
3000+1.71 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N31M
WM02N31M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12.4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.27 грн
57+7.31 грн
132+3.16 грн
189+2.20 грн
500+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R
WM02P160R
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+36.69 грн
35+12.22 грн
43+9.81 грн
100+9.22 грн
500+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2
WM02P60M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
44+9.47 грн
74+5.65 грн
100+5.07 грн
500+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N57M
WM03N57M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 30A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.59 грн
34+12.46 грн
79+5.28 грн
113+3.70 грн
500+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M
WM03N58M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.43 грн
42+9.97 грн
98+4.25 грн
140+2.97 грн
500+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM03N58M2
WM03N58M2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; Idm: 22A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2405 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+24.16 грн
56+7.48 грн
133+3.12 грн
148+2.81 грн
500+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2
WM04P56M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02G
WM05N02G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 220mA; Idm: 0.88A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.22A
Pulsed drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+27.74 грн
39+10.89 грн
84+4.99 грн
200+2.09 грн
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N02M
WM05N02M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+28.64 грн
37+11.30 грн
110+3.79 грн
262+1.59 грн
500+1.43 грн
3000+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03G WM05N03G.pdf
WM05N03G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.27 грн
56+7.48 грн
129+3.22 грн
187+2.23 грн
500+2.00 грн
3000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM05N03M WM05N03M.pdf
WM05N03M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 1.2A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WM05P02F.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WM06N03FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WM06N03FE.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE.pdf
WM06N03GE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+29.53 грн
42+10.05 грн
92+4.55 грн
217+1.92 грн
500+1.74 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03He.pdf
WM06N03HE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE.pdf
WM06N03LE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+26.85 грн
39+10.89 грн
84+4.95 грн
201+2.07 грн
500+1.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME.pdf
WM06N03ME
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3.pdf
WM10N35M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+37.59 грн
35+12.13 грн
57+7.31 грн
100+6.56 грн
500+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A.pdf
WM4C62160A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 8A
On-state resistance: 19.5mΩ
Gate charge: 13nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+34.01 грн
26+16.20 грн
32+13.38 грн
100+11.88 грн
500+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 14.5nC
Technology: WMOS™ D1
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7050 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4.pdf
WMB010N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+63.54 грн
10+55.92 грн
25+49.61 грн
100+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4
WMB014N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Gate charge: 116nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Power dissipation: 62.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 165A
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 660A
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+68.91 грн
10+52.43 грн
25+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4
WMB014N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.69 грн
13+33.99 грн
25+30.58 грн
100+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.48 грн
12+35.73 грн
25+32.24 грн
100+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]