| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WM02DN50M3 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 27mΩ Gate charge: 11nC Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN560Q | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 56A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 31W Case: DFN3030-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN560Q | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 56A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 31W Case: DFN3030-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 27.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN60M3 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 20mΩ Gate charge: 12nC Drain current: 6A Pulsed drain current: 25A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN60M3 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 20mΩ Gate charge: 12nC Drain current: 6A Pulsed drain current: 25A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN70A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: TSSOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 13.5mΩ Gate charge: 8.8nC Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±10V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN70A | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2W Case: TSSOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 13.5mΩ Gate charge: 8.8nC Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±10V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN70M3 | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.7W Case: SOT23-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 17mΩ Gate charge: 9.6nC Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±10V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02DN70M3 | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.7W Case: SOT23-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 17mΩ Gate charge: 9.6nC Drain current: 7A Pulsed drain current: 28A Gate-source voltage: ±10V Version: ESD Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement Semiconductor structure: common drain кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM02DP06D | WAYON | WM02DP06D-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02DP06T | WAYON | WM02DP06T-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N08FB | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.15W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02N08G | WAYON | WM02N08G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N08H | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.8A; 150mW; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02N08L | WAYON | WM02N08L-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N20F | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.76nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02N20G | WAYON | WM02N20G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM02N25M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02N25M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02N28M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02N28M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM02N31M | WAYON | WM02N31M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N50M | WAYON | WM02N50M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N70ME | WAYON | WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N75M2 | WAYON | WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P06F | WAYON |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -660mA Pulsed drain current: -2.6A Power dissipation: 0.3W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02P06L | WAYON | WM02P06L-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P14G | WAYON | WM02P14G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM02P160R | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W Kind of package: reel; tape Case: DFN2020-6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -64A Drain-source voltage: -20V Drain current: -16A Gate charge: 28nC On-state resistance: 17mΩ Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±10V |
на замовлення 770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02P160R | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W Kind of package: reel; tape Case: DFN2020-6 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -64A Drain-source voltage: -20V Drain current: -16A Gate charge: 28nC On-state resistance: 17mΩ Power dissipation: 6.5W Gate-source voltage: ±10V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM02P20G | WAYON | WM02P20G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P23M | WAYON | WM02P23M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P26M | WAYON | WM02P26M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P30M | WAYON | WM02P30M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 17960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P40M3 | WAYON | WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P40ME | WAYON | WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P41M | WAYON | WM02P41M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P56M2 | WAYON | WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P56M3 | WAYON | WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P60M2 | WAYON | WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM03DN06D | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 450pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03DN06D | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 450pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03DN85A | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03DN85A | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM03DP50A | WAYON | WM03DP50A-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N01G | WAYON | WM03N01G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM03N06M | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 2.4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03N06M | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 2.4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM03N09F | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 930mA; Idm: 3.7A; 715mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.93A Pulsed drain current: 3.7A Power dissipation: 715mW Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WM03N115A | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 2.8W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03N115A | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 2.8W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM03N32M | WAYON | WM03N32M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N57M | WAYON | WM03N57M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N58M | WAYON | WM03N58M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N58M2 | WAYON | WM03N58M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N86M2 | WAYON | WM03N86M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P115R | WAYON | WM03P115R-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P27M | WAYON | WM03P27M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P41M | WAYON | WM03P41M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 650 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P42M | WAYON | WM03P42M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| WM02DN50M3 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Gate charge: 11nC
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.79 грн |
| 35+ | 8.55 грн |
| 83+ | 3.48 грн |
| 100+ | 3.11 грн |
| 500+ | 2.75 грн |
| 3000+ | 2.47 грн |
| 6000+ | 2.42 грн |
| WM02DN560Q |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 50.66 грн |
| 15+ | 27.83 грн |
| 25+ | 25.04 грн |
| 100+ | 22.17 грн |
| WM02DN560Q |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.80 грн |
| 10+ | 34.68 грн |
| 25+ | 30.05 грн |
| 100+ | 26.60 грн |
| 500+ | 24.59 грн |
| 3000+ | 23.16 грн |
| WM02DN60M3 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.48 грн |
| 46+ | 8.85 грн |
| 76+ | 5.29 грн |
| 100+ | 4.77 грн |
| 500+ | 4.22 грн |
| WM02DN60M3 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Gate charge: 12nC
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.97 грн |
| 28+ | 11.03 грн |
| 46+ | 6.35 грн |
| 100+ | 5.72 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 3000+ | 4.55 грн |
| 6000+ | 4.44 грн |
| WM02DN70A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.35 грн |
| 35+ | 11.40 грн |
| 44+ | 9.17 грн |
| 100+ | 8.61 грн |
| 500+ | 7.58 грн |
| 2000+ | 6.94 грн |
| WM02DN70A |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Gate charge: 8.8nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.22 грн |
| 21+ | 14.21 грн |
| 27+ | 11.00 грн |
| 100+ | 10.33 грн |
| 500+ | 9.09 грн |
| 2000+ | 8.32 грн |
| 4000+ | 8.04 грн |
| WM02DN70M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 30.06 грн |
| 40+ | 9.97 грн |
| 67+ | 5.96 грн |
| 100+ | 5.38 грн |
| 500+ | 4.77 грн |
| WM02DN70M3 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Gate charge: 9.6nC
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.07 грн |
| 24+ | 12.42 грн |
| 41+ | 7.16 грн |
| 100+ | 6.46 грн |
| 500+ | 5.72 грн |
| 3000+ | 5.13 грн |
| 6000+ | 5.00 грн |
| WM02DP06D |
Виробник: WAYON
WM02DP06D-CYG Multi channel transistors
WM02DP06D-CYG Multi channel transistors
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 426+ | 2.65 грн |
| 1172+ | 2.51 грн |
| WM02DP06T |
Виробник: WAYON
WM02DP06T-CYG Multi channel transistors
WM02DP06T-CYG Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.77 грн |
| 280+ | 4.04 грн |
| 768+ | 3.82 грн |
| WM02N08FB |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02N08G |
Виробник: WAYON
WM02N08G-CYG SMD N channel transistors
WM02N08G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.70 грн |
| 638+ | 1.77 грн |
| 1755+ | 1.67 грн |
| WM02N08H |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 1.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02N08L |
Виробник: WAYON
WM02N08L-CYG SMD N channel transistors
WM02N08L-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 596+ | 1.89 грн |
| 1640+ | 1.79 грн |
| WM02N20F |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02N20G |
Виробник: WAYON
WM02N20G-CYG SMD N channel transistors
WM02N20G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 596+ | 1.89 грн |
| 1640+ | 1.79 грн |
| WM02N25M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 28.34 грн |
| 41+ | 9.89 грн |
| 121+ | 3.32 грн |
| 288+ | 1.39 грн |
| 500+ | 1.25 грн |
| 3000+ | 0.99 грн |
| WM02N25M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.01 грн |
| 25+ | 12.32 грн |
| 73+ | 3.98 грн |
| 173+ | 1.66 грн |
| 500+ | 1.50 грн |
| 3000+ | 1.19 грн |
| 6000+ | 1.15 грн |
| WM02N28M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 25.76 грн |
| 46+ | 8.77 грн |
| 100+ | 3.99 грн |
| 240+ | 1.67 грн |
| 500+ | 1.50 грн |
| WM02N28M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.91 грн |
| 28+ | 10.93 грн |
| 60+ | 4.78 грн |
| 144+ | 2.00 грн |
| 500+ | 1.80 грн |
| 3000+ | 1.44 грн |
| 6000+ | 1.38 грн |
| WM02N31M |
Виробник: WAYON
WM02N31M-CYG SMD N channel transistors
WM02N31M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 596+ | 1.89 грн |
| 1640+ | 1.79 грн |
| WM02N50M |
Виробник: WAYON
WM02N50M-CYG SMD N channel transistors
WM02N50M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.49 грн |
| 497+ | 2.28 грн |
| 1366+ | 2.15 грн |
| WM02N70ME |
Виробник: WAYON
WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors
WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38.84 грн |
| 443+ | 2.55 грн |
| 1219+ | 2.41 грн |
| WM02N75M2 |
Виробник: WAYON
WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors
WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.58 грн |
| 249+ | 4.55 грн |
| 683+ | 4.30 грн |
| WM02P06F |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02P06L |
Виробник: WAYON
WM02P06L-CYG SMD P channel transistors
WM02P06L-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 596+ | 1.89 грн |
| 1640+ | 1.79 грн |
| WM02P14G |
Виробник: WAYON
WM02P14G-CYG SMD P channel transistors
WM02P14G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.37 грн |
| 559+ | 2.02 грн |
| 1537+ | 1.91 грн |
| WM02P160R |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 39.50 грн |
| 32+ | 12.76 грн |
| 40+ | 10.21 грн |
| 100+ | 9.65 грн |
| 125+ | 7.50 грн |
| 344+ | 7.10 грн |
| WM02P160R |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Kind of package: reel; tape
Case: DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -64A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 6.5W
Gate-source voltage: ±10V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.40 грн |
| 19+ | 15.90 грн |
| 25+ | 12.25 грн |
| 100+ | 11.58 грн |
| 125+ | 8.99 грн |
| 344+ | 8.52 грн |
| 6000+ | 8.42 грн |
| WM02P20G |
Виробник: WAYON
WM02P20G-CYG SMD P channel transistors
WM02P20G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.20 грн |
| 493+ | 2.30 грн |
| 1353+ | 2.17 грн |
| WM02P23M |
Виробник: WAYON
WM02P23M-CYG SMD P channel transistors
WM02P23M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.85 грн |
| 746+ | 1.51 грн |
| 2051+ | 1.44 грн |
| WM02P26M |
Виробник: WAYON
WM02P26M-CYG SMD P channel transistors
WM02P26M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.51 грн |
| 688+ | 1.64 грн |
| 1890+ | 1.55 грн |
| WM02P30M |
Виробник: WAYON
WM02P30M-CYG SMD P channel transistors
WM02P30M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.14 грн |
| 528+ | 2.13 грн |
| 1451+ | 2.02 грн |
| WM02P40M3 |
Виробник: WAYON
WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors
WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.58 грн |
| 373+ | 3.03 грн |
| 1025+ | 2.86 грн |
| WM02P40ME |
Виробник: WAYON
WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors
WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.49 грн |
| 447+ | 2.53 грн |
| 1229+ | 2.39 грн |
| WM02P41M |
Виробник: WAYON
WM02P41M-CYG SMD P channel transistors
WM02P41M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.49 грн |
| 497+ | 2.28 грн |
| 1366+ | 2.15 грн |
| WM02P56M2 |
Виробник: WAYON
WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors
WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.90 грн |
| 298+ | 3.79 грн |
| 820+ | 3.58 грн |
| WM02P56M3 |
Виробник: WAYON
WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors
WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.75 грн |
| 271+ | 4.17 грн |
| 745+ | 3.94 грн |
| WM02P60M2 |
Виробник: WAYON
WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors
WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.53 грн |
| 236+ | 4.80 грн |
| 647+ | 4.54 грн |
| WM03DN06D |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 24.04 грн |
| 53+ | 7.65 грн |
| 125+ | 3.19 грн |
| 140+ | 2.86 грн |
| 500+ | 2.52 грн |
| WM03DN06D |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.85 грн |
| 32+ | 9.54 грн |
| 75+ | 3.83 грн |
| 100+ | 3.44 грн |
| 500+ | 3.02 грн |
| 3000+ | 2.73 грн |
| 6000+ | 2.64 грн |
| WM03DN85A |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.48 грн |
| 43+ | 9.49 грн |
| 60+ | 6.67 грн |
| 100+ | 6.02 грн |
| 500+ | 5.30 грн |
| 2000+ | 4.78 грн |
| WM03DN85A |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.97 грн |
| 26+ | 11.82 грн |
| 36+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.22 грн |
| 500+ | 6.36 грн |
| 2000+ | 5.74 грн |
| 4000+ | 5.51 грн |
| WM03DP50A |
Виробник: WAYON
WM03DP50A-CYG Multi channel transistors
WM03DP50A-CYG Multi channel transistors
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.87 грн |
| 204+ | 5.56 грн |
| 559+ | 5.25 грн |
| WM03N01G |
Виробник: WAYON
WM03N01G-CYG SMD N channel transistors
WM03N01G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.70 грн |
| 638+ | 1.77 грн |
| 1755+ | 1.67 грн |
| WM03N06M |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.48 грн |
| 37+ | 10.84 грн |
| 110+ | 3.64 грн |
| 262+ | 1.52 грн |
| 500+ | 1.37 грн |
| WM03N06M |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.97 грн |
| 23+ | 13.51 грн |
| 66+ | 4.36 грн |
| 158+ | 1.83 грн |
| 500+ | 1.65 грн |
| 3000+ | 1.30 грн |
| 6000+ | 1.27 грн |
| WM03N09F |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 930mA; Idm: 3.7A; 715mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.93A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 715mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 930mA; Idm: 3.7A; 715mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.93A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 715mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM03N115A |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.21 грн |
| 34+ | 11.96 грн |
| 43+ | 9.49 грн |
| 100+ | 9.01 грн |
| 500+ | 7.97 грн |
| WM03N115A |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.25 грн |
| 20+ | 14.90 грн |
| 26+ | 11.39 грн |
| 100+ | 10.81 грн |
| 500+ | 9.57 грн |
| 2000+ | 8.52 грн |
| 4000+ | 8.42 грн |
| WM03N32M |
Виробник: WAYON
WM03N32M-CYG SMD N channel transistors
WM03N32M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.37 грн |
| 559+ | 2.02 грн |
| 1537+ | 1.91 грн |
| WM03N57M |
Виробник: WAYON
WM03N57M-CYG SMD N channel transistors
WM03N57M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.79 грн |
| 359+ | 3.15 грн |
| 988+ | 2.98 грн |
| WM03N58M |
Виробник: WAYON
WM03N58M-CYG SMD N channel transistors
WM03N58M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.49 грн |
| 447+ | 2.53 грн |
| 1229+ | 2.39 грн |
| WM03N58M2 |
Виробник: WAYON
WM03N58M2-CYG SMD N channel transistors
WM03N58M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 426+ | 2.65 грн |
| 1172+ | 2.51 грн |
| WM03N86M2 |
Виробник: WAYON
WM03N86M2-CYG SMD N channel transistors
WM03N86M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.17 грн |
| 298+ | 3.79 грн |
| 820+ | 3.58 грн |
| WM03P115R |
Виробник: WAYON
WM03P115R-CYG SMD P channel transistors
WM03P115R-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.72 грн |
| 136+ | 8.32 грн |
| 374+ | 7.85 грн |
| WM03P27M |
Виробник: WAYON
WM03P27M-CYG SMD P channel transistors
WM03P27M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.33 грн |
| 596+ | 1.89 грн |
| 1640+ | 1.79 грн |







