| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WM02N08FB | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A Pulsed drain current: 3A Power dissipation: 0.15W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02N08G | WAYON | WM02N08G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2767 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N08L | WAYON | WM02N08L-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N20F | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 0.35W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.76nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02N20G | WAYON | WM02N20G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM02N25M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02N25M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.45W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02N28M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM02N28M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.8A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM02N31M | WAYON | WM02N31M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N50M | WAYON | WM02N50M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N70ME | WAYON | WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02N75M2 | WAYON | WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2854 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P06F | WAYON |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -660mA Pulsed drain current: -2.6A Power dissipation: 0.3W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WM02P06L | WAYON | WM02P06L-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P14G | WAYON | WM02P14G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P160R | WAYON | WM02P160R-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P20G | WAYON | WM02P20G-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P23M | WAYON | WM02P23M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2817 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P26M | WAYON | WM02P26M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P30M | WAYON | WM02P30M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 17960 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P40M3 | WAYON | WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P40ME | WAYON | WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P41M | WAYON | WM02P41M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2997 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P56M2 | WAYON | WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P56M3 | WAYON | WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM02P60M2 | WAYON | WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM03DN06D | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 450pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03DN06D | WAYON |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 1.8A Power dissipation: 0.3W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 450pC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03DN85A | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03DN85A | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: 34A Power dissipation: 2.5W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3390 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM03DP50A | WAYON | WM03DP50A-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N01G | WAYON | WM03N01G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM03N06M | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 2.4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03N06M | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 2.4A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1792 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM03N09F | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 930mA; Idm: 3.7A; 715mW; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.93A Pulsed drain current: 3.7A Power dissipation: 715mW Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
WM03N115A | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 2.8W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM03N115A | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 2.8W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM03N32M | WAYON | WM03N32M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N57M | WAYON | WM03N57M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N58M | WAYON | WM03N58M-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N58M2 | WAYON | WM03N58M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03N86M2 | WAYON | WM03N86M2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P115R | WAYON | WM03P115R-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P27M | WAYON | WM03P27M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P41M | WAYON | WM03P41M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 650 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P42M | WAYON | WM03P42M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P42M2 | WAYON | WM03P42M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P51A | WAYON | WM03P51A-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 3834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P56M2 | WAYON | WM03P56M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM03P91A | WAYON | WM03P91A-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 940 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM04N50M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM04N50M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5A Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM04P50M | WAYON | WM04P50M-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM04P56M2 | WAYON | WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05DP01D | WAYON | WM05DP01D-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WM05N02G | WAYON | WM05N02G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WM05N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 1A |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WM05N02M | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.5nC Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WM05N03G | WAYON | WM05N03G-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| WM02N08FB |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02N08G |
Виробник: WAYON
WM02N08G-CYG SMD N channel transistors
WM02N08G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2767 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.09 грн |
| 638+ | 1.79 грн |
| 1755+ | 1.69 грн |
| WM02N08L |
Виробник: WAYON
WM02N08L-CYG SMD N channel transistors
WM02N08L-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 596+ | 1.92 грн |
| 1640+ | 1.81 грн |
| WM02N20F |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02N20G |
Виробник: WAYON
WM02N20G-CYG SMD N channel transistors
WM02N20G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 596+ | 1.92 грн |
| 1640+ | 1.81 грн |
| WM02N25M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 28.67 грн |
| 41+ | 10.00 грн |
| 121+ | 3.36 грн |
| 288+ | 1.40 грн |
| 500+ | 1.27 грн |
| 3000+ | 1.00 грн |
| WM02N25M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; Idm: 10A; 450mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.41 грн |
| 25+ | 12.47 грн |
| 73+ | 4.03 грн |
| 173+ | 1.68 грн |
| 500+ | 1.52 грн |
| 3000+ | 1.20 грн |
| 6000+ | 1.16 грн |
| WM02N28M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 26.06 грн |
| 46+ | 8.87 грн |
| 100+ | 4.03 грн |
| 240+ | 1.69 грн |
| 500+ | 1.52 грн |
| WM02N28M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; Idm: 10A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.28 грн |
| 28+ | 11.06 грн |
| 60+ | 4.84 грн |
| 144+ | 2.02 грн |
| 500+ | 1.82 грн |
| 3000+ | 1.45 грн |
| 6000+ | 1.39 грн |
| WM02N31M |
Виробник: WAYON
WM02N31M-CYG SMD N channel transistors
WM02N31M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 596+ | 1.92 грн |
| 1640+ | 1.81 грн |
| WM02N50M |
Виробник: WAYON
WM02N50M-CYG SMD N channel transistors
WM02N50M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.90 грн |
| 497+ | 2.30 грн |
| 1366+ | 2.18 грн |
| WM02N70ME |
Виробник: WAYON
WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors
WM02N70ME-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.30 грн |
| 443+ | 2.58 грн |
| 1219+ | 2.44 грн |
| WM02N75M2 |
Виробник: WAYON
WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors
WM02N75M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.99 грн |
| 249+ | 4.60 грн |
| 683+ | 4.35 грн |
| WM02P06F |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.6A; 300mW
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM02P06L |
Виробник: WAYON
WM02P06L-CYG SMD P channel transistors
WM02P06L-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 596+ | 1.92 грн |
| 1640+ | 1.81 грн |
| WM02P14G |
Виробник: WAYON
WM02P14G-CYG SMD P channel transistors
WM02P14G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.75 грн |
| 559+ | 2.04 грн |
| 1537+ | 1.94 грн |
| WM02P160R |
Виробник: WAYON
WM02P160R-CYG SMD P channel transistors
WM02P160R-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.00 грн |
| 126+ | 9.10 грн |
| 346+ | 8.62 грн |
| WM02P20G |
Виробник: WAYON
WM02P20G-CYG SMD P channel transistors
WM02P20G-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.61 грн |
| 493+ | 2.32 грн |
| 1353+ | 2.20 грн |
| WM02P23M |
Виробник: WAYON
WM02P23M-CYG SMD P channel transistors
WM02P23M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.26 грн |
| 746+ | 1.53 грн |
| 2051+ | 1.45 грн |
| WM02P26M |
Виробник: WAYON
WM02P26M-CYG SMD P channel transistors
WM02P26M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.95 грн |
| 688+ | 1.66 грн |
| 1890+ | 1.57 грн |
| WM02P30M |
Виробник: WAYON
WM02P30M-CYG SMD P channel transistors
WM02P30M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 17960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.54 грн |
| 528+ | 2.16 грн |
| 1451+ | 2.04 грн |
| WM02P40M3 |
Виробник: WAYON
WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors
WM02P40M3-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.99 грн |
| 373+ | 3.07 грн |
| 1025+ | 2.89 грн |
| WM02P40ME |
Виробник: WAYON
WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors
WM02P40ME-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.94 грн |
| 447+ | 2.56 грн |
| 1229+ | 2.42 грн |
| WM02P41M |
Виробник: WAYON
WM02P41M-CYG SMD P channel transistors
WM02P41M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.90 грн |
| 497+ | 2.30 грн |
| 1366+ | 2.18 грн |
| WM02P56M2 |
Виробник: WAYON
WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors
WM02P56M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.24 грн |
| 298+ | 3.83 грн |
| 820+ | 3.62 грн |
| WM02P56M3 |
Виробник: WAYON
WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors
WM02P56M3-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.12 грн |
| 271+ | 4.22 грн |
| 745+ | 3.99 грн |
| WM02P60M2 |
Виробник: WAYON
WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors
WM02P60M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.96 грн |
| 236+ | 4.86 грн |
| 647+ | 4.59 грн |
| WM03DN06D |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 24.33 грн |
| 53+ | 7.74 грн |
| 125+ | 3.23 грн |
| 140+ | 2.90 грн |
| 500+ | 2.55 грн |
| WM03DN06D |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 1.8A; 300mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 1.8A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 450pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.19 грн |
| 32+ | 9.65 грн |
| 75+ | 3.87 грн |
| 100+ | 3.48 грн |
| 500+ | 3.06 грн |
| 3000+ | 2.76 грн |
| 6000+ | 2.67 грн |
| WM03DN85A |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.80 грн |
| 43+ | 9.60 грн |
| 60+ | 6.74 грн |
| 100+ | 6.09 грн |
| 500+ | 5.36 грн |
| 2000+ | 4.84 грн |
| WM03DN85A |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 34A; 2.5W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.36 грн |
| 26+ | 11.96 грн |
| 36+ | 8.09 грн |
| 100+ | 7.31 грн |
| 500+ | 6.44 грн |
| 2000+ | 5.81 грн |
| 4000+ | 5.58 грн |
| WM03DP50A |
Виробник: WAYON
WM03DP50A-CYG Multi channel transistors
WM03DP50A-CYG Multi channel transistors
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.27 грн |
| 204+ | 5.62 грн |
| 559+ | 5.31 грн |
| WM03N01G |
Виробник: WAYON
WM03N01G-CYG SMD N channel transistors
WM03N01G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.09 грн |
| 638+ | 1.79 грн |
| 1755+ | 1.69 грн |
| WM03N06M |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 27.80 грн |
| 37+ | 10.97 грн |
| 110+ | 3.68 грн |
| 262+ | 1.54 грн |
| 500+ | 1.39 грн |
| WM03N06M |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 2.4A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.6A
Pulsed drain current: 2.4A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.36 грн |
| 23+ | 13.67 грн |
| 66+ | 4.41 грн |
| 158+ | 1.85 грн |
| 500+ | 1.67 грн |
| 3000+ | 1.32 грн |
| 6000+ | 1.29 грн |
| WM03N09F |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 930mA; Idm: 3.7A; 715mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.93A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 715mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 930mA; Idm: 3.7A; 715mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.93A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 715mW
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WM03N115A |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.62 грн |
| 34+ | 12.10 грн |
| 43+ | 9.60 грн |
| 100+ | 9.12 грн |
| 500+ | 8.07 грн |
| WM03N115A |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; Idm: 46A; 2.8W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.75 грн |
| 20+ | 15.08 грн |
| 26+ | 11.52 грн |
| 100+ | 10.94 грн |
| 500+ | 9.68 грн |
| 2000+ | 8.62 грн |
| 4000+ | 8.52 грн |
| WM03N32M |
Виробник: WAYON
WM03N32M-CYG SMD N channel transistors
WM03N32M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.75 грн |
| 559+ | 2.04 грн |
| 1537+ | 1.94 грн |
| WM03N57M |
Виробник: WAYON
WM03N57M-CYG SMD N channel transistors
WM03N57M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.36 грн |
| 359+ | 3.19 грн |
| 988+ | 3.01 грн |
| WM03N58M |
Виробник: WAYON
WM03N58M-CYG SMD N channel transistors
WM03N58M-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.94 грн |
| 447+ | 2.56 грн |
| 1229+ | 2.42 грн |
| WM03N58M2 |
Виробник: WAYON
WM03N58M2-CYG SMD N channel transistors
WM03N58M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 426+ | 2.68 грн |
| 1172+ | 2.54 грн |
| WM03N86M2 |
Виробник: WAYON
WM03N86M2-CYG SMD N channel transistors
WM03N86M2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.52 грн |
| 298+ | 3.83 грн |
| 820+ | 3.62 грн |
| WM03P115R |
Виробник: WAYON
WM03P115R-CYG SMD P channel transistors
WM03P115R-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.25 грн |
| 136+ | 8.42 грн |
| 374+ | 7.94 грн |
| WM03P27M |
Виробник: WAYON
WM03P27M-CYG SMD P channel transistors
WM03P27M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 596+ | 1.92 грн |
| 1640+ | 1.81 грн |
| WM03P41M |
Виробник: WAYON
WM03P41M-CYG SMD P channel transistors
WM03P41M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.90 грн |
| 497+ | 2.30 грн |
| 1366+ | 2.18 грн |
| WM03P42M |
Виробник: WAYON
WM03P42M-CYG SMD P channel transistors
WM03P42M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 34.90 грн |
| 497+ | 2.30 грн |
| 1366+ | 2.18 грн |
| WM03P42M2 |
Виробник: WAYON
WM03P42M2-CYG SMD P channel transistors
WM03P42M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.94 грн |
| 447+ | 2.56 грн |
| 1229+ | 2.42 грн |
| WM03P51A |
Виробник: WAYON
WM03P51A-CYG SMD P channel transistors
WM03P51A-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.24 грн |
| 289+ | 3.96 грн |
| 794+ | 3.75 грн |
| WM03P56M2 |
Виробник: WAYON
WM03P56M2-CYG SMD P channel transistors
WM03P56M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.24 грн |
| 298+ | 3.83 грн |
| 820+ | 3.62 грн |
| WM03P91A |
Виробник: WAYON
WM03P91A-CYG SMD P channel transistors
WM03P91A-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.65 грн |
| 128+ | 8.91 грн |
| 353+ | 8.42 грн |
| WM04N50M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 31.28 грн |
| 40+ | 10.08 грн |
| 94+ | 4.29 грн |
| 135+ | 3.01 грн |
| 500+ | 2.72 грн |
| 3000+ | 2.15 грн |
| WM04N50M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5A; Idm: 19A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.53 грн |
| 24+ | 12.57 грн |
| 57+ | 5.15 грн |
| 100+ | 3.61 грн |
| 500+ | 3.26 грн |
| 3000+ | 2.58 грн |
| 6000+ | 2.49 грн |
| WM04P50M |
Виробник: WAYON
WM04P50M-CYG SMD P channel transistors
WM04P50M-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 426+ | 2.68 грн |
| 1172+ | 2.54 грн |
| WM04P56M2 |
Виробник: WAYON
WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors
WM04P56M2-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.13 грн |
| 280+ | 4.09 грн |
| 768+ | 3.86 грн |
| WM05DP01D |
Виробник: WAYON
WM05DP01D-CYG Multi channel transistors
WM05DP01D-CYG Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.68 грн |
| 426+ | 2.68 грн |
| 1172+ | 2.54 грн |
| WM05N02G |
Виробник: WAYON
WM05N02G-CYG SMD N channel transistors
WM05N02G-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.09 грн |
| 638+ | 1.79 грн |
| 1755+ | 1.69 грн |
| WM05N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 28.67 грн |
| 37+ | 11.13 грн |
| 109+ | 3.71 грн |
| 261+ | 1.55 грн |
| 500+ | 1.40 грн |
| 3000+ | 1.11 грн |
| WM05N02M |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 1A; 300mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5nC
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.41 грн |
| 22+ | 13.87 грн |
| 66+ | 4.45 грн |
| 157+ | 1.86 грн |
| 500+ | 1.68 грн |
| 3000+ | 1.33 грн |
| 6000+ | 1.29 грн |




