Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (947) > Сторінка 7 з 16

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WM02DN50M3 WM02DN50M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.34 грн
57+7.45 грн
133+3.15 грн
148+2.83 грн
500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q WAYON WM02DN560Q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 27.8nC
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.19 грн
15+29.63 грн
25+26.62 грн
100+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3 WM02DN60M3 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+28.85 грн
46+9.29 грн
76+5.56 грн
100+5.01 грн
500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A WAYON WM02DN70A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.96 грн
34+12.56 грн
42+10.04 грн
100+9.46 грн
500+8.29 грн
2000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3 WAYON WM02DN70M3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.35 грн
39+10.80 грн
65+6.53 грн
100+5.85 грн
500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T WAYON WM02DP06T.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
19+24.34 грн
53+8.04 грн
88+4.79 грн
100+4.31 грн
500+3.80 грн
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N08FB WAYON WM02N08FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20F WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G WM02N20G WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.14 грн
52+8.12 грн
121+3.48 грн
173+2.43 грн
500+2.18 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N31M WM02N31M WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12.4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.44 грн
57+7.37 грн
132+3.18 грн
189+2.22 грн
500+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R WM02P160R WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.96 грн
35+12.30 грн
43+9.88 грн
100+9.29 грн
500+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2 WM02P60M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.75 грн
44+9.54 грн
74+5.69 грн
100+5.11 грн
500+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2 WM04P56M2 WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WAYON WM05P02F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WAYON WM06N03FB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WAYON WM06N03FE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE WAYON WM06N03GE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.75 грн
42+10.13 грн
92+4.59 грн
217+1.93 грн
500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03HE WAYON WM06N03He.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE WAYON WM06N03LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.04 грн
39+10.97 грн
84+4.99 грн
201+2.08 грн
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME WAYON WM06N03ME.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3 WAYON WM10N35M3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+37.86 грн
35+12.22 грн
57+7.37 грн
100+6.61 грн
500+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A WAYON WM4C62160A.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.35 грн
27+15.90 грн
32+13.14 грн
100+11.64 грн
500+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB009N03LG4 WMB009N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
10+60.44 грн
25+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4 WAYON WMB010N04LG4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+64.00 грн
10+56.33 грн
25+49.97 грн
100+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4 WMB014N04LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+51.48 грн
25+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4 WMB014N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4 WMB014N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
10+61.02 грн
25+54.07 грн
100+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2 WMB017N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4 WMB020N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29.5nC
Pulsed drain current: 500A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.19 грн
13+33.65 грн
25+30.30 грн
100+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2 WMB023N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.09 грн
12+35.07 грн
25+31.64 грн
100+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06HG4 WMB025N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+59.26 грн
25+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06LG4 WMB025N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+59.26 грн
25+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB027N08HG4 WMB027N08HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06HG4 WMB034N06HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+53.57 грн
25+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06LG4 WMB034N06LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Mounting: SMD
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73.5nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 89.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 79A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 500A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.61 грн
10+53.66 грн
25+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB037N10HGS WMB037N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB040N03LG2 WMB040N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.06 грн
21+20.17 грн
25+18.08 грн
100+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB040N08HGS WMB040N08HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Mounting: SMD
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.5nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 122.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 520A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+82.03 грн
10+71.15 грн
25+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMB043N10HGS WMB043N10HGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.21 грн
10+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB043N10LGS WMB043N10LGS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.21 грн
10+62.70 грн
25+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB050N03LG4 WMB050N03LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.16 грн
26+16.49 грн
31+13.64 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB060N08LG2 WMB060N08LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 310A; 96W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 98A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
10+48.97 грн
25+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB080N03LG2 WMB080N03LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.16 грн
28+15.49 грн
33+12.89 грн
100+12.22 грн
500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB080N10HG2 WMB080N10HG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
10+45.87 грн
25+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB080N10LG2 WMB080N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.09 грн
13+33.90 грн
25+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB090N04LG2 WMB090N04LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 33A
Power dissipation: 32.9W
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 6.5nC
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.27 грн
21+20.68 грн
25+17.08 грн
100+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMB093N15HG4 WMB093N15HG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB100N04TS WMB100N04TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 500A; 96W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.68 грн
16+26.79 грн
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMB108N03T1 WMB108N03T1 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+36.06 грн
21+20.09 грн
25+18.08 грн
100+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB119N10LG2 WMB119N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.09 грн
13+32.90 грн
25+29.55 грн
100+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB129N10T2 WMB129N10T2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.41 грн
10+61.44 грн
25+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB140DNV6LG4 WMB140DNV6LG4 WAYON Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.19 грн
15+29.38 грн
25+26.45 грн
100+23.44 грн
500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB140NV6LG4 WMB140NV6LG4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.17 грн
20+21.26 грн
25+17.49 грн
100+15.49 грн
500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMB14N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB150N03TS WMB150N03TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.78 грн
16+26.45 грн
25+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMB18N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN50M3
WM02DN50M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 20A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 27mΩ
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 11nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.34 грн
57+7.45 грн
133+3.15 грн
148+2.83 грн
500+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN560Q WM02DN560Q.pdf
WM02DN560Q
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 56A; Idm: 100A; 31W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 31W
Case: DFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 100A
Gate charge: 27.8nC
Gate-source voltage: ±12V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.19 грн
15+29.63 грн
25+26.62 грн
100+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN60M3
WM02DN60M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6A; Idm: 25A; 1.5W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 25A
Gate charge: 12nC
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.85 грн
46+9.29 грн
76+5.56 грн
100+5.01 грн
500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70A WM02DN70A.pdf
WM02DN70A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 2W; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Case: TSSOP8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 13.5mΩ
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 8.8nC
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.96 грн
34+12.56 грн
42+10.04 грн
100+9.46 грн
500+8.29 грн
2000+7.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DN70M3 WM02DN70M3.pdf
WM02DN70M3
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 7A; Idm: 28A; 1.7W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 17mΩ
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 9.6nC
Gate-source voltage: ±10V
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.35 грн
39+10.80 грн
65+6.53 грн
100+5.85 грн
500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WM02DP06T WM02DP06T.pdf
WM02DP06T
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -660mA; Idm: -2.64A; 150mW
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -660mA
Pulsed drain current: -2.64A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+24.34 грн
53+8.04 грн
88+4.79 грн
100+4.31 грн
500+3.80 грн
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N08FB WM02N08FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 3A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.15W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20F
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N20G
WM02N20G
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2A; Idm: 8A; 350mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+26.14 грн
52+8.12 грн
121+3.48 грн
173+2.43 грн
500+2.18 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
WM02N31M
WM02N31M
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.1A; Idm: 12.4A; 1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.1A
Pulsed drain current: 12.4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.44 грн
57+7.37 грн
132+3.18 грн
189+2.22 грн
500+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P160R
WM02P160R
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -16A; Idm: -64A; 6.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -16A
Pulsed drain current: -64A
Power dissipation: 6.5W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.96 грн
35+12.30 грн
43+9.88 грн
100+9.29 грн
500+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WM02P60M2
WM02P60M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 350mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.75 грн
44+9.54 грн
74+5.69 грн
100+5.11 грн
500+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WM04P56M2
WM04P56M2
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.6A; Idm: -22.4A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.5nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -22.4A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM05P02F WM05P02F.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -250mA; Idm: -1A; 350mW; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -0.25A
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FB WM06N03FB.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 360mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.36W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03FE WM06N03FE.pdf
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03GE WM06N03GE.pdf
WM06N03GE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.75 грн
42+10.13 грн
92+4.59 грн
217+1.93 грн
500+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03HE WM06N03He.pdf
WM06N03HE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 150mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03LE WM06N03LE.pdf
WM06N03LE
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 300mW; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.06nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.04 грн
39+10.97 грн
84+4.99 грн
201+2.08 грн
500+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WM06N03ME WM06N03ME.pdf
WM06N03ME
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.36A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.34A
Pulsed drain current: 1.36A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 610pC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WM10N35M3 WM10N35M3.pdf
WM10N35M3
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 2W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+37.86 грн
35+12.22 грн
57+7.37 грн
100+6.61 грн
500+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WM4C62160A WM4C62160A.pdf
WM4C62160A
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 8A; 1.7W; CSP1515-4; ESD
Case: CSP1515-4
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 19.5mΩ
Power dissipation: 1.7W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.35 грн
27+15.90 грн
32+13.14 грн
100+11.64 грн
500+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 77W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ D1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 156W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 156W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMAA4N80D1B
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 800V; 4A; Idm: 16A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 96W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB009N03LG4
WMB009N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
10+60.44 грн
25+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB010N04LG4 WMB010N04LG4.pdf
WMB010N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 268A; Idm: 1072A; 114W
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PDFN5060-8
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
On-state resistance: 1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 114W
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 1072A
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+64.00 грн
10+56.33 грн
25+49.97 грн
100+46.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N04LG4
WMB014N04LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 165A; Idm: 660A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 165A
Pulsed drain current: 660A
Power dissipation: 62.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
10+51.48 грн
25+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06HG4
WMB014N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 102nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB014N06LG4
WMB014N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 278A; Idm: 1112A; 183.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 278A
Pulsed drain current: 1112A
Power dissipation: 183.8W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
10+61.02 грн
25+54.07 грн
100+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB017N03LG2
WMB017N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 63.3A; Idm: 400A; 30.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 63.3A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 30.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMB020N03LG4
WMB020N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; Idm: 500A; 50W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 50W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 29.5nC
Pulsed drain current: 500A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.19 грн
13+33.65 грн
25+30.30 грн
100+26.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB023N03LG2
WMB023N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 67A; Idm: 251A; 49W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 67A
Pulsed drain current: 251A
Power dissipation: 49W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.09 грн
12+35.07 грн
25+31.64 грн
100+27.79 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06HG4
WMB025N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
10+59.26 грн
25+52.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB025N06LG4
WMB025N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 140A; Idm: 560A; 92.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 140A
Pulsed drain current: 560A
Power dissipation: 92.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
10+59.26 грн
25+52.57 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB027N08HG4
WMB027N08HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 195A; Idm: 780A; 192.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 195A
Pulsed drain current: 780A
Power dissipation: 192.3W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06HG4
WMB034N06HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 89.2W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
10+53.57 грн
25+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB034N06LG4
WMB034N06LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; Idm: 500A; 89.2W
Mounting: SMD
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 73.5nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 89.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 79A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 500A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.61 грн
10+53.66 грн
25+47.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB037N10HGS
WMB037N10HGS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 544A; 142W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 544A
Power dissipation: 142W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB040N03LG2
WMB040N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 38A; Idm: 121A; 28W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 38A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 28W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.06 грн
21+20.17 грн
25+18.08 грн
100+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB040N08HGS
WMB040N08HGS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 130A; Idm: 520A; 122.5W
Mounting: SMD
Case: PDFN5060-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 78.5nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 122.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 130A
Drain-source voltage: 80V
Pulsed drain current: 520A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.03 грн
10+71.15 грн
25+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMB043N10HGS
WMB043N10HGS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 98.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.21 грн
10+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB043N10LGS
WMB043N10LGS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A; 131.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 131.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+71.21 грн
10+62.70 грн
25+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB050N03LG4
WMB050N03LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 65A; Idm: 260A; 31.25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 31.25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.16 грн
26+16.49 грн
31+13.64 грн
100+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB060N08LG2
WMB060N08LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 98A; Idm: 310A; 96W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 98A
Pulsed drain current: 310A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
10+48.97 грн
25+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB080N03LG2
WMB080N03LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25.5A; Idm: 168A; 30.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 25.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 30.4W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.16 грн
28+15.49 грн
33+12.89 грн
100+12.22 грн
500+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47A; Idm: 296A; 80.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 80.6W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
10+45.87 грн
25+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB080N10LG2
WMB080N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46.8A; Idm: 296A; 84W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 46.8A
Pulsed drain current: 296A
Power dissipation: 84W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.09 грн
13+33.90 грн
25+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB090N04LG2
WMB090N04LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 33A; Idm: 200A; 32.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 33A
Power dissipation: 32.9W
Pulsed drain current: 200A
Gate charge: 6.5nC
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.27 грн
21+20.68 грн
25+17.08 грн
100+15.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMB093N15HG4
WMB093N15HG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 95A; Idm: 380A; 178.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 178.5W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 37.2nC
On-state resistance: 9.3mΩ
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 380A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB100N04TS
WMB100N04TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 500A; 96W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+48.68 грн
16+26.79 грн
25+24.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMB108N03T1
WMB108N03T1
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 108A; Idm: 432A; 69W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 432A
Power dissipation: 69W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+36.06 грн
21+20.09 грн
25+18.08 грн
100+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMB119N10LG2
WMB119N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; Idm: 148A; 75W
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 13mΩ
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 75W
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 148A
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+54.09 грн
13+32.90 грн
25+29.55 грн
100+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB129N10T2
WMB129N10T2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 129A; Idm: 402A; 127.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 129A
Pulsed drain current: 402A
Power dissipation: 127.5W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 91nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.41 грн
10+61.44 грн
25+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMB13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 11A; 31W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 31W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB140DNV6LG4
WMB140DNV6LG4
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 32A; Idm: 128A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 128A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.19 грн
15+29.38 грн
25+26.45 грн
100+23.44 грн
500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMB140NV6LG4
WMB140NV6LG4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 65V; 34A; Idm: 136A; 27W; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 27W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+44.17 грн
20+21.26 грн
25+17.49 грн
100+15.49 грн
500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
WMB14N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Case: PDFN5060-8
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: WMOS™ C4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMB150N03TS
WMB150N03TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; Idm: 600A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 600A
Power dissipation: 96W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.78 грн
16+26.45 грн
25+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMB18N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 8.6A; Idm: 43A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8.6A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 125W
Case: PDFN5060-8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]