| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WMQ050N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A Pulsed drain current: 182A Power dissipation: 33.8W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ050N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 36A Pulsed drain current: 182A Power dissipation: 33.8W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ060N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 30W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ060N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 30W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 35A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ060N08LG2 | WAYON | WMQ060N08LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.7A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 21.5W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ080N03LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 17.7A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 21.5W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ090N04LG2 | WAYON | WMQ090N04LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ090NV6LG4 | WAYON | WMQ090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ098N03LG2 | WAYON | WMQ098N03LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ099N10LG2 | WAYON | WMQ099N10LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ10N10TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 20W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ10N10TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 20W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ119N10LG2 | WAYON | WMQ119N10LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ12P10TS | WAYON | WMQ12P10TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ140NV6LG4 | WAYON | WMQ140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ15DN04TS | WAYON | WMQ15DN04TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ175N10HG4 | WAYON | WMQ175N10HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 495 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ175N10LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 65.8W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ175N10LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 43A Pulsed drain current: 172A Power dissipation: 65.8W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 501 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ18P04TS | WAYON | WMQ18P04TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 497 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ20DN06TS | WAYON | WMQ20DN06TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 450 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ20N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 25W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ20N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 25W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ24P04TS | WAYON | WMQ24P04TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ25P03T1 | WAYON | WMQ25P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ25P04T1 | WAYON | WMQ25P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ25P06TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ25P06TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -25A Pulsed drain current: -100A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: SMD Gate charge: 59nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ26P02TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -26A Pulsed drain current: -104A Power dissipation: 20W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ26P02TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -26A Pulsed drain current: -104A Power dissipation: 20W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ28N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 21W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ28N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 28A Pulsed drain current: 54A Power dissipation: 21W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ30DN04TS | WAYON | WMQ30DN04TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ30DP03TS | WAYON | WMQ30DP03TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ30N02T1 | WAYON | WMQ30N02T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ30N03T2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 24W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ30N03T2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 24W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 401 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ30N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 18.9W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ30N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 18.9W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ30N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 34.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ30N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 34.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 305 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ30P03T1 | WAYON | WMQ30P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 485 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ30P04T1 | WAYON | WMQ30P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ35P02TS | WAYON | WMQ35P02TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ37N03T1 | WAYON | WMQ37N03T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ40DN03T1 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 28.4W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
WMQ40N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 59W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ40N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 40A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 59W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ42P03T1 | WAYON | WMQ42P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ46N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ46N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 30W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 411 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ50N04T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 22.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ50N04T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 50A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 22.7W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMQ50P03T1 | WAYON | WMQ50P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 2826 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ50P04TS | WAYON | WMQ50P04TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 148 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ55N04T1 | WAYON | WMQ55N04T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMQ60P02TS | WAYON | WMQ60P02TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 281 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMQ80N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMQ80N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 44.6W Case: PDFN3030-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 32nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| WMQ050N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 33.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 33.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 47.23 грн |
| 16+ | 25.91 грн |
| 25+ | 23.28 грн |
| 100+ | 20.65 грн |
| WMQ050N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 33.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 36A; Idm: 182A; 33.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 182A
Power dissipation: 33.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.68 грн |
| 10+ | 32.29 грн |
| 25+ | 27.94 грн |
| 100+ | 24.78 грн |
| 500+ | 22.96 грн |
| 3000+ | 21.43 грн |
| WMQ060N04LG2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 33.49 грн |
| 22+ | 18.34 грн |
| 25+ | 16.51 грн |
| 100+ | 14.59 грн |
| 500+ | 13.64 грн |
| WMQ060N04LG2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 200A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.19 грн |
| 14+ | 22.85 грн |
| 25+ | 19.81 грн |
| 100+ | 17.51 грн |
| 500+ | 16.36 грн |
| 3000+ | 15.12 грн |
| WMQ060N08LG2 |
Виробник: WAYON
WMQ060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
WMQ060N08LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.72 грн |
| 28+ | 41.24 грн |
| 76+ | 38.94 грн |
| WMQ080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 38.64 грн |
| 28+ | 14.35 грн |
| 34+ | 11.96 грн |
| 100+ | 11.40 грн |
| 500+ | 9.97 грн |
| WMQ080N03LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 17.7A; Idm: 112A; 21.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 17.7A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 21.5W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.37 грн |
| 17+ | 17.89 грн |
| 25+ | 14.35 грн |
| 100+ | 13.68 грн |
| 500+ | 11.96 грн |
| 3000+ | 10.72 грн |
| 6000+ | 10.43 грн |
| WMQ090N04LG2 |
Виробник: WAYON
WMQ090N04LG2-CYG SMD N channel transistors
WMQ090N04LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.12 грн |
| 89+ | 12.73 грн |
| 244+ | 12.06 грн |
| WMQ090NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMQ090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMQ090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.88 грн |
| 69+ | 16.55 грн |
| 188+ | 15.60 грн |
| WMQ098N03LG2 |
Виробник: WAYON
WMQ098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
WMQ098N03LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.16 грн |
| 111+ | 10.24 грн |
| 304+ | 9.66 грн |
| WMQ099N10LG2 |
Виробник: WAYON
WMQ099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
WMQ099N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.69 грн |
| 37+ | 30.52 грн |
| 102+ | 28.90 грн |
| WMQ10N10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 41.22 грн |
| 27+ | 15.15 грн |
| 32+ | 12.60 грн |
| 100+ | 11.88 грн |
| 500+ | 10.61 грн |
| WMQ10N10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 40A; 20W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.46 грн |
| 16+ | 18.88 грн |
| 25+ | 15.12 грн |
| 100+ | 14.26 грн |
| 500+ | 12.73 грн |
| 3000+ | 11.48 грн |
| 6000+ | 11.00 грн |
| WMQ119N10LG2 |
Виробник: WAYON
WMQ119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
WMQ119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.77 грн |
| 36+ | 32.15 грн |
| 97+ | 30.43 грн |
| WMQ12P10TS |
Виробник: WAYON
WMQ12P10TS-CYG SMD P channel transistors
WMQ12P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.65 грн |
| 49+ | 23.25 грн |
| 134+ | 22.01 грн |
| WMQ140NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMQ140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMQ140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.20 грн |
| 88+ | 12.92 грн |
| 241+ | 12.15 грн |
| WMQ15DN04TS |
Виробник: WAYON
WMQ15DN04TS-CYG Multi channel transistors
WMQ15DN04TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 52.66 грн |
| 99+ | 11.48 грн |
| 271+ | 10.81 грн |
| WMQ175N10HG4 |
Виробник: WAYON
WMQ175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
WMQ175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.17 грн |
| 48+ | 23.63 грн |
| 132+ | 22.29 грн |
| WMQ175N10LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.35 грн |
| 21+ | 19.14 грн |
| 25+ | 17.22 грн |
| 71+ | 13.40 грн |
| 194+ | 12.68 грн |
| WMQ175N10LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 172A; 65.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 172A
Power dissipation: 65.8W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.22 грн |
| 13+ | 23.85 грн |
| 25+ | 20.67 грн |
| 71+ | 16.08 грн |
| 194+ | 15.21 грн |
| 6000+ | 14.64 грн |
| WMQ18P04TS |
Виробник: WAYON
WMQ18P04TS-CYG SMD P channel transistors
WMQ18P04TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.79 грн |
| 96+ | 11.77 грн |
| 264+ | 11.20 грн |
| WMQ20DN06TS |
Виробник: WAYON
WMQ20DN06TS-CYG Multi channel transistors
WMQ20DN06TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.16 грн |
| 76+ | 15.02 грн |
| 208+ | 14.16 грн |
| WMQ20N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.35 грн |
| 32+ | 12.52 грн |
| 39+ | 10.45 грн |
| 100+ | 9.81 грн |
| WMQ20N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 25W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 25W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.22 грн |
| 20+ | 15.60 грн |
| 25+ | 12.53 грн |
| 100+ | 11.77 грн |
| 500+ | 10.43 грн |
| 3000+ | 9.28 грн |
| 6000+ | 9.09 грн |
| WMQ24P04TS |
Виробник: WAYON
WMQ24P04TS-CYG SMD P channel transistors
WMQ24P04TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.98 грн |
| 103+ | 11.00 грн |
| 283+ | 10.43 грн |
| WMQ25P03T1 |
Виробник: WAYON
WMQ25P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMQ25P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.30 грн |
| 109+ | 10.33 грн |
| 300+ | 9.76 грн |
| WMQ25P04T1 |
Виробник: WAYON
WMQ25P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMQ25P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.69 грн |
| 81+ | 14.07 грн |
| 221+ | 13.30 грн |
| WMQ25P06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 46.37 грн |
| 16+ | 25.52 грн |
| 25+ | 22.96 грн |
| 100+ | 20.33 грн |
| WMQ25P06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -25A; Idm: -100A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 59nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.65 грн |
| 10+ | 31.80 грн |
| 25+ | 27.56 грн |
| 100+ | 24.40 грн |
| 500+ | 22.58 грн |
| 3000+ | 21.15 грн |
| WMQ26P02TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 29.20 грн |
| 37+ | 10.84 грн |
| 45+ | 9.01 грн |
| 100+ | 8.53 грн |
| 500+ | 7.58 грн |
| WMQ26P02TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26A; Idm: -104A; 20W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -26A
Pulsed drain current: -104A
Power dissipation: 20W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.04 грн |
| 23+ | 13.51 грн |
| 27+ | 10.81 грн |
| 100+ | 10.24 грн |
| 500+ | 9.09 грн |
| 3000+ | 8.13 грн |
| 6000+ | 7.94 грн |
| WMQ28N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.35 грн |
| 35+ | 11.40 грн |
| 44+ | 9.09 грн |
| 100+ | 8.53 грн |
| WMQ28N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 28A; Idm: 54A; 21W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 21W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.22 грн |
| 21+ | 14.21 грн |
| 27+ | 10.91 грн |
| 100+ | 10.24 грн |
| 500+ | 9.09 грн |
| 3000+ | 8.13 грн |
| 6000+ | 7.94 грн |
| WMQ30DN04TS |
Виробник: WAYON
WMQ30DN04TS-CYG Multi channel transistors
WMQ30DN04TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.88 грн |
| 69+ | 16.55 грн |
| 188+ | 15.60 грн |
| WMQ30DP03TS |
Виробник: WAYON
WMQ30DP03TS-CYG Multi channel transistors
WMQ30DP03TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 46.89 грн |
| 74+ | 15.41 грн |
| 202+ | 14.54 грн |
| WMQ30N02T1 |
Виробник: WAYON
WMQ30N02T1-CYG SMD N channel transistors
WMQ30N02T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.62 грн |
| 107+ | 10.62 грн |
| 293+ | 10.05 грн |
| WMQ30N03T2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 40.36 грн |
| 25+ | 16.27 грн |
| 30+ | 13.48 грн |
| 100+ | 12.76 грн |
| WMQ30N03T2 |
![]() |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 100A; 24W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 24W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.43 грн |
| 15+ | 20.27 грн |
| 25+ | 16.17 грн |
| 100+ | 15.31 грн |
| 500+ | 13.59 грн |
| 3000+ | 12.15 грн |
| 6000+ | 11.77 грн |
| WMQ30N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 18.9W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 18.9W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.21 грн |
| 31+ | 13.08 грн |
| 37+ | 11.00 грн |
| 100+ | 10.29 грн |
| WMQ30N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 18.9W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 120A; 18.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 18.9W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.25 грн |
| 19+ | 16.30 грн |
| 25+ | 13.20 грн |
| 100+ | 12.34 грн |
| 500+ | 10.91 грн |
| 3000+ | 9.86 грн |
| 6000+ | 9.57 грн |
| WMQ30N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 34.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 34.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.63 грн |
| 31+ | 13.24 грн |
| 37+ | 11.00 грн |
| 100+ | 10.45 грн |
| WMQ30N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 34.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 120A; 34.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 34.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.16 грн |
| 19+ | 16.49 грн |
| 25+ | 13.20 грн |
| 100+ | 12.53 грн |
| 500+ | 11.10 грн |
| 3000+ | 9.95 грн |
| 6000+ | 9.66 грн |
| WMQ30P03T1 |
Виробник: WAYON
WMQ30P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMQ30P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.98 грн |
| 103+ | 11.00 грн |
| 283+ | 10.43 грн |
| WMQ30P04T1 |
Виробник: WAYON
WMQ30P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMQ30P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.75 грн |
| 76+ | 14.93 грн |
| 209+ | 14.07 грн |
| WMQ35P02TS |
Виробник: WAYON
WMQ35P02TS-CYG SMD P channel transistors
WMQ35P02TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.05 грн |
| 132+ | 8.61 грн |
| 362+ | 8.13 грн |
| WMQ37N03T1 |
Виробник: WAYON
WMQ37N03T1-CYG SMD N channel transistors
WMQ37N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.77 грн |
| 134+ | 8.42 грн |
| 367+ | 8.04 грн |
| WMQ40DN03T1 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 28.4W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 28.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 28.4W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMQ40N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.63 грн |
| 31+ | 13.16 грн |
| 37+ | 11.00 грн |
| 100+ | 10.37 грн |
| WMQ40N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; Idm: 160A; 59W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 59W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.16 грн |
| 19+ | 16.40 грн |
| 25+ | 13.20 грн |
| 100+ | 12.44 грн |
| 500+ | 11.00 грн |
| 3000+ | 9.86 грн |
| 6000+ | 9.57 грн |
| WMQ42P03T1 |
Виробник: WAYON
WMQ42P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMQ42P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.87 грн |
| 100+ | 11.39 грн |
| 274+ | 10.72 грн |
| WMQ46N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.78 грн |
| 29+ | 13.95 грн |
| 35+ | 11.64 грн |
| 100+ | 10.84 грн |
| 109+ | 8.61 грн |
| 300+ | 8.13 грн |
| WMQ46N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; Idm: 184A; 30W; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 30W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 411 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.34 грн |
| 18+ | 17.39 грн |
| 25+ | 13.97 грн |
| 100+ | 13.01 грн |
| 109+ | 10.33 грн |
| 300+ | 9.76 грн |
| 6000+ | 9.66 грн |
| WMQ50N04T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 40.36 грн |
| 23+ | 17.94 грн |
| 27+ | 15.07 грн |
| 100+ | 14.11 грн |
| WMQ50N04T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 200A; 22.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 22.7W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.43 грн |
| 14+ | 22.36 грн |
| 25+ | 18.08 грн |
| 100+ | 16.94 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 3000+ | 13.59 грн |
| 6000+ | 13.20 грн |
| WMQ50P03T1 |
Виробник: WAYON
WMQ50P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMQ50P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.35 грн |
| 68+ | 16.84 грн |
| 185+ | 15.88 грн |
| WMQ50P04TS |
Виробник: WAYON
WMQ50P04TS-CYG SMD P channel transistors
WMQ50P04TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.97 грн |
| 51+ | 22.20 грн |
| 140+ | 21.05 грн |
| WMQ55N04T1 |
Виробник: WAYON
WMQ55N04T1-CYG SMD N channel transistors
WMQ55N04T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 44.72 грн |
| 78+ | 14.54 грн |
| 214+ | 13.78 грн |
| WMQ60P02TS |
Виробник: WAYON
WMQ60P02TS-CYG SMD P channel transistors
WMQ60P02TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 281 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.10 грн |
| 79+ | 14.35 грн |
| 217+ | 13.59 грн |
| WMQ80N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 30.06 грн |
| 25+ | 16.43 грн |
| 30+ | 13.56 грн |
| 100+ | 12.28 грн |
| WMQ80N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 44.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 44.6W
Case: PDFN3030-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.07 грн |
| 15+ | 20.47 грн |
| 25+ | 16.27 грн |
| 100+ | 14.74 грн |




