| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WMS04N10T1 | WAYON | WMS04N10T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS04N10TS | WAYON | WMS04N10TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS04P06TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.8A Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS04P06TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.8A Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.105Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS04P10TS | WAYON | WMS04P10TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS05P04TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS05P04TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS05P06T1 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS05P06T1 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS05P10TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS05P10TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.5A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS06N10TS | WAYON | WMS06N10TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS06N15T2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5.8A Pulsed drain current: 23.2A Power dissipation: 3.2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS06N15T2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 5.8A Pulsed drain current: 23.2A Power dissipation: 3.2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS06P04T1 | WAYON | WMS06P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS080N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS080N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Pulsed drain current: 260A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS08DH04T1 | WAYON | WMS08DH04T1-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS08DN06TS | WAYON | WMS08DN06TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 492 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS08DP03TS | WAYON | WMS08DP03TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS08N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS08N06TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 990 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS08P03T1 | WAYON | WMS08P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS08P04TS | WAYON | WMS08P04TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 476 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS090DNV6LG4 | WAYON | WMS090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS090N04LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMS090NV6LG4 | WAYON | WMS090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS099N10LGS | WAYON | WMS099N10LGS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS09DP03TS | WAYON | WMS09DP03TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 132 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS09N06TS | WAYON | WMS09N06TS-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS09P02TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS09P02TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -9A Pulsed drain current: -36A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 498 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS09P06TS | WAYON | WMS09P06TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS10DH04TS | WAYON | WMS10DH04TS-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 369 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS10DN04TS | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS10DN04TS | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS10N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS10N04TS | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 430 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS119N10LG2 | WAYON | WMS119N10LG2-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS11P02TS | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -11A Pulsed drain current: -44A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| WMS11P04T1 | WAYON | WMS11P04T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS12P03T1 | WAYON | WMS12P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS13N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS13N03T1 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS13P04T1 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -13A Pulsed drain current: -52A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS13P04T1 | WAYON |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -13A Pulsed drain current: -52A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: SMD Gate charge: 28nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 461 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS140DNV6LG4 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 65V Drain current: 10A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS140NV6LG4 | WAYON | WMS140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS14DN03T1 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS14DN03T1 | WAYON |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| WMS14P03T1 | WAYON | WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 352 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS15N03T1 | WAYON | WMS15N03T1-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 457 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS15P02T1 | WAYON | WMS15P02T1-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS175DN10LG4 | WAYON | WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS175N10HG4 | WAYON | WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS175N10LG4 | WAYON | WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| WMS17P03TS | WAYON | WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors |
на замовлення 483 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
WMS240N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
WMS240N10LG2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.1W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| WMS04N10T1 |
Виробник: WAYON
WMS04N10T1-CYG SMD N channel transistors
WMS04N10T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.68 грн |
| 116+ | 10.14 грн |
| 319+ | 9.55 грн |
| WMS04N10TS |
Виробник: WAYON
WMS04N10TS-CYG SMD N channel transistors
WMS04N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.34 грн |
| 163+ | 7.18 грн |
| 449+ | 6.79 грн |
| WMS04P06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.33 грн |
| 34+ | 12.14 грн |
| 49+ | 8.53 грн |
| 100+ | 7.63 грн |
| 500+ | 6.81 грн |
| WMS04P06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 21+ | 15.12 грн |
| 29+ | 10.23 грн |
| 100+ | 9.15 грн |
| 500+ | 8.17 грн |
| 2000+ | 7.38 грн |
| 4000+ | 6.99 грн |
| WMS04P10TS |
Виробник: WAYON
WMS04P10TS-CYG SMD P channel transistors
WMS04P10TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.64 грн |
| 88+ | 13.38 грн |
| 241+ | 12.60 грн |
| WMS05P04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.09 грн |
| 34+ | 12.14 грн |
| 57+ | 7.22 грн |
| 100+ | 6.48 грн |
| 500+ | 5.74 грн |
| WMS05P04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 21+ | 15.12 грн |
| 35+ | 8.66 грн |
| 100+ | 7.77 грн |
| 500+ | 6.89 грн |
| 2000+ | 6.20 грн |
| 4000+ | 6.00 грн |
| WMS05P06T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.09 грн |
| 30+ | 13.94 грн |
| 36+ | 11.64 грн |
| 100+ | 11.07 грн |
| WMS05P06T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 18+ | 17.37 грн |
| 25+ | 13.97 грн |
| 100+ | 13.28 грн |
| 500+ | 11.61 грн |
| 2000+ | 10.43 грн |
| 4000+ | 10.33 грн |
| WMS05P10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.33 грн |
| 22+ | 19.44 грн |
| 25+ | 17.39 грн |
| 100+ | 15.34 грн |
| 500+ | 14.27 грн |
| WMS05P10TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.5A; Idm: -18A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 13+ | 24.22 грн |
| 25+ | 20.86 грн |
| 100+ | 18.40 грн |
| 500+ | 17.12 грн |
| 2000+ | 16.04 грн |
| 4000+ | 15.94 грн |
| WMS06N10TS |
Виробник: WAYON
WMS06N10TS-CYG SMD N channel transistors
WMS06N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.62 грн |
| 90+ | 13.09 грн |
| 246+ | 12.40 грн |
| WMS06N15T2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 441.57 грн |
| WMS06N15T2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.8A; Idm: 23.2A; 3.2W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.8A
Pulsed drain current: 23.2A
Power dissipation: 3.2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 317.93 грн |
| 10+ | 40.98 грн |
| 25+ | 35.43 грн |
| 100+ | 31.39 грн |
| 500+ | 29.13 грн |
| 2000+ | 27.26 грн |
| WMS06P04T1 |
Виробник: WAYON
WMS06P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMS06P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.69 грн |
| 131+ | 8.96 грн |
| 361+ | 8.46 грн |
| WMS080N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 51.22 грн |
| 13+ | 31.57 грн |
| 25+ | 28.37 грн |
| 100+ | 25.09 грн |
| WMS080N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 260A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.47 грн |
| 10+ | 39.34 грн |
| 25+ | 34.05 грн |
| 100+ | 30.11 грн |
| 500+ | 27.85 грн |
| 2000+ | 26.18 грн |
| WMS08DH04T1 |
Виробник: WAYON
WMS08DH04T1-CYG Multi channel transistors
WMS08DH04T1-CYG Multi channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.98 грн |
| 100+ | 11.71 грн |
| 274+ | 11.12 грн |
| WMS08DN06TS |
Виробник: WAYON
WMS08DN06TS-CYG Multi channel transistors
WMS08DN06TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.39 грн |
| 76+ | 15.45 грн |
| 208+ | 14.56 грн |
| WMS08DP03TS |
Виробник: WAYON
WMS08DP03TS-CYG Multi channel transistors
WMS08DP03TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.39 грн |
| 76+ | 15.45 грн |
| 208+ | 14.56 грн |
| WMS08N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.09 грн |
| 33+ | 12.55 грн |
| 41+ | 10.09 грн |
| 100+ | 9.51 грн |
| 500+ | 8.45 грн |
| WMS08N06TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 20+ | 15.64 грн |
| 25+ | 12.10 грн |
| 100+ | 11.42 грн |
| 500+ | 10.14 грн |
| 2000+ | 8.96 грн |
| 4000+ | 8.86 грн |
| WMS08P03T1 |
Виробник: WAYON
WMS08P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMS08P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.28 грн |
| 146+ | 8.07 грн |
| 400+ | 7.58 грн |
| WMS08P04TS |
Виробник: WAYON
WMS08P04TS-CYG SMD P channel transistors
WMS08P04TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 476 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.53 грн |
| 134+ | 8.76 грн |
| 367+ | 8.27 грн |
| WMS090DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMS090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
WMS090DNV6LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.73 грн |
| 58+ | 20.27 грн |
| 159+ | 19.19 грн |
| WMS090N04LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMS090NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMS090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMS090NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.19 грн |
| 92+ | 12.79 грн |
| 251+ | 12.10 грн |
| WMS099N10LGS |
Виробник: WAYON
WMS099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
WMS099N10LGS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.69 грн |
| 35+ | 34.34 грн |
| 94+ | 32.38 грн |
| WMS09DP03TS |
Виробник: WAYON
WMS09DP03TS-CYG Multi channel transistors
WMS09DP03TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.73 грн |
| 45+ | 26.08 грн |
| 124+ | 24.60 грн |
| WMS09N06TS |
Виробник: WAYON
WMS09N06TS-CYG SMD N channel transistors
WMS09N06TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.80 грн |
| 94+ | 12.50 грн |
| 257+ | 11.81 грн |
| WMS09P02TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.09 грн |
| 34+ | 12.30 грн |
| 42+ | 9.84 грн |
| 100+ | 9.35 грн |
| WMS09P02TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -9A; Idm: -36A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -9A
Pulsed drain current: -36A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 20+ | 15.33 грн |
| 25+ | 11.81 грн |
| 100+ | 11.22 грн |
| 500+ | 9.94 грн |
| 2000+ | 8.86 грн |
| 4000+ | 8.66 грн |
| WMS09P06TS |
Виробник: WAYON
WMS09P06TS-CYG SMD P channel transistors
WMS09P06TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.93 грн |
| 70+ | 16.73 грн |
| 193+ | 15.84 грн |
| WMS10DH04TS |
Виробник: WAYON
WMS10DH04TS-CYG Multi channel transistors
WMS10DH04TS-CYG Multi channel transistors
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.98 грн |
| 100+ | 11.71 грн |
| 274+ | 11.12 грн |
| WMS10DN04TS |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 35.33 грн |
| 27+ | 15.66 грн |
| 32+ | 13.12 грн |
| 100+ | 12.38 грн |
| WMS10DN04TS |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.39 грн |
| 16+ | 19.52 грн |
| 25+ | 15.75 грн |
| 100+ | 14.86 грн |
| 500+ | 13.09 грн |
| 2000+ | 11.81 грн |
| 4000+ | 11.42 грн |
| WMS10N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 37.98 грн |
| 32+ | 12.87 грн |
| 40+ | 10.25 грн |
| 100+ | 9.68 грн |
| WMS10N04TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; Idm: 40A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.57 грн |
| 20+ | 16.04 грн |
| 25+ | 12.30 грн |
| 100+ | 11.61 грн |
| 500+ | 10.23 грн |
| 2000+ | 9.15 грн |
| 4000+ | 8.86 грн |
| WMS119N10LG2 |
Виробник: WAYON
WMS119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
WMS119N10LG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.04 грн |
| 37+ | 31.79 грн |
| 102+ | 30.01 грн |
| WMS11P02TS |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -11A; Idm: -44A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -11A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| WMS11P04T1 |
Виробник: WAYON
WMS11P04T1-CYG SMD P channel transistors
WMS11P04T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.98 грн |
| 100+ | 11.71 грн |
| 274+ | 11.12 грн |
| WMS12P03T1 |
Виробник: WAYON
WMS12P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMS12P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.78 грн |
| 107+ | 11.02 грн |
| 293+ | 10.43 грн |
| WMS13N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 34.44 грн |
| 30+ | 13.69 грн |
| 36+ | 11.40 грн |
| 100+ | 10.82 грн |
| 500+ | 9.51 грн |
| WMS13N03T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 66A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.33 грн |
| 18+ | 17.07 грн |
| 25+ | 13.68 грн |
| 100+ | 12.99 грн |
| 500+ | 11.42 грн |
| 2000+ | 10.43 грн |
| 4000+ | 10.23 грн |
| WMS13P04T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.68 грн |
| 23+ | 18.21 грн |
| 26+ | 16.32 грн |
| 100+ | 14.43 грн |
| WMS13P04T1 |
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -13A; Idm: -52A; 3W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -52A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 14+ | 22.69 грн |
| 25+ | 19.58 грн |
| 100+ | 17.32 грн |
| 500+ | 16.04 грн |
| 2000+ | 15.06 грн |
| 4000+ | 14.96 грн |
| WMS140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 33.56 грн |
| 23+ | 18.04 грн |
| 28+ | 14.93 грн |
| 100+ | 13.12 грн |
| 500+ | 12.22 грн |
| WMS140DNV6LG4 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 65V; 10A; Idm: 40A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 65V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 40.27 грн |
| 14+ | 22.48 грн |
| 25+ | 17.91 грн |
| 100+ | 15.75 грн |
| 500+ | 14.66 грн |
| 2000+ | 13.78 грн |
| WMS140NV6LG4 |
Виробник: WAYON
WMS140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
WMS140NV6LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 55.21 грн |
| 96+ | 12.20 грн |
| 264+ | 11.51 грн |
| WMS14DN03T1 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 43.27 грн |
| 22+ | 19.27 грн |
| 26+ | 16.07 грн |
| 100+ | 15.17 грн |
| WMS14DN03T1 |
Виробник: WAYON
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 14A; Idm: 56A; 3W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.93 грн |
| 13+ | 24.02 грн |
| 25+ | 19.29 грн |
| 100+ | 18.21 грн |
| 500+ | 16.14 грн |
| 2000+ | 14.37 грн |
| 4000+ | 13.97 грн |
| WMS14P03T1 |
Виробник: WAYON
WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors
WMS14P03T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 45.46 грн |
| 79+ | 14.86 грн |
| 216+ | 14.07 грн |
| WMS15N03T1 |
Виробник: WAYON
WMS15N03T1-CYG SMD N channel transistors
WMS15N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 81+ | 14.47 грн |
| 222+ | 13.78 грн |
| WMS15P02T1 |
Виробник: WAYON
WMS15P02T1-CYG SMD P channel transistors
WMS15P02T1-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.37 грн |
| 102+ | 11.51 грн |
| 280+ | 10.82 грн |
| WMS175DN10LG4 |
Виробник: WAYON
WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
WMS175DN10LG4-CYG Multi channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.22 грн |
| 41+ | 28.93 грн |
| 112+ | 27.36 грн |
| WMS175N10HG4 |
Виробник: WAYON
WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.54 грн |
| 74+ | 15.84 грн |
| 204+ | 14.96 грн |
| WMS175N10LG4 |
Виробник: WAYON
WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.58 грн |
| 67+ | 17.61 грн |
| 182+ | 16.73 грн |
| WMS17P03TS |
Виробник: WAYON
WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.75 грн |
| 48+ | 24.40 грн |
| 132+ | 23.13 грн |
| WMS240N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 32.68 грн |
| 24+ | 17.39 грн |
| 29+ | 14.27 грн |
| 100+ | 12.63 грн |
| 500+ | 11.73 грн |
| WMS240N10LG2 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.21 грн |
| 15+ | 21.66 грн |
| 25+ | 17.12 грн |
| 100+ | 15.15 грн |
| 500+ | 14.07 грн |
| 2000+ | 13.19 грн |



