Продукція > WAYON > Всі товари виробника WAYON (1445) > Сторінка 24 з 25

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
WMS175N10HG4 WAYON WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.54 грн
74+15.84 грн
204+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4 WAYON WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+47.58 грн
67+17.61 грн
182+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS17P03TS WAYON WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.75 грн
48+24.40 грн
132+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.68 грн
24+17.39 грн
29+14.27 грн
100+12.63 грн
500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2 WMS240N10LG2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+39.21 грн
15+21.66 грн
25+17.12 грн
100+15.15 грн
500+14.07 грн
2000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2 WAYON WMS690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.97 грн
39+30.21 грн
107+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.03 грн
35+11.73 грн
47+8.77 грн
100+7.79 грн
250+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS WMT04N10TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.03 грн
21+14.61 грн
29+10.53 грн
100+9.35 грн
250+8.36 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.44 грн
22+18.78 грн
25+16.89 грн
100+14.93 грн
250+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS WMT04N15TS WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.33 грн
14+23.40 грн
25+20.27 грн
100+17.91 грн
250+16.04 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P06TS WMT04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; Idm: -15.2A; 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+44.16 грн
24+17.22 грн
32+12.96 грн
100+11.48 грн
250+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P06TS WMT04P06TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; Idm: -15.2A; 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.99 грн
15+21.46 грн
25+15.55 грн
100+13.78 грн
250+12.40 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS WMT04P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -14.4A; 3.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.33 грн
25+16.81 грн
28+15.09 грн
100+13.28 грн
250+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS WMT04P10TS WAYON Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -14.4A; 3.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.39 грн
15+20.95 грн
25+18.11 грн
100+15.94 грн
250+14.47 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1 WAYON WMT05N10T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.72 грн
89+13.09 грн
245+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N12TS WAYON WMT05N12TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.54 грн
74+15.84 грн
204+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N03T1 WAYON WMT07N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.28 грн
144+8.17 грн
396+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS WAYON WMT07N06TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.05 грн
100+11.71 грн
274+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N10TS WAYON WMT07N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.64 грн
93+12.69 грн
254+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+64.47 грн
10+51.58 грн
50+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2 WMU080N10HG2 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.36 грн
10+64.28 грн
50+54.91 грн
250+49.20 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1 WAYON WMX3N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.89 грн
14+86.60 грн
38+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1 WAYON WMX4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.35 грн
14+88.57 грн
37+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2 WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL WAYON Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+87.43 грн
10+72.99 грн
50+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF WSRSIC004065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
10+90.95 грн
50+76.76 грн
250+69.87 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.12 грн
10+113.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI WSRSIC005120NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
10+141.02 грн
50+120.06 грн
250+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI WAYON WSRSIC006065NNI THT Schottky diodes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.40 грн
11+115.14 грн
28+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC WAYON WSRSIC006065NPC THT Schottky diodes
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
16+74.79 грн
44+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.12 грн
10+113.99 грн
50+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI WSRSIC008065NNI WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
10+142.05 грн
50+121.04 грн
250+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+85.66 грн
10+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC WSRSIC008065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.80 грн
10+88.91 грн
50+76.76 грн
100+68.88 грн
300+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPD WAYON Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.76 грн
10+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF WSRSIC008065NPF WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
10+127.74 грн
50+108.25 грн
250+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NNI WAYON WSRSIC010065NNI THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.36 грн
7+171.23 грн
19+161.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPC WAYON WSRSIC010065NPC THT Schottky diodes
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.08 грн
12+101.36 грн
32+96.44 грн
2000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPF WAYON WSRSIC010065NPF THT Schottky diodes
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.46 грн
8+159.42 грн
21+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4 WSRSIC010120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+217.25 грн
10+181.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4 WSRSIC010120NP4 WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.70 грн
10+225.84 грн
30+191.89 грн
120+173.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+137.77 грн
10+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC WSRSIC015065NPC WAYON Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.32 грн
10+144.09 грн
50+122.02 грн
250+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NNI WAYON WSRSIC020065NNI THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+511.87 грн
4+321.79 грн
10+305.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP8 WAYON WSRSIC020065NP8 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+419.67 грн
5+260.78 грн
13+246.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPC WAYON WSRSIC020065NPC THT Schottky diodes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.82 грн
8+163.36 грн
20+154.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL WAYON WSRSIC020065NPL THT Schottky diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+365.62 грн
6+226.34 грн
15+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP4 WAYON WSRSIC020120NP4 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+662.35 грн
3+410.36 грн
8+387.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP8 WAYON WSRSIC020120NP8 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+662.35 грн
3+410.36 грн
8+387.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS WAYON WSRSIC030065NPS THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+665.53 грн
3+412.33 грн
8+390.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4 WAYON WSRSIC030120NP4 THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+806.48 грн
3+541.24 грн
6+511.72 грн
900+510.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP8 WAYON WSRSIC030120NP8 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+928.36 грн
3+575.68 грн
6+544.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10HG4
Виробник: WAYON
WMS175N10HG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
74+15.84 грн
204+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS175N10LG4
Виробник: WAYON
WMS175N10LG4-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.58 грн
67+17.61 грн
182+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMS17P03TS
Виробник: WAYON
WMS17P03TS-CYG SMD P channel transistors
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.75 грн
48+24.40 грн
132+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.68 грн
24+17.39 грн
29+14.27 грн
100+12.63 грн
500+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
WMS240N10LG2
WMS240N10LG2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; Idm: 32A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.21 грн
15+21.66 грн
25+17.12 грн
100+15.15 грн
500+14.07 грн
2000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMS690N15HG2
Виробник: WAYON
WMS690N15HG2-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.97 грн
39+30.21 грн
107+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.03 грн
35+11.73 грн
47+8.77 грн
100+7.79 грн
250+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N10TS
WMT04N10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.5A; Idm: 14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.03 грн
21+14.61 грн
29+10.53 грн
100+9.35 грн
250+8.36 грн
1000+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.44 грн
22+18.78 грн
25+16.89 грн
100+14.93 грн
250+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04N15TS
WMT04N15TS
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 4A; Idm: 16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.33 грн
14+23.40 грн
25+20.27 грн
100+17.91 грн
250+16.04 грн
1000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P06TS
WMT04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; Idm: -15.2A; 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.16 грн
24+17.22 грн
32+12.96 грн
100+11.48 грн
250+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P06TS
WMT04P06TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3.8A; Idm: -15.2A; 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3.8A
Pulsed drain current: -15.2A
Power dissipation: 2.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 355 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.99 грн
15+21.46 грн
25+15.55 грн
100+13.78 грн
250+12.40 грн
1000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS
WMT04P10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -14.4A; 3.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.33 грн
25+16.81 грн
28+15.09 грн
100+13.28 грн
250+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
WMT04P10TS
WMT04P10TS
Виробник: WAYON
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; Idm: -14.4A; 3.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -14.4A
Power dissipation: 3.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.39 грн
15+20.95 грн
25+18.11 грн
100+15.94 грн
250+14.47 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N10T1
Виробник: WAYON
WMT05N10T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.72 грн
89+13.09 грн
245+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT05N12TS
Виробник: WAYON
WMT05N12TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.54 грн
74+15.84 грн
204+14.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N03T1
Виробник: WAYON
WMT07N03T1-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.28 грн
144+8.17 грн
396+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N06TS
Виробник: WAYON
WMT07N06TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.05 грн
100+11.71 грн
274+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WMT07N10TS
Виробник: WAYON
WMT07N10TS-CYG SMD N channel transistors
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.64 грн
93+12.69 грн
254+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMT4N65D1B
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.47 грн
10+51.58 грн
50+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
WMU080N10HG2
WMU080N10HG2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; Idm: 168A; 28.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 28.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.36 грн
10+64.28 грн
50+54.91 грн
250+49.20 грн
1000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
WMX3N150D1
Виробник: WAYON
WMX3N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.89 грн
14+86.60 грн
38+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMX4N150D1
Виробник: WAYON
WMX4N150D1-CYG THT N channel transistors
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.35 грн
14+88.57 грн
37+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ13N65EM
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ EM; unipolar; 650V; 6.5A; Idm: 35A; 85W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ EM
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.5A
Pulsed drain current: 35A
Power dissipation: 85W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N60C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.205Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ26N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 10.5A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 135W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 22.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ36N65C4
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 277W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMZ53N60F2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 280W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ F2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 280W
Case: DFN8x8
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WS05-4RUL
Виробник: WAYON
Transient Voltage Suppressor; protects 4 I/O lines; 400W; 20A; 5V; -55°C~125°C; Odpowiednik: WWS05-4RUL; WS05-4RUL SOT23-6 UIWS05-4rul
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+87.43 грн
10+72.99 грн
50+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC004065NPF
WSRSIC004065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 4A; TO220FP-2; Ir: 0.8uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 4A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 30A
Leakage current: 0.8µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
10+90.95 грн
50+76.76 грн
250+69.87 грн
1000+68.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.12 грн
10+113.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC005120NNI
WSRSIC005120NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 5A; TO220ACIns; Ir: 1uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 43A
Leakage current: 1µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
10+141.02 грн
50+120.06 грн
250+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NNI
Виробник: WAYON
WSRSIC006065NNI THT Schottky diodes
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.40 грн
11+115.14 грн
28+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC006065NPC
Виробник: WAYON
WSRSIC006065NPC THT Schottky diodes
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
16+74.79 грн
44+70.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.12 грн
10+113.99 грн
50+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NNI
WSRSIC008065NNI
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220ACIns; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220ACIns
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
10+142.05 грн
50+121.04 грн
250+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.66 грн
10+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPC
WSRSIC008065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 65A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.80 грн
10+88.91 грн
50+76.76 грн
100+68.88 грн
300+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPD
Виробник: WAYON
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DFN5x6; SiC; SMD; 650V; 8A; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DFN5x6
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.38V
Leakage current: 1.2µA
Max. forward impulse current: 45A
Kind of package: tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+122.76 грн
10+102.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC008065NPF
WSRSIC008065NPF
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220FP-2; Ir: 1.2uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220FP-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 1.2µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
10+127.74 грн
50+108.25 грн
250+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NNI
Виробник: WAYON
WSRSIC010065NNI THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.36 грн
7+171.23 грн
19+161.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPC
Виробник: WAYON
WSRSIC010065NPC THT Schottky diodes
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.08 грн
12+101.36 грн
32+96.44 грн
2000+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010065NPF
Виробник: WAYON
WSRSIC010065NPF THT Schottky diodes
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.46 грн
8+159.42 грн
21+150.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4
WSRSIC010120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+217.25 грн
10+181.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC010120NP4
WSRSIC010120NP4
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO247-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.70 грн
10+225.84 грн
30+191.89 грн
120+173.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+137.77 грн
10+115.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC015065NPC
WSRSIC015065NPC
Виробник: WAYON
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 15A; TO220-2; Ir: 5uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 15A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.38V
Max. forward impulse current: 95A
Leakage current: 5µA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.32 грн
10+144.09 грн
50+122.02 грн
250+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NNI
Виробник: WAYON
WSRSIC020065NNI THT Schottky diodes
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+511.87 грн
4+321.79 грн
10+305.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NP8
Виробник: WAYON
WSRSIC020065NP8 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.67 грн
5+260.78 грн
13+246.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPC
Виробник: WAYON
WSRSIC020065NPC THT Schottky diodes
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
8+163.36 грн
20+154.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020065NPL
Виробник: WAYON
WSRSIC020065NPL THT Schottky diodes
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.62 грн
6+226.34 грн
15+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP4
Виробник: WAYON
WSRSIC020120NP4 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.35 грн
3+410.36 грн
8+387.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC020120NP8
Виробник: WAYON
WSRSIC020120NP8 THT Schottky diodes
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.35 грн
3+410.36 грн
8+387.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030065NPS
Виробник: WAYON
WSRSIC030065NPS THT Schottky diodes
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+665.53 грн
3+412.33 грн
8+390.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP4
Виробник: WAYON
WSRSIC030120NP4 THT Schottky diodes
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+806.48 грн
3+541.24 грн
6+511.72 грн
900+510.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WSRSIC030120NP8
Виробник: WAYON
WSRSIC030120NP8 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+928.36 грн
3+575.68 грн
6+544.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 14 16 18 19 20 21 22 23 24 25  [ Наступна Сторінка >> ]