Продукція > WOLFSPEED, INC. > Всі товари виробника WOLFSPEED, INC. (556) > Сторінка 10 з 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
---|---|---|---|---|---|---|---|
PXAE1837078NB-V1-R2 | Wolfspeed, Inc. | Description: SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
PXAE183708NB-V1-R2 | Wolfspeed, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
PXAE213708NB-V1-R0 | Wolfspeed, Inc. | Description: SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
PXAE213708NB-V1-R2 | Wolfspeed, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
PXAE263708NB-V1-R0 | Wolfspeed, Inc. | Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
PXAE263708NB-V1-R2 | Wolfspeed, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
PXFC192207FH-V3-R0 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
PXFC192207FH-V3-R250 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
PXFC192207NF-V1-R500 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
QE4D02120E-TR | Wolfspeed, Inc. |
Description: 1200V SCHOTTKY Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
![]() |
WAB300M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
WAB400M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 468A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 400A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1040nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 106mA Supplier Device Package: Module Part Status: Active |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
WAS175M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA Part Status: Active |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
WAS310M17BM3 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A FET Feature: Standard Part Status: Active |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
![]() |
WAS350M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
![]() |
WAS530M12BM3 | Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
PXAE1837078NB-V1-R2 |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ
Description: SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PXAE183708NB-V1-R2 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 320W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH
Description: 320W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PXAE213708NB-V1-R0 |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ
Description: SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PXAE213708NB-V1-R2 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ
Description: SI LDMOS AMP 370W 2110-2170MHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PXAE263708NB-V1-R0 |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PXAE263708NB-V1-R2 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
Description: SI LDMOS AMP 370W 2496-2690MHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
WAB300M12BM3 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 382A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 382A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24500pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 300A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
WAB400M12BM3 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 468A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 468A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1040nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 106mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Description: SIC 2N-CH 1200V 468A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 468A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1040nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 106mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 78829.72 грн |
WAS175M12BM3 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 175A, 1200V, 62MM,
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA
Part Status: Active
Description: SIC, MODULE, 175A, 1200V, 62MM,
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 45108.08 грн |
WAS310M17BM3 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC MODULE 310A 1700V 62MM HALF-
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A
FET Feature: Standard
Part Status: Active
Description: SIC MODULE 310A 1700V 62MM HALF-
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A
FET Feature: Standard
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 97288.53 грн |
WAS350M12BM3 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 417A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA
Part Status: Active
Description: SIC 2N-CH 1200V 417A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 417A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 350A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 844nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 85mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
WAS530M12BM3 |
![]() |
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 630A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.47mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 127mA
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 78150.10 грн |