Продукція > WOLFSPEED, INC. > Всі товари виробника WOLFSPEED, INC. (616) > Сторінка 8 з 11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CSD20030D Wolfspeed, Inc. Description: DIODE ARR SCHOT 300V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20060D Wolfspeed, Inc. CSD20030D%20SCHEM.jpg Description: DIODE ARR SIC 600V 16.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16.5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CVFD20065A CVFD20065A Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 57A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3D08065G E3D08065G Wolfspeed, Inc. E3D08065G.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 22A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 369pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 51 µA @ 650 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.94 грн
10+273.79 грн
100+224.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3D20065D E3D20065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3D20065D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 459pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 28A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+726.65 грн
30+540.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3D30065D E3D30065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3D30065D_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 95 µA @ 650 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+898.26 грн
30+521.67 грн
120+446.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0016120K E3M0016120K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0016120K_data_sheet.pdf Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 22.08mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1917.11 грн
30+1191.46 грн
60+1113.72 грн
120+992.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120J2-TR E3M0021120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120J2-TR E3M0021120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2637.57 грн
10+1883.84 грн
100+1864.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120K E3M0021120K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0021120K_data_sheet.pdf Description: SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 62.1A, 15V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1890.05 грн
30+1174.21 грн
120+1061.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0032120J2-TR E3M0032120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0032120J2_data_sheet.pdf Description: 32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 10.7mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2209.31 грн
10+1563.08 грн
100+1348.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0032120J2-TR E3M0032120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0032120J2_data_sheet.pdf Description: 32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 10.7mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0040120J2-TR E3M0040120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0040120J2_data_sheet.pdf Description: 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0040120J2-TR E3M0040120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0040120J2_data_sheet.pdf Description: 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1655.82 грн
10+1149.27 грн
100+928.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0045065K E3M0045065K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0045065K_Data_Sheet.pdf Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1593 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1498.13 грн
30+907.94 грн
120+818.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0060065D E3M0060065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0060065D_data_sheet.pdf Description: 60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1141.76 грн
30+682.51 грн
120+597.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0060065K E3M0060065K Wolfspeed, Inc. wolfspeed_E3M0060065K_data_sheet.pdf Description: 60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1141.76 грн
30+682.51 грн
120+597.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120D E3M0075120D Wolfspeed, Inc. E3M0075120D.pdf Description: 1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1522.86 грн
10+1291.45 грн
100+1116.96 грн
500+949.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120J2-TR E3M0075120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0075120J2_data_sheet.pdf Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+281.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120J2-TR E3M0075120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0075120J2_data_sheet.pdf Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+626.92 грн
10+413.36 грн
100+331.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120K E3M0075120K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0075120K_data_sheet.pdf Description: 1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.75 грн
30+515.67 грн
120+440.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090J E3M0120090J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0120090J_data_sheet.pdf Description: 900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.09 грн
50+571.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120D E3M0160120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0160120D_data_sheet.pdf Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-247
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR E3M0160120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.23 грн
10+478.20 грн
100+355.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR E3M0160120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120K Wolfspeed, Inc. Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max): 115W
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0900170D E3M0900170D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0900170D_data_sheet.pdf Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.01 грн
30+204.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR E4D02120E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR E4D02120E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.38 грн
10+137.71 грн
100+109.66 грн
500+87.08 грн
1000+73.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4D10120A E4D10120A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D10120A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 777pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+974.01 грн
50+574.96 грн
100+563.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120A E4D20120A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D20120A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1498.90 грн
50+1136.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120D E4D20120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D20120D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1976.63 грн
30+1228.05 грн
120+1080.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120G E4D20120G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D20120G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1688.29 грн
50+986.49 грн
100+925.18 грн
500+865.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0013120K E4M0013120K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0013120K_data_sheet.pdf Description: 13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 84.29A, 15V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 23.18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 293 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7407 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5095.79 грн
30+3526.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR E4M0015075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+827.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR E4M0015075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1532.91 грн
10+1062.03 грн
50+975.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075U2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0015075U2_data_sheet.pdf Description: SIC, MOSFET,15M,750V, TSC (U2) ,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR E4M0025075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1405.36 грн
10+968.68 грн
50+872.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR E4M0025075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+740.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075K1 E4M0025075K1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075K1_data_sheet.pdf Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1405.36 грн
30+849.75 грн
60+789.89 грн
120+694.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR E4M0045075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR E4M0045075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.18 грн
10+625.74 грн
100+523.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075K1 E4M0045075K1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0045075K1_data_sheet.pdf Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 139W 3.8V NC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+929.18 грн
30+542.39 грн
120+465.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0060075J2-TR E4M0060075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0060075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 1205 PF 131W 3.8V 50 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0060075J2-TR E4M0060075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0060075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 1205 PF 131W 3.8V 50 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.99 грн
10+454.75 грн
50+365.83 грн
100+321.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0060075K1 E4M0060075K1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0060075K1_data_sheet.pdf Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 126W 3.8V NC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.99 грн
30+390.29 грн
60+357.82 грн
120+310.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4MS065120U2-TR E4MS065120U2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4MS065120U2_data_sheet.pdf Description: 65MO 1200V SIC MOSFET IN TSC(U2)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4MS065120U2-TR E4MS065120U2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4MS065120U2_data_sheet.pdf Description: 65MO 1200V SIC MOSFET IN TSC(U2)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.20 грн
10+331.78 грн
50+263.43 грн
100+226.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065A E6D10065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D10065A_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.08 грн
10+197.26 грн
50+153.41 грн
100+130.83 грн
250+129.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065G E6D10065G Wolfspeed, Inc. 215575 Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.92 грн
10+235.90 грн
50+183.06 грн
100+155.99 грн
250+138.96 грн
500+128.48 грн
1000+120.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065A E6D20065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D20065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 68A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.16 грн
50+340.03 грн
100+313.13 грн
500+249.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065D E6D20065D Wolfspeed, Inc. 215559 Description: DIODE ARRAY SIC 650V 34A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 34A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.33 грн
30+346.17 грн
120+292.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065G E6D20065G Wolfspeed, Inc. 215585 Description: DIODE SIL CARB 650V 68A TO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.33 грн
50+324.02 грн
100+298.15 грн
500+237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065H E6D20065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D20065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 59A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.67 грн
30+389.00 грн
120+329.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D30065D E6D30065D Wolfspeed, Inc. 215564 Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.60 грн
10+556.81 грн
30+478.85 грн
120+382.07 грн
270+368.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D40065H E6D40065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D40065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 109A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.32 грн
30+699.36 грн
120+604.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EAB450M12XM3 EAB450M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_EAB450M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+73273.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FXA/WS1A2639V1-05 Wolfspeed, Inc. Description: 38.5 DBM AVG, 48V, 2.495-2.690 G
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXL/WS1A2639V1-06 Wolfspeed, Inc. Description: INTEGRATED DRIVER+FINAL STAGE 2.
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA214602FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA214602FC-V1.pdf Description: 490W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 490W
Gain: 14.4dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20030D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SCHOT 300V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 300 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD20060D CSD20030D%20SCHEM.jpg
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SIC 600V 16.5A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16.5A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CVFD20065A
CVFD20065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 57A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1100pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 57A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3D08065G E3D08065G.pdf
E3D08065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 22A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 369pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 22A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 51 µA @ 650 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+316.94 грн
10+273.79 грн
100+224.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3D20065D Wolfspeed_E3D20065D_data_sheet.pdf
E3D20065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 28A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 459pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 28A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+726.65 грн
30+540.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3D30065D Wolfspeed_E3D30065D_data_sheet.pdf
E3D30065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 42A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 95 µA @ 650 V
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+898.26 грн
30+521.67 грн
120+446.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0016120K Wolfspeed_E3M0016120K_data_sheet.pdf
E3M0016120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 80.28A, 15V
Power Dissipation (Max): 483W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 22.08mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6922 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1917.11 грн
30+1191.46 грн
60+1113.72 грн
120+992.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120J2-TR Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf
E3M0021120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120J2-TR Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf
E3M0021120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2637.57 грн
10+1883.84 грн
100+1864.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120K Wolfspeed_E3M0021120K_data_sheet.pdf
E3M0021120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.8mOhm @ 62.1A, 15V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1890.05 грн
30+1174.21 грн
120+1061.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0032120J2-TR Wolfspeed_E3M0032120J2_data_sheet.pdf
E3M0032120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 10.7mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2209.31 грн
10+1563.08 грн
100+1348.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0032120J2-TR Wolfspeed_E3M0032120J2_data_sheet.pdf
E3M0032120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 32m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 38.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 10.7mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3460 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0040120J2-TR Wolfspeed_E3M0040120J2_data_sheet.pdf
E3M0040120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0040120J2-TR Wolfspeed_E3M0040120J2_data_sheet.pdf
E3M0040120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1655.82 грн
10+1149.27 грн
100+928.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0045065K Wolfspeed_E3M0045065K_Data_Sheet.pdf
E3M0045065K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 45M, 650V, TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1593 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1498.13 грн
30+907.94 грн
120+818.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0060065D Wolfspeed_E3M0060065D_data_sheet.pdf
E3M0060065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1141.76 грн
30+682.51 грн
120+597.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0060065K wolfspeed_E3M0060065K_data_sheet.pdf
E3M0060065K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 13.2A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 3.6mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1141.76 грн
30+682.51 грн
120+597.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120D E3M0075120D.pdf
E3M0075120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1522.86 грн
10+1291.45 грн
100+1116.96 грн
500+949.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120J2-TR Wolfspeed_E3M0075120J2_data_sheet.pdf
E3M0075120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+281.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120J2-TR Wolfspeed_E3M0075120J2_data_sheet.pdf
E3M0075120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 75m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+626.92 грн
10+413.36 грн
100+331.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0075120K Wolfspeed_E3M0075120K_data_sheet.pdf
E3M0075120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 17.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 1000 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+889.75 грн
30+515.67 грн
120+440.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090J Wolfspeed_E3M0120090J_data_sheet.pdf
E3M0120090J
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+708.09 грн
50+571.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120D Wolfspeed_E3M0160120D_data_sheet.pdf
E3M0160120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-247
Packaging: Tray
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 103W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): -8V, +19V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf
E3M0160120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+721.23 грн
10+478.20 грн
100+355.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf
E3M0160120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max): 115W
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0900170D Wolfspeed_E3M0900170D_data_sheet.pdf
E3M0900170D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.01 грн
30+204.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf
E4D02120E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf
E4D02120E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.38 грн
10+137.71 грн
100+109.66 грн
500+87.08 грн
1000+73.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4D10120A Wolfspeed_E4D10120A_data_sheet.pdf
E4D10120A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 777pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+974.01 грн
50+574.96 грн
100+563.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120A Wolfspeed_E4D20120A_data_sheet.pdf
E4D20120A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1498.90 грн
50+1136.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120D Wolfspeed_E4D20120D_data_sheet.pdf
E4D20120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1976.63 грн
30+1228.05 грн
120+1080.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120G Wolfspeed_E4D20120G_data_sheet.pdf
E4D20120G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1688.29 грн
50+986.49 грн
100+925.18 грн
500+865.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0013120K Wolfspeed_E4M0013120K_data_sheet.pdf
E4M0013120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 84.29A, 15V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 23.18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 293 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7407 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5095.79 грн
30+3526.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf
E4M0015075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+827.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf
E4M0015075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1532.91 грн
10+1062.03 грн
50+975.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075U2-TR Wolfspeed_E4M0015075U2_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET,15M,750V, TSC (U2) ,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf
E4M0025075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1405.36 грн
10+968.68 грн
50+872.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf
E4M0025075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+740.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075K1 Wolfspeed_E4M0025075K1_data_sheet.pdf
E4M0025075K1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1405.36 грн
30+849.75 грн
60+789.89 грн
120+694.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf
E4M0045075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf
E4M0045075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+929.18 грн
10+625.74 грн
100+523.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075K1 Wolfspeed_E4M0045075K1_data_sheet.pdf
E4M0045075K1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 139W 3.8V NC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+929.18 грн
30+542.39 грн
120+465.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0060075J2-TR Wolfspeed_E4M0060075J2_data_sheet.pdf
E4M0060075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 1205 PF 131W 3.8V 50 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0060075J2-TR Wolfspeed_E4M0060075J2_data_sheet.pdf
E4M0060075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 1205 PF 131W 3.8V 50 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+687.99 грн
10+454.75 грн
50+365.83 грн
100+321.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0060075K1 Wolfspeed_E4M0060075K1_data_sheet.pdf
E4M0060075K1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 126W 3.8V NC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13.4A, 15V
Power Dissipation (Max): 126W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 3.67mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+687.99 грн
30+390.29 грн
60+357.82 грн
120+310.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4MS065120U2-TR Wolfspeed_E4MS065120U2_data_sheet.pdf
E4MS065120U2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 65MO 1200V SIC MOSFET IN TSC(U2)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E4MS065120U2-TR Wolfspeed_E4MS065120U2_data_sheet.pdf
E4MS065120U2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 65MO 1200V SIC MOSFET IN TSC(U2)
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+510.20 грн
10+331.78 грн
50+263.43 грн
100+226.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065A Wolfspeed_E6D10065A_data_sheet.pdf
E6D10065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.08 грн
10+197.26 грн
50+153.41 грн
100+130.83 грн
250+129.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065G 215575
E6D10065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+374.92 грн
10+235.90 грн
50+183.06 грн
100+155.99 грн
250+138.96 грн
500+128.48 грн
1000+120.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065A Wolfspeed_E6D20065A_data_sheet.pdf
E6D20065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 68A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+643.16 грн
50+340.03 грн
100+313.13 грн
500+249.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065D 215559
E6D20065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 34A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 34A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.33 грн
30+346.17 грн
120+292.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065G 215585
E6D20065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 68A TO2632
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+615.33 грн
50+324.02 грн
100+298.15 грн
500+237.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065H Wolfspeed_E6D20065H_data_sheet.pdf
E6D20065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 59A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+685.67 грн
30+389.00 грн
120+329.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D30065D 215564
E6D30065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+842.60 грн
10+556.81 грн
30+478.85 грн
120+382.07 грн
270+368.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D40065H Wolfspeed_E6D40065H_data_sheet.pdf
E6D40065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 109A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1177.32 грн
30+699.36 грн
120+604.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EAB450M12XM3 Wolfspeed_EAB450M12XM3_data_sheet.pdf
EAB450M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+73273.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FXA/WS1A2639V1-05
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 38.5 DBM AVG, 48V, 2.495-2.690 G
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXL/WS1A2639V1-06
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: INTEGRATED DRIVER+FINAL STAGE 2.
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA214602FC-V1-R0 GTRA214602FC-V1.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 490W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 490W
Gain: 14.4dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.