Продукція > WOLFSPEED, INC. > Всі товари виробника WOLFSPEED, INC. (580) > Сторінка 8 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
E3M0160120J2-TR E3M0160120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR E3M0160120J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.66 грн
10+518.27 грн
100+385.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120K Wolfspeed, Inc. Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max): 115W
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0900170D E3M0900170D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0900170D_data_sheet.pdf Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.16 грн
30+256.47 грн
120+213.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR E4D02120E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR E4D02120E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.83 грн
10+149.25 грн
100+118.84 грн
500+94.37 грн
1000+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
E4D10120A E4D10120A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D10120A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 777pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1055.62 грн
50+623.13 грн
100+610.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120A E4D20120A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D20120A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1624.48 грн
50+1231.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120D E4D20120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D20120D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2038.35 грн
30+1266.38 грн
120+1145.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120G E4D20120G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4D20120G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1829.74 грн
50+1069.14 грн
100+1002.70 грн
500+937.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0013120K E4M0013120K Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0013120K_data_sheet.pdf Description: 13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 84.29A, 15V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 23.18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 293 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7407 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6864.88 грн
30+5903.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3105.70 грн
10+2437.96 грн
100+2195.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2020.76 грн
10+1536.32 грн
100+1375.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075K1 E4M0025075K1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075K1_data_sheet.pdf Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR E4M0045075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR E4M0045075J2-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1007.03 грн
10+678.17 грн
100+567.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075K1 E4M0045075K1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0045075K1_data_sheet.pdf Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 139W 3.8V NC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1007.03 грн
30+587.84 грн
120+504.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065A E6D10065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D10065A_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.31 грн
10+213.79 грн
50+166.26 грн
100+141.79 грн
250+140.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065G E6D10065G Wolfspeed, Inc. 215575 Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.33 грн
10+255.66 грн
50+198.40 грн
100+169.06 грн
250+150.60 грн
500+139.25 грн
1000+130.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065A E6D20065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D20065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIC 650V TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065D E6D20065D Wolfspeed, Inc. 215559 Description: DIODE SIC 650V 34A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 34A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065G E6D20065G Wolfspeed, Inc. 215585 Description: DIODE SIC 650V 68A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065H E6D20065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D20065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIC 650V TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D30065D E6D30065D Wolfspeed, Inc. 215564 Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+913.20 грн
10+603.46 грн
30+518.97 грн
120+414.09 грн
270+399.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D40065H E6D40065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E6D40065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 109A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1275.96 грн
30+757.96 грн
120+654.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EAB450M12XM3 EAB450M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_EAB450M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+79412.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FXA/WS1A2639V1-05 Wolfspeed, Inc. Description: 38.5 DBM AVG, 48V, 2.495-2.690 G
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXL/WS1A2639V1-06 Wolfspeed, Inc. Description: INTEGRATED DRIVER+FINAL STAGE 2.
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA214602FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA214602FC-V1.pdf Description: 490W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 490W
Gain: 14.4dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA214602FC-V1-R2 Wolfspeed, Inc. GTRA214602FC-V1.pdf Description: 490W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 490W
Gain: 14.4dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA262802FC-V2-R0 GTRA262802FC-V2-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA262802FC_V2.pdf Description: 280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.49GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 250W
Gain: 14dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA262802FC-V2-R2 GTRA262802FC-V2-R2 Wolfspeed, Inc. GTRA262802FC_V2.pdf Description: 280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.49GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 250W
Gain: 14dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA384802FC-V1-R0 GTRA384802FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA384802FC-V1.pdf Description: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 63W
Gain: 13.7dB
Technology: HEMT
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 250 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+18452.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA384802FC-V1-R0 GTRA384802FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTRA384802FC-V1.pdf Description: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 63W
Gain: 13.7dB
Technology: HEMT
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 250 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19700.73 грн
10+18169.63 грн
25+17768.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB097152FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. Description: 900W,48V,758-960MHZ,GANHEMT(50PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 758MHz ~ 960MHz
Power - Output: 900W
Gain: 18dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB097152FC-V1-R2 Wolfspeed, Inc. Description: 900W,48V,758-960MHZ,GANHEMT(250P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 758MHz ~ 960MHz
Power - Output: 900W
Gain: 18dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB206002FC/1-V1-R0 Wolfspeed, Inc. Description: RF MOSFET HEMT H-37248C-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 2.02GHz
Power - Output: 500W
Gain: 14.8dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB206002FC/1-V1-R2 Wolfspeed, Inc. Description: RF MOSFET HEMT H-37248C-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 2.02GHz
Power - Output: 500W
Gain: 14.8dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB246608FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. Description: 500W, 48V, 2300-2400 MHZ, GAN-SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB246608FC-V1-R2 Wolfspeed, Inc. Description: 500W, 48V, 2300-2400 MHZ, GAN-SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTVA107001FC-V1-R0 GTVA107001FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_GTVA107001EFC-V1.pdf Description: 700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: H-37248-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz
Power - Output: 700W
Gain: 20dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248-2
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTVA107001FC-V1-R0 GTVA107001FC-V1-R0 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_GTVA107001EFC-V1.pdf Description: 700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz
Power - Output: 700W
Gain: 20dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248-2
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTVA261701FA-V1-R0 Wolfspeed, Inc. GTVA261701FA_V1_05.pdf Description: GAN SIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HAS175M12BM3 HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_HAS175M12BM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+46533.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HAS350M12BM3 HAS350M12BM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_HAS350M12BM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+78094.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HAS530M12BM3 HAS530M12BM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_HAS530M12BM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+88233.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT8020-CRD-5FF0917P-2 KIT8020-CRD-5FF0917P-2 Wolfspeed, Inc. KIT8020_CRD_5FF0917P_2_Application_Note.pdf Description: EVAL BOARD FOR CREES SIC MOSFET
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: C3M0075120K
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT8020-CRD-8FF1217P-1 Wolfspeed, Inc. Description: EVAL BOARD C2M0280120D C4D20120D
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: C2M0280120D, C4D20120D
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-025DD17P-J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_PRD-09375_KIT-CRD-025DD17P-J_25W_Auxiliary_Power_Flyback_Evaluation_Platform_User_Guide.pdf Description: 25W AUXILIARY POWER FLYBACK EVAL
Packaging: Box
Voltage - Output: 15V
Voltage - Input: 60V ~ 1000V
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Flyback
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
Power - Output: 25W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13187.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-3DD065P KIT-CRD-3DD065P Wolfspeed, Inc. Description: 650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 3DD065P
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-3DD12P KIT-CRD-3DD12P Wolfspeed, Inc. kit-crd-3dd065p_application_note.pdf Description: C3M SIC BUCK-BOOST EVAL KIT
Packaging: Box
Voltage - Output: 800V
Voltage - Input: 800V
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Boost, Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Up or Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-8FF65P KIT-CRD-8FF65P Wolfspeed, Inc. Description: EVAL KIT FOR SIC MOSFET
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34285.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-8FF90P KIT-CRD-8FF90P Wolfspeed, Inc. Description: EVAL BOARD FOR ADUM4121
Packaging: Box
Function: MOSFET
Type: Power Management
Utilized IC / Part: ADuM4121, C3M0065090J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 15V Power Supply
Embedded: No
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-BM KIT-CRD-CIL12N-BM Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR BM MODULES
Packaging: Box
Function: MOSFET Power Module (Half-Bridge)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM Modules
Embedded: No
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+253839.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-FMA KIT-CRD-CIL12N-FMA Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR CAB011M12FM3
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: CAB011M12FM3, CAB016M12FM3, CGD12HB00D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77632.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-FMB KIT-CRD-CIL12N-FMB Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf Description: DYNAMIC PERFORMANCE EVALUATION B
Packaging: Box
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+77632.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-FMC KIT-CRD-CIL12N-FMC Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR CCB021M12FM3
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: CCB021M12FM3, CCB032M12FM3, CGD12HB00D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+74983.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-GMA KIT-CRD-CIL12N-GMA Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf Description: CAB GM3 DOUBLE PULSE DYNAMIC EVA
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: GM3
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+97246.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf
E3M0160120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120J2-TR Wolfspeed_E3M0160120J2_data_sheet.pdf
E3M0160120J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 160m 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 8.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 2.33mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+781.66 грн
10+518.27 грн
100+385.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0160120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max): 115W
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0900170D Wolfspeed_E3M0900170D_data_sheet.pdf
E3M0900170D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 900M, 1700V, TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 1.99A, 15V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 550µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 202 pF @ 1.2 kV
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+469.16 грн
30+256.47 грн
120+213.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf
E4D02120E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4D02120E-TR Wolfspeed_E4D02120E_data_sheet.pdf
E4D02120E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-2
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.83 грн
10+149.25 грн
100+118.84 грн
500+94.37 грн
1000+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
E4D10120A Wolfspeed_E4D10120A_data_sheet.pdf
E4D10120A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 777pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1055.62 грн
50+623.13 грн
100+610.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120A Wolfspeed_E4D20120A_data_sheet.pdf
E4D20120A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1500pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1624.48 грн
50+1231.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120D Wolfspeed_E4D20120D_data_sheet.pdf
E4D20120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 712pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 33A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 33A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2038.35 грн
30+1266.38 грн
120+1145.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4D20120G Wolfspeed_E4D20120G_data_sheet.pdf
E4D20120G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 56A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1829.74 грн
50+1069.14 грн
100+1002.70 грн
500+937.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0013120K Wolfspeed_E4M0013120K_data_sheet.pdf
E4M0013120K
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 13M, 1200V, SIC FET TO-247, AUTO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 84.29A, 15V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 23.18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 293 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7407 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6864.88 грн
30+5903.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0015075J2-TR Wolfspeed_E4M0015075J2_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V
Power Dissipation (Max): 554W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3105.70 грн
10+2437.96 грн
100+2195.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075J2-TR Wolfspeed_E4M0025075J2_data_sheet.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 3055 PF 281W 3.8V 114 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 281W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2020.76 грн
10+1536.32 грн
100+1375.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0025075K1 Wolfspeed_E4M0025075K1_data_sheet.pdf
E4M0025075K1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf
E4M0045075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075J2-TR Wolfspeed_E4M0045075J2_data_sheet.pdf
E4M0045075J2-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS 1606 PF 172W 3.8V 62 NC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 172W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1007.03 грн
10+678.17 грн
100+567.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E4M0045075K1 Wolfspeed_E4M0045075K1_data_sheet.pdf
E4M0045075K1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 139W 3.8V NC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 17.6A, 15V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 4.84mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1606 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1007.03 грн
30+587.84 грн
120+504.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065A Wolfspeed_E6D10065A_data_sheet.pdf
E6D10065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 34A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.31 грн
10+213.79 грн
50+166.26 грн
100+141.79 грн
250+140.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D10065G 215575
E6D10065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 630pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 32A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+406.33 грн
10+255.66 грн
50+198.40 грн
100+169.06 грн
250+150.60 грн
500+139.25 грн
1000+130.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065A Wolfspeed_E6D20065A_data_sheet.pdf
E6D20065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065D 215559
E6D20065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 34A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 34A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065G 215585
E6D20065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 68A TO263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 68A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D20065H Wolfspeed_E6D20065H_data_sheet.pdf
E6D20065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1277pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
E6D30065D 215564
E6D30065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+913.20 грн
10+603.46 грн
30+518.97 грн
120+414.09 грн
270+399.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E6D40065H Wolfspeed_E6D40065H_data_sheet.pdf
E6D40065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 109A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2460pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 109A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.96 грн
30+757.96 грн
120+654.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EAB450M12XM3 Wolfspeed_EAB450M12XM3_data_sheet.pdf
EAB450M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+79412.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FXA/WS1A2639V1-05
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 38.5 DBM AVG, 48V, 2.495-2.690 G
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FXL/WS1A2639V1-06
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: INTEGRATED DRIVER+FINAL STAGE 2.
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: WS1A2639
Frequency: 2.5GHz ~ 2.69GHz
Type: Power Amplifier
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA214602FC-V1-R0 GTRA214602FC-V1.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 490W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 490W
Gain: 14.4dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA214602FC-V1-R2 GTRA214602FC-V1.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 490W, GAN HEMT, 48V, 2110-2200MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.11GHz ~ 2.17GHz
Power - Output: 490W
Gain: 14.4dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 150 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA262802FC-V2-R0 GTRA262802FC_V2.pdf
GTRA262802FC-V2-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.49GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 250W
Gain: 14dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA262802FC-V2-R2 GTRA262802FC_V2.pdf
GTRA262802FC-V2-R2
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 280W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.49GHz ~ 2.69GHz
Power - Output: 250W
Gain: 14dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 200 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA384802FC-V1-R0 GTRA384802FC-V1.pdf
GTRA384802FC-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 63W
Gain: 13.7dB
Technology: HEMT
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 250 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18452.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GTRA384802FC-V1-R0 GTRA384802FC-V1.pdf
GTRA384802FC-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Frequency: 3.6GHz ~ 3.8GHz
Power - Output: 63W
Gain: 13.7dB
Technology: HEMT
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 48 V
Current - Test: 250 mA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19700.73 грн
10+18169.63 грн
25+17768.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB097152FC-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 900W,48V,758-960MHZ,GANHEMT(50PC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 758MHz ~ 960MHz
Power - Output: 900W
Gain: 18dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB097152FC-V1-R2
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 900W,48V,758-960MHZ,GANHEMT(250P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 758MHz ~ 960MHz
Power - Output: 900W
Gain: 18dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB206002FC/1-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: RF MOSFET HEMT H-37248C-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 2.02GHz
Power - Output: 500W
Gain: 14.8dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB206002FC/1-V1-R2
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: RF MOSFET HEMT H-37248C-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248C-4
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.93GHz ~ 2.02GHz
Power - Output: 500W
Gain: 14.8dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248C-4
Voltage - Rated: 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB246608FC-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 500W, 48V, 2300-2400 MHZ, GAN-SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTRB246608FC-V1-R2
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 500W, 48V, 2300-2400 MHZ, GAN-SI
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTVA107001FC-V1-R0 Wolfspeed_GTVA107001EFC-V1.pdf
GTVA107001FC-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: H-37248-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz
Power - Output: 700W
Gain: 20dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248-2
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTVA107001FC-V1-R0 Wolfspeed_GTVA107001EFC-V1.pdf
GTVA107001FC-V1-R0
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 700W GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248-2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 1.4GHz
Power - Output: 700W
Gain: 20dB
Technology: HEMT
Supplier Device Package: H-37248-2
Part Status: Active
Voltage - Rated: 125 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GTVA261701FA-V1-R0 GTVA261701FA_V1_05.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: GAN SIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HAS175M12BM3 Wolfspeed_HAS175M12BM3_data_sheet.pdf
HAS175M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+46533.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HAS350M12BM3 Wolfspeed_HAS350M12BM3_data_sheet.pdf
HAS350M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+78094.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
HAS530M12BM3 Wolfspeed_HAS530M12BM3_data_sheet.pdf
HAS530M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+88233.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT8020-CRD-5FF0917P-2 KIT8020_CRD_5FF0917P_2_Application_Note.pdf
KIT8020-CRD-5FF0917P-2
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL BOARD FOR CREES SIC MOSFET
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: C3M0075120K
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT8020-CRD-8FF1217P-1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL BOARD C2M0280120D C4D20120D
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: C2M0280120D, C4D20120D
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-025DD17P-J Wolfspeed_PRD-09375_KIT-CRD-025DD17P-J_25W_Auxiliary_Power_Flyback_Evaluation_Platform_User_Guide.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 25W AUXILIARY POWER FLYBACK EVAL
Packaging: Box
Voltage - Output: 15V
Voltage - Input: 60V ~ 1000V
Contents: Board(s)
Regulator Topology: Flyback
Main Purpose: DC/DC Converter
Outputs and Type: 2 Non-Isolated Outputs
Power - Output: 25W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13187.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-3DD065P
KIT-CRD-3DD065P
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 650V SIC FET BUCK-BOOST EVAL KIT
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 3DD065P
Supplied Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-3DD12P kit-crd-3dd065p_application_note.pdf
KIT-CRD-3DD12P
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: C3M SIC BUCK-BOOST EVAL KIT
Packaging: Box
Voltage - Output: 800V
Voltage - Input: 800V
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 100kHz
Regulator Topology: Boost, Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Up or Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Power - Output: 2.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-8FF65P
KIT-CRD-8FF65P
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL KIT FOR SIC MOSFET
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+34285.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-8FF90P
KIT-CRD-8FF90P
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL BOARD FOR ADUM4121
Packaging: Box
Function: MOSFET
Type: Power Management
Utilized IC / Part: ADuM4121, C3M0065090J
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 15V Power Supply
Embedded: No
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-BM Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf
KIT-CRD-CIL12N-BM
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL BOARD FOR BM MODULES
Packaging: Box
Function: MOSFET Power Module (Half-Bridge)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: BM Modules
Embedded: No
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+253839.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-FMA Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf
KIT-CRD-CIL12N-FMA
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL BOARD FOR CAB011M12FM3
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: CAB011M12FM3, CAB016M12FM3, CGD12HB00D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+77632.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-FMB Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf
KIT-CRD-CIL12N-FMB
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DYNAMIC PERFORMANCE EVALUATION B
Packaging: Box
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+77632.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-FMC Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf
KIT-CRD-CIL12N-FMC
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: EVAL BOARD FOR CCB021M12FM3
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: CCB021M12FM3, CCB032M12FM3, CGD12HB00D
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+74983.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KIT-CRD-CIL12N-GMA Wolfspeed_PRD-08333_Module_CIL_Evaluation_Kits_User_Guide.pdf
KIT-CRD-CIL12N-GMA
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: CAB GM3 DOUBLE PULSE DYNAMIC EVA
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (Internal FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: GM3
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+97246.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]