Продукція > WOLFSPEED, INC. > Всі товари виробника WOLFSPEED, INC. (616) > Сторінка 5 з 11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C6D10065G-TR C6D10065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.88 грн
10+244.76 грн
50+192.07 грн
100+164.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+381.88 грн
10+244.76 грн
50+192.07 грн
100+164.33 грн
500+146.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10170H C6D10170H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10170H_Data_Sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 40A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1227pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1700 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1326.51 грн
30+797.05 грн
60+739.98 грн
120+649.44 грн
510+613.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D16065D C6D16065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D16065D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 32A TO247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+557.35 грн
30+310.39 грн
120+260.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065A C6D20065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.61 грн
50+339.09 грн
100+312.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D C6D20065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+602.19 грн
30+462.89 грн
120+414.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D1 C6D20065D1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065D1_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.66 грн
30+501.15 грн
120+448.39 грн
510+371.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G C6D20065G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651.66 грн
50+501.14 грн
100+448.39 грн
500+371.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR C6D20065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+393.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR C6D20065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.61 грн
10+515.42 грн
100+429.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065H C6D20065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065H_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+624.61 грн
30+480.04 грн
120+429.51 грн
510+355.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D25170H C6D25170H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D25170H_Data_Sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 83A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3108pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065A Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V TO220
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065D Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065G Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 95A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065H C6D30065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D30065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 88A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1851pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+818.64 грн
30+475.35 грн
120+406.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065A Wolfspeed, Inc. Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065D Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 63A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065G Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 131A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065H Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065D1 C6D50065D1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D50065D1_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.34 грн
30+813.20 грн
120+723.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065H C6D50065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D50065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1353.57 грн
30+815.14 грн
60+757.08 грн
120+664.68 грн
510+630.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004A12GM4T CAB004A12GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB004A12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4 CAB004M12GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 584W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.4pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1144nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 75mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16624.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4T CAB004M12GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3 CAB006A12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16398.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3T CAB006A12GM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM4T CAB006A12GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006A12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 6M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3 CAB006M12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006M12GM3_data_sheet.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3T CAB006M12GM3T Wolfspeed, Inc. CAB006M12GM3.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12FM4T Wolfspeed, Inc. Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12GM3 CAB008A12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB008A12GM3_data_sheet.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V 182A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23104.22 грн
18+20838.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12FM4T Wolfspeed, Inc. wolfspeed_power_line_card.pdf Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3 CAB008M12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3T CAB008M12GM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11154.78 грн
18+9191.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3 CAB011A12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11655.70 грн
18+9470.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3T CAB011A12GM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10434.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3 CAB011M12FM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Part Status: Active
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8171.67 грн
18+6224.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3T CAB011M12FM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8466.96 грн
18+6492.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3 CAB016M12FM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6668.13 грн
18+4881.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3T CAB016M12FM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10479.92 грн
18+8905.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB320M17XM3 CAB320M17XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB320M17XM3_Data_Sheet.pdf Description: SIC 1700V 320A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81496.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB400M12XM3 CAB400M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB400M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 395A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+47684.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB425M12XM3 CAB425M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB425M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7nF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 425A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1135nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115mA
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49490.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB450M12XM3 CAB450M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB450M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 850W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+65326.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB500M17HM3 CAB500M17HM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB500M17HM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1700V 653A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 653A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64900pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1992nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 203mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+208127.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB530M12BM3 CAB530M12BM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB530M12BM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+61677.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4 CAB5R0A23GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 710W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36600pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 880nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 114mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+29201.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4T CAB5R0A23GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB650M17HM3 CAB650M17HM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB650M17HM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1700V 916A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 916A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97300pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 650A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2988nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 305mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+278386.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4 CAB6R0A23GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4T CAB6R0A23GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22163.45 грн
18+19843.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB760M12HM3 CAB760M12HM3 Wolfspeed, Inc. CAB760M12HM3.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V 1015A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1015A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 760A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2724nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 280mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+199292.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB760M12HM3R CAB760M12HM3R Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB760M12HM3R.pdf Description: 760A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 50mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.015kA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 760A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2724nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 280mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+218044.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB7R5A23GM4 CAB7R5A23GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB7R5A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 510W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24400pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 160A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 76mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB7R5A23GM4T CAB7R5A23GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB7R5A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 510W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24400pF @ 1500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 160A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 76mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAR600M12HN6 CAR600M12HN6 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAR600M12HN6_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 908A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 908A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45300pF @ 0V
Supplier Device Package: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+164218.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 CAS120M12BM2 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAS120M12BM2_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAS175M12BM3 CAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc. wolfspeed_CAS175M12BM3_data_sheet.pdf Description: 175A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
C6D10065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.88 грн
10+244.76 грн
50+192.07 грн
100+164.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR Wolfspeed_C6D10065Q.pdf
C6D10065Q-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR Wolfspeed_C6D10065Q.pdf
C6D10065Q-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+381.88 грн
10+244.76 грн
50+192.07 грн
100+164.33 грн
500+146.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10170H Wolfspeed_C6D10170H_Data_Sheet.pdf
C6D10170H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1700V 40A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1227pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1700 V
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1326.51 грн
30+797.05 грн
60+739.98 грн
120+649.44 грн
510+613.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D16065D Wolfspeed_C6D16065D_data_sheet.pdf
C6D16065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 32A TO247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+557.35 грн
30+310.39 грн
120+260.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065A Wolfspeed_C6D20065A_data_sheet.pdf
C6D20065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+641.61 грн
50+339.09 грн
100+312.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D Wolfspeed_C6D20065D_data_sheet.pdf
C6D20065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SIC 650V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+602.19 грн
30+462.89 грн
120+414.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D1 Wolfspeed_C6D20065D1_data_sheet.pdf
C6D20065D1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+651.66 грн
30+501.15 грн
120+448.39 грн
510+371.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf
C6D20065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+651.66 грн
50+501.14 грн
100+448.39 грн
500+371.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf
C6D20065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+393.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf
C6D20065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.61 грн
10+515.42 грн
100+429.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065H Wolfspeed_C6D20065H_data_sheet.pdf
C6D20065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.61 грн
30+480.04 грн
120+429.51 грн
510+355.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D25170H Wolfspeed_C6D25170H_Data_Sheet.pdf
C6D25170H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1700V 83A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3108pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V TO220
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 95A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065H Wolfspeed_C6D30065H_data_sheet.pdf
C6D30065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 88A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1851pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+818.64 грн
30+475.35 грн
120+406.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 63A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 131A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065D1 Wolfspeed_C6D50065D1_data_sheet.pdf
C6D50065D1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1337.34 грн
30+813.20 грн
120+723.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065H Wolfspeed_C6D50065H_data_sheet.pdf
C6D50065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1353.57 грн
30+815.14 грн
60+757.08 грн
120+664.68 грн
510+630.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004A12GM4T Wolfspeed_CAB004A12GM4_data_sheet.pdf
CAB004A12GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4 Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf
CAB004M12GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 584W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.4pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1144nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 75mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16624.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4T Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf
CAB004M12GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3 Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf
CAB006A12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16398.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3T Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf
CAB006A12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM4T Wolfspeed_CAB006A12GM4_data_sheet.pdf
CAB006A12GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 6M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3 Wolfspeed_CAB006M12GM3_data_sheet.pdf
CAB006M12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3T CAB006M12GM3.pdf
CAB006M12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12FM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12GM3 Wolfspeed_CAB008A12GM3_data_sheet.pdf
CAB008A12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 182A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23104.22 грн
18+20838.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12FM4T wolfspeed_power_line_card.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3 Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf
CAB008M12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3T Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf
CAB008M12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11154.78 грн
18+9191.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3 Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf
CAB011A12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11655.70 грн
18+9470.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3T Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf
CAB011A12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10434.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3 Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf
CAB011M12FM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Part Status: Active
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8171.67 грн
18+6224.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3T Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf
CAB011M12FM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8466.96 грн
18+6492.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3 Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf
CAB016M12FM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6668.13 грн
18+4881.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3T Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf
CAB016M12FM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10479.92 грн
18+8905.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB320M17XM3 Wolfspeed_CAB320M17XM3_Data_Sheet.pdf
CAB320M17XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 1700V 320A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+81496.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB400M12XM3 Wolfspeed_CAB400M12XM3_data_sheet.pdf
CAB400M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 395A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+47684.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB425M12XM3 Wolfspeed_CAB425M12XM3_data_sheet.pdf
CAB425M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7nF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 425A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1135nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115mA
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+49490.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB450M12XM3 Wolfspeed_CAB450M12XM3_data_sheet.pdf
CAB450M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 850W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+65326.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB500M17HM3 Wolfspeed_CAB500M17HM3_data_sheet.pdf
CAB500M17HM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1700V 653A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 653A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64900pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1992nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 203mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+208127.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB530M12BM3 Wolfspeed_CAB530M12BM3_data_sheet.pdf
CAB530M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+61677.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4 Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB5R0A23GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 710W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36600pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 880nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 114mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+29201.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4T Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB5R0A23GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB650M17HM3 Wolfspeed_CAB650M17HM3_data_sheet.pdf
CAB650M17HM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1700V 916A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 916A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97300pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 650A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2988nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 305mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+278386.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4 Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB6R0A23GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4T Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB6R0A23GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22163.45 грн
18+19843.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB760M12HM3 CAB760M12HM3.pdf
CAB760M12HM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 1015A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1015A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 760A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2724nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 280mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+199292.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB760M12HM3R Wolfspeed_CAB760M12HM3R.pdf
CAB760M12HM3R
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 760A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 50mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.015kA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 79400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73mOhm @ 760A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2724nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 280mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+218044.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB7R5A23GM4 Wolfspeed_CAB7R5A23GM4_data_sheet.pdf
CAB7R5A23GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 510W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24400pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 160A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 76mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB7R5A23GM4T Wolfspeed_CAB7R5A23GM4_data_sheet.pdf
CAB7R5A23GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 510W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24400pF @ 1500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 160A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 76mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+18134.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAR600M12HN6 Wolfspeed_CAR600M12HN6_data_sheet.pdf
CAR600M12HN6
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 908A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 908A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45300pF @ 0V
Supplier Device Package: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+164218.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAS120M12BM2 Wolfspeed_CAS120M12BM2_data_sheet.pdf
CAS120M12BM2
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAS175M12BM3 wolfspeed_CAS175M12BM3_data_sheet.pdf
CAS175M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 175A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 228A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12900pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 175A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 422nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 43mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.