Продукція > WOLFSPEED, INC. > Всі товари виробника WOLFSPEED, INC. (626) > Сторінка 5 з 11

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C6D08065Q-TR C6D08065Q-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D08065Q.pdf Description: 8A 650V SIC SCHOTTKY QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065A C6D10065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+389.65 грн
50+196.14 грн
100+178.83 грн
500+139.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E C6D10065E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.04 грн
75+180.47 грн
150+171.36 грн
525+139.78 грн
1050+133.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E-TR C6D10065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E-TR C6D10065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.42 грн
10+253.08 грн
100+181.09 грн
500+141.12 грн
1000+133.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G C6D10065G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.42 грн
50+198.62 грн
100+181.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR C6D10065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR C6D10065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.83 грн
10+251.78 грн
50+197.58 грн
100+169.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR C6D10065Q-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10065Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.17 грн
10+258.21 грн
50+202.63 грн
100+173.37 грн
500+154.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10170H C6D10170H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D10170H_Data_Sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 40A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1227pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1700 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1414.68 грн
30+850.17 грн
60+789.32 грн
120+692.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D16065D C6D16065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D16065D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 32A TO247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.35 грн
30+319.30 грн
120+268.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065A C6D20065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+660.02 грн
50+348.82 грн
100+321.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D C6D20065D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065D_data_sheet.pdf Description: DIODE ARR SIC 650V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.47 грн
30+476.17 грн
120+426.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D1 C6D20065D1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065D1_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.36 грн
30+515.53 грн
120+461.25 грн
510+381.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G C6D20065G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.36 грн
50+515.52 грн
100+461.25 грн
500+381.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR C6D20065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+404.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR C6D20065G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.53 грн
10+530.21 грн
100+441.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065H C6D20065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D20065H_data_sheet.pdf Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+642.53 грн
30+493.81 грн
120+441.84 грн
510+365.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D25170H C6D25170H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D25170H_Data_Sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 83A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3108pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065A Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V TO220
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065D Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065G Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 95A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065H C6D30065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D30065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 88A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1851pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.13 грн
30+488.99 грн
120+418.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065A Wolfspeed, Inc. Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065D Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 63A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065G Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V 131A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065H Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIC 650V TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065D1 C6D50065D1 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D50065D1_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1375.71 грн
30+836.54 грн
120+744.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065H C6D50065H Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C6D50065H_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1428.20 грн
30+859.97 грн
60+798.72 грн
120+701.25 грн
510+664.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004A12GM4T CAB004A12GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB004A12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4 CAB004M12GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 584W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.4pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1144nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 75mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17101.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4T CAB004M12GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3 CAB006A12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16868.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3T CAB006A12GM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM4T CAB006A12GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006A12GM4_data_sheet.pdf Description: SIC, MODULE, 6M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3 CAB006M12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB006M12GM3_data_sheet.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3T CAB006M12GM3T Wolfspeed, Inc. CAB006M12GM3.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12FM4T Wolfspeed, Inc. Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12GM3 CAB008A12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB008A12GM3_data_sheet.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V 182A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23767.26 грн
18+21436.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12FM4T Wolfspeed, Inc. wolfspeed_power_line_card.pdf Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3 CAB008M12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3T CAB008M12GM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11474.89 грн
18+9455.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3 CAB011A12GM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12172.29 грн
18+9890.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3T CAB011A12GM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10733.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3 CAB011M12FM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Part Status: Active
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8533.41 грн
18+6500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3T CAB011M12FM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8841.95 грн
18+6780.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3 CAB016M12FM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6859.49 грн
18+5021.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3T CAB016M12FM3T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10780.67 грн
18+9161.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB320M17XM3 CAB320M17XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB320M17XM3_Data_Sheet.pdf Description: SIC 1700V 320A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+83835.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB400M12XM3 CAB400M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB400M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 395A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+49053.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB425M12XM3 CAB425M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB425M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7nF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 425A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1135nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115mA
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+50910.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB450M12XM3 CAB450M12XM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB450M12XM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 850W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+67943.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB500M17HM3 CAB500M17HM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB500M17HM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1700V 653A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 653A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64900pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1992nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 203mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+214100.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB530M12BM3 CAB530M12BM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB530M12BM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63447.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4 CAB5R0A23GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 710W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36600pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 880nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 114mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30039.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4T CAB5R0A23GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB650M17HM3 CAB650M17HM3 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB650M17HM3_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 1700V 916A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 916A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97300pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 650A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2988nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 305mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+286375.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4 CAB6R0A23GM4 Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4T CAB6R0A23GM4T Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22799.48 грн
18+20412.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D08065Q-TR Wolfspeed_C6D08065Q.pdf
C6D08065Q-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: 8A 650V SIC SCHOTTKY QFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065A Wolfspeed_C6D10065A_data_sheet.pdf
C6D10065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 37A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 37A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+389.65 грн
50+196.14 грн
100+178.83 грн
500+139.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf
C6D10065E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 35A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.04 грн
75+180.47 грн
150+171.36 грн
525+139.78 грн
1050+133.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E-TR Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf
C6D10065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065E-TR Wolfspeed_C6D10065E_data_sheet.pdf
C6D10065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 10A, 650V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 35A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+394.42 грн
10+253.08 грн
100+181.09 грн
500+141.12 грн
1000+133.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
C6D10065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+394.42 грн
50+198.62 грн
100+181.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
C6D10065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065G-TR Wolfspeed_C6D10065G_data_sheet.pdf
C6D10065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 36A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+392.83 грн
10+251.78 грн
50+197.58 грн
100+169.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR Wolfspeed_C6D10065Q.pdf
C6D10065Q-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10065Q-TR Wolfspeed_C6D10065Q.pdf
C6D10065Q-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVQFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 611pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: 4-QFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.17 грн
10+258.21 грн
50+202.63 грн
100+173.37 грн
500+154.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D10170H Wolfspeed_C6D10170H_Data_Sheet.pdf
C6D10170H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1700V 40A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1227pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1700 V
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1414.68 грн
30+850.17 грн
60+789.32 грн
120+692.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D16065D Wolfspeed_C6D16065D_data_sheet.pdf
C6D16065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 32A TO247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+573.35 грн
30+319.30 грн
120+268.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065A Wolfspeed_C6D20065A_data_sheet.pdf
C6D20065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 66A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1153pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 66A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+660.02 грн
50+348.82 грн
100+321.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D Wolfspeed_C6D20065D_data_sheet.pdf
C6D20065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SIC 650V 64A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+619.47 грн
30+476.17 грн
120+426.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065D1 Wolfspeed_C6D20065D1_data_sheet.pdf
C6D20065D1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+670.36 грн
30+515.53 грн
120+461.25 грн
510+381.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf
C6D20065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE, 64A, 650V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+670.36 грн
50+515.52 грн
100+461.25 грн
500+381.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf
C6D20065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+404.85 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065G-TR Wolfspeed_C6D20065G_data_sheet.pdf
C6D20065G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+642.53 грн
10+530.21 грн
100+441.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D20065H Wolfspeed_C6D20065H_data_sheet.pdf
C6D20065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, SCHOTTKY DIODE,64A, 650V, T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 64A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.27 V @ 20 A
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+642.53 грн
30+493.81 грн
120+441.84 грн
510+365.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D25170H Wolfspeed_C6D25170H_Data_Sheet.pdf
C6D25170H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1700V 83A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3108pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 83A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V TO220
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 50A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 95A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D30065H Wolfspeed_C6D30065H_data_sheet.pdf
C6D30065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 88A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1851pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 88A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 45 µA @ 650 V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+842.13 грн
30+488.99 грн
120+418.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: WOLFSPEED SIC, SCHOTTKY DIODE
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 63A TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V 131A TO263
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D40065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 650V TO247
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065D1 Wolfspeed_C6D50065D1_data_sheet.pdf
C6D50065D1
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO2473
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1375.71 грн
30+836.54 грн
120+744.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C6D50065H Wolfspeed_C6D50065H_data_sheet.pdf
C6D50065H
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 136A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 2819pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 136A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1428.20 грн
30+859.97 грн
60+798.72 грн
120+701.25 грн
510+664.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004A12GM4T Wolfspeed_CAB004A12GM4_data_sheet.pdf
CAB004A12GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4 Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf
CAB004M12GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 584W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26.4pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1144nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 75mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+17101.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB004M12GM4T Wolfspeed_CAB004M12GM4_data_sheet.pdf
CAB004M12GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 4M, 1200V, 48 MM, G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3 Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf
CAB006A12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+16868.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM3T Wolfspeed_CAB006A12GM3_data_sheet.pdf
CAB006A12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006A12GM4T Wolfspeed_CAB006A12GM4_data_sheet.pdf
CAB006A12GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 6M, 1200V, 48 MM, A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3 Wolfspeed_CAB006M12GM3_data_sheet.pdf
CAB006M12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB006M12GM3T CAB006M12GM3.pdf
CAB006M12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 200A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20400pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 200A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 708nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 69mA
Supplier Device Package: Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12FM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008A12GM3 Wolfspeed_CAB008A12GM3_data_sheet.pdf
CAB008A12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V 182A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+23767.26 грн
18+21436.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12FM4T wolfspeed_power_line_card.pdf
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MODULE, 8M, 1200V, 33.8 MM,
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3 Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf
CAB008M12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 2N-CH 1200V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB008M12GM3T Wolfspeed_CAB008M12GM3_data_sheet.pdf
CAB008M12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 146A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 146A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 472nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 46mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+11474.89 грн
18+9455.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3 Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf
CAB011A12GM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+12172.29 грн
18+9890.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011A12GM3T Wolfspeed_CAB011A12GM3_data_sheet.pdf
CAB011A12GM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 141A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 10mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 141A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000pF @ 1000V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 150A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 34mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10733.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3 Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf
CAB011M12FM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Part Status: Active
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8533.41 грн
18+6500.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB011M12FM3T Wolfspeed_CAB011M12FM3_data_sheet.pdf
CAB011M12FM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 105A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 35mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+8841.95 грн
18+6780.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3 Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf
CAB016M12FM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6859.49 грн
18+5021.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB016M12FM3T Wolfspeed_CAB016M12FM3_data_sheet.pdf
CAB016M12FM3T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 78A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.3mOhm @ 80A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 23mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+10780.67 грн
18+9161.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB320M17XM3 Wolfspeed_CAB320M17XM3_Data_Sheet.pdf
CAB320M17XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC 1700V 320A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+83835.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB400M12XM3 Wolfspeed_CAB400M12XM3_data_sheet.pdf
CAB400M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 395A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 395A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 400A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 908nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 92mA
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+49053.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB425M12XM3 Wolfspeed_CAB425M12XM3_data_sheet.pdf
CAB425M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.7nF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 425A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1135nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 115mA
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+50910.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB450M12XM3 Wolfspeed_CAB450M12XM3_data_sheet.pdf
CAB450M12XM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 450A MODULE
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 850W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38000pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 450A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1330nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 132mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+67943.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB500M17HM3 Wolfspeed_CAB500M17HM3_data_sheet.pdf
CAB500M17HM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1700V 653A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 653A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 64900pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 500A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1992nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 203mA
Supplier Device Package: Module
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+214100.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB530M12BM3 Wolfspeed_CAB530M12BM3_data_sheet.pdf
CAB530M12BM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 530A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 530A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1362nC @ 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 140mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+63447.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4 Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB5R0A23GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 710W
Drain to Source Voltage (Vdss): 2300V (2.3kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36600pF @ 1.5kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 240A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 880nC @ 15V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 114mA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+30039.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB5R0A23GM4T Wolfspeed_CAB5R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB5R0A23GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CAB650M17HM3 Wolfspeed_CAB650M17HM3_data_sheet.pdf
CAB650M17HM3
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1700V 916A MODULE
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V (1.7kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 916A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97300pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.86mOhm @ 650A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2988nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 305mA
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+286375.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4 Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB6R0A23GM4
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CAB6R0A23GM4T Wolfspeed_CAB6R0A23GM4_data_sheet.pdf
CAB6R0A23GM4T
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 2300V 150A
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+22799.48 грн
18+20412.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.