Продукція > WOLFSPEED, INC. > Всі товари виробника WOLFSPEED, INC. (567) > Сторінка 1 з 10

Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
C2D05120A C2D05120A Wolfspeed, Inc. C2D05120A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 455pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D05120E C2D05120E Wolfspeed, Inc. C2D05120E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D05120E-TR C2D05120E-TR Wolfspeed, Inc. C2D05120E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D10120A Wolfspeed, Inc. Description: DIODE SIL CARB 1200V 31A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D10120D Wolfspeed, Inc. Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D C2M0025120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0025120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7042.31 грн
30+5293.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D C2M0040120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4149.93 грн
30+2889.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170D C2M0045170D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0045170D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8694.29 грн
30+7115.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170P C2M0045170P Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0045170P_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8088.37 грн
30+6527.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D C2M0080120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2336.28 грн
30+1464.42 грн
120+1414.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120D C2M0160120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0160120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1345.75 грн
30+803.86 грн
120+702.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D C2M0280120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0280120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+908.87 грн
30+525.15 грн
120+448.35 грн
510+368.00 грн
1020+361.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D C2M1000170D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M1000170D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J C2M1000170J Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+894.17 грн
50+478.82 грн
100+462.42 грн
500+407.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TR C2M1000170J-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+451.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TR C2M1000170J-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+912.14 грн
10+612.25 грн
100+462.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060A C3D02060A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02060A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.37 грн
50+65.47 грн
100+58.77 грн
500+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060E C3D02060E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.60 грн
75+50.40 грн
150+49.33 грн
525+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060E-TR C3D02060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.94 грн
10+76.20 грн
100+50.88 грн
500+37.55 грн
1000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060E-TR C3D02060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060F C3D02060F Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02060F_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.85 грн
50+79.42 грн
100+71.20 грн
500+53.30 грн
1000+48.95 грн
2000+45.30 грн
5000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E C3D02065E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.45 грн
75+49.58 грн
150+48.82 грн
525+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E-TR C3D02065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E-TR C3D02065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.39 грн
10+78.01 грн
100+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060A C3D03060A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03060A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 7136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.18 грн
50+89.16 грн
100+80.38 грн
500+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060E C3D03060E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 14799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.64 грн
75+61.07 грн
150+55.01 грн
525+43.54 грн
1050+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060E-TR C3D03060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060E-TR C3D03060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.32 грн
10+100.73 грн
100+68.25 грн
500+50.98 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060F C3D03060F Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03060F_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 11841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.20 грн
50+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E C3D03065E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.60 грн
75+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.04 грн
10+104.11 грн
100+70.65 грн
500+52.85 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR C3D03065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060A C3D04060A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04060A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.72 грн
50+83.59 грн
100+77.49 грн
500+62.10 грн
1000+55.17 грн
2000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060E C3D04060E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.93 грн
75+68.50 грн
150+67.64 грн
525+55.97 грн
1050+54.26 грн
2025+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060E-TR C3D04060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060E-TR C3D04060E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04060E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.35 грн
10+120.63 грн
100+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060F C3D04060F Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04060F_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.82 грн
50+89.17 грн
100+80.21 грн
500+60.52 грн
1000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065A C3D04065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.69 грн
50+144.19 грн
100+132.82 грн
500+101.99 грн
1000+94.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065E C3D04065E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.17 грн
75+87.00 грн
150+78.64 грн
525+62.62 грн
1050+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065E-TR C3D04065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065E-TR C3D04065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D04065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.50 грн
10+131.56 грн
100+90.39 грн
500+68.31 грн
1000+63.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060A C3D06060A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06060A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 294pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.01 грн
50+131.04 грн
100+121.16 грн
500+92.68 грн
1000+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060F C3D06060F Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06060F_data_sheet.pdf Description: DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 294pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.78 грн
50+123.52 грн
100+111.73 грн
500+85.47 грн
1000+78.72 грн
2000+74.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060G C3D06060G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06060G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.96 грн
50+151.39 грн
100+137.83 грн
500+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060G-TR C3D06060G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06060G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.13 грн
10+164.66 грн
100+114.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060G-TR C3D06060G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06060G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+92.25 грн
1600+82.74 грн
2400+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065A C3D06065A Wolfspeed, Inc. C3D06065A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 294pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.89 грн
10+292.99 грн
100+240.05 грн
500+191.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065E C3D06065E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.02 грн
75+133.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065E-TR C3D06065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065E-TR C3D06065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D06065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.99 грн
10+179.37 грн
100+125.42 грн
500+96.08 грн
1000+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065I C3D06065I Wolfspeed, Inc. C3D06065I.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-220-2 Isolated Tab
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.95 грн
10+304.32 грн
100+249.34 грн
500+199.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060A C3D08060A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08060A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 24A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.17 грн
50+139.81 грн
100+133.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060G C3D08060G Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08060G_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.88 грн
50+194.53 грн
100+173.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060G-TR C3D08060G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08060G_data_sheet.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+250.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060G-TR C3D08060G-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08060G_data_sheet.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.83 грн
10+335.85 грн
100+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065A C3D08065A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08065A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.13 грн
10+362.98 грн
100+293.62 грн
500+244.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065E C3D08065E Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO2522
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+341.34 грн
75+160.72 грн
150+146.84 грн
525+119.28 грн
1050+111.27 грн
2025+111.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065E-TR C3D08065E-TR Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08065E_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065I C3D08065I Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D08065I_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2 Isolated Tab
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.91 грн
10+378.00 грн
100+305.80 грн
500+255.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D10060A C3D10060A Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C3D10060A_data_sheet.pdf Description: DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D05120A C2D05120A.pdf
C2D05120A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 455pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D05120E C2D05120E.pdf
C2D05120E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D05120E-TR C2D05120E.pdf
C2D05120E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 17.5A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D10120A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 1200V 31A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1000pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 31A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2D10120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0025120D Wolfspeed_C2M0025120D_data_sheet.pdf
C2M0025120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7042.31 грн
30+5293.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0040120D Wolfspeed_C2M0040120D_data_sheet.pdf
C2M0040120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1893 pF @ 1000 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4149.93 грн
30+2889.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170D Wolfspeed_C2M0045170D_data_sheet.pdf
C2M0045170D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8694.29 грн
30+7115.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0045170P Wolfspeed_C2M0045170P_data_sheet.pdf
C2M0045170P
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 50A, 20V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 18mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3672 pF @ 1000 V
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8088.37 грн
30+6527.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf
C2M0080120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2336.28 грн
30+1464.42 грн
120+1414.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0160120D Wolfspeed_C2M0160120D_data_sheet.pdf
C2M0160120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.6 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 800 V
на замовлення 1230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1345.75 грн
30+803.86 грн
120+702.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0280120D Wolfspeed_C2M0280120D_data_sheet.pdf
C2M0280120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 6A, 20V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1.25mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 259 pF @ 1000 V
на замовлення 6886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+908.87 грн
30+525.15 грн
120+448.35 грн
510+368.00 грн
1020+361.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170D Wolfspeed_C2M1000170D_data_sheet.pdf
C2M1000170D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 191 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf
C2M1000170J
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7 (Straight Leads)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+894.17 грн
50+478.82 грн
100+462.42 грн
500+407.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TR Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf
C2M1000170J-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+451.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C2M1000170J-TR Wolfspeed_C2M1000170J_data_sheet.pdf
C2M1000170J-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 1000 V
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+912.14 грн
10+612.25 грн
100+462.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060A Wolfspeed_C3D02060A_data_sheet.pdf
C3D02060A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.37 грн
50+65.47 грн
100+58.77 грн
500+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060E Wolfspeed_C3D02060E_data_sheet.pdf
C3D02060E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.60 грн
75+50.40 грн
150+49.33 грн
525+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060E-TR Wolfspeed_C3D02060E_data_sheet.pdf
C3D02060E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.94 грн
10+76.20 грн
100+50.88 грн
500+37.55 грн
1000+34.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060E-TR Wolfspeed_C3D02060E_data_sheet.pdf
C3D02060E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02060F Wolfspeed_C3D02060F_data_sheet.pdf
C3D02060F
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.85 грн
50+79.42 грн
100+71.20 грн
500+53.30 грн
1000+48.95 грн
2000+45.30 грн
5000+40.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf
C3D02065E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.45 грн
75+49.58 грн
150+48.82 грн
525+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E-TR Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf
C3D02065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D02065E-TR Wolfspeed_C3D02065E_data_sheet.pdf
C3D02065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.39 грн
10+78.01 грн
100+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060A Wolfspeed_C3D03060A_data_sheet.pdf
C3D03060A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 7136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.18 грн
50+89.16 грн
100+80.38 грн
500+64.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060E Wolfspeed_C3D03060E_data_sheet.pdf
C3D03060E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 14799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.64 грн
75+61.07 грн
150+55.01 грн
525+43.54 грн
1050+40.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060E-TR Wolfspeed_C3D03060E_data_sheet.pdf
C3D03060E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060E-TR Wolfspeed_C3D03060E_data_sheet.pdf
C3D03060E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 11A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.32 грн
10+100.73 грн
100+68.25 грн
500+50.98 грн
1000+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03060F Wolfspeed_C3D03060F_data_sheet.pdf
C3D03060F
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 8A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 11841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.20 грн
50+64.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf
C3D03065E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.60 грн
75+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf
C3D03065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.04 грн
10+104.11 грн
100+70.65 грн
500+52.85 грн
1000+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D03065E-TR Wolfspeed_C3D03065E_data_sheet.pdf
C3D03065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 155pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060A Wolfspeed_C3D04060A_data_sheet.pdf
C3D04060A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.72 грн
50+83.59 грн
100+77.49 грн
500+62.10 грн
1000+55.17 грн
2000+53.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060E Wolfspeed_C3D04060E_data_sheet.pdf
C3D04060E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.93 грн
75+68.50 грн
150+67.64 грн
525+55.97 грн
1050+54.26 грн
2025+51.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060E-TR Wolfspeed_C3D04060E_data_sheet.pdf
C3D04060E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060E-TR Wolfspeed_C3D04060E_data_sheet.pdf
C3D04060E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.35 грн
10+120.63 грн
100+82.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04060F Wolfspeed_C3D04060F_data_sheet.pdf
C3D04060F
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 9A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.82 грн
50+89.17 грн
100+80.21 грн
500+60.52 грн
1000+54.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065A Wolfspeed_C3D04065A_data_sheet.pdf
C3D04065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.69 грн
50+144.19 грн
100+132.82 грн
500+101.99 грн
1000+94.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065E Wolfspeed_C3D04065E_data_sheet.pdf
C3D04065E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.17 грн
75+87.00 грн
150+78.64 грн
525+62.62 грн
1050+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065E-TR Wolfspeed_C3D04065E_data_sheet.pdf
C3D04065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D04065E-TR Wolfspeed_C3D04065E_data_sheet.pdf
C3D04065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 13.5A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 251pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.50 грн
10+131.56 грн
100+90.39 грн
500+68.31 грн
1000+63.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060A Wolfspeed_C3D06060A_data_sheet.pdf
C3D06060A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 294pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.01 грн
50+131.04 грн
100+121.16 грн
500+92.68 грн
1000+85.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060F Wolfspeed_C3D06060F_data_sheet.pdf
C3D06060F
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 294pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11.5A
Supplier Device Package: TO-220-F2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.78 грн
50+123.52 грн
100+111.73 грн
500+85.47 грн
1000+78.72 грн
2000+74.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060G Wolfspeed_C3D06060G_data_sheet.pdf
C3D06060G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.96 грн
50+151.39 грн
100+137.83 грн
500+117.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060G-TR Wolfspeed_C3D06060G_data_sheet.pdf
C3D06060G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.13 грн
10+164.66 грн
100+114.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06060G-TR Wolfspeed_C3D06060G_data_sheet.pdf
C3D06060G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 19A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+92.25 грн
1600+82.74 грн
2400+81.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065A C3D06065A.pdf
C3D06065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 19A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 294pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 19A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.89 грн
10+292.99 грн
100+240.05 грн
500+191.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065E Wolfspeed_C3D06065E_data_sheet.pdf
C3D06065E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 1307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.02 грн
75+133.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065E-TR Wolfspeed_C3D06065E_data_sheet.pdf
C3D06065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065E-TR Wolfspeed_C3D06065E_data_sheet.pdf
C3D06065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.99 грн
10+179.37 грн
100+125.42 грн
500+96.08 грн
1000+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
C3D06065I C3D06065I.pdf
C3D06065I
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 13A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 13A
Supplier Device Package: TO-220-2 Isolated Tab
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+351.95 грн
10+304.32 грн
100+249.34 грн
500+199.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060A Wolfspeed_C3D08060A_data_sheet.pdf
C3D08060A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 24A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.17 грн
50+139.81 грн
100+133.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060G Wolfspeed_C3D08060G_data_sheet.pdf
C3D08060G
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 24A TO263-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.88 грн
50+194.53 грн
100+173.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060G-TR Wolfspeed_C3D08060G_data_sheet.pdf
C3D08060G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+250.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08060G-TR Wolfspeed_C3D08060G_data_sheet.pdf
C3D08060G-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO263-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 26pF @ 400V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-263-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.83 грн
10+335.85 грн
100+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065A Wolfspeed_C3D08065A_data_sheet.pdf
C3D08065A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 24A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.13 грн
10+362.98 грн
100+293.62 грн
500+244.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065E Wolfspeed_C3D08065E_data_sheet.pdf
C3D08065E
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO2522
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+341.34 грн
75+160.72 грн
150+146.84 грн
525+119.28 грн
1050+111.27 грн
2025+111.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065E-TR Wolfspeed_C3D08065E_data_sheet.pdf
C3D08065E-TR
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 395pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25.5A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
C3D08065I Wolfspeed_C3D08065I_data_sheet.pdf
C3D08065I
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 650V 16.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 441pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16.5A
Supplier Device Package: TO-220-2 Isolated Tab
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+467.91 грн
10+378.00 грн
100+305.80 грн
500+255.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C3D10060A Wolfspeed_C3D10060A_data_sheet.pdf
C3D10060A
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]