Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73773) > Сторінка 325 з 1230

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 369 492 615 738 861 984 1107 1230  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SBR5E45P5-7D SBR5E45P5-7D Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR8E45P5-7 SBR8E45P5-7 Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 8A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 45 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.32 грн
3000+14.60 грн
4500+14.05 грн
7500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
D14V0S1U2WS-7 D14V0S1U2WS-7 Diodes Incorporated D14V0S1U2WS.pdf Description: TVS DIODE 14VWM 26VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 360pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1300W (1.3kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 9552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.70 грн
21+16.07 грн
100+7.79 грн
500+7.24 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2450UV-7 DMC2450UV-7 Diodes Incorporated DMC2450UV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.06 грн
17+20.09 грн
100+12.72 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L-7 Diodes Incorporated DMN63D8L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 209519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+15.33 грн
36+9.27 грн
100+4.85 грн
500+3.34 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4006SK3-13 DMNH4006SK3-13 Diodes Incorporated DMNH4006SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated DMP10H4D2S.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 17080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+30.66 грн
19+17.80 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7 DMP510DL-7 Diodes Incorporated DMP510DL.pdf Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 37118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+23.84 грн
24+13.78 грн
100+7.28 грн
500+5.61 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG-7 Diodes Incorporated DMT10H015LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.88 грн
10+38.54 грн
100+34.65 грн
500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.79 грн
10+67.16 грн
100+47.37 грн
500+37.43 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 58894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.89 грн
10+77.00 грн
100+50.42 грн
500+38.04 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated DMT6004LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
на замовлення 13602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.14 грн
10+95.37 грн
100+64.65 грн
500+48.33 грн
1000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3-13 DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated DMTH6010LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 112494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.04 грн
10+77.70 грн
100+52.13 грн
500+38.63 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13 DMTH6010LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-13 SBR5E45P5-13 Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7 SBR5E45P5-7 Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15004500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7D SBR5E45P5-7D Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR8E45P5-7 SBR8E45P5-7 Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE SBR 45V 8A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 45 V
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.80 грн
10+33.54 грн
100+26.39 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13 DMTH6010LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-13 SBR5E45P5-13 Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7 SBR5E45P5-7 Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15004500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7D SBR5E45P5-7D Diodes Incorporated SBR5E45P5.pdf Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL5801EV1 Diodes Incorporated AL5801.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL5801
Packaging: Box
Voltage - Input: 3.5V ~ 20V
Current - Output / Channel: 350mA
Utilized IC / Part: AL5801
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL5802EV1 AL5802EV1 Diodes Incorporated AL5802.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL5802
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 30V
Current - Output / Channel: 120mA
Utilized IC / Part: AL5802
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8400EV1 Diodes Incorporated AL8400EV1-User-Guide-Issue-1.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL8400
Packaging: Box
Voltage - Input: 4V ~ 18V
Current - Output / Channel: 150mA
Utilized IC / Part: AL8400
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8805EV1 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8805
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 6V ~ 30V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8805
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8805EV2 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8805
Packaging: Box
Voltage - Input: 12VAC, 12V ~ 20V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8805
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8806EV1 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8806
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 9V ~ 30V
Current - Output / Channel: 1.5A
Utilized IC / Part: AL8806
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8806EV4 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8806
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 9V ~ 30V
Current - Output / Channel: 1.5A
Utilized IC / Part: AL8806
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8806EV6 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8806
Packaging: Box
Voltage - Input: 9V ~ 30V
Current - Output / Channel: 1.1A
Utilized IC / Part: AL8806
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8807AEV1 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8807A
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 6V ~ 36V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8807A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8807AEV3 Diodes Incorporated Description: EVAL BOARD FOR AL8807A
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 6V ~ 36V
Current - Output / Channel: 1A
Utilized IC / Part: AL8807A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8808EV1 Diodes Incorporated AL8808EV1.pdf Description: BOARD LED DRIVER 680MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8808EV2 Diodes Incorporated AL8808.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL8808
Packaging: Box
Voltage - Input: 12VAC, 12V ~ 20V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8808
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL9910EV4 Diodes Incorporated AL9910EV4-User-Guide-Issue-4.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL9910A
Packaging: Box
Voltage - Input: 85 ~ 277 VAC
Current - Output / Channel: 180mA
Utilized IC / Part: AL9910A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL9910EV5 Diodes Incorporated AL9910EV5-User-Guide-Issue-3.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL9910A
Packaging: Box
Voltage - Input: 85 ~ 277 VAC
Current - Output / Channel: 240mA
Utilized IC / Part: AL9910A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL9910EV6 Diodes Incorporated AL9910EV6-User-Guide-Issue-4.pdf Description: EVAL BOARD FOR AL9910A
Packaging: Box
Voltage - Input: 90 ~ 132 VAC
Current - Output / Channel: 75mA
Utilized IC / Part: AL9910A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 4 Non-Isolated Outputs
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRTF40U100CT SBRTF40U100CT Diodes Incorporated SBRTF40U100CT%28FP%29.pdf Description: DIODE ARR SBR 100V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRTF40U100CTFP SBRTF40U100CTFP Diodes Incorporated SBRTF40U100CT(FP).pdf Description: DIODE RECT SB 100V 20A ITO-220A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH3763Q-P-A AH3763Q-P-A Diodes Incorporated AH3763Q.pdf Description: MAGNETIC SWITCH LATCH 3SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH3765Q-P-A Diodes Incorporated AH3765Q.pdf Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AH3766Q-P-A Diodes Incorporated AH3766Q.pdf Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AH3768Q-P-A Diodes Incorporated AH3768Q.pdf Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AH3769Q-P-A Diodes Incorporated AH3769Q.pdf Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H-13 2N7002H-13 Diodes Incorporated 2N7002H.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.90 грн
20000+2.53 грн
30000+2.39 грн
50000+2.10 грн
70000+2.02 грн
100000+1.94 грн
250000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
AP3776MTR-G1 AP3776MTR-G1 Diodes Incorporated AP3776.pdf Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.1V ~ 28V
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ-13 Diodes Incorporated DMC3028LSDXQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13 DMG1016VQ-13 Diodes Incorporated Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.99 грн
30000+10.34 грн
50000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-13 DMN2026UVT-13 Diodes Incorporated DMN2026UVT.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.53 грн
20000+7.60 грн
30000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13 DMN3023L-13 Diodes Incorporated DMN3023L.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.98 грн
20000+6.19 грн
30000+5.92 грн
50000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-13 DMN61D9U-13 Diodes Incorporated DMN61D9U.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-13 DMN61D9UW-13 Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13 DMP2100UFU-13 Diodes Incorporated DMP2100UFU.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13 DMP6050SFG-13 Diodes Incorporated DMP6050SFG.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
6000+15.26 грн
9000+14.97 грн
15000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q-13 Diodes Incorporated DMPH6050SK3Q.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.18 грн
5000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated DMT6009LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH4004SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPS-13 DMTH6004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6004LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR12M120P5-13D SBR12M120P5-13D Diodes Incorporated SBR12M120P5.pdf Description: DIODE SBR 120V 12A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7D SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-7D
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR8E45P5-7 SBR5E45P5.pdf
SBR8E45P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 8A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 45 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+15.32 грн
3000+14.60 грн
4500+14.05 грн
7500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
D14V0S1U2WS-7 D14V0S1U2WS.pdf
D14V0S1U2WS-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 14VWM 26VC SOD323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 360pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 14V (Max)
Supplier Device Package: SOD-323
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 26V
Power - Peak Pulse: 1300W (1.3kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 9552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.70 грн
21+16.07 грн
100+7.79 грн
500+7.24 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2450UV-7 DMC2450UV.pdf
DMC2450UV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.03A, 700mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 200mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.06 грн
17+20.09 грн
100+12.72 грн
500+8.94 грн
1000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN63D8L-7 DMN63D8L.pdf
DMN63D8L-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
на замовлення 209519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.33 грн
36+9.27 грн
100+4.85 грн
500+3.34 грн
1000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH10H028SK3-13 DMNH10H028SK3.pdf
DMNH10H028SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2245 pF @ 50 V
на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH4006SK3-13 DMNH4006SK3.pdf
DMNH4006SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/90A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 86A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2280 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S.pdf
DMP10H4D2S-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
на замовлення 17080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.66 грн
19+17.80 грн
100+11.23 грн
500+7.86 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMP510DL-7 DMP510DL.pdf
DMP510DL-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 50V 180MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.6 pF @ 25 V
на замовлення 37118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+23.84 грн
24+13.78 грн
100+7.28 грн
500+5.61 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LFG-7 DMT10H015LFG.pdf
DMT10H015LFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.88 грн
10+38.54 грн
100+34.65 грн
500+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13 DMT10H015LPS.pdf
DMT10H015LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 108220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.79 грн
10+67.16 грн
100+47.37 грн
500+37.43 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13 DMT10H015LSS.pdf
DMT10H015LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
на замовлення 58894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.89 грн
10+77.00 грн
100+50.42 грн
500+38.04 грн
1000+34.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004LPS-13 DMT6004LPS.pdf
DMT6004LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
на замовлення 13602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.14 грн
10+95.37 грн
100+64.65 грн
500+48.33 грн
1000+46.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3-13 DMTH6010LK3.pdf
DMTH6010LK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 112494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.04 грн
10+77.70 грн
100+52.13 грн
500+38.63 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13 DMTH6010LPS.pdf
DMTH6010LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-13 SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7 SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15004500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7D SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-7D
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR8E45P5-7 SBR5E45P5.pdf
SBR8E45P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 45V 8A POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 510 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 45 V
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.80 грн
10+33.54 грн
100+26.39 грн
500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13 DMTH6010LPS.pdf
DMTH6010LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-13 SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 4294967295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7 SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15004500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR5E45P5-7D SBR5E45P5.pdf
SBR5E45P5-7D
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SBR 45V 5A POWERDI5
на замовлення 15006000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AL5801EV1 AL5801.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL5801
Packaging: Box
Voltage - Input: 3.5V ~ 20V
Current - Output / Channel: 350mA
Utilized IC / Part: AL5801
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL5802EV1 AL5802.pdf
AL5802EV1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL5802
Packaging: Box
Voltage - Input: 4.5V ~ 30V
Current - Output / Channel: 120mA
Utilized IC / Part: AL5802
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8400EV1 AL8400EV1-User-Guide-Issue-1.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8400
Packaging: Box
Voltage - Input: 4V ~ 18V
Current - Output / Channel: 150mA
Utilized IC / Part: AL8400
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8805EV1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8805
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 6V ~ 30V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8805
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8805EV2
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8805
Packaging: Box
Voltage - Input: 12VAC, 12V ~ 20V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8805
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8806EV1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8806
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 9V ~ 30V
Current - Output / Channel: 1.5A
Utilized IC / Part: AL8806
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8806EV4
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8806
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 9V ~ 30V
Current - Output / Channel: 1.5A
Utilized IC / Part: AL8806
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8806EV6
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8806
Packaging: Box
Voltage - Input: 9V ~ 30V
Current - Output / Channel: 1.1A
Utilized IC / Part: AL8806
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8807AEV1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8807A
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 6V ~ 36V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8807A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8807AEV3
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8807A
Packaging: Box
Features: Dimmable
Voltage - Input: 6V ~ 36V
Current - Output / Channel: 1A
Utilized IC / Part: AL8807A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8808EV1 AL8808EV1.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BOARD LED DRIVER 680MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL8808EV2 AL8808.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL8808
Packaging: Box
Voltage - Input: 12VAC, 12V ~ 20V
Current - Output / Channel: 680mA
Utilized IC / Part: AL8808
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL9910EV4 AL9910EV4-User-Guide-Issue-4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL9910A
Packaging: Box
Voltage - Input: 85 ~ 277 VAC
Current - Output / Channel: 180mA
Utilized IC / Part: AL9910A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL9910EV5 AL9910EV5-User-Guide-Issue-3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL9910A
Packaging: Box
Voltage - Input: 85 ~ 277 VAC
Current - Output / Channel: 240mA
Utilized IC / Part: AL9910A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AL9910EV6 AL9910EV6-User-Guide-Issue-4.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AL9910A
Packaging: Box
Voltage - Input: 90 ~ 132 VAC
Current - Output / Channel: 75mA
Utilized IC / Part: AL9910A
Supplied Contents: Board(s)
Outputs and Type: 4 Non-Isolated Outputs
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRTF40U100CT SBRTF40U100CT%28FP%29.pdf
SBRTF40U100CT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 100V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SBRTF40U100CTFP SBRTF40U100CT(FP).pdf
SBRTF40U100CTFP
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE RECT SB 100V 20A ITO-220A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 680 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH3763Q-P-A AH3763Q.pdf
AH3763Q-P-A
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH 3SIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AH3765Q-P-A AH3765Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AH3766Q-P-A AH3766Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AH3768Q-P-A AH3768Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AH3769Q-P-A AH3769Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC HALL LATCH SWITCH SIP-3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H-13 2N7002H.pdf
2N7002H-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V
на замовлення 460000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.90 грн
20000+2.53 грн
30000+2.39 грн
50000+2.10 грн
70000+2.02 грн
100000+1.94 грн
250000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
AP3776MTR-G1 AP3776.pdf
AP3776MTR-G1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Internal Switch(s): No
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 6.1V ~ 28V
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Over Temperature, Over Voltage, Short Circuit
Voltage - Start Up: 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3028LSDXQ-13 DMC3028LSDXQ.pdf
DMC3028LSDXQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A, 5.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13
DMG1016VQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 530mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA, 640mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+10.99 грн
30000+10.34 грн
50000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-13 DMN2026UVT.pdf
DMN2026UVT-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+8.53 грн
20000+7.60 грн
30000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13 DMN3023L.pdf
DMN3023L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.98 грн
20000+6.19 грн
30000+5.92 грн
50000+5.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-13 DMN61D9U.pdf
DMN61D9U-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-13
DMN61D9UW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2100UFU-13 DMP2100UFU.pdf
DMP2100UFU-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2030-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6050SFG-13 DMP6050SFG.pdf
DMP6050SFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.14 грн
6000+15.26 грн
9000+14.97 грн
15000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH6050SK3Q-13 DMPH6050SK3Q.pdf
DMPH6050SK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 23.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1377 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.18 грн
5000+24.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG.pdf
DMT6009LFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SPS-13 DMTH4004SPS.pdf
DMTH4004SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004LPS-13 DMTH6004LPS.pdf
DMTH6004LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SBR12M120P5-13D SBR12M120P5.pdf
SBR12M120P5-13D
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SBR 120V 12A POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerDI™ 5
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: PowerDI™ 5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 830 mV @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 320 321 322 323 324 325 326 327 328 329 330 369 492 615 738 861 984 1107 1230  [ Наступна Сторінка >> ]