Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1518) > Сторінка 15 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFP68015 GSFP68015 Good-Ark Semiconductor GSFP68015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.99 грн
10000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015 Good-Ark Semiconductor GSFP68015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886.pdf Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886.pdf Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.13 грн
10+51.76 грн
25+48.62 грн
100+37.24 грн
250+34.58 грн
500+29.44 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.89 грн
10+79.89 грн
25+75.87 грн
100+58.46 грн
250+54.65 грн
500+48.30 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.38 грн
6000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504 Good-Ark Semiconductor GSFPR8504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+52.88 грн
10000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504 Good-Ark Semiconductor GSFPR8504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008 Good-Ark Semiconductor GSFQ1008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.28 грн
10+34.94 грн
25+32.81 грн
100+25.13 грн
250+23.35 грн
500+19.87 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008 Good-Ark Semiconductor GSFQ1008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.83 грн
10+62.38 грн
25+58.59 грн
100+44.87 грн
250+41.68 грн
500+35.47 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.94 грн
6000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.69 грн
10+32.49 грн
25+30.30 грн
100+22.76 грн
250+21.13 грн
500+17.88 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307 Good-Ark Semiconductor GSFQ2307.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
17+18.58 грн
100+11.72 грн
500+8.21 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307 Good-Ark Semiconductor GSFQ2307.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025 Good-Ark Semiconductor GSFQ3025.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.59 грн
6000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025 Good-Ark Semiconductor GSFQ3025.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor GSFQ4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor GSFQ4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.58 грн
17+18.81 грн
100+12.71 грн
500+9.25 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.69 грн
10+32.80 грн
25+30.61 грн
100+22.98 грн
250+21.34 грн
500+18.06 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.35 грн
6000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953 Good-Ark Semiconductor GSFQ4953.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953 Good-Ark Semiconductor GSFQ4953.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.99 грн
18+17.74 грн
100+11.95 грн
500+8.68 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.77 грн
10+48.09 грн
25+39.97 грн
100+28.87 грн
250+24.63 грн
500+22.02 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808 Good-Ark Semiconductor GSFQ6808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
10+35.78 грн
25+33.61 грн
100+25.75 грн
250+23.92 грн
500+20.35 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808 Good-Ark Semiconductor GSFQ6808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.20 грн
20+15.37 грн
25+12.69 грн
100+9.05 грн
250+7.62 грн
500+6.74 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603 Good-Ark Semiconductor GSFR0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.97 грн
6000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603 Good-Ark Semiconductor GSFR0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.73 грн
12+25.99 грн
25+23.45 грн
100+15.21 грн
250+12.81 грн
500+10.41 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130 Good-Ark Semiconductor GSFT06130.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.21 грн
10+179.73 грн
25+155.22 грн
100+119.83 грн
250+107.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130 Good-Ark Semiconductor GSFT06130.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.31 грн
1600+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150 Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150 Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.79 грн
10+80.58 грн
25+68.31 грн
100+51.10 грн
250+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020 Good-Ark Semiconductor GSFT10020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+342.17 грн
10+217.42 грн
100+153.91 грн
800+113.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+53.46 грн
1600+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.89 грн
10+79.89 грн
25+75.87 грн
100+58.48 грн
250+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT3R110 GSFT3R110 Good-Ark Semiconductor GSFT3R110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.59 грн
10+137.99 грн
100+99.61 грн
800+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010 Good-Ark Semiconductor GSFT4R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.53 грн
10+90.82 грн
100+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010 Good-Ark Semiconductor GSFT4R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.51 грн
1600+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R099 GSFT60R099 Good-Ark Semiconductor GSFT60R099.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.91 грн
10+261.76 грн
100+211.76 грн
500+176.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R190 GSFT60R190 Good-Ark Semiconductor GSFT60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.03 грн
10+127.44 грн
100+87.68 грн
800+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT7R515 GSFT7R515 Good-Ark Semiconductor GSFT7R515.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.42 грн
10+188.83 грн
100+138.38 грн
800+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT9R706 GSFT9R706 Good-Ark Semiconductor GSFT9R706.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.46 грн
10+37.08 грн
100+25.66 грн
800+20.12 грн
1600+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor GSFTL2R710.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor GSFTL2R710.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU2016 GSFU2016 Good-Ark Semiconductor GSFU2016.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.82 грн
50+45.76 грн
100+40.68 грн
500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06 Good-Ark Semiconductor GSFU250N06.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.54 грн
50+26.08 грн
100+23.00 грн
500+16.49 грн
1000+14.85 грн
2000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R190 GSFU60R190 Good-Ark Semiconductor GSFU60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.73 грн
50+103.68 грн
100+93.46 грн
500+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R360 GSFU60R360 Good-Ark Semiconductor GSFU60R360.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.99 грн
50+60.24 грн
100+53.82 грн
500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6513 GSFU6513 Good-Ark Semiconductor GSFU6513.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 13.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1746 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.65 грн
10+63.07 грн
100+44.02 грн
500+33.29 грн
1000+30.66 грн
2000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU8005 GSFU8005 Good-Ark Semiconductor GSFU8005.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677.1 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.47 грн
50+42.67 грн
100+37.92 грн
500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU80R280 GSFU80R280 Good-Ark Semiconductor GSFU80R280.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 17.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.36 грн
50+97.20 грн
100+88.63 грн
500+68.83 грн
1000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU9504 GSFU9504 Good-Ark Semiconductor GSFU9504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.48 грн
10+173.77 грн
100+121.40 грн
500+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU95R500 GSFU95R500 Good-Ark Semiconductor GSFU95R500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.74 грн
10+237.37 грн
100+192.07 грн
500+160.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 7396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.67 грн
33+9.48 грн
40+7.74 грн
100+5.33 грн
250+4.39 грн
500+3.81 грн
1000+3.27 грн
2500+2.75 грн
5000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW0501 GSFW0501 Good-Ark Semiconductor GSFW0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015.pdf
GSFP68015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+16.99 грн
10000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015.pdf
GSFP68015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886.pdf
GSFP6886
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886.pdf
GSFP6886
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.13 грн
10+51.76 грн
25+48.62 грн
100+37.24 грн
250+34.58 грн
500+29.44 грн
1000+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
GSFP6901
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+79.89 грн
25+75.87 грн
100+58.46 грн
250+54.65 грн
500+48.30 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
GSFP6901
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.38 грн
6000+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504.pdf
GSFPR8504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+52.88 грн
10000+49.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504.pdf
GSFPR8504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008.pdf
GSFQ1008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.28 грн
10+34.94 грн
25+32.81 грн
100+25.13 грн
250+23.35 грн
500+19.87 грн
1000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008.pdf
GSFQ1008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504.pdf
GSFQ1504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504.pdf
GSFQ1504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.83 грн
10+62.38 грн
25+58.59 грн
100+44.87 грн
250+41.68 грн
500+35.47 грн
1000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305.pdf
GSFQ2305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.94 грн
6000+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305.pdf
GSFQ2305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.69 грн
10+32.49 грн
25+30.30 грн
100+22.76 грн
250+21.13 грн
500+17.88 грн
1000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307.pdf
GSFQ2307
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
17+18.58 грн
100+11.72 грн
500+8.21 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307.pdf
GSFQ2307
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025.pdf
GSFQ3025
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.59 грн
6000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025.pdf
GSFQ3025
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616.pdf
GSFQ4616
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616.pdf
GSFQ4616
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.58 грн
17+18.81 грн
100+12.71 грн
500+9.25 грн
1000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701.pdf
GSFQ4701
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.69 грн
10+32.80 грн
25+30.61 грн
100+22.98 грн
250+21.34 грн
500+18.06 грн
1000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701.pdf
GSFQ4701
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.35 грн
6000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953.pdf
GSFQ4953
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953.pdf
GSFQ4953
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.99 грн
18+17.74 грн
100+11.95 грн
500+8.68 грн
1000+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806.pdf
GSFQ6806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806.pdf
GSFQ6806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.77 грн
10+48.09 грн
25+39.97 грн
100+28.87 грн
250+24.63 грн
500+22.02 грн
1000+19.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808.pdf
GSFQ6808
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
10+35.78 грн
25+33.61 грн
100+25.75 грн
250+23.92 грн
500+20.35 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808.pdf
GSFQ6808
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308.pdf
GSFR0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308.pdf
GSFR0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.20 грн
20+15.37 грн
25+12.69 грн
100+9.05 грн
250+7.62 грн
500+6.74 грн
1000+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603.pdf
GSFR0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.97 грн
6000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603.pdf
GSFR0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.73 грн
12+25.99 грн
25+23.45 грн
100+15.21 грн
250+12.81 грн
500+10.41 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130.pdf
GSFT06130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.21 грн
10+179.73 грн
25+155.22 грн
100+119.83 грн
250+107.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130.pdf
GSFT06130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.31 грн
1600+95.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150.pdf
GSFT06150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150.pdf
GSFT06150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.79 грн
10+80.58 грн
25+68.31 грн
100+51.10 грн
250+44.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020.pdf
GSFT10020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+342.17 грн
10+217.42 грн
100+153.91 грн
800+113.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060.pdf
GSFT1060
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.46 грн
1600+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060.pdf
GSFT1060
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.89 грн
10+79.89 грн
25+75.87 грн
100+58.48 грн
250+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT3R110 GSFT3R110.pdf
GSFT3R110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.59 грн
10+137.99 грн
100+99.61 грн
800+73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010.pdf
GSFT4R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.53 грн
10+90.82 грн
100+72.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010.pdf
GSFT4R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.51 грн
1600+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R099 GSFT60R099.pdf
GSFT60R099
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.91 грн
10+261.76 грн
100+211.76 грн
500+176.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R190 GSFT60R190.pdf
GSFT60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.03 грн
10+127.44 грн
100+87.68 грн
800+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT7R515 GSFT7R515.pdf
GSFT7R515
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.42 грн
10+188.83 грн
100+138.38 грн
800+107.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT9R706 GSFT9R706.pdf
GSFT9R706
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
10+37.08 грн
100+25.66 грн
800+20.12 грн
1600+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710.pdf
GSFTL2R710
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+89.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710.pdf
GSFTL2R710
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU2016 GSFU2016.pdf
GSFU2016
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.82 грн
50+45.76 грн
100+40.68 грн
500+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06.pdf
GSFU250N06
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.54 грн
50+26.08 грн
100+23.00 грн
500+16.49 грн
1000+14.85 грн
2000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R190 GSFU60R190.pdf
GSFU60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.73 грн
50+103.68 грн
100+93.46 грн
500+70.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R360 GSFU60R360.pdf
GSFU60R360
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.99 грн
50+60.24 грн
100+53.82 грн
500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6513 GSFU6513.pdf
GSFU6513
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 13.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1746 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.65 грн
10+63.07 грн
100+44.02 грн
500+33.29 грн
1000+30.66 грн
2000+28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU8005 GSFU8005.pdf
GSFU8005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677.1 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.47 грн
50+42.67 грн
100+37.92 грн
500+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU80R280 GSFU80R280.pdf
GSFU80R280
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 17.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.36 грн
50+97.20 грн
100+88.63 грн
500+68.83 грн
1000+64.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU9504 GSFU9504.pdf
GSFU9504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.48 грн
10+173.77 грн
100+121.40 грн
500+92.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU95R500 GSFU95R500.pdf
GSFU95R500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+293.74 грн
10+237.37 грн
100+192.07 грн
500+160.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009.pdf
GSFW02009
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009.pdf
GSFW02009
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 7396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.67 грн
33+9.48 грн
40+7.74 грн
100+5.33 грн
250+4.39 грн
500+3.81 грн
1000+3.27 грн
2500+2.75 грн
5000+2.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW0501 GSFW0501.pdf
GSFW0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]