Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1647) > Сторінка 15 з 28

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFN3110 GSFN3110 Good-Ark Semiconductor Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3110 GSFN3110 Good-Ark Semiconductor Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3904 GSFN3904 Good-Ark Semiconductor GSFN3904.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3904 GSFN3904 Good-Ark Semiconductor GSFN3904.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.83 грн
10+46.04 грн
25+38.54 грн
100+28.20 грн
250+24.28 грн
500+21.88 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3906 GSFN3906 Good-Ark Semiconductor GSFN3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.85 грн
11+29.92 грн
25+27.88 грн
100+20.93 грн
250+19.43 грн
500+16.45 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3906 GSFN3906 Good-Ark Semiconductor GSFN3906.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3908 GSFN3908 Good-Ark Semiconductor GSFN3908.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3908 GSFN3908 Good-Ark Semiconductor GSFN3908.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.85 грн
12+29.84 грн
25+27.82 грн
100+20.88 грн
250+19.39 грн
500+16.41 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN4013 GSFN4013 Good-Ark Semiconductor GSFN4013.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3242 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.88 грн
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN4013 GSFN4013 Good-Ark Semiconductor GSFN4013.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3242 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN6982 GSFN6982 Good-Ark Semiconductor GSFN6982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 48 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN6982 GSFN6982 Good-Ark Semiconductor GSFN6982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 48 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+83.66 грн
10+50.56 грн
100+33.15 грн
500+24.12 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03101 GSFP03101 Good-Ark Semiconductor GSFP03101.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03101 GSFP03101 Good-Ark Semiconductor GSFP03101.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+160.49 грн
10+98.65 грн
25+83.92 грн
100+63.19 грн
250+55.59 грн
500+50.94 грн
1000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0341 GSFP0341 Good-Ark Semiconductor GSFP0341.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0341 GSFP0341 Good-Ark Semiconductor GSFP0341.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.88 грн
17+20.06 грн
25+17.86 грн
100+14.51 грн
250+13.43 грн
500+12.78 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0356 GSFP0356 Good-Ark Semiconductor GSFP0356.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 55A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.2x5.55)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0356 GSFP0356 Good-Ark Semiconductor GSFP0356.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 55A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.2x5.55)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.17 грн
10+36.75 грн
25+30.32 грн
100+21.63 грн
250+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03602 GSFP03602 Good-Ark Semiconductor GSFP03602.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 60A, 30V, PP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Part Status: Active
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.32 грн
10+53.10 грн
25+49.88 грн
100+38.20 грн
250+35.48 грн
500+30.20 грн
1000+23.76 грн
2500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03602 GSFP03602 Good-Ark Semiconductor GSFP03602.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 60A, 30V, PP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Part Status: Active
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0365 GSFP0365 Good-Ark Semiconductor GSFP0365.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -64V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.89x5.74)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.39 грн
10+37.81 грн
25+35.51 грн
100+27.20 грн
250+25.27 грн
500+21.51 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0365 GSFP0365 Good-Ark Semiconductor GSFP0365.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -64V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.89x5.74)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0380 GSFP0380 Good-Ark Semiconductor GSFP0380.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.04 грн
6000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0380 GSFP0380 Good-Ark Semiconductor GSFP0380.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0446 GSFP0446 Good-Ark Semiconductor GSFP0446.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 40V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0446 GSFP0446 Good-Ark Semiconductor GSFP0446.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 40V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.24 грн
10+38.31 грн
25+36.01 грн
100+27.57 грн
250+25.61 грн
500+21.80 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0449 GSFP0449 Good-Ark Semiconductor GSFP0449.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -50.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.66 грн
10+40.12 грн
100+27.90 грн
500+20.44 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0449 GSFP0449 Good-Ark Semiconductor GSFP0449.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -50.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP06120 GSFP06120 Good-Ark Semiconductor GSFP06120.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP06120 GSFP06120 Good-Ark Semiconductor GSFP06120.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.10 грн
10+70.12 грн
25+66.55 грн
100+51.29 грн
250+47.95 грн
500+42.37 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0641 GSFP0641 Good-Ark Semiconductor GSFP0641.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3893 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0641 GSFP0641 Good-Ark Semiconductor GSFP0641.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3893 pF @ 30 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.76 грн
10+38.64 грн
100+26.45 грн
500+19.62 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08130 GSFP08130 Good-Ark Semiconductor GSFP08130.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 130A, 80V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8265 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08130 GSFP08130 Good-Ark Semiconductor GSFP08130.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 130A, 80V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8265 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08150 GSFP08150 Good-Ark Semiconductor GSFP08150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 80V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08150 GSFP08150 Good-Ark Semiconductor GSFP08150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 80V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
10+133.75 грн
25+114.50 грн
100+87.08 грн
250+77.17 грн
500+71.11 грн
1000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0876 GSFP0876 Good-Ark Semiconductor GSFP0876.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0876 GSFP0876 Good-Ark Semiconductor GSFP0876.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 40 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.71 грн
10+60.75 грн
25+57.05 грн
100+43.68 грн
250+40.57 грн
500+34.53 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP10140 GSFP10140 Good-Ark Semiconductor GSFP10140.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75A, 80V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.29 грн
6000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP10140 GSFP10140 Good-Ark Semiconductor GSFP10140.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75A, 80V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.51 грн
10+84.26 грн
25+76.55 грн
100+63.87 грн
250+60.08 грн
500+57.79 грн
1000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1036 GSFP1036 Good-Ark Semiconductor GSFP1036.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 35A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1036 GSFP1036 Good-Ark Semiconductor GSFP1036.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 35A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+47.81 грн
10+40.45 грн
25+38.01 грн
100+29.12 грн
250+27.05 грн
500+23.02 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1040 GSFP1040 Good-Ark Semiconductor GSFP1040.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 40A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1040 GSFP1040 Good-Ark Semiconductor GSFP1040.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 40A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+81.10 грн
10+48.75 грн
25+40.91 грн
100+30.06 грн
250+25.97 грн
500+23.48 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080 Good-Ark Semiconductor GSFP1080.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080 Good-Ark Semiconductor GSFP1080.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.37 грн
10+73.08 грн
25+69.35 грн
100+53.48 грн
250+49.99 грн
500+44.18 грн
1000+34.30 грн
2500+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010 Good-Ark Semiconductor GSFP13010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.56 грн
10000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010 Good-Ark Semiconductor GSFP13010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.73 грн
10+55.65 грн
25+52.28 грн
100+40.04 грн
250+37.19 грн
500+31.65 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601 Good-Ark Semiconductor GSFP2601.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601 Good-Ark Semiconductor GSFP2601.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.93 грн
10+80.15 грн
100+56.36 грн
500+42.93 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010 Good-Ark Semiconductor GSFP34010.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010 Good-Ark Semiconductor GSFP34010.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+56.34 грн
10+36.50 грн
100+24.92 грн
500+18.45 грн
1000+16.82 грн
2000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944 Good-Ark Semiconductor GSFP3944.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.98 грн
11+32.14 грн
25+29.40 грн
100+20.54 грн
250+18.61 грн
500+15.40 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944 Good-Ark Semiconductor GSFP3944.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984 Good-Ark Semiconductor GSFP3984.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984 Good-Ark Semiconductor GSFP3984.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+65.73 грн
10+55.65 грн
25+52.28 грн
100+40.04 грн
250+37.19 грн
500+31.65 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310 Good-Ark Semiconductor GSFP4R310.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+56.04 грн
10000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310 Good-Ark Semiconductor GSFP4R310.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.91 грн
10+103.25 грн
100+82.21 грн
500+65.28 грн
1000+55.39 грн
2000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3110
GSFN3110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3110
GSFN3110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3904 GSFN3904.pdf
GSFN3904
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3904 GSFN3904.pdf
GSFN3904
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3190 pF @ 25 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.83 грн
10+46.04 грн
25+38.54 грн
100+28.20 грн
250+24.28 грн
500+21.88 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3906 GSFN3906.pdf
GSFN3906
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.85 грн
11+29.92 грн
25+27.88 грн
100+20.93 грн
250+19.43 грн
500+16.45 грн
1000+12.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3906 GSFN3906.pdf
GSFN3906
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3908 GSFN3908.pdf
GSFN3908
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3908 GSFN3908.pdf
GSFN3908
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.85 грн
12+29.84 грн
25+27.82 грн
100+20.88 грн
250+19.39 грн
500+16.41 грн
1000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN4013 GSFN4013.pdf
GSFN4013
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3242 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.88 грн
10000+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN4013 GSFN4013.pdf
GSFN4013
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3242 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN6982 GSFN6982.pdf
GSFN6982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 48 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN6982 GSFN6982.pdf
GSFN6982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 48 V
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+83.66 грн
10+50.56 грн
100+33.15 грн
500+24.12 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03101 GSFP03101.pdf
GSFP03101
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03101 GSFP03101.pdf
GSFP03101
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.49 грн
10+98.65 грн
25+83.92 грн
100+63.19 грн
250+55.59 грн
500+50.94 грн
1000+46.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0341 GSFP0341.pdf
GSFP0341
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0341 GSFP0341.pdf
GSFP0341
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.8mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 15 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.88 грн
17+20.06 грн
25+17.86 грн
100+14.51 грн
250+13.43 грн
500+12.78 грн
1000+12.04 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0356 GSFP0356.pdf
GSFP0356
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 55A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.2x5.55)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0356 GSFP0356.pdf
GSFP0356
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 55A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.2x5.55)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.17 грн
10+36.75 грн
25+30.32 грн
100+21.63 грн
250+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03602 GSFP03602.pdf
GSFP03602
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 60A, 30V, PP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Part Status: Active
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.32 грн
10+53.10 грн
25+49.88 грн
100+38.20 грн
250+35.48 грн
500+30.20 грн
1000+23.76 грн
2500+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP03602 GSFP03602.pdf
GSFP03602
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 60A, 30V, PP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 52W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x5.8)
Part Status: Active
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0365 GSFP0365.pdf
GSFP0365
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -64V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.89x5.74)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.39 грн
10+37.81 грн
25+35.51 грн
100+27.20 грн
250+25.27 грн
500+21.51 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0365 GSFP0365.pdf
GSFP0365
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30A, -64V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.89x5.74)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0380 GSFP0380.pdf
GSFP0380
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.04 грн
6000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0380 GSFP0380.pdf
GSFP0380
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0446 GSFP0446.pdf
GSFP0446
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 40V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0446 GSFP0446.pdf
GSFP0446
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 40V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.24 грн
10+38.31 грн
25+36.01 грн
100+27.57 грн
250+25.61 грн
500+21.80 грн
1000+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0449 GSFP0449.pdf
GSFP0449
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -50.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.66 грн
10+40.12 грн
100+27.90 грн
500+20.44 грн
1000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0449 GSFP0449.pdf
GSFP0449
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -50.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP06120 GSFP06120.pdf
GSFP06120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP06120 GSFP06120.pdf
GSFP06120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 30 V
на замовлення 2867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.10 грн
10+70.12 грн
25+66.55 грн
100+51.29 грн
250+47.95 грн
500+42.37 грн
1000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0641 GSFP0641.pdf
GSFP0641
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3893 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0641 GSFP0641.pdf
GSFP0641
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3893 pF @ 30 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.76 грн
10+38.64 грн
100+26.45 грн
500+19.62 грн
1000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08130 GSFP08130.pdf
GSFP08130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 130A, 80V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8265 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08130 GSFP08130.pdf
GSFP08130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 130A, 80V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8265 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08150 GSFP08150.pdf
GSFP08150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 80V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP08150 GSFP08150.pdf
GSFP08150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 80V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
на замовлення 2641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.13 грн
10+133.75 грн
25+114.50 грн
100+87.08 грн
250+77.17 грн
500+71.11 грн
1000+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0876 GSFP0876.pdf
GSFP0876
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP0876 GSFP0876.pdf
GSFP0876
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2580 pF @ 40 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.71 грн
10+60.75 грн
25+57.05 грн
100+43.68 грн
250+40.57 грн
500+34.53 грн
1000+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP10140 GSFP10140.pdf
GSFP10140
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75A, 80V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+59.29 грн
6000+55.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP10140 GSFP10140.pdf
GSFP10140
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 75A, 80V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.51 грн
10+84.26 грн
25+76.55 грн
100+63.87 грн
250+60.08 грн
500+57.79 грн
1000+54.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1036 GSFP1036.pdf
GSFP1036
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 35A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1036 GSFP1036.pdf
GSFP1036
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 35A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.81 грн
10+40.45 грн
25+38.01 грн
100+29.12 грн
250+27.05 грн
500+23.02 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1040 GSFP1040.pdf
GSFP1040
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 40A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1040 GSFP1040.pdf
GSFP1040
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 40A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.10 грн
10+48.75 грн
25+40.91 грн
100+30.06 грн
250+25.97 грн
500+23.48 грн
1000+21.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080.pdf
GSFP1080
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080.pdf
GSFP1080
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.37 грн
10+73.08 грн
25+69.35 грн
100+53.48 грн
250+49.99 грн
500+44.18 грн
1000+34.30 грн
2500+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010.pdf
GSFP13010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+17.56 грн
10000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010.pdf
GSFP13010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526.pdf
GSFP1526
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526.pdf
GSFP1526
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.73 грн
10+55.65 грн
25+52.28 грн
100+40.04 грн
250+37.19 грн
500+31.65 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601.pdf
GSFP2601
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601.pdf
GSFP2601
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.93 грн
10+80.15 грн
100+56.36 грн
500+42.93 грн
1000+39.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010.pdf
GSFP34010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010.pdf
GSFP34010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.34 грн
10+36.50 грн
100+24.92 грн
500+18.45 грн
1000+16.82 грн
2000+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944.pdf
GSFP3944
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.98 грн
11+32.14 грн
25+29.40 грн
100+20.54 грн
250+18.61 грн
500+15.40 грн
1000+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944.pdf
GSFP3944
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.61 грн
6000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984.pdf
GSFP3984
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984.pdf
GSFP3984
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.73 грн
10+55.65 грн
25+52.28 грн
100+40.04 грн
250+37.19 грн
500+31.65 грн
1000+24.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310.pdf
GSFP4R310
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+56.04 грн
10000+52.18 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310.pdf
GSFP4R310
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.91 грн
10+103.25 грн
100+82.21 грн
500+65.28 грн
1000+55.39 грн
2000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]