Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1668) > Сторінка 17 з 28

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFT10020 GSFT10020 Good-Ark Semiconductor GSFT10020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.88 грн
10+185.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.87 грн
10+77.29 грн
25+73.40 грн
100+56.58 грн
250+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060 Good-Ark Semiconductor GSFT1060.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.72 грн
1600+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT3R110 GSFT3R110 Good-Ark Semiconductor GSFT3R110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.78 грн
10+133.51 грн
100+96.37 грн
800+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010 Good-Ark Semiconductor GSFT4R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+61.45 грн
1600+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010 Good-Ark Semiconductor GSFT4R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.84 грн
10+87.87 грн
100+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R099 GSFT60R099 Good-Ark Semiconductor GSFT60R099.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.39 грн
10+253.26 грн
100+204.88 грн
500+170.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R190 GSFT60R190 Good-Ark Semiconductor GSFT60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.40 грн
10+123.30 грн
100+84.83 грн
800+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT7R515 GSFT7R515 Good-Ark Semiconductor GSFT7R515.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.21 грн
10+182.69 грн
100+133.88 грн
800+104.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT9R706 GSFT9R706 Good-Ark Semiconductor GSFT9R706.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
10+35.87 грн
100+24.83 грн
800+19.47 грн
1600+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor GSFTL2R710.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710 Good-Ark Semiconductor GSFTL2R710.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU2016 GSFU2016 Good-Ark Semiconductor GSFU2016.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.55 грн
50+44.28 грн
100+39.36 грн
500+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06 Good-Ark Semiconductor GSFU250N06.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.00 грн
50+23.42 грн
100+20.65 грн
500+14.81 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6008 GSFU6008 Good-Ark Semiconductor GSFU6008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.07 грн
50+50.12 грн
100+44.69 грн
500+33.00 грн
1000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R190 GSFU60R190 Good-Ark Semiconductor GSFU60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.69 грн
50+100.31 грн
100+90.42 грн
500+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R360 GSFU60R360 Good-Ark Semiconductor GSFU60R360.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.75 грн
50+53.60 грн
100+47.88 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6513 GSFU6513 Good-Ark Semiconductor GSFU6513.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 13.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1746 pF @ 25 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.46 грн
10+63.46 грн
100+42.37 грн
500+31.27 грн
1000+28.54 грн
2000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU8005 GSFU8005 Good-Ark Semiconductor GSFU8005.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677.1 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.40 грн
50+41.29 грн
100+36.69 грн
500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU80R280 GSFU80R280 Good-Ark Semiconductor GSFU80R280.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 17.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.27 грн
50+94.04 грн
100+85.75 грн
500+66.60 грн
1000+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU9504 GSFU9504 Good-Ark Semiconductor GSFU9504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.88 грн
10+150.52 грн
100+105.19 грн
500+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU95R500 GSFU95R500 Good-Ark Semiconductor GSFU95R500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.20 грн
10+229.66 грн
100+185.83 грн
500+155.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.50 грн
20000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009 Good-Ark Semiconductor GSFW02009.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+6.91 грн
103+2.88 грн
118+2.51 грн
142+1.96 грн
250+1.77 грн
500+1.66 грн
1000+1.54 грн
2500+1.44 грн
5000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW0501 GSFW0501 Good-Ark Semiconductor GSFW0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW0501 GSFW0501 Good-Ark Semiconductor GSFW0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.59 грн
23+13.24 грн
25+12.60 грн
100+6.75 грн
250+5.01 грн
500+4.16 грн
1000+2.79 грн
2500+2.37 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW3004 GSFW3004 Good-Ark Semiconductor GSFW3004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72.9 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.04 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW3004 GSFW3004 Good-Ark Semiconductor GSFW3004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72.9 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFX65R220 GSFX65R220 Good-Ark Semiconductor GSFX65R220.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFX65R220 GSFX65R220 Good-Ark Semiconductor GSFX65R220.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGA6R015 GSGA6R015 Good-Ark Semiconductor GSGA6R015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.15 грн
30+212.77 грн
120+180.36 грн
510+152.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSGBJ1510 GSGBJ1510 Good-Ark Semiconductor GSGBJ15xx.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
15+38.46 грн
105+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSGBJ5001H GSGBJ5001H Good-Ark Semiconductor GSGBJ50xxH.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 50A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.71 грн
10+90.39 грн
420+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGBJ5010H GSGBJ5010H Good-Ark Semiconductor GSGBJ50xxH.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.20 грн
15+71.11 грн
105+51.18 грн
510+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1045S GSGC1045S Good-Ark Semiconductor GSGC1045S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1045S GSGC1045S Good-Ark Semiconductor GSGC1045S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 40 V
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.25 грн
100+19.50 грн
500+13.95 грн
1000+12.55 грн
2000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1060S GSGC1060S Good-Ark Semiconductor GSGC1060S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.16 грн
10000+9.91 грн
15000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1060S GSGC1060S Good-Ark Semiconductor GSGC1060S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.25 грн
100+19.50 грн
500+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC10CS GSGC10CS Good-Ark Semiconductor GSGC10CS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 206pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC10CS GSGC10CS Good-Ark Semiconductor GSGC10CS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 206pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.69 грн
10+30.25 грн
100+19.50 грн
500+13.95 грн
1000+12.55 грн
2000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS Good-Ark Semiconductor GSGC151BS.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS Good-Ark Semiconductor GSGC151BS.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+47.78 грн
100+36.62 грн
500+27.17 грн
1000+21.73 грн
2000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA Good-Ark Semiconductor GSGC1545SA.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.41 грн
10+31.44 грн
100+23.46 грн
500+17.30 грн
1000+13.37 грн
2000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA Good-Ark Semiconductor GSGC1545SA.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGG6504 GSGG6504 Good-Ark Semiconductor GSGG6504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 304 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.45 грн
10+51.85 грн
25+48.67 грн
100+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSGH7R515 GSGH7R515 Good-Ark Semiconductor GSGH7R515.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.68 грн
50+145.00 грн
100+132.99 грн
500+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+38.61 грн
25+32.01 грн
100+23.03 грн
250+19.58 грн
500+17.45 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.85 грн
6000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0160SD Good-Ark Semiconductor GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.92 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0160SD Good-Ark Semiconductor GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.75 грн
41+7.32 грн
100+4.89 грн
500+3.49 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S Good-Ark Semiconductor GSGP0230S-GSGP0240S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S Good-Ark Semiconductor GSGP0230S-GSGP0240S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.13 грн
31+9.62 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.21 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0240SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0240SD Good-Ark Semiconductor GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.36 грн
100+6.46 грн
500+4.45 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD Good-Ark Semiconductor GSGP0260SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD Good-Ark Semiconductor GSGP0260SD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.67 грн
29+10.36 грн
100+6.46 грн
500+4.45 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142 Good-Ark Semiconductor GSGP06142.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.35 грн
10+54.66 грн
25+49.47 грн
100+41.04 грн
250+38.48 грн
500+36.93 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142 Good-Ark Semiconductor GSGP06142.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020.pdf
GSFT10020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.88 грн
10+185.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060.pdf
GSFT1060
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.87 грн
10+77.29 грн
25+73.40 грн
100+56.58 грн
250+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT1060 GSFT1060.pdf
GSFT1060
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+51.72 грн
1600+39.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT3R110 GSFT3R110.pdf
GSFT3R110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.78 грн
10+133.51 грн
100+96.37 грн
800+71.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010.pdf
GSFT4R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.45 грн
1600+50.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT4R010 GSFT4R010.pdf
GSFT4R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 50 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.84 грн
10+87.87 грн
100+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R099 GSFT60R099.pdf
GSFT60R099
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 36.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 261W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3231 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.39 грн
10+253.26 грн
100+204.88 грн
500+170.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT60R190 GSFT60R190.pdf
GSFT60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.40 грн
10+123.30 грн
100+84.83 грн
800+60.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT7R515 GSFT7R515.pdf
GSFT7R515
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.21 грн
10+182.69 грн
100+133.88 грн
800+104.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT9R706 GSFT9R706.pdf
GSFT9R706
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.01 грн
10+35.87 грн
100+24.83 грн
800+19.47 грн
1600+16.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710.pdf
GSFTL2R710
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFTL2R710 GSFTL2R710.pdf
GSFTL2R710
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 200.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10430 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU2016 GSFU2016.pdf
GSFU2016
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.55 грн
50+44.28 грн
100+39.36 грн
500+28.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU250N06 GSFU250N06.pdf
GSFU250N06
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 64A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051 pF @ 30 V
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.00 грн
50+23.42 грн
100+20.65 грн
500+14.81 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6008 GSFU6008.pdf
GSFU6008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.07 грн
50+50.12 грн
100+44.69 грн
500+33.00 грн
1000+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R190 GSFU60R190.pdf
GSFU60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.69 грн
50+100.31 грн
100+90.42 грн
500+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU60R360 GSFU60R360.pdf
GSFU60R360
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.75 грн
50+53.60 грн
100+47.88 грн
500+35.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU6513 GSFU6513.pdf
GSFU6513
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 13.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1746 pF @ 25 V
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.46 грн
10+63.46 грн
100+42.37 грн
500+31.27 грн
1000+28.54 грн
2000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU8005 GSFU8005.pdf
GSFU8005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 677.1 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.40 грн
50+41.29 грн
100+36.69 грн
500+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU80R280 GSFU80R280.pdf
GSFU80R280
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 17.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.27 грн
50+94.04 грн
100+85.75 грн
500+66.60 грн
1000+62.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU9504 GSFU9504.pdf
GSFU9504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.88 грн
10+150.52 грн
100+105.19 грн
500+80.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFU95R500 GSFU95R500.pdf
GSFU95R500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 10A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.20 грн
10+229.66 грн
100+185.83 грн
500+155.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009.pdf
GSFW02009
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.50 грн
20000+1.41 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW02009 GSFW02009.pdf
GSFW02009
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 8970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+6.91 грн
103+2.88 грн
118+2.51 грн
142+1.96 грн
250+1.77 грн
500+1.66 грн
1000+1.54 грн
2500+1.44 грн
5000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW0501 GSFW0501.pdf
GSFW0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW0501 GSFW0501.pdf
GSFW0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -130MA, -5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 130mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 20 V
на замовлення 9995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+14.59 грн
23+13.24 грн
25+12.60 грн
100+6.75 грн
250+5.01 грн
500+4.16 грн
1000+2.79 грн
2500+2.37 грн
5000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW3004 GSFW3004.pdf
GSFW3004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72.9 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.04 грн
6000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFW3004 GSFW3004.pdf
GSFW3004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.40A, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 72.9 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFX65R220 GSFX65R220.pdf
GSFX65R220
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+89.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFX65R220 GSFX65R220.pdf
GSFX65R220
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN, Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGA6R015 GSGA6R015.pdf
GSGA6R015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Power Dissipation (Max): 500W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.15 грн
30+212.77 грн
120+180.36 грн
510+152.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSGBJ1510 GSGBJ15xx.pdf
GSGBJ1510
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.13 грн
15+38.46 грн
105+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSGBJ5001H GSGBJ50xxH.pdf
GSGBJ5001H
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 50A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.71 грн
10+90.39 грн
420+49.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGBJ5010H GSGBJ50xxH.pdf
GSGBJ5010H
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 50A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ(5S)
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 50 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.20 грн
15+71.11 грн
105+51.18 грн
510+38.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1045S GSGC1045S.pdf
GSGC1045S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1045S GSGC1045S.pdf
GSGC1045S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 40 V
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.69 грн
10+30.25 грн
100+19.50 грн
500+13.95 грн
1000+12.55 грн
2000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1060S GSGC1060S.pdf
GSGC1060S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.16 грн
10000+9.91 грн
15000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1060S GSGC1060S.pdf
GSGC1060S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 60 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.69 грн
10+30.25 грн
100+19.50 грн
500+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC10CS GSGC10CS.pdf
GSGC10CS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 206pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+11.16 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC10CS GSGC10CS.pdf
GSGC10CS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO277
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 206pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 200 V
на замовлення 4962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.69 грн
10+30.25 грн
100+19.50 грн
500+13.95 грн
1000+12.55 грн
2000+11.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS.pdf
GSGC151BS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+20.29 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC151BS GSGC151BS.pdf
GSGC151BS
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1780pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.07 грн
10+47.78 грн
100+36.62 грн
500+27.17 грн
1000+21.73 грн
2000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA.pdf
GSGC1545SA
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.41 грн
10+31.44 грн
100+23.46 грн
500+17.30 грн
1000+13.37 грн
2000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSGC1545SA GSGC1545SA.pdf
GSGC1545SA
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 15A, 45V, E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-277
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 45 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGG6504 GSGG6504.pdf
GSGG6504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 304 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.45 грн
10+51.85 грн
25+48.67 грн
100+37.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSGH7R515 GSGH7R515.pdf
GSGH7R515
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 175.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 376W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.68 грн
50+145.00 грн
100+132.99 грн
500+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648.pdf
GSGN0648
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.06 грн
10+38.61 грн
25+32.01 грн
100+23.03 грн
250+19.58 грн
500+17.45 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSGN0648 GSGN0648.pdf
GSGN0648
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 65V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.85 грн
6000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf
GSGP0160SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.92 грн
6000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0160SD GSGP0140SD-GSGP0160SD.pdf
GSGP0160SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 1A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 60 V
на замовлення 5690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+10.75 грн
41+7.32 грн
100+4.89 грн
500+3.49 грн
1000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S-GSGP0240S.pdf
GSGP0230S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230S GSGP0230S-GSGP0240S.pdf
GSGP0230S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 30 V
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.13 грн
31+9.62 грн
100+6.00 грн
500+4.13 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0230SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0230SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0230SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, 2A, 30V, ES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 30 V
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.67 грн
29+10.21 грн
100+6.38 грн
500+4.40 грн
1000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0240SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0240SD GSGP0230SD-GSGP0240SD.pdf
GSGP0240SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 120pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.67 грн
29+10.36 грн
100+6.46 грн
500+4.45 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD.pdf
GSGP0260SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0260SD GSGP0260SD.pdf
GSGP0260SD
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 60 V
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.67 грн
29+10.36 грн
100+6.46 грн
500+4.45 грн
1000+3.94 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142.pdf
GSGP06142
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 2605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.35 грн
10+54.66 грн
25+49.47 грн
100+41.04 грн
250+38.48 грн
500+36.93 грн
1000+35.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142.pdf
GSGP06142
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26 28  [ Наступна Сторінка >> ]