Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1794) > Сторінка 17 з 30

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GSFP1080 GSFP1080 Good-Ark Semiconductor GSFP1080.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080 Good-Ark Semiconductor GSFP1080.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.12 грн
10+67.73 грн
25+64.27 грн
100+49.56 грн
250+46.33 грн
500+40.94 грн
1000+31.79 грн
2500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010 Good-Ark Semiconductor GSFP13010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010 Good-Ark Semiconductor GSFP13010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.95 грн
10+45.48 грн
50+33.57 грн
100+27.88 грн
500+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526 Good-Ark Semiconductor GSFP1526.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+51.58 грн
25+48.45 грн
100+37.11 грн
250+34.46 грн
500+29.33 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2009 GSFP2009 Good-Ark Semiconductor GSFP2009.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.00A, 200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+40.23 грн
100+26.25 грн
500+18.98 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2009 GSFP2009 Good-Ark Semiconductor GSFP2009.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.00A, 200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601 Good-Ark Semiconductor GSFP2601.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601 Good-Ark Semiconductor GSFP2601.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.24 грн
10+85.18 грн
100+57.46 грн
500+42.75 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010 Good-Ark Semiconductor GSFP34010.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.22 грн
10+33.83 грн
100+23.09 грн
500+17.10 грн
1000+15.59 грн
2000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010 Good-Ark Semiconductor GSFP34010.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944 Good-Ark Semiconductor GSFP3944.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944 Good-Ark Semiconductor GSFP3944.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
11+29.79 грн
25+27.24 грн
100+19.03 грн
250+17.25 грн
500+14.28 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984 Good-Ark Semiconductor GSFP3984.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984 Good-Ark Semiconductor GSFP3984.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+51.58 грн
25+48.45 грн
100+37.11 грн
250+34.46 грн
500+29.33 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310 Good-Ark Semiconductor GSFP4R310.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+51.93 грн
10000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310 Good-Ark Semiconductor GSFP4R310.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.47 грн
10+95.69 грн
100+76.19 грн
500+60.50 грн
1000+51.33 грн
2000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015 Good-Ark Semiconductor GSFP68015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015 Good-Ark Semiconductor GSFP68015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+16.93 грн
10000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886.pdf Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886 Good-Ark Semiconductor GSFP6886.pdf Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+51.58 грн
25+48.45 грн
100+37.11 грн
250+34.46 грн
500+29.33 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+39.25 грн
6000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.57 грн
10+79.61 грн
25+75.61 грн
100+58.26 грн
250+54.47 грн
500+48.13 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901.pdf MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976 Good-Ark Semiconductor GSFPB0976.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976 Good-Ark Semiconductor GSFPB0976.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.45 грн
10+51.65 грн
100+34.06 грн
500+24.87 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504 Good-Ark Semiconductor GSFPR8504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504 Good-Ark Semiconductor GSFPR8504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008 Good-Ark Semiconductor GSFQ1008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008 Good-Ark Semiconductor GSFQ1008.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.14 грн
10+34.82 грн
25+32.70 грн
100+25.05 грн
250+23.27 грн
500+19.80 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504 Good-Ark Semiconductor GSFQ1504.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.58 грн
10+62.17 грн
25+58.39 грн
100+44.71 грн
250+41.53 грн
500+35.35 грн
1000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.89 грн
6000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305 Good-Ark Semiconductor GSFQ2305.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
10+32.38 грн
25+30.20 грн
100+22.68 грн
250+21.06 грн
500+17.82 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307 Good-Ark Semiconductor GSFQ2307.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307 Good-Ark Semiconductor GSFQ2307.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.65 грн
17+18.51 грн
100+11.68 грн
500+8.18 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025 Good-Ark Semiconductor GSFQ3025.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.54 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025 Good-Ark Semiconductor GSFQ3025.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor GSFQ4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.48 грн
17+18.74 грн
100+12.67 грн
500+9.22 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616 Good-Ark Semiconductor GSFQ4616.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.30 грн
6000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701.pdf Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
10+32.68 грн
25+30.50 грн
100+22.90 грн
250+21.27 грн
500+17.99 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953 Good-Ark Semiconductor GSFQ4953.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953 Good-Ark Semiconductor GSFQ4953.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
15+21.71 грн
50+15.74 грн
100+12.93 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.56 грн
12+26.67 грн
25+23.83 грн
100+19.47 грн
250+18.09 грн
500+17.26 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808 Good-Ark Semiconductor GSFQ6808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808 Good-Ark Semiconductor GSFQ6808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.93 грн
10+35.66 грн
25+33.49 грн
100+25.66 грн
250+23.83 грн
500+20.28 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803 Good-Ark Semiconductor GSFQ6R803.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803 Good-Ark Semiconductor GSFQ6R803.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.02 грн
16+19.96 грн
100+12.63 грн
500+8.89 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.51 грн
9000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.11 грн
20+15.31 грн
50+11.02 грн
100+9.02 грн
500+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603 Good-Ark Semiconductor GSFR0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603 Good-Ark Semiconductor GSFR0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
15+21.03 грн
50+15.21 грн
100+12.50 грн
500+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130 Good-Ark Semiconductor GSFT06130.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+104.95 грн
1600+95.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130 Good-Ark Semiconductor GSFT06130.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.24 грн
10+179.11 грн
25+154.69 грн
100+119.42 грн
250+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150 Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+38.25 грн
2400+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150 Good-Ark Semiconductor GSFT06150.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020 Good-Ark Semiconductor GSFT10020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+110.19 грн
1600+102.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080.pdf
GSFP1080
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1080 GSFP1080.pdf
GSFP1080
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 105W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.12 грн
10+67.73 грн
25+64.27 грн
100+49.56 грн
250+46.33 грн
500+40.94 грн
1000+31.79 грн
2500+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010.pdf
GSFP13010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP13010 GSFP13010.pdf
GSFP13010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1716 pF @ 50 V
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.95 грн
10+45.48 грн
50+33.57 грн
100+27.88 грн
500+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526.pdf
GSFP1526
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP1526 GSFP1526.pdf
GSFP1526
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
на замовлення 2779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+51.58 грн
25+48.45 грн
100+37.11 грн
250+34.46 грн
500+29.33 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2009 GSFP2009.pdf
GSFP2009
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.00A, 200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.25 грн
10+40.23 грн
100+26.25 грн
500+18.98 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2009 GSFP2009.pdf
GSFP2009
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9.00A, 200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601.pdf
GSFP2601
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP2601 GSFP2601.pdf
GSFP2601
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -90.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 41.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (4.9x5.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+139.24 грн
10+85.18 грн
100+57.46 грн
500+42.75 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010.pdf
GSFP34010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 4560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.22 грн
10+33.83 грн
100+23.09 грн
500+17.10 грн
1000+15.59 грн
2000+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP34010 GSFP34010.pdf
GSFP34010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1051pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5x6)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944.pdf
GSFP3944
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.76 грн
6000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3944 GSFP3944.pdf
GSFP3944
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.98 грн
11+29.79 грн
25+27.24 грн
100+19.03 грн
250+17.25 грн
500+14.28 грн
1000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984.pdf
GSFP3984
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP3984 GSFP3984.pdf
GSFP3984
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 30V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 15 V
на замовлення 2993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+51.58 грн
25+48.45 грн
100+37.11 грн
250+34.46 грн
500+29.33 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310.pdf
GSFP4R310
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+51.93 грн
10000+48.36 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP4R310 GSFP4R310.pdf
GSFP4R310
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 136.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 136A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4755 pF @ 50 V
на замовлення 4934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.47 грн
10+95.69 грн
100+76.19 грн
500+60.50 грн
1000+51.33 грн
2000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015.pdf
GSFP68015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP68015 GSFP68015.pdf
GSFP68015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518 pF @ 75 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+16.93 грн
10000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886.pdf
GSFP6886
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6886 GSFP6886.pdf
GSFP6886
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 65V 45A 8PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 65V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Part Status: Active
на замовлення 2805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+60.92 грн
10+51.58 грн
25+48.45 грн
100+37.11 грн
250+34.46 грн
500+29.33 грн
1000+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
GSFP6901
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+39.25 грн
6000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
GSFP6901
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12930 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.57 грн
10+79.61 грн
25+75.61 грн
100+58.26 грн
250+54.47 грн
500+48.13 грн
1000+37.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFP6901 GSFP6901.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976.pdf
GSFPB0976
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPB0976 GSFPB0976.pdf
GSFPB0976
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 50 V
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.45 грн
10+51.65 грн
100+34.06 грн
500+24.87 грн
1000+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504.pdf
GSFPR8504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFPR8504 GSFPR8504.pdf
GSFPR8504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 280.00A, 4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9040 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+50.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008.pdf
GSFQ1008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1008 GSFQ1008.pdf
GSFQ1008
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.14 грн
10+34.82 грн
25+32.70 грн
100+25.05 грн
250+23.27 грн
500+19.80 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504.pdf
GSFQ1504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ1504 GSFQ1504.pdf
GSFQ1504
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 150V,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.58 грн
10+62.17 грн
25+58.39 грн
100+44.71 грн
250+41.53 грн
500+35.35 грн
1000+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305.pdf
GSFQ2305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.89 грн
6000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2305 GSFQ2305.pdf
GSFQ2305
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -11A, -20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3370 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.56 грн
10+32.38 грн
25+30.20 грн
100+22.68 грн
250+21.06 грн
500+17.82 грн
1000+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307.pdf
GSFQ2307
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ2307 GSFQ2307.pdf
GSFQ2307
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -9.6A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 15 V
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.65 грн
17+18.51 грн
100+11.68 грн
500+8.18 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025.pdf
GSFQ3025
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.54 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ3025 GSFQ3025.pdf
GSFQ3025
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -8.00A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1134 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616.pdf
GSFQ4616
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.48 грн
17+18.74 грн
100+12.67 грн
500+9.22 грн
1000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4616 GSFQ4616.pdf
GSFQ4616
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 15V, 1040pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V, 22mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, 18.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701.pdf
GSFQ4701
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.30 грн
6000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4701 GSFQ4701.pdf
GSFQ4701
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N+P, DUAL, 40V, SOP-8L
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V, 16nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, 40mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V, 1600pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc), 7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.5W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.56 грн
10+32.68 грн
25+30.50 грн
100+22.90 грн
250+21.27 грн
500+17.99 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953.pdf
GSFQ4953
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ4953 GSFQ4953.pdf
GSFQ4953
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.4A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.39 грн
15+21.71 грн
50+15.74 грн
100+12.93 грн
500+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806.pdf
GSFQ6806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.56 грн
12+26.67 грн
25+23.83 грн
100+19.47 грн
250+18.09 грн
500+17.26 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6806 GSFQ6806.pdf
GSFQ6806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 20A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808.pdf
GSFQ6808
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6808 GSFQ6808.pdf
GSFQ6808
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5A/10A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.47W (Ta), 3.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 10A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.93 грн
10+35.66 грн
25+33.49 грн
100+25.66 грн
250+23.83 грн
500+20.28 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803.pdf
GSFQ6R803
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFQ6R803 GSFQ6R803.pdf
GSFQ6R803
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 30
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.02 грн
16+19.96 грн
100+12.63 грн
500+8.89 грн
1000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308.pdf
GSFR0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.51 грн
9000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0308 GSFR0308.pdf
GSFR0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 15 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+26.11 грн
20+15.31 грн
50+11.02 грн
100+9.02 грн
500+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603.pdf
GSFR0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFR0603 GSFR0603.pdf
GSFR0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3.3A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 2917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
15+21.03 грн
50+15.21 грн
100+12.50 грн
500+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130.pdf
GSFT06130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+104.95 грн
1600+95.10 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06130 GSFT06130.pdf
GSFT06130
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 183W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.24 грн
10+179.11 грн
25+154.69 грн
100+119.42 грн
250+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150.pdf
GSFT06150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+38.25 грн
2400+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT06150 GSFT06150.pdf
GSFT06150
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5451 pF @ 30 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GSFT10020 GSFT10020.pdf
GSFT10020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 106.00A, 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4720 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+110.19 грн
1600+102.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]