Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1541) > Сторінка 17 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSGP06142 GSGP06142 Good-Ark Semiconductor GSGP06142.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.10 грн
10+88.88 грн
25+84.34 грн
100+65.02 грн
250+60.78 грн
500+53.71 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703 Good-Ark Semiconductor GSGP0R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703 Good-Ark Semiconductor GSGP0R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.19 грн
10+98.81 грн
100+76.84 грн
500+61.12 грн
1000+49.79 грн
2000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103 Good-Ark Semiconductor GSGP1R103.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+31.24 грн
10000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103 Good-Ark Semiconductor GSGP1R103.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404 Good-Ark Semiconductor GSGP1R404.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.69 грн
10000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404 Good-Ark Semiconductor GSGP1R404.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.73 грн
10+75.33 грн
100+58.63 грн
500+46.64 грн
1000+37.99 грн
2000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703 Good-Ark Semiconductor GSGP1R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+38.68 грн
10000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703 Good-Ark Semiconductor GSGP1R703.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403 Good-Ark Semiconductor GSGP2R403.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403 Good-Ark Semiconductor GSGP2R403.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+23.52 грн
10000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608 Good-Ark Semiconductor GSGP2R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608 Good-Ark Semiconductor GSGP2R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806 Good-Ark Semiconductor GSGP2R806.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+32.45 грн
10000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806 Good-Ark Semiconductor GSGP2R806.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608 Good-Ark Semiconductor GSGP3R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608 Good-Ark Semiconductor GSGP3R608.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.46 грн
10+83.92 грн
100+59.13 грн
500+45.13 грн
1000+41.75 грн
2000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGP5R Good-Ark Semiconductor GSGPxR.pdf Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.09 грн
22+14.42 грн
100+7.05 грн
500+5.52 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGP5R Good-Ark Semiconductor GSGPxR.pdf Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.68 грн
6000+3.28 грн
9000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115 Good-Ark Semiconductor GSGP9R115.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115 Good-Ark Semiconductor GSGP9R115.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.56 грн
10+110.15 грн
100+78.52 грн
500+60.55 грн
1000+56.26 грн
2000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD540S Good-Ark Semiconductor GSGPD5xxS.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 0.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD540S Good-Ark Semiconductor GSGPD5xxS.pdf Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 0.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240 Good-Ark Semiconductor GSGT10240.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240 Good-Ark Semiconductor GSGT10240.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.11 грн
10+145.06 грн
100+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140 Good-Ark Semiconductor GSGT15140.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+105.95 грн
1600+96.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140 Good-Ark Semiconductor GSGT15140.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.57 грн
10+180.83 грн
25+156.17 грн
100+120.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16 Good-Ark Semiconductor GSH1MA16.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+3.36 грн
15000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16 Good-Ark Semiconductor GSH1MA16.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.82 грн
29+11.19 грн
100+6.97 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12 Good-Ark Semiconductor GSH3MB12.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12 Good-Ark Semiconductor GSH3MB12.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.08 грн
6000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB Good-Ark Semiconductor GSHS1OB.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+13.09 грн
38+8.51 грн
100+5.70 грн
500+4.08 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB Good-Ark Semiconductor GSHS1OB.pdf Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q Good-Ark Semiconductor GSHS1Q.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7500+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q Good-Ark Semiconductor GSHS1Q.pdf Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.64 грн
29+11.19 грн
100+7.01 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
2000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GSJA65R041 GSJA65R041 Good-Ark Semiconductor GSJA65R041.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7132 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+643.96 грн
30+494.90 грн
120+442.81 грн
510+366.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD60R360 GSJD60R360 Good-Ark Semiconductor GSJD60R360.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.37 грн
10+81.79 грн
100+54.86 грн
500+40.67 грн
1000+37.19 грн
2500+33.42 грн
5000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD6505 GSJD6505 Good-Ark Semiconductor GSJD6505.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 650V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD6505 GSJD6505 Good-Ark Semiconductor GSJD6505.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 650V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.73 грн
10+63.59 грн
25+53.67 грн
100+39.84 грн
250+34.70 грн
500+31.55 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSJG60R570 GSJG60R570 Good-Ark Semiconductor GSJG60R570.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.73 грн
75+53.32 грн
150+42.25 грн
525+33.61 грн
1050+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSJH4N90 GSJH4N90 Good-Ark Semiconductor GSJH4N90.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 900
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.46 грн
50+50.08 грн
100+44.62 грн
500+32.86 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSJH60R360 GSJH60R360 Good-Ark Semiconductor GSJH60R360.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.19 грн
50+66.06 грн
100+59.08 грн
500+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSJH65R290 GSJH65R290 Good-Ark Semiconductor GSJH65R290.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.38 грн
10+121.97 грн
100+83.74 грн
500+63.20 грн
1000+58.24 грн
2000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSJT65R220 GSJT65R220 Good-Ark Semiconductor GSJT65R220.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+73.86 грн
1600+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSJT65R220 GSJT65R220 Good-Ark Semiconductor GSJT65R220.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS13A GSL6TVS13A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 13V, ESGB (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS13A GSL6TVS13A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 13V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS15A GSL6TVS15A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.91 грн
6000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS15A GSL6TVS15A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS18A GSL6TVS18A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS18A GSL6TVS18A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.73 грн
21+15.44 грн
100+10.39 грн
500+7.52 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS20A GSL6TVS20A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 20V, ESGB (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS20A GSL6TVS20A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 20V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS22A GSL6TVS22A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 22V, ESGB (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS22A GSL6TVS22A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 22V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS33A GSL6TVS33A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS33A GSL6TVS33A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS43A GSL6TVS43A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 43VWM 69.4VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 47.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 69.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.43 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS43A GSL6TVS43A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS DIODE 43VWM 69.4VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 47.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 69.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS48A GSL6TVS48A Good-Ark Semiconductor GSL6TVS.pdf Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 48V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP06142 GSGP06142.pdf
GSGP06142
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.71)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4947 pF @ 30 V
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.10 грн
10+88.88 грн
25+84.34 грн
100+65.02 грн
250+60.78 грн
500+53.71 грн
1000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703.pdf
GSGP0R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP0R703 GSGP0R703.pdf
GSGP0R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 282.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 282A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9045 pF @ 15 V
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.19 грн
10+98.81 грн
100+76.84 грн
500+61.12 грн
1000+49.79 грн
2000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103.pdf
GSGP1R103
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+31.24 грн
10000+28.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R103 GSGP1R103.pdf
GSGP1R103
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 93W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404.pdf
GSGP1R404
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+37.69 грн
10000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R404 GSGP1R404.pdf
GSGP1R404
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4822 pF @ 20 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.73 грн
10+75.33 грн
100+58.63 грн
500+46.64 грн
1000+37.99 грн
2000+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703.pdf
GSGP1R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+38.68 грн
10000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP1R703 GSGP1R703.pdf
GSGP1R703
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3406 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403.pdf
GSGP2R403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R403 GSGP2R403.pdf
GSGP2R403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2566 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+23.52 грн
10000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608.pdf
GSGP2R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+49.65 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R608 GSGP2R608.pdf
GSGP2R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 170.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6022 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806.pdf
GSGP2R806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+32.45 грн
10000+30.00 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP2R806 GSGP2R806.pdf
GSGP2R806
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140.00A, 6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3115 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608.pdf
GSGP3R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+42.20 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP3R608 GSGP3R608.pdf
GSGP3R608
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 138.00A, 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4435 pF @ 40 V
на замовлення 4883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.46 грн
10+83.92 грн
100+59.13 грн
500+45.13 грн
1000+41.75 грн
2000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGPxR.pdf
GSGP5R
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.09 грн
22+14.42 грн
100+7.05 грн
500+5.52 грн
1000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP5R GSGPxR.pdf
GSGP5R
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, FAST RECOVERY, GLASS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 250 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.68 грн
6000+3.28 грн
9000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115.pdf
GSGP9R115
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+59.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGP9R115 GSGP9R115.pdf
GSGP9R115
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 87.00A, 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (5.1x5.86)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 75 V
на замовлення 4582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.56 грн
10+110.15 грн
100+78.52 грн
500+60.55 грн
1000+56.26 грн
2000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD5xxS.pdf
GSGPD540S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 0.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSGPD540S GSGPD5xxS.pdf
GSGPD540S
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, SCHOTTKY, LOW VF, 0.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-323F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240.pdf
GSGT10240
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT10240 GSGT10240.pdf
GSGT10240
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 50 V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.11 грн
10+145.06 грн
100+104.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140.pdf
GSGT15140
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.95 грн
1600+96.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSGT15140 GSGT15140.pdf
GSGT15140
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 140A, 150V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 75 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.57 грн
10+180.83 грн
25+156.17 грн
100+120.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16.pdf
GSH1MA16
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+3.36 грн
15000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
GSH1MA16 GSH1MA16.pdf
GSH1MA16
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST/HIGH EFFIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1600 V
на замовлення 5347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.82 грн
29+11.19 грн
100+6.97 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
2000+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12.pdf
GSH3MB12
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSH3MB12 GSH3MB12.pdf
GSH3MB12
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.08 грн
6000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB.pdf
GSHS1OB
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 2888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.09 грн
38+8.51 грн
100+5.70 грн
500+4.08 грн
1000+3.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1OB GSHS1OB.pdf
GSHS1OB
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: RECTIFIER, ULTRA-FAST RECOVERY,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 6.5pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q.pdf
GSHS1Q
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7500+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 7500
В кошику  од. на суму  грн.
GSHS1Q GSHS1Q.pdf
GSHS1Q
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 1300V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
на замовлення 7440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+19.64 грн
29+11.19 грн
100+7.01 грн
500+4.83 грн
1000+4.27 грн
2000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
GSJA65R041 GSJA65R041.pdf
GSJA65R041
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 70.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 326 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7132 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+643.96 грн
30+494.90 грн
120+442.81 грн
510+366.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD60R360 GSJD60R360.pdf
GSJD60R360
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.37 грн
10+81.79 грн
100+54.86 грн
500+40.67 грн
1000+37.19 грн
2500+33.42 грн
5000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD6505 GSJD6505.pdf
GSJD6505
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 650V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSJD6505 GSJD6505.pdf
GSJD6505
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 650V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
на замовлення 2476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.73 грн
10+63.59 грн
25+53.67 грн
100+39.84 грн
250+34.70 грн
500+31.55 грн
1000+28.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSJG60R570 GSJG60R570.pdf
GSJG60R570
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.73 грн
75+53.32 грн
150+42.25 грн
525+33.61 грн
1050+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSJH4N90 GSJH4N90.pdf
GSJH4N90
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 900
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 707 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.46 грн
50+50.08 грн
100+44.62 грн
500+32.86 грн
1000+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSJH60R360 GSJH60R360.pdf
GSJH60R360
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 11.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 100 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.19 грн
50+66.06 грн
100+59.08 грн
500+43.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSJH65R290 GSJH65R290.pdf
GSJH65R290
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 15.00A, 65
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.38 грн
10+121.97 грн
100+83.74 грн
500+63.20 грн
1000+58.24 грн
2000+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSJT65R220 GSJT65R220.pdf
GSJT65R220
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.86 грн
1600+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
GSJT65R220 GSJT65R220.pdf
GSJT65R220
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 65
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1718 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS13A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS13A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 13V, ESGB (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.28 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS13A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS13A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 13V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 27.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 13V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 14.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS15A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS15A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.91 грн
6000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS15A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS15A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS18A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS18A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS18A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS18A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 18VWM 29.2VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 18V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 20V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 29.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.73 грн
21+15.44 грн
100+10.39 грн
500+7.52 грн
1000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS20A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS20A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 20V, ESGB (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.28 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS20A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS20A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 20V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 18.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 20V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 22.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS22A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS22A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 22V, ESGB (S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.28 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS22A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS22A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 22V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 16.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 22V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 24.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35.5V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS33A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS33A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS33A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS33A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 33VWM 53.3VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.3A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 33V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 36.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 53.3V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS43A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS43A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 43VWM 69.4VC ESGB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 47.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 69.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.43 грн
6000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS43A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS43A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS DIODE 43VWM 69.4VC ESGB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 43V
Supplier Device Package: eSGB (SMAF)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 47.8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 69.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSL6TVS48A GSL6TVS.pdf
GSL6TVS48A
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: TVS, UNI-DIR, 600W, 48V, ESGB (S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7.8A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 48V
Supplier Device Package: SMAF
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 53.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 77.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.73 грн
14+23.80 грн
100+14.81 грн
500+9.50 грн
1000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]