Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1518) > Сторінка 13 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFF0308 GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
14+22.02 грн
25+18.44 грн
100+10.95 грн
250+8.45 грн
500+7.20 грн
1000+4.82 грн
2500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134 Good-Ark Semiconductor GSFF3134.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134 Good-Ark Semiconductor GSFF3134.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.73 грн
52+5.89 грн
100+3.91 грн
500+2.78 грн
1000+2.48 грн
2000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFG65R900 GSFG65R900 Good-Ark Semiconductor GSFG65R900.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
75+49.45 грн
150+35.89 грн
525+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH03152 GSFH03152 Good-Ark Semiconductor GSFH03152.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.30 грн
10+53.82 грн
25+44.77 грн
100+32.44 грн
250+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH06100 GSFH06100 Good-Ark Semiconductor GSFH06100.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.72 грн
10+85.62 грн
25+72.78 грн
100+54.71 грн
250+48.07 грн
500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0625 GSFH0625 Good-Ark Semiconductor GSFH0625.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.24 грн
50+31.88 грн
100+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0680 GSFH0680 Good-Ark Semiconductor GSFH0680.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.95 грн
10+50.99 грн
100+33.51 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0970 Good-Ark Semiconductor GSFH0970.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.11 грн
10+212.60 грн
25+200.57 грн
100+160.36 грн
250+150.58 грн
500+131.75 грн
1000+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0980 Good-Ark Semiconductor GSFH0980.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.48 грн
10+148.16 грн
25+139.78 грн
100+111.77 грн
250+104.95 грн
500+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH10120 GSFH10120 Good-Ark Semiconductor GSFH10120.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.15 грн
10+114.14 грн
25+96.57 грн
100+71.99 грн
250+62.83 грн
500+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5010 GSFH5010 Good-Ark Semiconductor GSFH5010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.69 грн
10+85.85 грн
50+63.79 грн
100+53.25 грн
250+46.11 грн
500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5020 GSFH5020 Good-Ark Semiconductor GSFH5020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.07 грн
10+107.03 грн
25+91.31 грн
100+69.08 грн
250+60.97 грн
500+56.01 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5R010 GSFH5R010 Good-Ark Semiconductor GSFH5R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5208 pF @ 50 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.14 грн
50+63.88 грн
100+57.07 грн
500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R160 GSFH60R160 Good-Ark Semiconductor GSFH60R160.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.31 грн
50+118.28 грн
100+106.88 грн
500+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R190 GSFH60R190 Good-Ark Semiconductor GSFH60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.12 грн
50+90.96 грн
100+81.81 грн
500+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R570 GSFH60R570 Good-Ark Semiconductor GSFH60R570.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.50 грн
50+69.94 грн
100+55.42 грн
500+44.08 грн
1000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R420 GSFH80R420 Good-Ark Semiconductor GSFH80R420.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 12.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.82 грн
50+97.03 грн
100+87.32 грн
500+65.95 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R900 GSFH80R900 Good-Ark Semiconductor GSFH80R900.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.70 грн
50+53.02 грн
100+47.24 грн
500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9506 GSFH9506 Good-Ark Semiconductor GSFH9506.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.69 грн
10+173.00 грн
100+120.90 грн
500+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9R015 GSFH9R015 Good-Ark Semiconductor GSFH9R015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 75 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.12 грн
50+99.64 грн
100+90.84 грн
500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
14+22.02 грн
25+19.30 грн
100+11.72 грн
250+9.70 грн
500+7.76 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
14+22.02 грн
25+19.30 грн
100+11.72 грн
250+9.70 грн
500+7.76 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.34 грн
13+23.93 грн
25+20.95 грн
100+12.72 грн
250+10.53 грн
500+8.42 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.17 грн
13+23.70 грн
25+19.85 грн
100+11.79 грн
250+9.10 грн
500+7.76 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002 GSFK06002 Good-Ark Semiconductor GSFK06002.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002 GSFK06002 Good-Ark Semiconductor GSFK06002.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.88 грн
30+10.47 грн
100+7.04 грн
500+5.06 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK3420 GSFK3420 Good-Ark Semiconductor GSFK3420.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.79 грн
16+20.03 грн
25+18.10 грн
100+11.73 грн
250+9.87 грн
500+8.02 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK3420 GSFK3420 Good-Ark Semiconductor GSFK3420.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKW0202 GSFKW0202 Good-Ark Semiconductor GSFKW0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKW0202 GSFKW0202 Good-Ark Semiconductor GSFKW0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1003 GSFL1003 Good-Ark Semiconductor GSFL1003.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.52 грн
11+29.74 грн
25+27.71 грн
100+20.81 грн
250+19.33 грн
500+16.35 грн
1000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1003 GSFL1003 Good-Ark Semiconductor GSFL1003.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1004 GSFL1004 Good-Ark Semiconductor GSFL1004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.08 грн
6000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1004 GSFL1004 Good-Ark Semiconductor GSFL1004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.76 грн
13+24.92 грн
25+22.78 грн
100+15.91 грн
250+14.42 грн
500+11.93 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL2004 GSFL2004 Good-Ark Semiconductor GSFL2004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.50 грн
6000+9.33 грн
9000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL2004 GSFL2004 Good-Ark Semiconductor GSFL2004.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 30 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
13+24.31 грн
100+16.45 грн
500+12.06 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0205 GSFN0205 Good-Ark Semiconductor GSFN0205.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
10+38.38 грн
25+35.84 грн
100+26.90 грн
250+24.98 грн
500+21.13 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0205 GSFN0205 Good-Ark Semiconductor GSFN0205.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0232 GSFN0232 Good-Ark Semiconductor GSFN0232.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.84 грн
10+38.38 грн
25+35.84 грн
100+26.90 грн
250+24.98 грн
500+21.13 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0232 GSFN0232 Good-Ark Semiconductor GSFN0232.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.48 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0982 GSFN0982 Good-Ark Semiconductor GSFN0982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0982 GSFN0982 Good-Ark Semiconductor GSFN0982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 50 V
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.14 грн
10+67.28 грн
25+56.85 грн
100+42.26 грн
250+36.83 грн
500+33.51 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0988 GSFN0988 Good-Ark Semiconductor GSFN0988.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0988 GSFN0988 Good-Ark Semiconductor GSFN0988.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 20 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.69 грн
10+32.49 грн
25+30.33 грн
100+22.80 грн
250+21.17 грн
500+17.91 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN11006 GSFN11006 Good-Ark Semiconductor GSFN11006.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.76 грн
10000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN11006 GSFN11006 Good-Ark Semiconductor GSFN11006.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN2306 GSFN2306 Good-Ark Semiconductor GSFN2306.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.16 грн
10+34.17 грн
25+28.50 грн
100+20.75 грн
250+17.78 грн
500+15.97 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN2306 GSFN2306 Good-Ark Semiconductor GSFN2306.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN26010 GSFN26010 Good-Ark Semiconductor GSFN26010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.26 грн
10000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN26010 GSFN26010 Good-Ark Semiconductor GSFN26010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3013 GSFN3013 Good-Ark Semiconductor GSFN3013.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3013 GSFN3013 Good-Ark Semiconductor GSFN3013.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 15 V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
16+19.95 грн
100+13.46 грн
500+9.80 грн
1000+8.87 грн
2000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3019 GSFN3019 Good-Ark Semiconductor GSFN3019.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.40 грн
19+16.51 грн
100+11.17 грн
500+8.10 грн
1000+7.31 грн
2000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3019 GSFN3019 Good-Ark Semiconductor GSFN3019.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308.pdf
GSFF0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308.pdf
GSFF0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
14+22.02 грн
25+18.44 грн
100+10.95 грн
250+8.45 грн
500+7.20 грн
1000+4.82 грн
2500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134.pdf
GSFF3134
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.00 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134.pdf
GSFF3134
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.73 грн
52+5.89 грн
100+3.91 грн
500+2.78 грн
1000+2.48 грн
2000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFG65R900 GSFG65R900.pdf
GSFG65R900
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.92 грн
75+49.45 грн
150+35.89 грн
525+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH03152 GSFH03152.pdf
GSFH03152
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.30 грн
10+53.82 грн
25+44.77 грн
100+32.44 грн
250+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH06100 GSFH06100.pdf
GSFH06100
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.72 грн
10+85.62 грн
25+72.78 грн
100+54.71 грн
250+48.07 грн
500+44.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0625 GSFH0625.pdf
GSFH0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.24 грн
50+31.88 грн
100+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0680 GSFH0680.pdf
GSFH0680
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.95 грн
10+50.99 грн
100+33.51 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0970 GSFH0970.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.11 грн
10+212.60 грн
25+200.57 грн
100+160.36 грн
250+150.58 грн
500+131.75 грн
1000+107.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0980 GSFH0980.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.48 грн
10+148.16 грн
25+139.78 грн
100+111.77 грн
250+104.95 грн
500+91.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH10120 GSFH10120.pdf
GSFH10120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.15 грн
10+114.14 грн
25+96.57 грн
100+71.99 грн
250+62.83 грн
500+57.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5010 GSFH5010.pdf
GSFH5010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.69 грн
10+85.85 грн
50+63.79 грн
100+53.25 грн
250+46.11 грн
500+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5020 GSFH5020.pdf
GSFH5020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.07 грн
10+107.03 грн
25+91.31 грн
100+69.08 грн
250+60.97 грн
500+56.01 грн
1000+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5R010 GSFH5R010.pdf
GSFH5R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5208 pF @ 50 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.14 грн
50+63.88 грн
100+57.07 грн
500+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R160 GSFH60R160.pdf
GSFH60R160
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.31 грн
50+118.28 грн
100+106.88 грн
500+81.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R190 GSFH60R190.pdf
GSFH60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
50+90.96 грн
100+81.81 грн
500+61.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R570 GSFH60R570.pdf
GSFH60R570
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.50 грн
50+69.94 грн
100+55.42 грн
500+44.08 грн
1000+35.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R420 GSFH80R420.pdf
GSFH80R420
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 12.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.82 грн
50+97.03 грн
100+87.32 грн
500+65.95 грн
1000+60.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R900 GSFH80R900.pdf
GSFH80R900
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.70 грн
50+53.02 грн
100+47.24 грн
500+34.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9506 GSFH9506.pdf
GSFH9506
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.69 грн
10+173.00 грн
100+120.90 грн
500+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9R015 GSFH9R015.pdf
GSFH9R015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 75 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
50+99.64 грн
100+90.84 грн
500+70.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300.pdf
GSFK0300
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300.pdf
GSFK0300
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
14+22.02 грн
25+19.30 грн
100+11.72 грн
250+9.70 грн
500+7.76 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501.pdf
GSFK0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501.pdf
GSFK0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
14+22.02 грн
25+19.30 грн
100+11.72 грн
250+9.70 грн
500+7.76 грн
1000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E.pdf
GSFK0501E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.34 грн
13+23.93 грн
25+20.95 грн
100+12.72 грн
250+10.53 грн
500+8.42 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E.pdf
GSFK0501E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502.pdf
GSFK0502
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502.pdf
GSFK0502
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.17 грн
13+23.70 грн
25+19.85 грн
100+11.79 грн
250+9.10 грн
500+7.76 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002 GSFK06002.pdf
GSFK06002
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002 GSFK06002.pdf
GSFK06002
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.88 грн
30+10.47 грн
100+7.04 грн
500+5.06 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK3420 GSFK3420.pdf
GSFK3420
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.79 грн
16+20.03 грн
25+18.10 грн
100+11.73 грн
250+9.87 грн
500+8.02 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK3420 GSFK3420.pdf
GSFK3420
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc), 400mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V, 1Ohm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V, 6.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKW0202 GSFKW0202.pdf
GSFKW0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFKW0202 GSFKW0202.pdf
GSFKW0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 2.5A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1003 GSFL1003.pdf
GSFL1003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 2883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
11+29.74 грн
25+27.71 грн
100+20.81 грн
250+19.33 грн
500+16.35 грн
1000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1003 GSFL1003.pdf
GSFL1003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2A, -100V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1004 GSFL1004.pdf
GSFL1004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.08 грн
6000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL1004 GSFL1004.pdf
GSFL1004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
13+24.92 грн
25+22.78 грн
100+15.91 грн
250+14.42 грн
500+11.93 грн
1000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL2004 GSFL2004.pdf
GSFL2004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.50 грн
6000+9.33 грн
9000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFL2004 GSFL2004.pdf
GSFL2004
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 200
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775 pF @ 30 V
на замовлення 2403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
13+24.31 грн
100+16.45 грн
500+12.06 грн
1000+10.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0205 GSFN0205.pdf
GSFN0205
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+38.38 грн
25+35.84 грн
100+26.90 грн
250+24.98 грн
500+21.13 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0205 GSFN0205.pdf
GSFN0205
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -5.5A, -20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.48 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0232 GSFN0232.pdf
GSFN0232
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.84 грн
10+38.38 грн
25+35.84 грн
100+26.90 грн
250+24.98 грн
500+21.13 грн
1000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0232 GSFN0232.pdf
GSFN0232
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 32A, 20V, DF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x3)
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.48 грн
6000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0982 GSFN0982.pdf
GSFN0982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0982 GSFN0982.pdf
GSFN0982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 50 V
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.14 грн
10+67.28 грн
25+56.85 грн
100+42.26 грн
250+36.83 грн
500+33.51 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0988 GSFN0988.pdf
GSFN0988
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN0988 GSFN0988.pdf
GSFN0988
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 16A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 20 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.69 грн
10+32.49 грн
25+30.33 грн
100+22.80 грн
250+21.17 грн
500+17.91 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN11006 GSFN11006.pdf
GSFN11006
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+10.76 грн
10000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN11006 GSFN11006.pdf
GSFN11006
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.15x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN2306 GSFN2306.pdf
GSFN2306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.16 грн
10+34.17 грн
25+28.50 грн
100+20.75 грн
250+17.78 грн
500+15.97 грн
1000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN2306 GSFN2306.pdf
GSFN2306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 65A, 20V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.05x3.08)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2790 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN26010 GSFN26010.pdf
GSFN26010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25.00A, 10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.26 грн
10000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN26010 GSFN26010.pdf
GSFN26010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 25.00A, 10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1355 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3013 GSFN3013.pdf
GSFN3013
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3013 GSFN3013.pdf
GSFN3013
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 15 V
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
16+19.95 грн
100+13.46 грн
500+9.80 грн
1000+8.87 грн
2000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3019 GSFN3019.pdf
GSFN3019
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 4679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.40 грн
19+16.51 грн
100+11.17 грн
500+8.10 грн
1000+7.31 грн
2000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFN3019 GSFN3019.pdf
GSFN3019
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PPAK (3.1x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]