Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1703) > Сторінка 13 з 29

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFB2121 GSFB2121 Good-Ark Semiconductor GSFB2121.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
6000+5.28 грн
9000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121 Good-Ark Semiconductor GSFB2121.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.01 грн
21+14.46 грн
100+9.70 грн
500+7.02 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123 Good-Ark Semiconductor GSFB3123.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123 Good-Ark Semiconductor GSFB3123.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201 Good-Ark Semiconductor GSFC0201.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201 Good-Ark Semiconductor GSFC0201.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.65 грн
58+5.30 грн
100+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202 Good-Ark Semiconductor GSFC0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202 Good-Ark Semiconductor GSFC0202.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.08 грн
69+4.39 грн
80+3.82 грн
100+3.01 грн
250+2.73 грн
500+2.57 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204 Good-Ark Semiconductor GSFC0204.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.08 грн
69+4.39 грн
80+3.82 грн
100+3.01 грн
250+2.73 грн
500+2.57 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204 Good-Ark Semiconductor GSFC0204.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.30 грн
19+16.73 грн
25+13.87 грн
100+9.90 грн
250+8.35 грн
500+7.40 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501 Good-Ark Semiconductor GSFC02501.pdf Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.20 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501 Good-Ark Semiconductor GSFC02501.pdf Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.01 грн
46+6.59 грн
100+4.05 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05 Good-Ark Semiconductor GSFC02A05.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.73 грн
16+19.15 грн
25+17.26 грн
100+11.19 грн
250+9.42 грн
500+7.65 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05 Good-Ark Semiconductor GSFC02A05.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301 Good-Ark Semiconductor GSFC0301.pdf Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301 Good-Ark Semiconductor GSFC0301.pdf Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.32 грн
9000+3.26 грн
15000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304 Good-Ark Semiconductor GSFC0304.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.43 грн
50+6.13 грн
57+5.33 грн
100+4.23 грн
250+3.86 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306.pdf Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+9.43 грн
50+6.13 грн
57+5.33 грн
100+4.23 грн
250+3.86 грн
500+3.63 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403 Good-Ark Semiconductor GSFC0403.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.65 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403 Good-Ark Semiconductor GSFC0403.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.94 грн
18+17.41 грн
100+8.80 грн
500+6.74 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500 Good-Ark Semiconductor GSFC0500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.32 грн
6000+1.99 грн
9000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500 Good-Ark Semiconductor GSFC0500.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+7.86 грн
59+5.15 грн
100+3.42 грн
500+2.44 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.15 грн
34+9.01 грн
39+7.96 грн
100+6.38 грн
250+5.85 грн
500+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L Good-Ark Semiconductor GSFC10110L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L Good-Ark Semiconductor GSFC10110L.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.45 грн
17+18.40 грн
100+11.64 грн
500+8.17 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312 Good-Ark Semiconductor GSFC2312.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.31 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312 Good-Ark Semiconductor GSFC2312.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110 Good-Ark Semiconductor GSFC28110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110 Good-Ark Semiconductor GSFC28110.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401 Good-Ark Semiconductor GSFC3401.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401 Good-Ark Semiconductor GSFC3401.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.08 грн
67+4.54 грн
77+3.94 грн
100+3.13 грн
250+2.84 грн
500+2.67 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415 Good-Ark Semiconductor GSFC3415.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415 Good-Ark Semiconductor GSFC3415.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.37 грн
21+14.69 грн
25+12.11 грн
100+8.63 грн
250+7.25 грн
500+6.40 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C Good-Ark Semiconductor GSFC3415C.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.57 грн
6000+3.08 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C Good-Ark Semiconductor GSFC3415C.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.79 грн
39+7.87 грн
100+5.26 грн
500+3.76 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050 Good-Ark Semiconductor GSFC4050.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
9000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050 Good-Ark Semiconductor GSFC4050.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.72 грн
33+9.24 грн
100+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212.pdf Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212 Good-Ark Semiconductor GSFCP0212.pdf Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303 Good-Ark Semiconductor GSFCR2303.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303 Good-Ark Semiconductor GSFCR2303.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.15 грн
37+8.40 грн
100+5.20 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 Good-Ark Semiconductor GSFD0460.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.39 грн
10+48.91 грн
25+45.94 грн
100+35.18 грн
250+32.67 грн
500+27.81 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 Good-Ark Semiconductor GSFD0460.pdf Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.31 грн
5000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603 Good-Ark Semiconductor GSFD0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.41 грн
5000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603 Good-Ark Semiconductor GSFD0603.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625 Good-Ark Semiconductor GSFD0625.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.45 грн
5000+11.79 грн
7500+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625 Good-Ark Semiconductor GSFD0625.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.39 грн
10+34.14 грн
25+28.50 грн
100+20.73 грн
250+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.98 грн
10+49.06 грн
25+41.24 грн
100+30.36 грн
250+26.27 грн
500+23.77 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.98 грн
10+47.62 грн
25+39.58 грн
100+28.59 грн
250+24.39 грн
500+21.80 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.49 грн
10+57.23 грн
25+47.76 грн
100+34.72 грн
250+29.76 грн
500+26.70 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121.pdf
GSFB2121
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.00 грн
6000+5.28 грн
9000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB2121 GSFB2121.pdf
GSFB2121
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 15 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.01 грн
21+14.46 грн
100+9.70 грн
500+7.02 грн
1000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123.pdf
GSFB3123
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFB3123 GSFB3123.pdf
GSFB3123
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -10A, -30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201.pdf
GSFC0201
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0201 GSFC0201.pdf
GSFC0201
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.70A, 25V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.65 грн
58+5.30 грн
100+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202.pdf
GSFC0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0202 GSFC0202.pdf
GSFC0202
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.45A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 10 V
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.08 грн
69+4.39 грн
80+3.82 грн
100+3.01 грн
250+2.73 грн
500+2.57 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204.pdf
GSFC0204
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
на замовлення 5737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.08 грн
69+4.39 грн
80+3.82 грн
100+3.01 грн
250+2.73 грн
500+2.57 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0204 GSFC0204.pdf
GSFC0204
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4A, 20V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213.pdf
GSFC0213
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0213 GSFC0213.pdf
GSFC0213
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.8A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 15 V
на замовлення 2936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.30 грн
19+16.73 грн
25+13.87 грн
100+9.90 грн
250+8.35 грн
500+7.40 грн
1000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501.pdf
GSFC02501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.20 грн
6000+1.89 грн
9000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02501 GSFC02501.pdf
GSFC02501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CHANNEL, -25V, -0.85A,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.01 грн
46+6.59 грн
100+4.05 грн
500+2.76 грн
1000+2.42 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05.pdf
GSFC02A05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 5415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.73 грн
16+19.15 грн
25+17.26 грн
100+11.19 грн
250+9.42 грн
500+7.65 грн
1000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC02A05 GSFC02A05.pdf
GSFC02A05
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -5.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301.pdf
GSFC0301
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
6000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0301 GSFC0301.pdf
GSFC0301
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, P-CH, SINGLE, -30V, -4.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304.pdf
GSFC0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
6000+3.32 грн
9000+3.26 грн
15000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0304 GSFC0304.pdf
GSFC0304
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.43 грн
50+6.13 грн
57+5.33 грн
100+4.23 грн
250+3.86 грн
500+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306.pdf
GSFC0306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0306 GSFC0306.pdf
GSFC0306
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFETS, N-CH, SINGLE, 30V, 5.5A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+9.43 грн
50+6.13 грн
57+5.33 грн
100+4.23 грн
250+3.86 грн
500+3.63 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403.pdf
GSFC0403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.65 грн
6000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0403 GSFC0403.pdf
GSFC0403
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.90A, -4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.94 грн
18+17.41 грн
100+8.80 грн
500+6.74 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500.pdf
GSFC0500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
6000+1.99 грн
9000+1.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0500 GSFC0500.pdf
GSFC0500
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.30A, 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12 pF @ 30 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+7.86 грн
59+5.15 грн
100+3.42 грн
500+2.44 грн
1000+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603.pdf
GSFC0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.48 грн
6000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC0603 GSFC0603.pdf
GSFC0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -60V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1178 pF @ 30 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.15 грн
34+9.01 грн
39+7.96 грн
100+6.38 грн
250+5.85 грн
500+5.54 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L.pdf
GSFC10110L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC10110L GSFC10110L.pdf
GSFC10110L
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 100
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 106mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446 pF @ 50 V
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.45 грн
17+18.40 грн
100+11.64 грн
500+8.17 грн
1000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208.pdf
GSFC1208
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC1208 GSFC1208.pdf
GSFC1208
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -.85A, -20
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 850mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640mOhm @ 550mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 690mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 58 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312.pdf
GSFC2312
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.31 грн
6000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC2312 GSFC2312.pdf
GSFC2312
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.80A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110.pdf
GSFC28110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC28110 GSFC28110.pdf
GSFC28110
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 3A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 284mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401.pdf
GSFC3401
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3401 GSFC3401.pdf
GSFC3401
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.40A, -3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 15 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+7.08 грн
67+4.54 грн
77+3.94 грн
100+3.13 грн
250+2.84 грн
500+2.67 грн
1000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415.pdf
GSFC3415
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415 GSFC3415.pdf
GSFC3415
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1181.1 pF @ 10 V
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.37 грн
21+14.69 грн
25+12.11 грн
100+8.63 грн
250+7.25 грн
500+6.40 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C.pdf
GSFC3415C
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.57 грн
6000+3.08 грн
9000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC3415C GSFC3415C.pdf
GSFC3415C
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -4.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.79 грн
39+7.87 грн
100+5.26 грн
500+3.76 грн
1000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050.pdf
GSFC4050
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.21 грн
6000+2.77 грн
9000+2.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFC4050 GSFC4050.pdf
GSFC4050
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.72 грн
33+9.24 грн
100+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212.pdf
GSFCP0212
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCP0212 GSFCP0212.pdf
GSFCP0212
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 20V 12A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2609pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.7nC @ 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-CSP (2.15x1.66)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303.pdf
GSFCR2303
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFCR2303 GSFCR2303.pdf
GSFCR2303
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -2.00A, -2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 450mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 438 pF @ 10 V
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.15 грн
37+8.40 грн
100+5.20 грн
500+3.57 грн
1000+3.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 GSFD0460.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+48.91 грн
25+45.94 грн
100+35.18 грн
250+32.67 грн
500+27.81 грн
1000+21.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0460 GSFD0460.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, 40V, TO-252 (DPAK)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.31 грн
5000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603.pdf
GSFD0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.41 грн
5000+11.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0603 GSFD0603.pdf
GSFD0603
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -14.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625.pdf
GSFD0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.45 грн
5000+11.79 грн
7500+11.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625.pdf
GSFD0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.39 грн
10+34.14 грн
25+28.50 грн
100+20.73 грн
250+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646.pdf
GSFD0646
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646.pdf
GSFD0646
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+49.06 грн
25+41.24 грн
100+30.36 грн
250+26.27 грн
500+23.77 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.98 грн
10+47.62 грн
25+39.58 грн
100+28.59 грн
250+24.39 грн
500+21.80 грн
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.49 грн
10+57.23 грн
25+47.76 грн
100+34.72 грн
250+29.76 грн
500+26.70 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]