Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GOOD-ARK SEMICONDUCTOR (1541) > Сторінка 13 з 26

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GSFD0625 GSFD0625 Good-Ark Semiconductor GSFD0625.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.00 грн
5000+12.27 грн
7500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+51.06 грн
25+42.93 грн
100+31.60 грн
250+27.34 грн
500+24.73 грн
1000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+49.56 грн
25+41.19 грн
100+29.76 грн
250+25.38 грн
500+22.69 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20 Good-Ark Semiconductor GSFD06C20.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.46 грн
10+59.57 грн
25+49.70 грн
100+36.14 грн
250+30.97 грн
500+27.79 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982 Good-Ark Semiconductor GSFD0982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982 Good-Ark Semiconductor GSFD0982.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.28 грн
10+67.37 грн
25+56.89 грн
100+42.22 грн
250+36.77 грн
500+33.43 грн
1000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028 Good-Ark Semiconductor GSFD1028.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550 Good-Ark Semiconductor GSFD1550.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.83 грн
10+125.28 грн
25+118.19 грн
100+94.50 грн
250+88.74 грн
500+77.65 грн
1000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003 Good-Ark Semiconductor GSFD4003.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003 Good-Ark Semiconductor GSFD4003.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.60 грн
100+29.05 грн
500+20.97 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005 Good-Ark Semiconductor GSFD4005.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.35 грн
5000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005 Good-Ark Semiconductor GSFD4005.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.55 грн
10+56.34 грн
100+39.14 грн
500+29.45 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015 Good-Ark Semiconductor GSFD4015.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.00 грн
11+29.07 грн
100+19.77 грн
500+14.56 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015 Good-Ark Semiconductor GSFD4015.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4N65 GSFD4N65 Good-Ark Semiconductor GSFD4N65.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.73 грн
11+30.10 грн
100+19.37 грн
500+13.81 грн
1000+12.41 грн
2500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD500P10 GSFD500P10 Good-Ark Semiconductor GSFD500P10.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.91 грн
10+41.84 грн
100+28.95 грн
500+22.70 грн
1000+19.32 грн
2500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6016 GSFD6016 Good-Ark Semiconductor GSFD6016.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
13+26.08 грн
100+18.15 грн
500+13.30 грн
1000+10.81 грн
2500+9.66 грн
5000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD65R900 GSFD65R900 Good-Ark Semiconductor GSFD65R900.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.91 грн
10+48.77 грн
100+33.77 грн
500+26.48 грн
1000+22.54 грн
2500+20.07 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6959 GSFD6959 Good-Ark Semiconductor GSFD6959.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6959 GSFD6959 Good-Ark Semiconductor GSFD6959.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.10 грн
10+73.44 грн
25+62.12 грн
100+46.27 грн
250+40.39 грн
500+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD8005 GSFD8005 Good-Ark Semiconductor GSFD8005.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD8005 GSFD8005 Good-Ark Semiconductor GSFD8005.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.19 грн
10+57.60 грн
25+48.06 грн
100+34.89 грн
250+29.87 грн
500+26.79 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD9R706 GSFD9R706 Good-Ark Semiconductor GSFD9R706.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.19 грн
10+35.69 грн
100+24.84 грн
500+18.19 грн
1000+14.79 грн
2500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFDT90R120 GSFDT90R120 Good-Ark Semiconductor GSFDT90R120.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 900
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 50 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.38 грн
10+150.97 грн
100+104.99 грн
500+80.10 грн
1000+74.18 грн
2000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.64 грн
14+22.69 грн
25+19.01 грн
100+11.28 грн
250+8.71 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
2500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134 Good-Ark Semiconductor GSFF3134.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134 Good-Ark Semiconductor GSFF3134.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.00 грн
52+6.07 грн
100+4.03 грн
500+2.87 грн
1000+2.56 грн
2000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFG65R900 GSFG65R900 Good-Ark Semiconductor GSFG65R900.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.46 грн
75+38.95 грн
150+34.73 грн
525+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH03152 GSFH03152 Good-Ark Semiconductor GSFH03152.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.10 грн
10+55.47 грн
25+46.14 грн
100+33.44 грн
250+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH06100 GSFH06100 Good-Ark Semiconductor GSFH06100.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.01 грн
10+88.25 грн
25+75.01 грн
100+56.38 грн
250+49.55 грн
500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0625 GSFH0625 Good-Ark Semiconductor GSFH0625.pdf Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
50+32.86 грн
100+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0680 GSFH0680 Good-Ark Semiconductor GSFH0680.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.55 грн
10+52.56 грн
100+34.54 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0970 Good-Ark Semiconductor GSFH0970.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.65 грн
10+219.13 грн
25+206.72 грн
100+165.28 грн
250+155.20 грн
500+135.80 грн
1000+110.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0980 Good-Ark Semiconductor GSFH0980.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.74 грн
10+152.70 грн
25+144.07 грн
100+115.20 грн
250+108.17 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH10120 GSFH10120 Good-Ark Semiconductor GSFH10120.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.92 грн
10+117.64 грн
25+99.53 грн
100+74.20 грн
250+64.75 грн
500+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5010 GSFH5010 Good-Ark Semiconductor GSFH5010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.74 грн
10+84.39 грн
50+62.67 грн
100+52.31 грн
250+45.30 грн
500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5020 GSFH5020 Good-Ark Semiconductor GSFH5020.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.38 грн
10+110.31 грн
25+94.11 грн
100+71.19 грн
250+62.84 грн
500+57.73 грн
1000+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5R010 GSFH5R010 Good-Ark Semiconductor GSFH5R010.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5208 pF @ 50 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.37 грн
50+65.84 грн
100+58.82 грн
500+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R160 GSFH60R160 Good-Ark Semiconductor GSFH60R160.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.84 грн
50+121.91 грн
100+110.15 грн
500+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R190 GSFH60R190 Good-Ark Semiconductor GSFH60R190.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.01 грн
50+93.75 грн
100+84.32 грн
500+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R570 GSFH60R570 Good-Ark Semiconductor GSFH60R570.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.28 грн
50+72.08 грн
100+57.12 грн
500+45.43 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R420 GSFH80R420 Good-Ark Semiconductor GSFH80R420.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 12.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.11 грн
50+100.00 грн
100+90.00 грн
500+67.98 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R900 GSFH80R900 Good-Ark Semiconductor GSFH80R900.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.28 грн
50+54.65 грн
100+48.69 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9506 GSFH9506 Good-Ark Semiconductor GSFH9506.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.11 грн
10+178.31 грн
100+124.61 грн
500+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9R015 GSFH9R015 Good-Ark Semiconductor GSFH9R015.pdf Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 75 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.01 грн
50+102.70 грн
100+93.62 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
14+22.69 грн
25+19.89 грн
100+12.08 грн
250+10.00 грн
500+8.00 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.91 грн
14+22.69 грн
25+19.89 грн
100+12.08 грн
250+10.00 грн
500+8.00 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E.pdf Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.37 грн
13+24.66 грн
25+21.59 грн
100+13.11 грн
250+10.85 грн
500+8.68 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502.pdf Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.09 грн
13+24.43 грн
25+20.45 грн
100+12.16 грн
250+9.38 грн
500+8.00 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002 GSFK06002 Good-Ark Semiconductor GSFK06002.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.36 грн
30+10.79 грн
100+7.26 грн
500+5.22 грн
1000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0625 GSFD0625.pdf
GSFD0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 27.00A, 60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.00 грн
5000+12.27 грн
7500+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646.pdf
GSFD0646
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0646 GSFD0646.pdf
GSFD0646
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 45A, 60V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.28 грн
10+51.06 грн
25+42.93 грн
100+31.60 грн
250+27.34 грн
500+24.73 грн
1000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.28 грн
10+49.56 грн
25+41.19 грн
100+29.76 грн
250+25.38 грн
500+22.69 грн
1000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0650 GSFD0650.pdf
GSFD0650
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 66V,T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD06C20 GSFD06C20.pdf
GSFD06C20
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720pF @ 30V, 1810pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
Part Status: Active
на замовлення 4088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.46 грн
10+59.57 грн
25+49.70 грн
100+36.14 грн
250+30.97 грн
500+27.79 грн
1000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982.pdf
GSFD0982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD0982 GSFD0982.pdf
GSFD0982
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2145 pF @ 50 V
на замовлення 2318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.28 грн
10+67.37 грн
25+56.89 грн
100+42.22 грн
250+36.77 грн
500+33.43 грн
1000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028.pdf
GSFD1028
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+153.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1028 GSFD1028.pdf
GSFD1028
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 28A, 100V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550.pdf
GSFD1550
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD1550 GSFD1550.pdf
GSFD1550
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 50A, 150V,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 75 V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.83 грн
10+125.28 грн
25+118.19 грн
100+94.50 грн
250+88.74 грн
500+77.65 грн
1000+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003.pdf
GSFD4003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4003 GSFD4003.pdf
GSFD4003
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 240.00A, 4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.46 грн
10+44.60 грн
100+29.05 грн
500+20.97 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005.pdf
GSFD4005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.35 грн
5000+26.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4005 GSFD4005.pdf
GSFD4005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -88.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 20 V
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.55 грн
10+56.34 грн
100+39.14 грн
500+29.45 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015.pdf
GSFD4015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.00 грн
11+29.07 грн
100+19.77 грн
500+14.56 грн
1000+13.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4015 GSFD4015.pdf
GSFD4015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -40.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3680 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD4N65 GSFD4N65.pdf
GSFD4N65
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 4.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 4153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.73 грн
11+30.10 грн
100+19.37 грн
500+13.81 грн
1000+12.41 грн
2500+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD500P10 GSFD500P10.pdf
GSFD500P10
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -30.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
на замовлення 4975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.91 грн
10+41.84 грн
100+28.95 грн
500+22.70 грн
1000+19.32 грн
2500+17.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6016 GSFD6016.pdf
GSFD6016
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2460 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
13+26.08 грн
100+18.15 грн
500+13.30 грн
1000+10.81 грн
2500+9.66 грн
5000+9.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD65R900 GSFD65R900.pdf
GSFD65R900
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.91 грн
10+48.77 грн
100+33.77 грн
500+26.48 грн
1000+22.54 грн
2500+20.07 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6959 GSFD6959.pdf
GSFD6959
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD6959 GSFD6959.pdf
GSFD6959
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -60.00A, -
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.10 грн
10+73.44 грн
25+62.12 грн
100+46.27 грн
250+40.39 грн
500+36.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD8005 GSFD8005.pdf
GSFD8005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD8005 GSFD8005.pdf
GSFD8005
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.5A, 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 678 pF @ 25 V
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.19 грн
10+57.60 грн
25+48.06 грн
100+34.89 грн
250+29.87 грн
500+26.79 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFD9R706 GSFD9R706.pdf
GSFD9R706
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 60.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.19 грн
10+35.69 грн
100+24.84 грн
500+18.19 грн
1000+14.79 грн
2500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GSFDT90R120 GSFDT90R120.pdf
GSFDT90R120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 900
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 874 pF @ 50 V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.38 грн
10+150.97 грн
100+104.99 грн
500+80.10 грн
1000+74.18 грн
2000+69.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308.pdf
GSFF0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF0308 GSFF0308.pdf
GSFF0308
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 446mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 15 V
на замовлення 15890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.64 грн
14+22.69 грн
25+19.01 грн
100+11.28 грн
250+8.71 грн
500+7.43 грн
1000+4.97 грн
2500+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134.pdf
GSFF3134
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFF3134 GSFF3134.pdf
GSFF3134
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.75A, 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 650mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V
на замовлення 7227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.00 грн
52+6.07 грн
100+4.03 грн
500+2.87 грн
1000+2.56 грн
2000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
GSFG65R900 GSFG65R900.pdf
GSFG65R900
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.00A, 650
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 100 V
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.46 грн
75+38.95 грн
150+34.73 грн
525+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH03152 GSFH03152.pdf
GSFH03152
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150.00A, 3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.10 грн
10+55.47 грн
25+46.14 грн
100+33.44 грн
250+28.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH06100 GSFH06100.pdf
GSFH06100
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100A, 60V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 30 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.01 грн
10+88.25 грн
25+75.01 грн
100+56.38 грн
250+49.55 грн
500+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0625 GSFH0625.pdf
GSFH0625
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -25.00A, -
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 30 V
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.46 грн
50+32.86 грн
100+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0680 GSFH0680.pdf
GSFH0680
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 80.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.55 грн
10+52.56 грн
100+34.54 грн
500+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0970 GSFH0970.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 160A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 450 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.65 грн
10+219.13 грн
25+206.72 грн
100+165.28 грн
250+155.20 грн
500+135.80 грн
1000+110.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH0980 GSFH0980.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 150A, 100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 275W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13300 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.74 грн
10+152.70 грн
25+144.07 грн
100+115.20 грн
250+108.17 грн
500+94.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH10120 GSFH10120.pdf
GSFH10120
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 180.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8402 pF @ 50 V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.92 грн
10+117.64 грн
25+99.53 грн
100+74.20 грн
250+64.75 грн
500+58.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5010 GSFH5010.pdf
GSFH5010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.74 грн
10+84.39 грн
50+62.67 грн
100+52.31 грн
250+45.30 грн
500+40.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5020 GSFH5020.pdf
GSFH5020
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 50
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 252W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2687 pF @ 25 V
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.38 грн
10+110.31 грн
25+94.11 грн
100+71.19 грн
250+62.84 грн
500+57.73 грн
1000+52.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH5R010 GSFH5R010.pdf
GSFH5R010
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 120.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5208 pF @ 50 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.37 грн
50+65.84 грн
100+58.82 грн
500+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R160 GSFH60R160.pdf
GSFH60R160
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.84 грн
50+121.91 грн
100+110.15 грн
500+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R190 GSFH60R190.pdf
GSFH60R190
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 20.00A, 60
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1174 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.01 грн
50+93.75 грн
100+84.32 грн
500+63.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH60R570 GSFH60R570.pdf
GSFH60R570
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 7.00A, 600
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 602 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.28 грн
50+72.08 грн
100+57.12 грн
500+45.43 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R420 GSFH80R420.pdf
GSFH80R420
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 12.00A, 80
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.11 грн
50+100.00 грн
100+90.00 грн
500+67.98 грн
1000+62.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH80R900 GSFH80R900.pdf
GSFH80R900
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.00A, 800
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 568 pF @ 100 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.28 грн
50+54.65 грн
100+48.69 грн
500+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9506 GSFH9506.pdf
GSFH9506
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 878 pF @ 50 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.11 грн
10+178.31 грн
100+124.61 грн
500+95.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFH9R015 GSFH9R015.pdf
GSFH9R015
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 100.00A, 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 75 V
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.01 грн
50+102.70 грн
100+93.62 грн
500+72.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300.pdf
GSFK0300
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0300 GSFK0300.pdf
GSFK0300
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.8A, 30V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 275mW (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 300mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
14+22.69 грн
25+19.89 грн
100+12.08 грн
250+10.00 грн
500+8.00 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501.pdf
GSFK0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.91 грн
14+22.69 грн
25+19.89 грн
100+12.08 грн
250+10.00 грн
500+8.00 грн
1000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501 GSFK0501.pdf
GSFK0501
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -130MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E.pdf
GSFK0501E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0501E GSFK0501E.pdf
GSFK0501E
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, P-CH, DUAL, -180MA, -50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.2pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 150mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 530pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.37 грн
13+24.66 грн
25+21.59 грн
100+13.11 грн
250+10.85 грн
500+8.68 грн
1000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502.pdf
GSFK0502
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK0502 GSFK0502.pdf
GSFK0502
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, DUAL, 0.3A, 50V, S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.58nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.09 грн
13+24.43 грн
25+20.45 грн
100+12.16 грн
250+9.38 грн
500+8.00 грн
1000+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GSFK06002 GSFK06002.pdf
GSFK06002
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 580nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.36 грн
30+10.79 грн
100+7.26 грн
500+5.22 грн
1000+4.68 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]