Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124868) > Сторінка 122 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ESD5V0S2U06E6327HTSA1 ESD5V0S2U06E6327HTSA1 Infineon Technologies esd5v0sseries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114883802cf0d02&fileId=db3a30431441fb5d01148839aaf20d03 Description: TVS DIODE 5VWM 14VC SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S5USE6327HTSA1 ESD5V0S5USE6327HTSA1 Infineon Technologies esd5v0sxus.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114883802cf0d02&fileId=db3a30431441fb5d0114883be5d40d04 Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBF IRF6218STRLPBF Infineon Technologies irf6218spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e79f5e19e2 Description: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF Infineon Technologies IRFR4615TRLPBF.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.67 грн
6000+48.51 грн
9000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBF IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies irfs4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a4cc721be Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.95 грн
1600+73.41 грн
2400+70.60 грн
4000+63.29 грн
5600+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBF IRFS5620TRLPBF Infineon Technologies IRFS(L)5620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5620PBF IRFSL5620PBF Infineon Technologies IRFS(L)5620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4620PBF IRFU4620PBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 description Description: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.15 грн
1600+90.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBF IRLSL3036PBF Infineon Technologies irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+123.27 грн
100+84.78 грн
500+64.10 грн
1000+59.13 грн
2000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF Infineon Technologies IRFR4615TRLPBF.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.93 грн
10+104.32 грн
100+71.06 грн
500+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF Infineon Technologies irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7 Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 17496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.43 грн
10+114.62 грн
100+78.43 грн
500+59.09 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBF IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies irfs4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a4cc721be Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 22295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.57 грн
10+147.67 грн
100+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBF IRFS5620TRLPBF Infineon Technologies IRFS(L)5620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.07 грн
10+178.05 грн
100+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 13.5mT Trip, 5mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.71 грн
6000+22.01 грн
9000+21.56 грн
15000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4946KHTSA1 TLE4946KHTSA1 Infineon Technologies TLE4946K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc901e4d6379 Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 19mT Trip, -19mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966KHTSA1 TLE4966KHTSA1 Infineon Technologies TLE4966K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc945ed46383 Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR TSOP-6-6
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10mT Trip, -10mT Release
Current - Output (Max): 10mA
Current - Supply (Max): 7mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49762KHTSA1 TLE49762KHTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4976_2K-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432c59a87e012c5e9c3dc5351c Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD0P2RF02LSE6327XTSA1 ESD0P2RF02LSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD0P2RF.pdf Description: TVS DIODE 5.3VWM 21VC PGTSSLP21
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.23pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 Infineon Technologies bas3007aseries.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a3043156fd5730115a286aa19083b Description: BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 Infineon Technologies bas4002aseries.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304329a0f6ee0129a6dc9f802b68 Description: BRIDGE RECT 1P 40V 200MA SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 200 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Infineon Technologies 4a-BC-817-40-E6433.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.44 грн
6000+3.96 грн
9000+3.29 грн
30000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA622E6820HTSA1 BGA622E6820HTSA1 Infineon Technologies BGA622.pdf Description: IC AMP CELL 500MHZ-6GHZ SOT343-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 500MHz ~ 6GHz
RF Type: Cellular, GSM, DCS, PCS, UMTS, ISM, WLAN, WLL
Voltage - Supply: 3.5V
Gain: 15dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -16.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD0P2RF02LSE6327XTSA1 ESD0P2RF02LSE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD0P2RF.pdf Description: TVS DIODE 5.3VWM 21VC PGTSSLP21
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.23pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 Infineon Technologies bas3007aseries.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a3043156fd5730115a286aa19083b Description: BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.04 грн
100+26.70 грн
500+19.28 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 Infineon Technologies bas4002aseries.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304329a0f6ee0129a6dc9f802b68 Description: BRIDGE RECT 1P 40V 200MA SOT143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 200 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
20+15.00 грн
100+14.19 грн
500+11.86 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K25E6327HTSA1 BC817K25E6327HTSA1 Infineon Technologies 4a-BC-817-40-E6433.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 73351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.35 грн
18+17.39 грн
100+8.51 грн
500+6.66 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA622E6820HTSA1 BGA622E6820HTSA1 Infineon Technologies BGA622.pdf Description: IC AMP CELL 500MHZ-6GHZ SOT343-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 500MHz ~ 6GHz
RF Type: Cellular, GSM, DCS, PCS, UMTS, ISM, WLAN, WLL
Voltage - Supply: 3.5V
Gain: 15dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -16.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP949E6327HTSA1 BDP949E6327HTSA1 Infineon Technologies bdp947_bdp949_bdp953.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156147b63b1f55 Description: TRANS NPN 60V 3A PG-SOT223-4-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WE6327HTSA1 BFP182WE6327HTSA1 Infineon Technologies INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764HTSA1 BFP183E7764HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
24+12.83 грн
27+11.34 грн
100+9.15 грн
250+8.43 грн
500+7.99 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 BFP193E6327HTSA1 Infineon Technologies bfp193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142674fdc3061b Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.27 грн
28+10.89 грн
31+9.67 грн
100+7.77 грн
250+7.15 грн
500+6.77 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WE6327HTSA1 BFP193WE6327HTSA1 Infineon Technologies bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196E6327HTSA1 BFP196E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT-143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16.5dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 9116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.60 грн
25+12.39 грн
28+10.98 грн
100+8.84 грн
250+8.14 грн
500+7.72 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 BFR181E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 9165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 181W E6327 BFR 181W E6327 Infineon Technologies bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182E6327HTSA1 BFR182E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr182.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268f4d130640 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 23733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 182W E6327 BFR 182W E6327 Infineon Technologies bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIT TVS DIODE 2 KIT TVS DIODE 2 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: KIT SAMPLE TVS FOR RF/ANT PROT
Voltage - Breakdown: 3.3V ~ 70V
Kit Type: ESD Protection
Quantity: 112 Pieces (8 Values - Mixed Quantities)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITTVSDIODE1TOBO1 KITTVSDIODE1TOBO1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: KIT SAMPLE TVS FOR HS APPLCTN
Voltage - Breakdown: 3.3V ~ 14.5V
Kit Type: ESD Protection
Quantity: 96 Pieces (6 Values - 16 Each)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410812 SP000410812 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR CURRENT TO 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410810 SP000410810 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR MIX/DETECT PWRLVL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410804 SP000410804 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR GEN PURP RF TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410802 SP000410802 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR HIGH END SI/SIGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT RF DIODE 2 KIT RF DIODE 2 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE RF FOR RF APPLICTN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410806 SP000410806 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE RF FOR RF SWITCHING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT MMIC GP KIT MMIC GP Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR GEN PURP MMIC LNA
Kit Contents: BGA 416 E6327, BGA 428 E6327
Kit Type: RF
Quantity: 72 Pieces (9 Values - 8 Each)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+905.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SP000463270 SP000463270 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: KIT SAMPLE FOR GPS APPLICATIONS
Kit Type: RF
Quantity: 160 Pieces (15 Values - Mixed Quantities)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410854 SP000410854 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR DGTL TRANS 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410852 SP000410852 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE DGTL DL TRANS 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410856 SP000410856 Infineon Technologies Description: KIT SAMPLE FOR LED DRIVERS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410842 SP000410842 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: KIT SAMPLE FOR HV/MULTI CHIP
Part Status: Obsolete
Kit Type: Rectifier Diode
Quantity: 140 Pieces (19 Values - Mixed Quantities)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBF IRLS3036-7PPBF Infineon Technologies irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b description Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620PBF IRFS5620PBF Infineon Technologies IRFS(L)5620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3831MTR1PBF IR3831MTR1PBF Infineon Technologies ir3831m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d1dae617c3 Description: IC REG CONV DDR 1OUT PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 15-PowerVQFN
Voltage - Output: 0.6V ~ 14.4V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 1.5V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Converter, DDR
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S2U06E6327HTSA1 esd5v0sseries.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114883802cf0d02&fileId=db3a30431441fb5d01148839aaf20d03
ESD5V0S2U06E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5VWM 14VC SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD5V0S5USE6327HTSA1 esd5v0sxus.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114883802cf0d02&fileId=db3a30431441fb5d0114883be5d40d04
ESD5V0S5USE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5VWM 13VC SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6218STRLPBF irf6218spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e79f5e19e2
IRF6218STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
IRFH5053TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF.pdf
IRFR4615TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+53.67 грн
6000+48.51 грн
9000+47.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBF irfs4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a4cc721be
IRFS4620TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 21600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+81.95 грн
1600+73.41 грн
2400+70.60 грн
4000+63.29 грн
5600+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBF IRFS(L)5620.pdf
IRFS5620TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL5620PBF IRFS(L)5620.pdf
IRFSL5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4620PBF description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFU4620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+101.15 грн
1600+90.94 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLSL3036PBF irls3036pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c778270d
IRLSL3036PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH5053TRPBF irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
IRFH5053TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
на замовлення 6455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.38 грн
10+123.27 грн
100+84.78 грн
500+64.10 грн
1000+59.13 грн
2000+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF.pdf
IRFR4615TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+168.93 грн
10+104.32 грн
100+71.06 грн
500+53.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 17496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+184.43 грн
10+114.62 грн
100+78.43 грн
500+59.09 грн
1000+54.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4620TRLPBF irfs4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a4cc721be
IRFS4620TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 22295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.57 грн
10+147.67 грн
100+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBF IRFS(L)5620.pdf
IRFS5620TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.07 грн
10+178.05 грн
100+125.09 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Unipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 13.5mT Trip, 5mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+23.71 грн
6000+22.01 грн
9000+21.56 грн
15000+19.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4946KHTSA1 TLE4946K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc901e4d6379
TLE4946KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH LATCH SC59
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Output Type: Open Collector
Polarization: South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Latch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 19mT Trip, -19mT Release
Current - Output (Max): 20mA
Current - Supply (Max): 6mA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4966KHTSA1 TLE4966K_DS_Rev1.0.pdf?folderId=db3a30431f848401011facc1c83b4674&fileId=db3a30431f848401011fbc945ed46383
TLE4966KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR TSOP-6-6
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Output Type: Open Collector
Polarization: North Pole, South Pole
Mounting Type: Surface Mount
Function: Bipolar Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 18V
Technology: Hall Effect
Sensing Range: 10mT Trip, -10mT Release
Current - Output (Max): 10mA
Current - Supply (Max): 7mA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Test Condition: 25°C
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49762KHTSA1 Infineon-TLE4976_2K-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432c59a87e012c5e9c3dc5351c
TLE49762KHTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH UNIPOLAR SC59
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD0P2RF02LSE6327XTSA1 ESD0P2RF.pdf
ESD0P2RF02LSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.3VWM 21VC PGTSSLP21
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.23pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 bas3007aseries.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a3043156fd5730115a286aa19083b
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 bas4002aseries.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304329a0f6ee0129a6dc9f802b68
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 40V 200MA SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 200 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K25E6327HTSA1 4a-BC-817-40-E6433.pdf
BC817K25E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.44 грн
6000+3.96 грн
9000+3.29 грн
30000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA622E6820HTSA1 BGA622.pdf
BGA622E6820HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CELL 500MHZ-6GHZ SOT343-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 500MHz ~ 6GHz
RF Type: Cellular, GSM, DCS, PCS, UMTS, ISM, WLAN, WLL
Voltage - Supply: 3.5V
Gain: 15dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -16.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD0P2RF02LSE6327XTSA1 ESD0P2RF.pdf
ESD0P2RF02LSE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 5.3VWM 21VC PGTSSLP21
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: RF Antenna
Capacitance @ Frequency: 0.23pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSSLP-2-1
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 21V
Power Line Protection: No
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 bas3007aseries.pdf?folderId=db3a304313d846880113def5812204a1&fileId=db3a3043156fd5730115a286aa19083b
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 30V 900MA SOT143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Current - Average Rectified (Io): 900 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 900 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 350 µA @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.19 грн
10+41.04 грн
100+26.70 грн
500+19.28 грн
1000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 bas4002aseries.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a304329a0f6ee0129a6dc9f802b68
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: BRIDGE RECT 1P 40V 200MA SOT143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 40 V
Current - Average Rectified (Io): 200 mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 790 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
20+15.00 грн
100+14.19 грн
500+11.86 грн
1000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817K25E6327HTSA1 4a-BC-817-40-E6433.pdf
BC817K25E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 45V 0.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 73351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.35 грн
18+17.39 грн
100+8.51 грн
500+6.66 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA622E6820HTSA1 BGA622.pdf
BGA622E6820HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP CELL 500MHZ-6GHZ SOT343-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 500MHz ~ 6GHz
RF Type: Cellular, GSM, DCS, PCS, UMTS, ISM, WLAN, WLL
Voltage - Supply: 3.5V
Gain: 15dB
Current - Supply: 10mA
Noise Figure: 1dB
P1dB: -16.5dBm
Test Frequency: 1.575GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BDP949E6327HTSA1 bdp947_bdp949_bdp953.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a304314dca38901156147b63b1f55
BDP949E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 60V 3A PG-SOT223-4-10
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4-10
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP182WE6327HTSA1 INFNS10735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BFP182WE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP183E7764HTSA1 Infineon-BFP183-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462677d0f460167c628925b4907
BFP183E7764HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 22dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 5603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
24+12.83 грн
27+11.34 грн
100+9.15 грн
250+8.43 грн
500+7.99 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327HTSA1 bfp193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142674fdc3061b
BFP193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-143-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 15369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.27 грн
28+10.89 грн
31+9.67 грн
100+7.77 грн
250+7.15 грн
500+6.77 грн
1000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WE6327HTSA1 bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f
BFP193WE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196E6327HTSA1 Infineon-BFP196-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f02e2b21e7723
BFP196E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT-143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16.5dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT-143-3D
Part Status: Active
на замовлення 9116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.60 грн
25+12.39 грн
28+10.98 грн
100+8.84 грн
250+8.14 грн
500+7.72 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181E6327HTSA1 bfr181.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268848380638
BFR181E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 18.5dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
на замовлення 9165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 181W E6327 bfr181w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268dc6c1063f
BFR 181W E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 175mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182E6327HTSA1 bfr182.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114268f4d130640
BFR182E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 18dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 23733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR 182W E6327 bfr182w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114269d1e43064c
BFR 182W E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 19dB
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR193E6327HTSA1 bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KIT TVS DIODE 2 fundamentals-of-power-semiconductors
KIT TVS DIODE 2
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE TVS FOR RF/ANT PROT
Voltage - Breakdown: 3.3V ~ 70V
Kit Type: ESD Protection
Quantity: 112 Pieces (8 Values - Mixed Quantities)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KITTVSDIODE1TOBO1 fundamentals-of-power-semiconductors
KITTVSDIODE1TOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE TVS FOR HS APPLCTN
Voltage - Breakdown: 3.3V ~ 14.5V
Kit Type: ESD Protection
Quantity: 96 Pieces (6 Values - 16 Each)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410812
SP000410812
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR CURRENT TO 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410810
SP000410810
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR MIX/DETECT PWRLVL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410804
SP000410804
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR GEN PURP RF TRANS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410802
SP000410802
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR HIGH END SI/SIGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT RF DIODE 2
KIT RF DIODE 2
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE RF FOR RF APPLICTN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410806
SP000410806
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE RF FOR RF SWITCHING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KIT MMIC GP
KIT MMIC GP
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR GEN PURP MMIC LNA
Kit Contents: BGA 416 E6327, BGA 428 E6327
Kit Type: RF
Quantity: 72 Pieces (9 Values - 8 Each)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+905.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SP000463270 fundamentals-of-power-semiconductors
SP000463270
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR GPS APPLICATIONS
Kit Type: RF
Quantity: 160 Pieces (15 Values - Mixed Quantities)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410854
SP000410854
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR DGTL TRANS 500MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410852
SP000410852
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE DGTL DL TRANS 100MA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410856
SP000410856
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR LED DRIVERS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SP000410842 Part_Number_Guide_Web.pdf
SP000410842
Виробник: Infineon Technologies
Description: KIT SAMPLE FOR HV/MULTI CHIP
Part Status: Obsolete
Kit Type: Rectifier Diode
Quantity: 140 Pieces (19 Values - Mixed Quantities)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036-7PPBF description irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036-7PPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620PBF IRFS(L)5620.pdf
IRFS5620PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3831MTR1PBF ir3831m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d1dae617c3
IR3831MTR1PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CONV DDR 1OUT PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 15-PowerVQFN
Voltage - Output: 0.6V ~ 14.4V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Voltage - Input: 1.5V ~ 16V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Converter, DDR
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]