Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149102) > Сторінка 1239 з 2486

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1242 1243 1244 1488 1736 1984 2232 2480 2486  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIDW16S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW16S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2d4eb5680 AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW20S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW20S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2ecdd5689 AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW30S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW30S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2de0c5683 AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW40S65C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIDW40S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2f4e4568c AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+644.72 грн
3+539.75 грн
6+490.73 грн
90+471.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIGW40N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 92nC
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.91 грн
3+421.06 грн
8+382.79 грн
240+368.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 AIGW50N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA2981C96B3820&compId=AIGW50N65F5.pdf?ci_sign=0bd65dc2ea9fe07124468b8aced811377b1c786d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA34A695793820&compId=AIGW50N65H5.pdf?ci_sign=0e6086f8da3182059009f2b599abcebf9a2c3ea7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RATMA1 AIHD04N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD04N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RFATMA1 AIHD04N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD04N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 AIHD10N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA56A2D5665820&compId=AIHD10N60R.pdf?ci_sign=02febf6bcc61b28ffaa6a2d1975f89a5e580013b Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 AIHD10N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA5C743CCE9820&compId=AIHD10N60RF.pdf?ci_sign=bac07947d49b12dbb3c05a8d007c6697ec7f2c24 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60RF.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 AIKB20N60CTATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA6C82BE757820&compId=AIKB20N60CT.pdf?ci_sign=729fcae0a93b4fbd0516dd7ddb9a5e54922e5b26 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 AIKP20N60CTAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.44 грн
3+308.02 грн
5+256.70 грн
12+243.10 грн
250+234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ100N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99 AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKQ120N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 AIKW20N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA837B61DA3820&compId=AIKW20N60CT.pdf?ci_sign=bc5c3a55a4b42dfdc8268e530996ecdd9600c065 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA88A350E5F820&compId=AIKW30N60CT.pdf?ci_sign=6968bf3033f29af22d372328b518782c7464a095 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DF5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIKW40N65DH5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA679466D1820&compId=AIKW50N65DF5.pdf?ci_sign=97e27e3a2e7352d95a29911a7e8d059db1bf6cc4 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 AIKW50N65DH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC3370BE19F8BF&compId=AIKW50N65DH5XKSA1.pdf?ci_sign=bcc286be62106bf26a5c396e0d7ffde52e3a8210 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4 AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS2051LTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51 AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS2052GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51 AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL INFINEON TECHNOLOGIES auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311 AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7091GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322 AUIPS7091GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7111STRL INFINEON TECHNOLOGIES auips7111s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c94e1326 AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS71451GTR INFINEON TECHNOLOGIES auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332 AUIPS71451GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR INFINEON TECHNOLOGIES auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f AUIR2085STR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3240STR AUIR3240STR INFINEON TECHNOLOGIES AUIR3240S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Output current: 0.3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Supply voltage: 4...36V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR INFINEON TECHNOLOGIES AUIR3241STR.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Supply voltage: 3...36V DC
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242SXUMA1 AUIR3242SXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIR3242S.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Output current: 0.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage class: 40V
Supply voltage: 3...36V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3314STRL INFINEON TECHNOLOGIES auir3314.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a846b8134a AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL AUIRF1010ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1010z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324S-7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf1324s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8ba81136e AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324STRL AUIRF1324STRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRF1324STRL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL AUIRF1324WL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1324wl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S AUIRF1404S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L AUIRF2804L INFINEON TECHNOLOGIES irf2804.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf3805s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355aca8a713b3 AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRL AUIRF4104STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf4104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905S AUIRF4905S INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E897E706B82C143&compId=auirf4905s.pdf?ci_sign=b0e4517baaab923e6fdcc43192bce8335138272b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540Z AUIRF540Z INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5278F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf540z.pdf?ci_sign=dcd4031d8e0c9a9a6e63edd15265d106dcb29c64 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 98mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW16S65C5XKSA1 Infineon-AIDW16S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2d4eb5680
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW20S65C5XKSA1 Infineon-AIDW20S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2ecdd5689
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW30S65C5XKSA1 Infineon-AIDW30S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2de0c5683
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIDW40S65C5XKSA1 Infineon-AIDW40S65C5-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462675a6972016773c2f4e4568c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65F5XKSA1 AIGW40N65F5.pdf
AIGW40N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+644.72 грн
3+539.75 грн
6+490.73 грн
90+471.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW40N65H5XKSA1 AIGW40N65H5.pdf
AIGW40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 92nC
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.91 грн
3+421.06 грн
8+382.79 грн
240+368.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA2981C96B3820&compId=AIGW50N65F5.pdf?ci_sign=0bd65dc2ea9fe07124468b8aced811377b1c786d
AIGW50N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIGW50N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA34A695793820&compId=AIGW50N65H5.pdf?ci_sign=0e6086f8da3182059009f2b599abcebf9a2c3ea7
AIGW50N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RATMA1 AIHD04N60R.pdf
AIHD04N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD04N60RFATMA1 AIHD04N60RF.pdf
AIHD04N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD06N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA56A2D5665820&compId=AIHD10N60R.pdf?ci_sign=02febf6bcc61b28ffaa6a2d1975f89a5e580013b
AIHD10N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD10N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA5C743CCE9820&compId=AIHD10N60RF.pdf?ci_sign=bac07947d49b12dbb3c05a8d007c6697ec7f2c24
AIHD10N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60R.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RFATMA1 AIHD15N60RF.pdf
AIHD15N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB20N60CTATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA6C82BE757820&compId=AIKB20N60CT.pdf?ci_sign=729fcae0a93b4fbd0516dd7ddb9a5e54922e5b26
AIKB20N60CTATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKP20N60CTAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA723D61621820&compId=AIKP20N60CT.pdf?ci_sign=a20e22016a11737bd2ad4bbce2aae54270007856
AIKP20N60CTAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.44 грн
3+308.02 грн
5+256.70 грн
12+243.10 грн
250+234.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ100N60CTXKSA1 Infineon-AIKQ100N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382b3b37c99
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 AIKQ120N60CT.pdf
AIKQ120N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Pulsed collector current: 480A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 772nC
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW20N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA837B61DA3820&compId=AIKW20N60CT.pdf?ci_sign=bc5c3a55a4b42dfdc8268e530996ecdd9600c065
AIKW20N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA88A350E5F820&compId=AIKW30N60CT.pdf?ci_sign=6968bf3033f29af22d372328b518782c7464a095
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 AIKW40N65DF5.pdf
AIKW40N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 AIKW40N65DH5.pdf
AIKW40N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDAA679466D1820&compId=AIKW50N65DF5.pdf?ci_sign=97e27e3a2e7352d95a29911a7e8d059db1bf6cc4
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC3370BE19F8BF&compId=AIKW50N65DH5XKSA1.pdf?ci_sign=bcc286be62106bf26a5c396e0d7ffde52e3a8210
AIKW50N65DH5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40
AIKW75N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS2051LTR Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS2052GTR Infineon-AUIPS2052G-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aae0b6fb04c51
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS6031RTRL auips6031.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a797f51311
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7091GTR auips7091.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c0d21322
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS7091GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7111STRL auips7111s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7c94e1326
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS71451GTR auips71451g.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7f7461332
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS71451GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR2085STR auir2085s.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a82609133f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR2085STR MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3240STR AUIR3240S.pdf
AUIR3240STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Output current: 0.3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Supply voltage: 4...36V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3241STR AUIR3241STR.pdf
AUIR3241STR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Supply voltage: 3...36V DC
Power: 625mW
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3242SXUMA1 AUIR3242S.pdf
AUIR3242SXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Output current: 0.2A
Case: SO8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage class: 40V
Supply voltage: 3...36V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIR3314STRL auir3314.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a846b8134a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1010ZSTRL auirf1010z.pdf
AUIRF1010ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 94A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 94A
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324S-7P auirf1324s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8ba81136e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF1324S-7P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324STRL AUIRF1324STRL.pdf
AUIRF1324STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL auirf1324wl.pdf
AUIRF1324WL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F47BF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404s.pdf?ci_sign=bfd54adc94b9e731669f1aa63d35e9f5331ee4f4
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L irf2804.pdf
AUIRF2804L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL auirf2804.pdf
AUIRF2804STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5208F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3710z.pdf?ci_sign=6c2c0c9f256e5a525498972404a7f2a1a6ec5bed
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7P auirf3805s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355aca8a713b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRL auirf4104.pdf
AUIRF4104STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905S pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E897E706B82C143&compId=auirf4905s.pdf?ci_sign=b0e4517baaab923e6fdcc43192bce8335138272b
AUIRF4905S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D5278F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf540z.pdf?ci_sign=dcd4031d8e0c9a9a6e63edd15265d106dcb29c64
AUIRF540Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F732C397812F1A303005056AB0C4F&compId=irf7103qpbf.pdf?ci_sign=6f2d86b4e3f859b06ae14d68aec215fa828791c2
AUIRF7103QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 10nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D741EF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7309q.pdf?ci_sign=22ef9c2ac4bfdc45d4b48d901ef86cafc5fe8476
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/100mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR auirf7316q.pdf
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 98mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D743AF1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7341q.pdf?ci_sign=6bea7d23124b569e130ea828412fdc252f1025d0
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458E4D7448F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf7342q.pdf?ci_sign=97ff50904365263a4dbd19246af4cbb382583c69
AUIRF7342QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
On-state resistance: 0.17Ω
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1242 1243 1244 1488 1736 1984 2232 2480 2486  [ Наступна Сторінка >> ]