Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149798) > Сторінка 1243 з 2497
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
CY62167DV30LL-55BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY62167EV18LL-55BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY62167EV30LL-45BVXAT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY62168EV30LL-45BVXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 2Mx8bit Access time: 45ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY62177EV30LL-55BAXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 32Mb SRAM Memory organisation: 2Mx16bit Access time: 55ns Case: FBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY62187EV30LL-55BAXIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Case: FBGA48 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SRAM Memory organisation: 4Mx16bit Access time: 55ns Kind of interface: parallel Memory: 64Mb SRAM Supply voltage: 2.2...3.6V DC кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
65DN06B02ELEMXPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
6EDL04I06PTXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
6EDL04N02PR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: TSSOP28 Output current: -0.375...0.24A Number of channels: 6 Supply voltage: 10...17.5V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Technology: EiceDRIVER™ Topology: MOSFET three-phase bridge Voltage class: 200V кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
CY7C1061GE30-10BV1XIT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 1Mx16bit Access time: 10ns Case: VFBGA48 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 2.2...3.6V DC кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY7C1312KV18-250BZXCT | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C Type of integrated circuit: SRAM memory Mounting: SMD Case: FBGA165 Operating temperature: 0...70°C Kind of package: reel; tape Memory: 18Mb SRAM Supply voltage: 1.7...1.9V DC Frequency: 250MHz Kind of memory: SRAM Memory organisation: 1Mx18bit Kind of interface: parallel кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY7C15632KV18-400BZXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY7C25632KV18-550BZXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY7C25652KV18-400BZXI | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
CY7C25652KV18-500BZXC | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C Operating temperature: 0...70°C Case: FBGA165 Supply voltage: 1.7...1.9V DC Frequency: 500MHz Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory organisation: 2Mx36bit Kind of package: in-tray Kind of interface: parallel Memory: 72Mb SRAM Mounting: SMD кількість в упаковці: 1360 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDK08S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDK10S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDK12S65C5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDW10S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDW12S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDW16S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDW20S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDW30S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIDW40S65C5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
AIGW40N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AIGW40N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 31ns Gate charge: 92nC Turn-off time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
AIGW50N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIGW50N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 184ns кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIHD04N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 27nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIHD04N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 19ns Turn-off time: 153ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 27nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
AIHD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AIHD06N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
AIHD10N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ RC Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIHD10N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIHD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIHD15N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 316 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
AIKQ100N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
AIKQ120N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 772nC Kind of package: tube Pulsed collector current: 480A Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ Collector current: 120A Turn-off time: 343ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 600V Turn-on time: 76ns кількість в упаковці: 240 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW20N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 0.12µC Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 60A Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 187W Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 167nC Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 150A Turn-on time: 55ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: F5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 365ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
AIMW120R045M1XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AUIPS2051LTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AUIPS2052GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
AUIPS6031RTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
AUIPS7091GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.12Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET Operating temperature: -40...150°C Power dissipation: 1.25W Application: automotive industry кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
AUIPS7111STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
![]() |
AUIPS71451GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.5A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.1Ω Kind of package: reel Technology: Classic PROFET Operating temperature: -40...150°C Power dissipation: 1.25W Application: automotive industry кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AUIR2085STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Kind of package: reel; tape Output current: -1...1A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 100V Power: 625mW Supply voltage: 10...15V DC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AUIR3240STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 4...36V DC Mounting: SMD Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Voltage class: 40V Output current: 0.3A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AUIR3241STR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 3...36V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Voltage class: 40V Power: 625mW кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
AUIR3242SXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver Case: SO8 Supply voltage: 3...36V DC Mounting: SMD Number of channels: 1 Voltage class: 40V Output current: 0.2A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
AUIR3314STRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
CY62167DV30LL-55BVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
62167DV30LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
62167DV30LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY62167EV18LL-55BVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
62167EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
62167EV18LL55BVXIT Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY62167EV30LL-45BVXAT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
62167EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
62167EV30LL45BVXAT Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY62168EV30LL-45BVXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 45ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 45ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY62177EV30LL-55BAXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 32MbSRAM; 2Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 32Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx16bit
Access time: 55ns
Case: FBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY62187EV30LL-55BAXIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx16bit
Access time: 55ns
Kind of interface: parallel
Memory: 64Mb SRAM
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 64MbSRAM; 4Mx16bit; 55ns; FBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Case: FBGA48
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 4Mx16bit
Access time: 55ns
Kind of interface: parallel
Memory: 64Mb SRAM
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
65DN06B02ELEMXPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
65DN06B02ELEMXPSA1 Diodes - others
65DN06B02ELEMXPSA1 Diodes - others
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
6EDL04I06PTXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
6EDL04I06PTXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
6EDL04I06PTXUMA1 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
6EDL04N02PR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...17.5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET three-phase bridge; EiceDRIVER™; TSSOP28; Ch: 6
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: TSSOP28
Output current: -0.375...0.24A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...17.5V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET three-phase bridge
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY7C1061GE30-10BV1XIT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 10ns; VFBGA48; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 10ns
Case: VFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 2.2...3.6V DC
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY7C1312KV18-250BZXCT |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Memory: 18Mb SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Kind of interface: parallel
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Memory: 18Mb SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 250MHz
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
Kind of interface: parallel
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY7C15632KV18-400BZXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
7C15632KV18400BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
7C15632KV18400BZXC Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY7C25632KV18-550BZXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25632KV18550BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
7C25632KV18550BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY7C25652KV18-400BZXI |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
7C25652KV18400BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
7C25652KV18400BZXI Parallel SRAM memories - integ. circ.
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
CY7C25652KV18-500BZXC |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Case: FBGA165
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 500MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1360 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 72MbSRAM; 2Mx36bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Operating temperature: 0...70°C
Case: FBGA165
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Frequency: 500MHz
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory organisation: 2Mx36bit
Kind of package: in-tray
Kind of interface: parallel
Memory: 72Mb SRAM
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1360 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDK08S65C5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
AIDK08S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDK10S65C5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK10S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
AIDK10S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDK12S65C5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDK12S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
AIDK12S65C5ATMA1 SMD Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDW10S65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW10S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDW12S65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW12S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW12S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDW16S65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW16S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDW20S65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW20S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDW30S65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW30S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIDW40S65C5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
AIDW40S65C5XKSA1 THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIGW40N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 652.05 грн |
3+ | 545.88 грн |
6+ | 496.31 грн |
90+ | 477.04 грн |
AIGW40N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 92nC
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 92nC
Turn-off time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 644.15 грн |
3+ | 425.84 грн |
8+ | 387.14 грн |
240+ | 372.46 грн |
AIGW50N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIGW50N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 184ns
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD04N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 317ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD04N60RFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 75W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 4A
Pulsed collector current: 12A
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 153ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Gate charge: 27nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD06N60RATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
AIHD06N60RATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD06N60RFATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
AIHD06N60RFATMA1 SMD IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD10N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD10N60RFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 30A
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD15N60RATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIHD15N60RFATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKB20N60CTATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 365.54 грн |
3+ | 311.52 грн |
5+ | 259.62 грн |
12+ | 245.86 грн |
250+ | 236.69 грн |
AIKQ100N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
AIKQ100N60CTXKSA1 THT IGBT transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKQ120N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 480A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 120A
Turn-off time: 343ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 76ns
кількість в упаковці: 240 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 480A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
Collector current: 120A
Turn-off time: 343ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-on time: 76ns
кількість в упаковці: 240 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW20N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Pulsed collector current: 60A
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW30N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW40N65DF5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW40N65DH5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW50N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Turn-on time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: F5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW50N65DH5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIKW75N60CTXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AIMW120R045M1XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIPS2051LTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
AUIPS2051LTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIPS2052GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
AUIPS2052GTR Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIPS6031RTRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
AUIPS6031RTRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIPS7091GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.12Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIPS7111STRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
AUIPS7111STRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIPS71451GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.1Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 1.25W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIR2085STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 100V
Power: 625mW
Supply voltage: 10...15V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Output current: -1...1A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 100V
Power: 625mW
Supply voltage: 10...15V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIR3240STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Output current: 0.3A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.3A; Ch: 1; 4÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 4...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Output current: 0.3A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIR3241STR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Power: 625mW
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 625mW; Ch: 1; 40V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 40V
Power: 625mW
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIR3242SXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage class: 40V
Output current: 0.2A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,MOSFET gate driver; SO8; 0.2A; Ch: 1; 3÷36VDC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; MOSFET gate driver
Case: SO8
Supply voltage: 3...36V DC
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Voltage class: 40V
Output current: 0.2A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
AUIR3314STRL |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
AUIR3314STRL Power switches - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.