Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148389) > Сторінка 1237 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1242 1482 1729 1976 2223 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF1324WL AUIRF1324WL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1324wl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S AUIRF1404S INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L AUIRF2804L INFINEON TECHNOLOGIES irf2804.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL AUIRF2804STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES auirf3205z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf3805s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355aca8a713b3 AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRL AUIRF4104STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf4104.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905S AUIRF4905S INFINEON TECHNOLOGIES auirf4905s.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540Z AUIRF540Z INFINEON TECHNOLOGIES auirf540z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.02 грн
7+177.62 грн
18+160.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR INFINEON TECHNOLOGIES irf7103qpbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR AUIRF7309QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7309q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR AUIRF7316QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7316q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 98mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR AUIRF7341QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7341q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR AUIRF7342QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7342q.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR AUIRF7343QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7343q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTR AUIRF7379QTR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7379q.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38/70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7640s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR AUIRF7647S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7647s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7648M2TR AUIRF7648M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7648m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TR AUIRF7665S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7665s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR AUIRF7669L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7669l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR AUIRF7675M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7675m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR AUIRF7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR AUIRF7737L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7737l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR AUIRF7739L2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7739l2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8405 AUIRFB8405 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFB8405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+421.89 грн
3+359.07 грн
4+309.91 грн
10+292.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8407 AUIRFB8407 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFB8407.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 AUIRFB8409 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFB8409.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR AUIRFN7107TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfn7107.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 300W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 300W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 51nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR AUIRFN8459TR INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFN8459.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 40nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024N AUIRFR024N INFINEON TECHNOLOGIES auirfr024n.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFR3504Z.pdf AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4105ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr4105.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL INFINEON TECHNOLOGIES auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8405TRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0008053586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8403 AUIRFSL8403 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFSL8403.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; 99W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 99W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRFSL8407.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44VZS INFINEON TECHNOLOGIES auirfz44vzs.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f03f1507 AUIRFZ44VZS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S AUIRG4PH50S INFINEON TECHNOLOGIES auirg4ph50s.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP35B60PD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4062D AUIRGP4062D INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP4062D.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
кількість в упаковці: 400 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGP4066D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGSL4062D1 AUIRGSL4062D1 INFINEON TECHNOLOGIES AUIRGx4062D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 72A
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+408.02 грн
3+367.66 грн
4+343.01 грн
9+324.62 грн
50+311.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL AUIRL1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirl1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL7732S2TR AUIRL7732S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirl7732s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL7736M2TR AUIRL7736M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirl7736m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL7766M2TR AUIRL7766M2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirl7766m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 62.5W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 62.5W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRLR2905Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 240A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS19250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRLS3034.pdf AUIRLS3034 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.86 грн
25+12.80 грн
100+10.85 грн
115+9.56 грн
310+9.01 грн
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
20+14.86 грн
25+12.80 грн
100+10.85 грн
115+9.56 грн
310+9.01 грн
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BA885E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAx95-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.19...0.45pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
64+4.65 грн
66+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BA89202VH6127XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
35+8.52 грн
58+4.97 грн
100+3.65 грн
403+2.68 грн
1106+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+22.78 грн
17+17.67 грн
25+13.57 грн
100+8.47 грн
237+4.55 грн
651+4.30 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
13+23.77 грн
19+15.38 грн
25+11.18 грн
100+7.25 грн
194+5.56 грн
500+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL auirf1324wl.pdf
AUIRF1324WL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404S auirf1404s.pdf
AUIRF1404S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL auirf1404s.pdf
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL auirf1404z.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804L irf2804.pdf
AUIRF2804L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL auirf2804.pdf
AUIRF2804STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z auirf3205z.pdf
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3805S-7P auirf3805s-7p.pdf?fileId=5546d462533600a4015355aca8a713b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRF3805S-7P SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4104STRL auirf4104.pdf
AUIRF4104STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 68nC
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF4905S auirf4905s.pdf
AUIRF4905S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF540Z auirf540z.pdf
AUIRF540Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
On-state resistance: 26.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 92W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.02 грн
7+177.62 грн
18+160.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7103QTR irf7103qpbf.pdf
AUIRF7103QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 10nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7309QTR auirf7309q.pdf
AUIRF7309QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7316QTR auirf7316q.pdf
AUIRF7316QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 98mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7341QTR auirf7341q.pdf
AUIRF7341QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 5.1A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 29nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7342QTR auirf7342q.pdf
AUIRF7342QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 26nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7343QTR auirf7343q.pdf
AUIRF7343QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 4.7W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 4.7W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43/95mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7379QTR auirf7379q.pdf
AUIRF7379QTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 5.8/-4.3A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.8/-4.3A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38/70mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR auirf7640s2.pdf
AUIRF7640S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7647S2TR auirf7647s2.pdf
AUIRF7647S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7648M2TR auirf7648m2.pdf
AUIRF7648M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 68A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7665S2TR auirf7665s2.pdf
AUIRF7665S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14.4A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14.4A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 30W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7669L2TR auirf7669l2.pdf
AUIRF7669L2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 114A; 100W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 114A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7675M2TR auirf7675m2.pdf
AUIRF7675M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 18A; 45W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 18A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 45W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7736M2TR auirf7736m2.pdf
AUIRF7736M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 108A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 108A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7737L2TR auirf7737l2.pdf
AUIRF7737L2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 156A; 83W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 156A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 83W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7739L2TR auirf7739l2.pdf
AUIRF7739L2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 125W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 125W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8405 AUIRFB8405.pdf
AUIRFB8405
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 163W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 163W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+421.89 грн
3+359.07 грн
4+309.91 грн
10+292.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8407 AUIRFB8407.pdf
AUIRFB8407
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFB8409 AUIRFB8409.pdf
AUIRFB8409
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 195A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN7107TR auirfn7107.pdf
AUIRFN7107TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 53A; 300W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 53A
Power dissipation: 300W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 51nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFN8459TR AUIRFN8459.pdf
AUIRFN8459TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 50W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Gate charge: 40nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR024N auirfr024n.pdf
AUIRFR024N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR3504Z AUIRFR3504Z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFR3504Z SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR4105ZTRL auirfr4105.pdf
AUIRFR4105ZTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf
AUIRFR5305TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TRL auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -22A; Idm: -110A; 110W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -22A
Power dissipation: 110W
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 65mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -110A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR8405TRL INFN-S-A0008053586-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 804A; 163W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
Power dissipation: 163W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.98mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 804A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR9024NTRL INFN-S-A0002298863-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8A; Idm: -44A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -44A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8403 AUIRFSL8403.pdf
AUIRFSL8403
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 87A; 99W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 87A
Power dissipation: 99W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFSL8407 AUIRFSL8407.pdf
AUIRFSL8407
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; TO262
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 150nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFZ44VZS auirfz44vzs.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b9f03f1507
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFZ44VZS SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50S auirg4ph50s.pdf
AUIRG4PH50S
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 81A; 217W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 81A
Power dissipation: 217W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 99A
Mounting: THT
Gate charge: 227nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 75 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD.pdf
AUIRGP35B60PD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4062D AUIRGP4062D.pdf
AUIRGP4062D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 24A; 125W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 24A
Power dissipation: 125W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 64ns
Turn-off time: 164ns
кількість в упаковці: 400 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP4066D1 AUIRGP4066D1.pdf
AUIRGP4066D1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 90A; 227W; TO247AC
Mounting: THT
Case: TO247AC
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 115ns
Turn-off time: 320ns
Type of transistor: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 227W
Kind of package: tube
Gate charge: 225nC
Technology: Trench
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGSL4062D1 AUIRGx4062D1.pdf
AUIRGSL4062D1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 72A
Collector current: 39A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 123W
Gate charge: 77nC
Technology: Trench
Gate-emitter voltage: ±20V
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+408.02 грн
3+367.66 грн
4+343.01 грн
9+324.62 грн
50+311.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL1404ZSTRL auirl1404s.pdf
AUIRL1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; Idm: 790A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL7732S2TR auirl7732s2.pdf
AUIRL7732S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 58A; 41W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 58A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 41W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL7736M2TR auirl7736m2.pdf
AUIRL7736M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 112A; 63W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 112A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 63W
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRL7766M2TR auirl7766m2.pdf
AUIRL7766M2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 62.5W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 62.5W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 4800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLR2905ZTRL AUIRLR2905Z.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 42A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 42A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 240A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRLS3034 IRSDS19250-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw AUIRLS3034.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRLS3034 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.86 грн
25+12.80 грн
100+10.85 грн
115+9.56 грн
310+9.01 грн
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
20+14.86 грн
25+12.80 грн
100+10.85 грн
115+9.56 грн
310+9.01 грн
3000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BA885E6327 BAx95-DTE.pdf
BA885E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 50mA; SOT23; single diode; reel,tape
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 50mA
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.19...0.45pF
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
64+4.65 грн
66+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
BA89202VH6127XTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA89202VH6127XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SC79; single diode; 120ns; Ufmax: 1V
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Capacitance: 0.6...1.4pF
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 120ns
Leakage current: 20nA
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
35+8.52 грн
58+4.97 грн
100+3.65 грн
403+2.68 грн
1106+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.78 грн
17+17.67 грн
25+13.57 грн
100+8.47 грн
237+4.55 грн
651+4.30 грн
5000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+23.77 грн
19+15.38 грн
25+11.18 грн
100+7.25 грн
194+5.56 грн
500+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1232 1233 1234 1235 1236 1237 1238 1239 1240 1241 1242 1482 1729 1976 2223 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]