Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149352) > Сторінка 1262 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.87 грн
3+445.94 грн
8+406.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482 IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1235.95 грн
2+904.46 грн
4+855.05 грн
30+853.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 150A
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1926.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 IPA037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.08 грн
3+261.45 грн
7+178.61 грн
18+169.11 грн
1000+168.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 IPA041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A022E1D1611C&compId=IPA041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=d7d4fe71e4f10ac884101f60b895bb06e6b23eaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.30 грн
23+50.91 грн
63+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 IPA057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99D203175811C&compId=IPA057N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=8120eafd3b66acc9439c1bdc8098043f3d669323 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.7mΩ
Drain current: 60A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.72 грн
10+185.48 грн
12+96.91 грн
32+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.39 грн
10+99.76 грн
13+86.46 грн
36+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+559.66 грн
4+348.67 грн
9+329.67 грн
50+328.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 IPA083N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4E2EDEAF411C&compId=IPA083N10N5-DTE.pdf?ci_sign=817546629e601f5d037ddd3655bcce94dee0b121 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+184.17 грн
9+141.08 грн
23+128.26 грн
50+126.36 грн
100+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 IPA083N10NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.47 грн
3+133.19 грн
10+113.06 грн
11+101.66 грн
31+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 IPA086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4FE93D5EE11C&compId=IPA086N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=e123d9ce3cc8a378efbf0b9a0f3f766723283fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 37.5W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.30 грн
10+102.61 грн
15+74.10 грн
42+70.30 грн
500+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 IPA50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.47 грн
50+355.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 IPA50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE91C89A0F71CC&compId=IPA50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=0316e1852350f0edf6d6295d7a00b4c2acf40bde Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+203.60 грн
9+136.15 грн
24+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDED9A02745B1CC&compId=IPA50R280CE-DTE.pdf?ci_sign=a066060a8e4fa79cb0804ec9d84befd498ce3cdc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.31 грн
10+75.87 грн
19+58.81 грн
53+55.58 грн
250+54.82 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 IPA50R380CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+111.52 грн
5+77.35 грн
10+68.78 грн
20+56.24 грн
50+56.15 грн
55+53.11 грн
100+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDC265D9431CC&compId=IPA50R950CE-DTE.pdf?ci_sign=2024861169eaf55680772217cf6cf99de93e0ce2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+54.23 грн
28+42.33 грн
76+38.57 грн
100+38.19 грн
200+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 IPA60R125C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+412.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 IPA60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.75 грн
3+467.65 грн
4+313.52 грн
10+296.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 IPA60R180P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 20W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.63 грн
10+108.53 грн
11+102.61 грн
30+97.86 грн
50+96.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.77 грн
10+123.32 грн
13+86.46 грн
36+81.70 грн
1000+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 IPA60R230P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CD74818F51BF&compId=IPA60R230P6-DTE.pdf?ci_sign=4eded1c8a7f006aee967ee72659e80ba3017b516 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 16.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.28 грн
9+140.10 грн
23+127.31 грн
250+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 IPA60R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C3FCF1A931BF&compId=IPA60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ff2c74d461761c5dd4f594410d6756d5d454b154 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ E6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.28 грн
10+110.21 грн
11+105.46 грн
29+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 IPA60R280P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CE7C0F3D91BF&compId=IPA60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=08d1d6408669e5a7e598c7bb06f1d1dca39becfb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.64 грн
10+133.01 грн
11+110.21 грн
28+103.56 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.24 грн
10+37.39 грн
34+33.73 грн
50+32.30 грн
91+31.92 грн
100+31.26 грн
500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.54 грн
10+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D86E790811BF&compId=IPA60R650CE-DTE.pdf?ci_sign=b48a70375863e2e7469ef2c4c15db26199e76ea3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.34 грн
4+89.78 грн
10+73.15 грн
16+72.20 грн
43+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CAECCFE3B1BF&compId=IPA65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=021fbd4cdff9db126bcf3787abcc493e074c7a0c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+299.78 грн
7+191.40 грн
17+174.81 грн
100+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.47 грн
9+138.71 грн
23+132.06 грн
50+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2D42B08E5D1BF&compId=IPA65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=47e2817ed3d474dc4a948fe7cff81ace936c2fee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+157.56 грн
10+147.00 грн
12+97.86 грн
32+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2E2F54B0DD1BF&compId=IPA65R650CE-DTE.pdf?ci_sign=2a62d78fe10808ff5baf4319fa8a6c11b583d570 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+92.08 грн
10+55.05 грн
28+40.47 грн
76+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.03 грн
10+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB95AF739EA02EA0C7&compId=IPA80R1K0CE.pdf?ci_sign=56fb0d01ca4bd2418bde8aa3283e401ed1ec8ba7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.41 грн
13+94.71 грн
34+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.21 грн
9+129.24 грн
25+116.86 грн
100+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.22 грн
10+103.59 грн
16+73.15 грн
42+69.35 грн
250+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.89 грн
10+96.69 грн
17+66.50 грн
47+62.70 грн
250+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.91 грн
16+75.05 грн
42+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9B7CCE93EF6143&compId=IPA95R450P7.pdf?ci_sign=b5017dd83b3f6c315c45a347e528ef15f2f64f93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.74 грн
7+165.75 грн
20+151.06 грн
50+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC97987B2DB3D1&compId=IPAN70R360P7S.pdf?ci_sign=446f33d5ce1d514e84e92d4725288808af0d1e4f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.28 грн
10+100.71 грн
17+67.45 грн
46+63.65 грн
100+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC8794563FF3D1&compId=IPAN70R450P7S.pdf?ci_sign=94ee71f1b57ed1bc518b4bfc42cee46d73a2060c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 22.7W
Drain-source voltage: 700V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.85 грн
5+68.08 грн
10+57.95 грн
50+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 20.8W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+48.09 грн
8+40.45 грн
10+36.58 грн
32+35.25 грн
50+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.83 грн
8+154.90 грн
21+140.61 грн
200+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+474.74 грн
3+407.47 грн
4+296.42 грн
11+280.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae88a47a856b1 IPB030N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+349.91 грн
9+125.41 грн
25+118.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+554.54 грн
5+515.00 грн
25+481.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+562.73 грн
4+339.17 грн
10+321.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 IPB60R180C7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.00 грн
9+137.14 грн
24+124.46 грн
50+119.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 IPB60R360P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 IPB80N06S2L07ATMA3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3824202448143&compId=IPB80N06S2L07.pdf?ci_sign=8bcfcd26c285b239e9002caf6ee87aba273bb8d7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.23 грн
9+138.12 грн
24+125.41 грн
100+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 IPD025N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 167W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.14 грн
5+145.03 грн
50+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 IPD031N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.50 грн
24+48.36 грн
64+45.70 грн
1000+45.13 грн
2500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.14 грн
5+159.83 грн
9+126.36 грн
25+119.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 IPD040N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.41 грн
10+65.12 грн
36+31.35 грн
99+29.64 грн
2500+29.07 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.45 грн
10+53.37 грн
27+41.42 грн
75+39.14 грн
100+38.67 грн
500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.95 грн
10+39.37 грн
78+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 IPD075N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.88 грн
10+29.07 грн
42+26.79 грн
50+24.99 грн
100+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 IPD082N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE120237C411C&compId=IPD082N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=1b478a229b725d8d0d4ac482a6f0ab481602057e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.45 грн
10+81.89 грн
19+61.75 грн
50+57.95 грн
1000+57.00 грн
2500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.46 грн
6+52.49 грн
10+47.41 грн
35+32.68 грн
94+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N65ES5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF2FA50F9BEF820&compId=IKW75N65ES5.pdf?ci_sign=f17c5f5d53b9ed23579e020b6774d9134f3ac3f1
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 197W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 197W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 164nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 86ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 80A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Collector-emitter voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.87 грн
3+445.94 грн
8+406.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMW65R072M1HXKSA1 Infineon-IMW65R072M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85c9c62a0482
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1235.95 грн
2+904.46 грн
4+855.05 грн
30+853.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon-IMZ120R030M1H-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a92fdcc776696
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Kind of package: tube
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 150A
Gate-source voltage: -7...23V
Drain current: 45A
On-state resistance: 57mΩ
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1926.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon-IMZA65R048M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f229553016f85d9ac090535
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA3A9933A0411C&compId=IPA037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=6b115aba7aa7ae88218f5a510759582c14070b7e
IPA037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of package: tube
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Power dissipation: 41W
Drain current: 75A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.08 грн
3+261.45 грн
7+178.61 грн
18+169.11 грн
1000+168.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9A022E1D1611C&compId=IPA041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=d7d4fe71e4f10ac884101f60b895bb06e6b23eaf
IPA041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.30 грн
23+50.91 грн
63+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA057N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E99D203175811C&compId=IPA057N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=8120eafd3b66acc9439c1bdc8098043f3d669323
IPA057N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 38W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.7mΩ
Drain current: 60A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 38W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.72 грн
10+185.48 грн
12+96.91 грн
32+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.39 грн
10+99.76 грн
13+86.46 грн
36+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304325afd6e0012627a00c6821de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.66 грн
4+348.67 грн
9+329.67 грн
50+328.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10N5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4E2EDEAF411C&compId=IPA083N10N5-DTE.pdf?ci_sign=817546629e601f5d037ddd3655bcce94dee0b121
IPA083N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 36W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 44A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 36W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.17 грн
9+141.08 грн
23+128.26 грн
50+126.36 грн
100+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA083N10NM5SXKSA1 Infineon-IPA083N10NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cfe00a06e30
IPA083N10NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 200A; 36W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.3mΩ
Drain current: 35A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 36W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.47 грн
3+133.19 грн
10+113.06 грн
11+101.66 грн
31+95.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA086N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA4FE93D5EE11C&compId=IPA086N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=e123d9ce3cc8a378efbf0b9a0f3f766723283fc7
IPA086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; 37.5W; TO220FP
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8.6mΩ
Drain current: 45A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 37.5W
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.30 грн
10+102.61 грн
15+74.10 грн
42+70.30 грн
500+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R140CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE98C7662FB1CC&compId=IPA50R140CP-DTE.pdf?ci_sign=033dd76ef175478e8a4c85b0e52a6e30ef436f90
IPA50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.14Ω
Drain current: 23A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.47 грн
50+355.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R250CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDE91C89A0F71CC&compId=IPA50R250CP-DTE.pdf?ci_sign=0316e1852350f0edf6d6295d7a00b4c2acf40bde
IPA50R250CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.60 грн
9+136.15 грн
24+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDED9A02745B1CC&compId=IPA50R280CE-DTE.pdf?ci_sign=a066060a8e4fa79cb0804ec9d84befd498ce3cdc
IPA50R280CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30.4W
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.31 грн
10+75.87 грн
19+58.81 грн
53+55.58 грн
250+54.82 грн
500+53.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R380CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEE3A21EC971CC&compId=IPA50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=ae539e39bc820f04d252019de81e3c5f64c466e6
IPA50R380CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
Power dissipation: 29.2W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+111.52 грн
5+77.35 грн
10+68.78 грн
20+56.24 грн
50+56.15 грн
55+53.11 грн
100+53.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABDEDC265D9431CC&compId=IPA50R950CE-DTE.pdf?ci_sign=2024861169eaf55680772217cf6cf99de93e0ce2
IPA50R950CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.23 грн
28+42.33 грн
76+38.57 грн
100+38.19 грн
200+37.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B83B2F8B51BF&compId=IPA60R125C6-DTE.pdf?ci_sign=595dee37e8707623102b3824db3424cc58000d4f
IPA60R125C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+412.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594B6BA600A71BF&compId=IPA60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=56ee650e05b7d6255b4dfadc36d35067290454a6
IPA60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.75 грн
3+467.65 грн
4+313.52 грн
10+296.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R180P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDABD8113AB477520C7&compId=IPA60R180P7S.pdf?ci_sign=d8222d4a5b6ce829d39dbad5c90c25d3abcbc850
IPA60R180P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 53A
Power dissipation: 20W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.63 грн
10+108.53 грн
11+102.61 грн
30+97.86 грн
50+96.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C967A58C71BF&compId=IPA60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=103642d66197600c23afd64a60a16e360317670a
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.77 грн
10+123.32 грн
13+86.46 грн
36+81.70 грн
1000+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R230P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CD74818F51BF&compId=IPA60R230P6-DTE.pdf?ci_sign=4eded1c8a7f006aee967ee72659e80ba3017b516
IPA60R230P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16.8A; 33W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.23Ω
Drain current: 16.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.28 грн
9+140.10 грн
23+127.31 грн
250+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594C3FCF1A931BF&compId=IPA60R280E6-DTE.pdf?ci_sign=ff2c74d461761c5dd4f594410d6756d5d454b154
IPA60R280E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ E6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.28 грн
10+110.21 грн
11+105.46 грн
29+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594CE7C0F3D91BF&compId=IPA60R280P6-DTE.pdf?ci_sign=08d1d6408669e5a7e598c7bb06f1d1dca39becfb
IPA60R280P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 13.8A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.64 грн
10+133.01 грн
11+110.21 грн
28+103.56 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 26A
Power dissipation: 22W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.24 грн
10+37.39 грн
34+33.73 грн
50+32.30 грн
91+31.92 грн
100+31.26 грн
500+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D5CFAA7B11BF&compId=IPA60R400CE-DTE.pdf?ci_sign=e5e1233d9c0593ec69716be1ffa0f326d68ab466
IPA60R400CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 10.3A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 204 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.54 грн
10+97.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594D86E790811BF&compId=IPA60R650CE-DTE.pdf?ci_sign=b48a70375863e2e7469ef2c4c15db26199e76ea3
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 600V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.34 грн
4+89.78 грн
10+73.15 грн
16+72.20 грн
43+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2CAECCFE3B1BF&compId=IPA65R190E6-DTE.pdf?ci_sign=021fbd4cdff9db126bcf3787abcc493e074c7a0c
IPA65R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 20.2A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 34W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.78 грн
7+191.40 грн
17+174.81 грн
100+167.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.47 грн
9+138.71 грн
23+132.06 грн
50+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2D42B08E5D1BF&compId=IPA65R380C6-DTE.pdf?ci_sign=47e2817ed3d474dc4a948fe7cff81ace936c2fee
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.38Ω
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 31W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.56 грн
10+147.00 грн
12+97.86 грн
32+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AEF2E2F54B0DD1BF&compId=IPA65R650CE-DTE.pdf?ci_sign=2a62d78fe10808ff5baf4319fa8a6c11b583d570
IPA65R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.08 грн
10+55.05 грн
28+40.47 грн
76+38.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
IPA70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.03 грн
10+57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB95AF739EA02EA0C7&compId=IPA80R1K0CE.pdf?ci_sign=56fb0d01ca4bd2418bde8aa3283e401ed1ec8ba7
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 31nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 3.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.41 грн
13+94.71 грн
34+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
IPA80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.36Ω
Drain current: 8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.21 грн
9+129.24 грн
25+116.86 грн
100+115.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD1AA640E0143&compId=IPA80R750P7.pdf?ci_sign=4f7ec53a557f057124394852a266cc03e1af40b5
IPA80R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 26W
Drain-source voltage: 800V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.22 грн
10+103.59 грн
16+73.15 грн
42+69.35 грн
250+66.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89E8DD451B19C0143&compId=IPA80R900P7.pdf?ci_sign=4099e9ca1d487bf2abc3da68f46df64d1678847d
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.89 грн
10+96.69 грн
17+66.50 грн
47+62.70 грн
250+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 infineon-ipa95r1k2p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.91 грн
16+75.05 грн
42+70.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9B7CCE93EF6143&compId=IPA95R450P7.pdf?ci_sign=b5017dd83b3f6c315c45a347e528ef15f2f64f93
IPA95R450P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 30W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 950V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.74 грн
7+165.75 грн
20+151.06 грн
50+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC97987B2DB3D1&compId=IPAN70R360P7S.pdf?ci_sign=446f33d5ce1d514e84e92d4725288808af0d1e4f
IPAN70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 26.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.28 грн
10+100.71 грн
17+67.45 грн
46+63.65 грн
100+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC8794563FF3D1&compId=IPAN70R450P7S.pdf?ci_sign=94ee71f1b57ed1bc518b4bfc42cee46d73a2060c
IPAN70R450P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 6.5A; 22.7W; TO220FP; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220FP
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.1nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 22.7W
Drain-source voltage: 700V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.85 грн
5+68.08 грн
10+57.95 грн
50+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFC73D185F653D1&compId=IPAN70R750P7S.pdf?ci_sign=8dce55abf8132a1c9306f3e6d758a5133e9ded1c
IPAN70R750P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±16V
Power dissipation: 20.8W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.09 грн
8+40.45 грн
10+36.58 грн
32+35.25 грн
50+32.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5C7CC0918A11C&compId=IPB014N06N-DTE.pdf?ci_sign=f6b6dd04892827bdcb42159d802d491c958ff46c
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.9mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.83 грн
8+154.90 грн
21+140.61 грн
200+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+474.74 грн
3+407.47 грн
4+296.42 грн
11+280.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae88a47a856b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB030N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.91 грн
9+125.41 грн
25+118.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBCC450370611C&compId=IPB107N20NA-DTE.pdf?ci_sign=95e67b89e8669e5b30bbb7d2de564a5b3a2d6af1
IPB107N20NAATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.54 грн
5+515.00 грн
25+481.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.73 грн
4+339.17 грн
10+321.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R180C7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA36D388DCE6143&compId=IPB60R180C7.pdf?ci_sign=6efc51a6c3abf5b6fbce0ca5738317783afa99b6
IPB60R180C7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.18Ω
Drain current: 8A
Power dissipation: 68W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 936 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.00 грн
9+137.14 грн
24+124.46 грн
50+119.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R360P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE8968175445EF773D6&compId=IPB60R360P7.pdf?ci_sign=40ccf4ce5ead59d45d23717572646c4e08f7e2b7
IPB60R360P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 41W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2L07ATMA3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3824202448143&compId=IPB80N06S2L07.pdf?ci_sign=8bcfcd26c285b239e9002caf6ee87aba273bb8d7
IPB80N06S2L07ATMA3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 210W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 210W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 881 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.23 грн
9+138.12 грн
24+125.41 грн
100+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD025N06NATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A698F4A16FDCE11C&compId=IPD025N06N-DTE.pdf?ci_sign=4dbecac78d95e03a4f1e5519dd4a358c3fbeeacd
IPD025N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO252-3
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2.5mΩ
Drain current: 90A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 167W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.14 грн
5+145.03 грн
50+134.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F316ADF575611C&compId=IPD031N03LG-DTE.pdf?ci_sign=44aace7bc3066b2eb9d2220bfd76a10eefb1118b
IPD031N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.50 грн
24+48.36 грн
64+45.70 грн
1000+45.13 грн
2500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAAC938B42011C&compId=IPD031N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=956ec9d4fd9e72f0920c828b3865ef21092a25df
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.14 грн
5+159.83 грн
9+126.36 грн
25+119.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BABC34B7B3E11C&compId=IPD034N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=3395175fdad7c29d5693c15a03df835870be8966
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD040N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31B6D92D6611C&compId=IPD040N03LG-DTE.pdf?ci_sign=c43f580ccbbda67e3eef56e4bc1c1ff14680a8f1
IPD040N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 79A; 94W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 79A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.41 грн
10+65.12 грн
36+31.35 грн
99+29.64 грн
2500+29.07 грн
5000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F31FCD9EF4C11C&compId=IPD050N03LG-DTE.pdf?ci_sign=d06db5c93bba5c2107dc7137cf96d635f8618866
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.45 грн
10+53.37 грн
27+41.42 грн
75+39.14 грн
100+38.67 грн
500+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD060N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F322FAA4E5C11C&compId=IPD060N03LG-DTE.pdf?ci_sign=7dd05ce845a4f67fba2b0dcdc3fd5e00f47869b8
IPD060N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 43A; 56W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 43A
Power dissipation: 56W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.95 грн
10+39.37 грн
78+37.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD075N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F32ECE512BE11C&compId=IPD075N03LG-DTE.pdf?ci_sign=0043c8fce757839b3a1d71add383451290e8ae9e
IPD075N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 35A; 47W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Power dissipation: 47W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.88 грн
10+29.07 грн
42+26.79 грн
50+24.99 грн
100+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD082N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE120237C411C&compId=IPD082N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=1b478a229b725d8d0d4ac482a6f0ab481602057e
IPD082N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.45 грн
10+81.89 грн
19+61.75 грн
50+57.95 грн
1000+57.00 грн
2500+56.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD090N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F33308FC6DE11C&compId=IPD090N03LG-DTE.pdf?ci_sign=9a4be819311a50a24b55811cccea1abba829cef9
IPD090N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
6+52.49 грн
10+47.41 грн
35+32.68 грн
94+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]