Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149242) > Сторінка 1265 з 2488

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1488 1736 1984 2232 2480 2488  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3412F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=247116e3d5b7bad6858a091480152cfde4abe4bd description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.64 грн
7+166.81 грн
19+158.28 грн
100+155.44 грн
1000+151.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC18200CC175EA&compId=IR2113SPBF.pdf?ci_sign=445f264982eff687f2c3ea74a5c723ef83eaa518 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.20 грн
3+310.04 грн
6+218.94 грн
15+206.62 грн
225+199.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DE9CE83C8194469&compId=IR2113STRPBF.pdf?ci_sign=f472be02cbac0b51bd26e1eb6c28c6572262f783 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.31 грн
5+187.99 грн
9+125.11 грн
25+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SSOP24
Output current: -1.5...1A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+705.30 грн
2+651.57 грн
5+592.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.85 грн
8+157.33 грн
20+148.80 грн
250+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.79 грн
5+104.33 грн
10+95.73 грн
13+91.94 грн
25+89.09 грн
34+86.25 грн
50+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF IR2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.90 грн
10+106.30 грн
13+91.94 грн
34+86.25 грн
570+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF IR2121PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3435F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2121.pdf?ci_sign=4d77a02a8631da77342e11256952e1a66283c551 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2...1A
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 5V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.22 грн
3+187.01 грн
10+171.55 грн
17+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF IR2125PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD343CF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2125.pdf?ci_sign=fc623d6f605dc7bc7e85d06d16abb2dbd919b7f4 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -2...1A
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.86 грн
7+177.24 грн
18+167.76 грн
250+161.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD87EC7AFA215EA&compId=IR2125SPBF.pdf?ci_sign=b60eafeb4583121eca344b2f0d5705418b1dc179 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO16
Output current: -2...1A
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.99 грн
7+178.15 грн
18+162.07 грн
90+160.18 грн
270+156.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.68 грн
5+195.86 грн
7+176.29 грн
10+172.50 грн
18+166.81 грн
25+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.22 грн
9+136.81 грн
24+124.16 грн
570+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.06 грн
3+176.18 грн
10+157.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3443F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2127spbf.pdf?ci_sign=203f11987e306e198516b74fa296a60c82b6b5ef Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.57 грн
10+122.05 грн
27+110.89 грн
2565+107.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.02 грн
8+157.48 грн
10+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF IR2130SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD344AF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2130_2132.pdf?ci_sign=f85032c07ef2df25a862e6332adad85ea7e18b34 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.97 грн
3+437.99 грн
8+399.02 грн
10+388.59 грн
25+383.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+480.75 грн
3+419.29 грн
8+381.96 грн
27+377.22 грн
1134+367.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IR2133SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+685.91 грн
3+547.24 грн
6+498.54 грн
25+478.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1086.02 грн
2+785.43 грн
5+714.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+530.76 грн
10+498.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3474F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2153.pdf?ci_sign=4af5f815948fd1ff289fb81e6867b860118ddf46 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.69 грн
5+109.25 грн
10+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+220.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF IR21834SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+358.26 грн
3+306.10 грн
5+254.96 грн
12+241.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+335.81 грн
8+162.40 грн
20+147.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.74 грн
8+156.49 грн
21+142.17 грн
500+139.33 грн
5000+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+260.28 грн
3+235.23 грн
7+181.03 грн
17+171.55 грн
50+164.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.28 грн
3+184.05 грн
9+136.48 грн
23+128.90 грн
500+126.06 грн
1000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+518.51 грн
3+429.13 грн
8+390.49 грн
10+375.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Case: PLCC44
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Supply voltage: 10...20V DC
Power: 2W
Voltage class: 1.2kV
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+677.74 грн
10+637.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+155.15 грн
10+114.17 грн
18+65.40 грн
48+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+318.46 грн
5+263.78 грн
13+240.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA49DF8BDAB53D7&compId=ir2304.pdf?ci_sign=7f72118dd22d9864326e5acc4031a73c65be54a0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -130...60mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.79 грн
5+114.17 грн
10+98.57 грн
12+97.62 грн
25+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Supply voltage: 6...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 85ns
Power: 1W
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.85 грн
9+135.83 грн
24+123.21 грн
50+120.37 грн
100+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 6...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 85ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.46 грн
10+92.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 136A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 441W
Pulsed drain current: 690A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+298.04 грн
8+157.48 грн
21+143.12 грн
2000+138.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 221W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.27 грн
10+95.47 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
2000+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+86.76 грн
10+77.56 грн
24+48.34 грн
64+45.68 грн
500+44.45 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.69 грн
10+109.25 грн
19+60.66 грн
51+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.70 грн
10+56.99 грн
27+42.08 грн
73+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.07 грн
10+84.64 грн
24+48.34 грн
64+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.57 грн
5+82.28 грн
10+72.89 грн
32+35.73 грн
86+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.63 грн
5+104.33 грн
10+90.99 грн
20+55.92 грн
55+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.01 грн
14+88.58 грн
37+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.00 грн
10+101.38 грн
20+57.82 грн
54+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57AA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1324pbf.pdf?ci_sign=acd484969284c33c68b4f85f5b08d355fbc80d72 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.02 грн
9+130.90 грн
25+119.42 грн
100+117.53 грн
200+114.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.05 грн
9+136.81 грн
24+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.13 грн
10+219.49 грн
12+100.47 грн
31+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.44 грн
10+135.83 грн
17+67.29 грн
46+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.54 грн
10+126.97 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
1600+70.14 грн
2400+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.38 грн
10+79.13 грн
20+58.67 грн
53+55.45 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.54 грн
10+128.94 грн
13+91.94 грн
34+87.20 грн
250+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.04 грн
10+163.38 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.93 грн
10+104.33 грн
13+90.04 грн
35+85.30 грн
100+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.91 грн
5+177.16 грн
10+143.12 грн
11+108.05 грн
29+102.36 грн
50+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225 IRF250P225 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5E6B7DDCB8A18&compId=IRF250P225.pdf?ci_sign=a24623db79b4550212f4261372c78bcb6e01d720 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+552.20 грн
3+423.22 грн
8+384.80 грн
25+370.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.54 грн
10+127.95 грн
12+93.83 грн
33+89.09 грн
500+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.84 грн
10+168.31 грн
11+109.94 грн
28+103.31 грн
500+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.19 грн
15+77.76 грн
42+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3412F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=247116e3d5b7bad6858a091480152cfde4abe4bd
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.64 грн
7+166.81 грн
19+158.28 грн
100+155.44 грн
1000+151.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC18200CC175EA&compId=IR2113SPBF.pdf?ci_sign=445f264982eff687f2c3ea74a5c723ef83eaa518
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.20 грн
3+310.04 грн
6+218.94 грн
15+206.62 грн
225+199.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DE9CE83C8194469&compId=IR2113STRPBF.pdf?ci_sign=f472be02cbac0b51bd26e1eb6c28c6572262f783
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 923 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.31 грн
5+187.99 грн
9+125.11 грн
25+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SSOP24
Output current: -1.5...1A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+705.30 грн
2+651.57 грн
5+592.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.85 грн
8+157.33 грн
20+148.80 грн
250+143.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.79 грн
5+104.33 грн
10+95.73 грн
13+91.94 грн
25+89.09 грн
34+86.25 грн
50+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.90 грн
10+106.30 грн
13+91.94 грн
34+86.25 грн
570+83.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3435F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2121.pdf?ci_sign=4d77a02a8631da77342e11256952e1a66283c551
IR2121PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2...1A
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 5V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.22 грн
3+187.01 грн
10+171.55 грн
17+170.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD343CF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2125.pdf?ci_sign=fc623d6f605dc7bc7e85d06d16abb2dbd919b7f4
IR2125PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -2...1A
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.86 грн
7+177.24 грн
18+167.76 грн
250+161.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD87EC7AFA215EA&compId=IR2125SPBF.pdf?ci_sign=b60eafeb4583121eca344b2f0d5705418b1dc179
IR2125SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO16
Output current: -2...1A
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 500V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
Topology: single transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.99 грн
7+178.15 грн
18+162.07 грн
90+160.18 грн
270+156.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR21271PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.68 грн
5+195.86 грн
7+176.29 грн
10+172.50 грн
18+166.81 грн
25+160.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR21271SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.22 грн
9+136.81 грн
24+124.16 грн
570+119.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.06 грн
3+176.18 грн
10+157.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3443F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2127spbf.pdf?ci_sign=203f11987e306e198516b74fa296a60c82b6b5ef
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.57 грн
10+122.05 грн
27+110.89 грн
2565+107.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR2128SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.02 грн
8+157.48 грн
10+137.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD344AF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2130_2132.pdf?ci_sign=f85032c07ef2df25a862e6332adad85ea7e18b34
IR2130SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.97 грн
3+437.99 грн
8+399.02 грн
10+388.59 грн
25+383.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.75 грн
3+419.29 грн
8+381.96 грн
27+377.22 грн
1134+367.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4
IR2132SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2133SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.91 грн
3+547.24 грн
6+498.54 грн
25+478.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Power: 2W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1086.02 грн
2+785.43 грн
5+714.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+530.76 грн
10+498.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3474F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2153.pdf?ci_sign=4af5f815948fd1ff289fb81e6867b860118ddf46
IR2153SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.69 грн
5+109.25 грн
10+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR21834SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.26 грн
3+306.10 грн
5+254.96 грн
12+241.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR2183SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.81 грн
8+162.40 грн
20+147.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.74 грн
8+156.49 грн
21+142.17 грн
500+139.33 грн
5000+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.28 грн
3+235.23 грн
7+181.03 грн
17+171.55 грн
50+164.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD8B16EEA5795EA&compId=IR21844SPBF.pdf?ci_sign=debc10ee09be372e9e0df7dfdb6de80894025ee5
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.28 грн
3+184.05 грн
9+136.48 грн
23+128.90 грн
500+126.06 грн
1000+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2214SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.51 грн
3+429.13 грн
8+390.49 грн
10+375.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Number of channels: 6
Case: PLCC44
Operating temperature: -40...125°C
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Supply voltage: 10...20V DC
Power: 2W
Voltage class: 1.2kV
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.74 грн
10+637.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+155.15 грн
10+114.17 грн
18+65.40 грн
48+61.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC26C57EF875EA&compId=IR2302SPBF.pdf?ci_sign=54d75faffa7f118a9bddf8a8184ab731f8d9a7e1
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.46 грн
5+263.78 грн
13+240.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA49DF8BDAB53D7&compId=ir2304.pdf?ci_sign=7f72118dd22d9864326e5acc4031a73c65be54a0
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -130...60mA
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.79 грн
5+114.17 грн
10+98.57 грн
12+97.62 грн
25+89.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Case: DIP8
Mounting: THT
Kind of package: tube
Supply voltage: 6...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 85ns
Power: 1W
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.85 грн
9+135.83 грн
24+123.21 грн
50+120.37 грн
100+118.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD978B3DAEA15EA&compId=IR4427PBF.pdf?ci_sign=8e23c3bb3101481f9a2340888126ceaba824bf91
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 6...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1.5A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 85ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2514 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.46 грн
10+92.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE90CFB8F0CDC860D5&compId=IRF100x201.pdf?ci_sign=06ba51b9318616c3f07bc1af27d7d1e387b87aee
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 255nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 136A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 441W
Pulsed drain current: 690A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.04 грн
8+157.48 грн
21+143.12 грн
2000+138.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 77nC
On-state resistance: 8.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 68A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 221W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.27 грн
10+95.47 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
2000+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010e.pdf?ci_sign=4e33b918874e4f5bb5c633f1a31b0fc4da8e2c04
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.76 грн
10+77.56 грн
24+48.34 грн
64+45.68 грн
500+44.45 грн
1000+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.69 грн
10+109.25 грн
19+60.66 грн
51+57.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A4FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1010ez.pdf?ci_sign=ed8bcac49cadd537057bdfcef3363db1c4c84ff7
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.70 грн
10+56.99 грн
27+42.08 грн
73+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D0C960DA8F1A303005056AB0C4F&compId=irf1010nspbf.pdf?ci_sign=0a22a84cce4fe094cee35a09a9cba0abc4efcb3a
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.07 грн
10+84.64 грн
24+48.34 грн
64+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.57 грн
5+82.28 грн
10+72.89 грн
32+35.73 грн
86+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.63 грн
5+104.33 грн
10+90.99 грн
20+55.92 грн
55+53.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.01 грн
14+88.58 грн
37+80.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A8EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1310n.pdf?ci_sign=f86653c14d07ebcb26335896999b26309cf65da1
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.00 грн
10+101.38 грн
20+57.82 грн
54+54.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57AA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1324pbf.pdf?ci_sign=acd484969284c33c68b4f85f5b08d355fbc80d72
IRF1324PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 353A
Power dissipation: 300W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.02 грн
9+130.90 грн
25+119.42 грн
100+117.53 грн
200+114.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797
IRF135B203
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 512A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.05 грн
9+136.81 грн
24+124.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.13 грн
10+219.49 грн
12+100.47 грн
31+94.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB4DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404.pdf?ci_sign=a3df55e5569a69bf9a0411dd9ac82882ba42fe4a
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.44 грн
10+135.83 грн
17+67.29 грн
46+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5D706F12A3F1A303005056AB0C4F&compId=irf1404spbf.pdf?ci_sign=822649cace8b7ad469987a278e29f4fbc5d9766a
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 344 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.54 грн
10+126.97 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
1600+70.14 грн
2400+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB5BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1404z.pdf?ci_sign=4226edaf5a01736c5ac4c822ea7296c120edc159
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.38 грн
10+79.13 грн
20+58.67 грн
53+55.45 грн
1000+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC4D8211D555EA&compId=IRF1404ZSTRLPBF.pdf?ci_sign=87b6930e722dc8bcc784995c7e3ad291b39b8665
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 613 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.54 грн
10+128.94 грн
13+91.94 грн
34+87.20 грн
250+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB69F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1405.pdf?ci_sign=de55851dabce3431b508ff257378e49731e4e7e9
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.04 грн
10+163.38 грн
15+75.82 грн
41+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBABB04EA951DD00C7&compId=irf1407pbf.pdf?ci_sign=d745832aa8dbbd733b93dbfdb32259059f0f1a39
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.93 грн
10+104.33 грн
13+90.04 грн
35+85.30 грн
100+81.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F1455BF3EF1A303005056AB0C4F&compId=irf2204pbf.pdf?ci_sign=9507b4eec742854faae9ef3d2df5d9f06c7206bc
IRF2204PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.91 грн
5+177.16 грн
10+143.12 грн
11+108.05 грн
29+102.36 грн
50+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5E6B7DDCB8A18&compId=IRF250P225.pdf?ci_sign=a24623db79b4550212f4261372c78bcb6e01d720
IRF250P225
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 250V; 49A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 49A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Technology: StrongIRFET™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.20 грн
3+423.22 грн
8+384.80 грн
25+370.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9AB93F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2804pbf.pdf?ci_sign=9f2cd0b5281445cfe2b663272a91b969b93b978a
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.54 грн
10+127.95 грн
12+93.83 грн
33+89.09 грн
500+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD9C7052ECFB5EA&compId=IRF2804STRLPBF.pdf?ci_sign=ceb1c25cab55bb73207a20aedeee782175571ebd
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 751 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.84 грн
10+168.31 грн
11+109.94 грн
28+103.31 грн
500+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.19 грн
15+77.76 грн
42+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1488 1736 1984 2232 2480 2488  [ Наступна Сторінка >> ]