Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149455) > Сторінка 1265 з 2491
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.3mΩ Drain current: 55A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 66W Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 19mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TSDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -0.39A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2589 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSD235NH6327XTSA1 Multi channel transistors |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSD840NH6327XTSA1 Multi channel transistors |
на замовлення 3911 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors |
на замовлення 2117 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 95mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.5A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-DSO-8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.1A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 1.56W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -4.6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 On-state resistance: 60Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Pulsed drain current: 2.6A Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 694 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 576 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP296NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.68A Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 1.8Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 724 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 831 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 538 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Output current: 0.4A Mounting: SMD Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 0.25Ω Number of channels: 1 Output voltage: 40V Case: SO8 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP742T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Output current: 0.8A Mounting: SMD Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 0.26Ω Number of channels: 1 Output voltage: 40V Case: SO8 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP752R | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.15Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 52V Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2333 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP752TXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP762T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 70mΩ Output voltage: 40V Technology: Classic PROFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Output current: 1.4A Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Number of channels: 1 Output voltage: 42V Case: PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP772T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 50mΩ Technology: Classic PROFET Supply voltage: 5...34V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP77E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 2.17A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 70mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP78 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 35mΩ Output voltage: 42V Technology: HITFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2402 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 3.8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.63nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 154 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14376 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Power dissipation: 0.5W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Mounting: SMD Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 On-state resistance: 700Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 8372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS138IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BSC123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.29 грн |
| 10+ | 45.88 грн |
| 25+ | 40.35 грн |
| 50+ | 37.79 грн |
| 100+ | 35.43 грн |
| 250+ | 32.97 грн |
| 500+ | 31.49 грн |
| BSC190N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.37 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.29 грн |
| 10+ | 45.68 грн |
| 100+ | 32.87 грн |
| 250+ | 29.03 грн |
| 500+ | 26.37 грн |
| 1000+ | 23.91 грн |
| 2000+ | 21.65 грн |
| BSD223PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.43 грн |
| 18+ | 17.27 грн |
| 50+ | 11.51 грн |
| 100+ | 9.74 грн |
| 250+ | 8.17 грн |
| 500+ | 7.09 грн |
| 1000+ | 6.79 грн |
| BSD235CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.91 грн |
| 13+ | 25.14 грн |
| 15+ | 20.86 грн |
| 50+ | 14.17 грн |
| 100+ | 12.01 грн |
| 500+ | 8.36 грн |
| 1000+ | 7.28 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD235NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSD235NH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.20 грн |
| 141+ | 8.27 грн |
| 389+ | 7.87 грн |
| BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSD840NH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSD840NH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 3911 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 26.18 грн |
| 188+ | 6.20 грн |
| 516+ | 5.90 грн |
| BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.17 грн |
| 10+ | 36.58 грн |
| 100+ | 25.39 грн |
| 250+ | 22.34 грн |
| 500+ | 20.76 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.14 грн |
| 48+ | 24.50 грн |
| 132+ | 23.13 грн |
| BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 10+ | 35.56 грн |
| 100+ | 25.09 грн |
| 250+ | 21.94 грн |
| 500+ | 19.58 грн |
| 1000+ | 17.32 грн |
| 3000+ | 13.97 грн |
| BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.47 грн |
| 10+ | 37.30 грн |
| 50+ | 25.39 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| 250+ | 18.80 грн |
| 500+ | 16.93 грн |
| 1000+ | 16.24 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.08 грн |
| 53+ | 22.14 грн |
| 145+ | 20.96 грн |
| 6000+ | 20.95 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 39.11 грн |
| 91+ | 12.89 грн |
| 250+ | 12.20 грн |
| 3000+ | 12.16 грн |
| BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.75 грн |
| 10+ | 34.44 грн |
| 50+ | 25.29 грн |
| 100+ | 22.54 грн |
| 500+ | 18.50 грн |
| BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.41 грн |
| 10+ | 42.72 грн |
| 100+ | 32.67 грн |
| 500+ | 27.65 грн |
| BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.10 грн |
| BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.73 грн |
| 12+ | 26.98 грн |
| 25+ | 24.01 грн |
| 100+ | 21.94 грн |
| BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 74.18 грн |
| 10+ | 45.07 грн |
| 50+ | 33.56 грн |
| 100+ | 30.01 грн |
| 200+ | 29.33 грн |
| BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.87 грн |
| 10+ | 42.72 грн |
| 50+ | 32.67 грн |
| 100+ | 30.90 грн |
| BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 60Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.38 грн |
| 10+ | 66.73 грн |
| 50+ | 53.93 грн |
| 100+ | 49.50 грн |
| 200+ | 45.27 грн |
| 250+ | 43.89 грн |
| 500+ | 39.56 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Pulsed drain current: 2.6A
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Pulsed drain current: 2.6A
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.34 грн |
| 10+ | 69.39 грн |
| 50+ | 51.37 грн |
| 100+ | 46.05 грн |
| 200+ | 41.43 грн |
| 500+ | 40.25 грн |
| BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.78 грн |
| 10+ | 54.47 грн |
| 50+ | 38.58 грн |
| 100+ | 34.15 грн |
| 200+ | 30.31 грн |
| 500+ | 26.18 грн |
| 1000+ | 23.62 грн |
| BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.96 грн |
| 10+ | 43.12 грн |
| 100+ | 31.88 грн |
| 250+ | 28.64 грн |
| 500+ | 26.37 грн |
| 1000+ | 24.31 грн |
| 2000+ | 22.73 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP295H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 576 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 87.64 грн |
| 42+ | 28.05 грн |
| 115+ | 26.57 грн |
| BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP296NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP296NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.16 грн |
| 60+ | 19.58 грн |
| 164+ | 18.50 грн |
| BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP297H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.18 грн |
| 39+ | 30.51 грн |
| 106+ | 28.73 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 39.04 грн |
| 50+ | 30.11 грн |
| 100+ | 27.06 грн |
| 200+ | 24.11 грн |
| 500+ | 20.27 грн |
| 1000+ | 17.52 грн |
| BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 14+ | 22.38 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.59 грн |
| 46+ | 25.68 грн |
| 125+ | 24.31 грн |
| BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.31 грн |
| 36+ | 32.57 грн |
| 99+ | 30.80 грн |
| BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.77 грн |
| 10+ | 48.64 грн |
| 50+ | 35.13 грн |
| 100+ | 31.10 грн |
| 200+ | 29.42 грн |
| BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP372NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.48 грн |
| 45+ | 26.57 грн |
| 122+ | 25.09 грн |
| BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.04 грн |
| 7+ | 49.26 грн |
| 25+ | 43.10 грн |
| 100+ | 39.85 грн |
| 250+ | 37.99 грн |
| 500+ | 34.25 грн |
| 1000+ | 32.97 грн |
| BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.32 грн |
| 10+ | 185.99 грн |
| 100+ | 140.72 грн |
| 250+ | 126.94 грн |
| 500+ | 115.14 грн |
| 1000+ | 106.28 грн |
| BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.33 грн |
| 21+ | 56.78 грн |
| 57+ | 53.73 грн |
| BSP742R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.09 грн |
| 10+ | 146.13 грн |
| 25+ | 125.96 грн |
| 100+ | 108.25 грн |
| 250+ | 96.44 грн |
| 500+ | 88.57 грн |
| 1000+ | 83.65 грн |
| BSP742T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.49 грн |
| 10+ | 138.98 грн |
| 25+ | 121.04 грн |
| 100+ | 103.33 грн |
| 250+ | 91.52 грн |
| 500+ | 89.55 грн |
| BSP752R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.94 грн |
| 10+ | 168.62 грн |
| 25+ | 147.61 грн |
| 100+ | 125.96 грн |
| 250+ | 113.17 грн |
| 500+ | 104.31 грн |
| BSP752TXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.53 грн |
| 12+ | 102.34 грн |
| 32+ | 97.42 грн |
| 100+ | 97.08 грн |
| BSP762T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 289.32 грн |
| 10+ | 187.01 грн |
| 100+ | 140.72 грн |
| 250+ | 125.96 грн |
| 500+ | 115.14 грн |
| 1000+ | 112.18 грн |
| BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.16 грн |
| 10+ | 76.64 грн |
| 25+ | 68.88 грн |
| 50+ | 64.95 грн |
| BSP772T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.57 грн |
| 10+ | 205.41 грн |
| 100+ | 156.47 грн |
| 250+ | 140.72 грн |
| BSP77E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.49 грн |
| 10+ | 138.98 грн |
| 25+ | 119.07 грн |
| 100+ | 100.38 грн |
| 250+ | 88.57 грн |
| 500+ | 80.69 грн |
| 1000+ | 72.82 грн |
| BSP78 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 238.45 грн |
| 10+ | 150.22 грн |
| 25+ | 130.88 грн |
| 100+ | 111.20 грн |
| 250+ | 98.41 грн |
| 500+ | 90.53 грн |
| 1000+ | 87.58 грн |
| BSP88H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 45.04 грн |
| 48+ | 24.31 грн |
| 132+ | 23.03 грн |
| BSP89H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.97 грн |
| 12+ | 27.80 грн |
| 13+ | 23.22 грн |
| 25+ | 23.03 грн |
| BSP92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.48 грн |
| 94+ | 12.50 грн |
| 258+ | 11.81 грн |
| BSR202NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.29 грн |
| 10+ | 38.32 грн |
| 50+ | 26.37 грн |
| 100+ | 22.83 грн |
| 250+ | 18.89 грн |
| 500+ | 16.34 грн |
| 1000+ | 14.27 грн |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.15 грн |
| 12+ | 26.37 грн |
| 50+ | 20.17 грн |
| 100+ | 18.11 грн |
| 500+ | 17.22 грн |
| BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.34 грн |
| 79+ | 14.86 грн |
| 216+ | 14.07 грн |
| BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.57 грн |
| 87+ | 13.48 грн |
| 238+ | 12.79 грн |
| BSS119NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.23 грн |
| 171+ | 6.89 грн |
| 470+ | 6.49 грн |
| BSS123IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.02 грн |
| 30+ | 10.53 грн |
| 50+ | 6.14 грн |
| 100+ | 5.02 грн |
| 500+ | 3.42 грн |
| 1000+ | 3.04 грн |
| 1500+ | 2.90 грн |
| BSS123NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.54 грн |
| 43+ | 7.15 грн |
| 46+ | 6.49 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 250+ | 4.49 грн |
| 500+ | 4.12 грн |
| 1000+ | 3.79 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 20+ | 15.53 грн |
| 25+ | 12.20 грн |
| 50+ | 7.70 грн |
| 100+ | 6.46 грн |
| 500+ | 4.63 грн |
| 1000+ | 4.15 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 700Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 9+ | 34.13 грн |
| 11+ | 28.73 грн |
| 100+ | 17.71 грн |
| 500+ | 16.24 грн |
| BSS127H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.79 грн |
| 14+ | 22.28 грн |
| 25+ | 17.52 грн |
| 50+ | 14.86 грн |
| 100+ | 12.60 грн |
| 500+ | 8.76 грн |
| 1000+ | 7.58 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 8372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.31 грн |
| 225+ | 5.21 грн |
| 617+ | 4.93 грн |
| BSS138IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.66 грн |
| 41+ | 7.56 грн |
| 100+ | 5.81 грн |
| 250+ | 4.33 грн |
| 500+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.64 грн |
| 3000+ | 3.46 грн |










