Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149617) > Сторінка 1265 з 2494
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15289 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 988 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 8Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: depletion Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1043 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS169H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3030 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -190mA Power dissipation: 1W Case: SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 85mΩ Drain current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Case: PG-SOT-323 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -630mA Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 0.55Ω Power dissipation: 0.3W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3649 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1909 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2824 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Case: PG-SOT-323 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -0.39A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS225H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 2.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Technology: OptiMOS™ P3 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Technology: OptiMOS™ P3 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.4A On-state resistance: 0.28Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: PG-SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 650 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS670S2LH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors |
на замовлення 2083 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS7728NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS806NEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 2 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5941 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS806NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 2 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25102 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 635 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4387 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS87H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 653 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 4970 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 4913 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 29W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BTN8962TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Motor and PWM driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Case: PG-TO263-7 On-state resistance: 14.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -27...30A Number of channels: 1 Operating voltage: 5.5...40V DC Topology: MOSFET half-bridge Technology: NovalithIC™ Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Application: DC motors Type of integrated circuit: driver Operating temperature: -40...150°C кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 597 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS134D | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3.5A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TO252-3 On-state resistance: 35mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BTS142D | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS142D Power switches - integrated circuits |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BTS282ZE3180A Power switches - integrated circuits |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BTS282ZE3230AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BTS282ZE3230 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BTS3035EJ | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS3035EJ Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BTS3035TF | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS3035TF Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BTS3050EJ | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS3050EJ Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BTS3110N | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS3110N Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BTS3118N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 2.17A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 70mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS3405G | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET® Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.35A Number of channels: 2 Mounting: SMD Case: PG-DSO-8-25 On-state resistance: 0.35Ω Output voltage: 10V Technology: HITFET® Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS3408GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Case: PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 2µs Turn-off time: 2µs On-state resistance: 0.48Ω Output current: 0.55A Power dissipation: 0.88W Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...60V DC Output voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1797 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS3410GXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 0.2Ω Power dissipation: 0.8W Number of channels: 2 Output current: 1.3A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BTS3800SL | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS3800SL Power switches - integrated circuits |
на замовлення 824 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BTS4140N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.2A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: SOT223-3 Supply voltage: 4.9...60V DC On-state resistance: 1Ω Technology: Classic PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS4141N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: PG-SOT223-4 On-state resistance: 0.175Ω Output voltage: 12...45V Technology: Classic PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS4142N | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.4A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: SOT223-3 Supply voltage: 12...45V DC On-state resistance: 0.15Ω Technology: Classic PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS428L2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 5.8A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: TO252 On-state resistance: 50mΩ Output voltage: 4.75...41V Technology: Classic PROFET; SIPMOS™ Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS4300SGA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.3Ω Supply voltage: 5...34V DC Technology: Classic PROFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS441RG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 17A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TO263-5 On-state resistance: 15mΩ Technology: Classic PROFET Output voltage: 4.75...43V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS441TG | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 17A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: TO263-5 On-state resistance: 15mΩ Output voltage: 4.75...43V Technology: Classic PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 690 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS452R | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.8A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: PG-TO252-5-11 Supply voltage: 6...52V DC On-state resistance: 0.2Ω Output voltage: 62V Technology: Classic PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS462T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: TO252-5 Supply voltage: 5...34V DC Technology: Classic PROFET Output voltage: 43V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS50055-1TMB | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT Mounting: THT Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel Type of integrated circuit: power switch On-state resistance: 4.4mΩ Output current: 55A Number of channels: 1 Supply voltage: 5...34V DC Case: PG-TO220-7-11 Technology: High Current PROFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS50080-1TMB | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT Technology: High Current PROFET Kind of integrated circuit: high-side Case: PG-TO220-7-12 Kind of output: N-Channel Type of integrated circuit: power switch Mounting: THT On-state resistance: 7mΩ Output current: 9.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 5.5...38V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BTS50080-1TEA | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 10A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: PG-TO252-5-11 Supply voltage: 5.5...30V DC On-state resistance: 16mΩ Output voltage: 39V Technology: High Current PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 515 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BSS138NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.53 грн |
| 25+ | 12.15 грн |
| 30+ | 9.78 грн |
| 50+ | 6.29 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 500+ | 3.86 грн |
| 1000+ | 3.49 грн |
| BSS138WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.39 грн |
| 49+ | 6.18 грн |
| 55+ | 5.28 грн |
| 100+ | 4.96 грн |
| 250+ | 4.56 грн |
| 500+ | 4.26 грн |
| 1000+ | 3.96 грн |
| BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.12 грн |
| 14+ | 21.91 грн |
| 100+ | 14.10 грн |
| 250+ | 12.18 грн |
| 500+ | 11.61 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.18 грн |
| 13+ | 24.70 грн |
| 25+ | 18.70 грн |
| 50+ | 15.54 грн |
| 100+ | 13.04 грн |
| 250+ | 10.74 грн |
| 500+ | 10.55 грн |
| BSS169H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3030 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.18 грн |
| 12+ | 25.40 грн |
| 50+ | 18.51 грн |
| 100+ | 16.31 грн |
| 250+ | 13.72 грн |
| 500+ | 12.18 грн |
| 1000+ | 10.65 грн |
| BSS192PH6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; SOT89
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -190mA
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSS205NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 28.92 грн |
| 14+ | 21.91 грн |
| 17+ | 17.46 грн |
| 25+ | 12.66 грн |
| 50+ | 9.82 грн |
| 100+ | 7.87 грн |
| 214+ | 5.28 грн |
| BSS209PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -630mA
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -630mA
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 0.55Ω
Power dissipation: 0.3W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.39 грн |
| 33+ | 9.16 грн |
| 50+ | 6.45 грн |
| 100+ | 5.66 грн |
| 500+ | 4.31 грн |
| 1000+ | 4.08 грн |
| BSS214NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.63 грн |
| 24+ | 12.65 грн |
| 50+ | 8.44 грн |
| 100+ | 7.26 грн |
| 250+ | 6.02 грн |
| 500+ | 5.28 грн |
| 1000+ | 4.68 грн |
| BSS214NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1909 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.39 грн |
| 35+ | 8.57 грн |
| 100+ | 5.46 грн |
| 250+ | 4.74 грн |
| 500+ | 4.33 грн |
| 1000+ | 4.00 грн |
| 3000+ | 3.61 грн |
| BSS215PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.99 грн |
| 13+ | 24.30 грн |
| 15+ | 20.24 грн |
| 50+ | 13.72 грн |
| 100+ | 11.61 грн |
| 500+ | 8.06 грн |
| 1000+ | 7.19 грн |
| BSS223PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Case: PG-SOT-323
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.56 грн |
| 29+ | 10.56 грн |
| 50+ | 6.54 грн |
| 100+ | 5.39 грн |
| 250+ | 4.56 грн |
| BSS225H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors
BSS225H6327FTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 32.54 грн |
| 61+ | 18.70 грн |
| 167+ | 17.74 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.86 грн |
| 18+ | 17.13 грн |
| 50+ | 11.61 грн |
| 100+ | 10.07 грн |
| 250+ | 8.34 грн |
| 500+ | 7.39 грн |
| 1000+ | 6.52 грн |
| BSS308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.05 грн |
| 14+ | 21.81 грн |
| 50+ | 14.58 грн |
| 100+ | 12.47 грн |
| 250+ | 10.26 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 7.96 грн |
| BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.46 грн |
| 28+ | 10.86 грн |
| 50+ | 8.10 грн |
| 100+ | 7.28 грн |
| 500+ | 5.79 грн |
| 1000+ | 5.30 грн |
| 3000+ | 4.67 грн |
| BSS315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.95 грн |
| 13+ | 23.31 грн |
| 15+ | 19.37 грн |
| 100+ | 11.22 грн |
| 500+ | 7.86 грн |
| 1000+ | 6.81 грн |
| 3000+ | 5.66 грн |
| BSS316NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.28Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.36 грн |
| 43+ | 6.97 грн |
| 56+ | 5.16 грн |
| 100+ | 4.62 грн |
| 250+ | 4.04 грн |
| 500+ | 3.65 грн |
| 1000+ | 3.34 грн |
| BSS606NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.55 грн |
| 10+ | 36.26 грн |
| 50+ | 24.84 грн |
| 100+ | 21.20 грн |
| 200+ | 18.22 грн |
| 500+ | 15.15 грн |
| 1000+ | 13.72 грн |
| BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
BSS670S2LH6327XTSA SMD N channel transistors
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.62 грн |
| 249+ | 4.56 грн |
| 683+ | 4.31 грн |
| BSS7728NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 11.78 грн |
| 220+ | 5.14 грн |
| 605+ | 4.86 грн |
| BSS806NEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.72 грн |
| 22+ | 14.14 грн |
| 25+ | 11.61 грн |
| 50+ | 8.38 грн |
| 100+ | 7.42 грн |
| 500+ | 5.91 грн |
| 1000+ | 5.47 грн |
| BSS806NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.86 грн |
| 18+ | 17.03 грн |
| 50+ | 11.47 грн |
| 100+ | 9.88 грн |
| 500+ | 7.21 грн |
| 1000+ | 6.36 грн |
| 3000+ | 5.31 грн |
| BSS816NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 15.49 грн |
| 30+ | 10.06 грн |
| 50+ | 7.48 грн |
| 100+ | 6.65 грн |
| 250+ | 5.58 грн |
| 500+ | 4.86 грн |
| 1000+ | 4.16 грн |
| BSS83PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.95 грн |
| 15+ | 21.12 грн |
| 50+ | 13.91 грн |
| 100+ | 11.70 грн |
| 250+ | 9.50 грн |
| 500+ | 8.06 грн |
| 1000+ | 7.00 грн |
| BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 635 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 18.59 грн |
| 23+ | 13.55 грн |
| 29+ | 10.17 грн |
| 44+ | 6.68 грн |
| 59+ | 4.91 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 250+ | 3.26 грн |
| BSS84PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.36 грн |
| 44+ | 6.87 грн |
| 59+ | 4.91 грн |
| 100+ | 4.39 грн |
| 500+ | 3.50 грн |
| 1000+ | 3.23 грн |
| 3000+ | 2.89 грн |
| BSS87H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
BSS87H6327FTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.08 грн |
| 63+ | 18.13 грн |
| 172+ | 17.17 грн |
| 500+ | 17.13 грн |
| BSZ018NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
BSZ018NE2LSATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.24 грн |
| 18+ | 64.26 грн |
| 49+ | 60.43 грн |
| 500+ | 59.76 грн |
| BSZ040N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.86 грн |
| 10+ | 66.33 грн |
| 40+ | 50.07 грн |
| 100+ | 47.86 грн |
| BSZ097N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ097N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.98 грн |
| 35+ | 32.99 грн |
| 95+ | 31.17 грн |
| BSZ440N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.14 грн |
| 10+ | 55.78 грн |
| 25+ | 52.75 грн |
| BSZ900N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.76 грн |
| 24+ | 48.53 грн |
| 65+ | 45.85 грн |
| 1000+ | 45.82 грн |
| BSZ900N20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 868 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.87 грн |
| 13+ | 88.24 грн |
| 36+ | 83.44 грн |
| BTN8962TAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Application: DC motors
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Case: PG-TO263-7
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Operating voltage: 5.5...40V DC
Topology: MOSFET half-bridge
Technology: NovalithIC™
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Application: DC motors
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...150°C
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.70 грн |
| 10+ | 292.83 грн |
| BTS134D |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.36 грн |
| 10+ | 167.33 грн |
| 25+ | 146.75 грн |
| 100+ | 125.65 грн |
| 250+ | 112.22 грн |
| 500+ | 101.67 грн |
| BTS142D |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS142D Power switches - integrated circuits
BTS142D Power switches - integrated circuits
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.21 грн |
| 9+ | 126.60 грн |
| 25+ | 119.89 грн |
| BTS282ZE3180AATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS282ZE3180A Power switches - integrated circuits
BTS282ZE3180A Power switches - integrated circuits
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 693.08 грн |
| 3+ | 400.92 грн |
| 8+ | 378.86 грн |
| BTS282ZE3230AKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS282ZE3230 Power switches - integrated circuits
BTS282ZE3230 Power switches - integrated circuits
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 685.85 грн |
| 3+ | 419.14 грн |
| 8+ | 396.12 грн |
| BTS3035EJ |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3035EJ Power switches - integrated circuits
BTS3035EJ Power switches - integrated circuits
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.51 грн |
| 18+ | 64.26 грн |
| 49+ | 61.38 грн |
| BTS3035TF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3035TF Power switches - integrated circuits
BTS3035TF Power switches - integrated circuits
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 154.94 грн |
| 15+ | 77.69 грн |
| 40+ | 73.85 грн |
| BTS3050EJ |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3050EJ Power switches - integrated circuits
BTS3050EJ Power switches - integrated circuits
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.95 грн |
| 20+ | 56.59 грн |
| 55+ | 53.71 грн |
| BTS3110N |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3110N Power switches - integrated circuits
BTS3110N Power switches - integrated circuits
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 225.17 грн |
| 14+ | 81.53 грн |
| 39+ | 77.69 грн |
| BTS3118N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.44 грн |
| 10+ | 98.61 грн |
| 25+ | 87.28 грн |
| 100+ | 81.53 грн |
| BTS3405G |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET®
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8-25
On-state resistance: 0.35Ω
Output voltage: 10V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET®
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 0.35A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8-25
On-state resistance: 0.35Ω
Output voltage: 10V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.22 грн |
| 10+ | 120.52 грн |
| 25+ | 103.59 грн |
| 100+ | 94.95 грн |
| BTS3408GXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
On-state resistance: 0.48Ω
Output current: 0.55A
Power dissipation: 0.88W
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...60V DC
Output voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 2µs
Turn-off time: 2µs
On-state resistance: 0.48Ω
Output current: 0.55A
Power dissipation: 0.88W
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...60V DC
Output voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1797 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.40 грн |
| 10+ | 131.47 грн |
| 25+ | 122.77 грн |
| 100+ | 117.97 грн |
| 250+ | 115.10 грн |
| BTS3410GXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.8W
Number of channels: 2
Output current: 1.3A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.2Ω
Power dissipation: 0.8W
Number of channels: 2
Output current: 1.3A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.65 грн |
| 10+ | 93.63 грн |
| 25+ | 84.40 грн |
| BTS3800SL |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3800SL Power switches - integrated circuits
BTS3800SL Power switches - integrated circuits
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.16 грн |
| 32+ | 35.58 грн |
| 88+ | 33.67 грн |
| BTS4140N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
Supply voltage: 4.9...60V DC
On-state resistance: 1Ω
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.2A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
Supply voltage: 4.9...60V DC
On-state resistance: 1Ω
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.49 грн |
| 5+ | 94.62 грн |
| 25+ | 80.57 грн |
| 100+ | 72.89 грн |
| 500+ | 70.98 грн |
| BTS4141N | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-SOT223-4
On-state resistance: 0.175Ω
Output voltage: 12...45V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-SOT223-4
On-state resistance: 0.175Ω
Output voltage: 12...45V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 284.05 грн |
| 10+ | 182.27 грн |
| 100+ | 138.11 грн |
| 250+ | 123.73 грн |
| 500+ | 113.18 грн |
| 1000+ | 109.34 грн |
| BTS4142N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
Supply voltage: 12...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
Supply voltage: 12...45V DC
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.42 грн |
| 10+ | 181.28 грн |
| 40+ | 147.71 грн |
| 80+ | 136.20 грн |
| 100+ | 131.40 грн |
| 250+ | 117.01 грн |
| 500+ | 115.10 грн |
| BTS428L2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.8A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: TO252
On-state resistance: 50mΩ
Output voltage: 4.75...41V
Technology: Classic PROFET; SIPMOS™
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 396.64 грн |
| 10+ | 255.98 грн |
| 100+ | 199.50 грн |
| 250+ | 181.28 грн |
| 500+ | 167.85 грн |
| 1000+ | 166.89 грн |
| BTS4300SGA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.3Ω
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.12 грн |
| 10+ | 120.52 грн |
| 25+ | 101.67 грн |
| 100+ | 83.44 грн |
| 250+ | 73.85 грн |
| 500+ | 67.14 грн |
| 1000+ | 61.38 грн |
| BTS441RG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 351.19 грн |
| 5+ | 298.81 грн |
| 25+ | 258.01 грн |
| 100+ | 244.58 грн |
| BTS441TG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Output voltage: 4.75...43V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 381.14 грн |
| 10+ | 278.88 грн |
| 100+ | 238.82 грн |
| BTS452R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.8A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 6...52V DC
On-state resistance: 0.2Ω
Output voltage: 62V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 127.05 грн |
| 10+ | 117.53 грн |
| 100+ | 103.59 грн |
| BTS462T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.30 грн |
| 3+ | 147.41 грн |
| 10+ | 135.24 грн |
| BTS50055-1TMB |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 4.4mΩ
Output current: 55A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Case: PG-TO220-7-11
Technology: High Current PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 4.4mΩ
Output current: 55A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Case: PG-TO220-7-11
Technology: High Current PROFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 677.59 грн |
| 10+ | 472.11 грн |
| 50+ | 398.04 грн |
| 100+ | 375.02 грн |
| 500+ | 335.69 грн |
| BTS50080-1TMB |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: PG-TO220-7-12
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Output current: 9.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: PG-TO220-7-12
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Output current: 9.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.82 грн |
| 10+ | 380.48 грн |
| 50+ | 345.29 грн |
| BTS50080-1TEA |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 5.5...30V DC
On-state resistance: 16mΩ
Output voltage: 39V
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: PG-TO252-5-11
Supply voltage: 5.5...30V DC
On-state resistance: 16mΩ
Output voltage: 39V
Technology: High Current PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 515 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 372.88 грн |
| 10+ | 242.03 грн |
| 100+ | 197.58 грн |
| 500+ | 172.64 грн |
| 1000+ | 163.05 грн |
| 2500+ | 154.42 грн |














