Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149879) > Сторінка 1264 з 2498

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1494 1743 1992 2241 2490 2498  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DZ540N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ540N26K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N08K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N08K Diode modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+13221.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N12K DZ600N12K INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9CE3FC8D72469&compId=DZ600N18K.pdf?ci_sign=2fd24aaa0657958caf6547fe0085077ad61de6e6 Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 600A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+21957.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N16K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N16K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N18K INFINEON TECHNOLOGIES DZ600N18K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ950N44K INFINEON TECHNOLOGIES DZ950N44K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 ESD101B102ELSE6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 30W
Breakdown voltage: 6.1V
Leakage current: 20nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+38.53 грн
20+14.77 грн
25+11.38 грн
100+7.98 грн
172+6.33 грн
472+5.96 грн
1300+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES ESD24VS2UE6327.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.81 грн
13+23.44 грн
25+17.89 грн
50+15.41 грн
100+13.39 грн
115+9.36 грн
316+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF5BECB9EB618BF&compId=ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf?ci_sign=7dde4d2a75d65a9ef62c31dbf4bd98fe87ec22df Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Max. forward voltage: 1.73V
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: BG-PB60ECO-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Load current: 542A
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF542F7242CF8BF&compId=ETD630N16P60_ETT630N16P60.pdf?ci_sign=ad83636680462f41f1cb1c901a1d23ec4567dd0f Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 635A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.37V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 635A
Case: BG-PB60ECO-1
Max. forward voltage: 1.37V
Max. forward impulse current: 19.8kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD630N18P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF91B47EFD3A16E0D6&compId=ETD630N18P60HPSA1.pdf?ci_sign=b68fcf03398e801cfbc0278be936e6ea25616dc5 Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 635A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.37V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 635A
Case: BG-PB60ECO-1
Max. forward voltage: 1.37V
Max. forward impulse current: 19.8kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETT540N22P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF5BECB9EB618BF&compId=ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf?ci_sign=7dde4d2a75d65a9ef62c31dbf4bd98fe87ec22df Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; screw
Case: BG-PB60ECO-1
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETT580N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0 ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETT630N16P60HPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF542F7242CF8BF&compId=ETD630N16P60_ETT630N16P60.pdf?ci_sign=ad83636680462f41f1cb1c901a1d23ec4567dd0f Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 635A; BG-PB60ECO-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 635A
Case: BG-PB60ECO-1
Max. forward voltage: 1.37V
Max. forward impulse current: 19.8kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
 		EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658 Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Application: motors
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-015M
Kind of connector: screw terminal x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4821.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
 		EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) INFINEON TECHNOLOGIES EVALIMM101T015TOBO.PDF Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R07PE4 INFINEON TECHNOLOGIES F3L300R07PE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4150R12KS4BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Power dissipation: 275W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 1B
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES F4-75R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FB30R06W1E3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266 FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD300R06KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7 FD300R06KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD300R12KE3HOSA1 FD300R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFE1588717B3D7&compId=FD300R12KE3.pdf?ci_sign=4f9165ddb8c39d579e888c281879100e2a537fa6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Power dissipation: 1.47kW
Topology: boost chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 FF200R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FD6BFDD0F906745&compId=FF200R12KE3.pdf?ci_sign=f153117c762ff8f8b62ebc993737473163b2a468 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+10916.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1 FF200R12KE4PHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A348FD319B3D7&compId=FF200R12KE4P.pdf?ci_sign=c3b8d527485471d02faae9add4b3248119e8cbfe Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1 FF200R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A398A572F53D7&compId=FF200R12KT3E.pdf?ci_sign=7d379c22644bc6b2701cdde2fb53b0018b9a5173 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 FF200R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 FF200R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A60961A4E73D7&compId=FF200R17KE4.pdf?ci_sign=57d7f67c089c0a8f2ad55fa545e7f1876fe92b70 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+16568.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R06KE3 INFINEON TECHNOLOGIES FF300R06KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE3 INFINEON TECHNOLOGIES description FF300R12KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KS4 FF300R12KS4 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+18109.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 FF300R12KT3EHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A6B34C2C213D7&compId=FF300R12KT3E.pdf?ci_sign=fd144bb2674acaa882bf1dd9f81d465f7011f7f3 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.45kW
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT4HOSA1 FF300R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD80D064564259&compId=FF300R12KT4.pdf?ci_sign=3b3b4ec7904ace87e4bb423a0f8f1a4cd884a9ab Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.6kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A8BDE17AC13D7&compId=FF300R17ME4.pdf?ci_sign=3165dc23580ded91f906ca73de1a5b015a0a9dcf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R06ME3 FF450R06ME3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E51EA023EE8469&compId=FF450R06ME3.pdf?ci_sign=9139935a6e53df2f719cfd81b2f1553e8798a0a8 Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT half-bridge,NTC thermistor; 1.25kW
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONOD-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF791B428A7DE27&compId=FF450R12KE4-DTE.pdf?ci_sign=ea990a008d4cd0a41ce5a30a9a09bff4050731f0 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869893D7BCFB4469&compId=FF450R12KT4.pdf?ci_sign=ae61a33310ba1063c05140bf85a5eae3ea9365d5 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9 Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 3.3kV; Ic: 450A
Max. off-state voltage: 3.3kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XHP™3
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-XHP100-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 FF45MR12W1M1B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF602B81B1258BF&compId=FF45MR12W1M1B11.pdf?ci_sign=f5b3f9ed9a3dcffcc3c66b2489eb90dc08bf9b53 Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+4775.77 грн
10+4428.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF500R17KE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462566bd0c7015678cc33d12de8 FF500R17KE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4 INFINEON TECHNOLOGIES FF900R12IE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7B11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 6 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1620 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L04B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 81 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-DGTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V05-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 512kb FRAM
Case: SOIC8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-DG INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516 Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Memory: 1Mb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 370 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files FM25VN10-GTR FRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 FP06R12W1T4B3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8B20C73D5053D7&compId=FP06R12W1T4B3.pdf?ci_sign=b0d07d5c11c3511c198ac0969a13834d175d08d9 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3082.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D84C0AEB33F8BF&compId=FP10R12W1T7B11.pdf?ci_sign=f22158e9fd40755a352e4e202ff2f4db12e763f8 Category: IGBT modules
Description: Diode/transistor; three-phase diode bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 FP15R12W1T4_B3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+3082.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ540N26K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ540N26K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N08K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N08K Diode modules
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+13221.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N12K pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C9CE3FC8D72469&compId=DZ600N18K.pdf?ci_sign=2fd24aaa0657958caf6547fe0085077ad61de6e6
DZ600N12K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 1.2kV; If: 600A; BG-PB501-1; Ifsm: 22kA
Case: BG-PB501-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 600A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 22kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+21957.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N16K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N16K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ600N18K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ600N18K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ950N44K
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
DZ950N44K Diode modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESD101B102ELSE6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BAA359ED1B753D7&compId=ESD101B102ELSE6327XTSA1.pdf?ci_sign=2c0aaca5d684a303278d2e5aa520ffa4f7989402
ESD101B102ELSE6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 30W; 6.1V; 2A; bidirectional; TSSLP-2-4; reel,tape; ESD
Type of diode: TVS
Case: TSSLP-2-4
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 5.5V
Semiconductor structure: bidirectional
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 30W
Breakdown voltage: 6.1V
Leakage current: 20nA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8267 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+38.53 грн
20+14.77 грн
25+11.38 грн
100+7.98 грн
172+6.33 грн
472+5.96 грн
1300+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ESD24VS2UE6327HTSA1 ESD24VS2UE6327.pdf
ESD24VS2UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 230W; 32V; unidirectional; SOT23; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 230W
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 32V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.81 грн
13+23.44 грн
25+17.89 грн
50+15.41 грн
100+13.39 грн
115+9.36 грн
316+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
ETD540N22P60HPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF5BECB9EB618BF&compId=ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf?ci_sign=7dde4d2a75d65a9ef62c31dbf4bd98fe87ec22df
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.73V
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Max. forward voltage: 1.73V
Max. load current: 700A
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: BG-PB60ECO-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Load current: 542A
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD630N16P60HPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF542F7242CF8BF&compId=ETD630N16P60_ETT630N16P60.pdf?ci_sign=ad83636680462f41f1cb1c901a1d23ec4567dd0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.6kV; 635A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.37V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 635A
Case: BG-PB60ECO-1
Max. forward voltage: 1.37V
Max. forward impulse current: 19.8kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETD630N18P60HPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF91B47EFD3A16E0D6&compId=ETD630N18P60HPSA1.pdf?ci_sign=b68fcf03398e801cfbc0278be936e6ea25616dc5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode - thyristor modules
Description: Module: diode-thyristor; 1.8kV; 635A; BG-PB60ECO-1; Ufmax: 1.37V
Type of semiconductor module: diode-thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.8kV
Load current: 635A
Case: BG-PB60ECO-1
Max. forward voltage: 1.37V
Max. forward impulse current: 19.8kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 700A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETT540N22P60HPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF5BECB9EB618BF&compId=ETD540N22P60_ETT540N22P60.pdf?ci_sign=7dde4d2a75d65a9ef62c31dbf4bd98fe87ec22df
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 542A; BG-PB60ECO-1; screw
Case: BG-PB60ECO-1
Max. off-state voltage: 2.2kV
Max. forward voltage: 1.73V
Load current: 542A
Semiconductor structure: double series
Gate current: 250mA
Max. forward impulse current: 16.3kA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: thyristor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETT580N16P60HPSA1 Infineon-eTT580N16P60-DS-v03_06-EN.pdf?fileId=5546d46265487f7b01658027a49f34b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ETT630N16P60HPSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF542F7242CF8BF&compId=ETD630N16P60_ETT630N16P60.pdf?ci_sign=ad83636680462f41f1cb1c901a1d23ec4567dd0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 1.6kV; 635A; BG-PB60ECO-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 635A
Case: BG-PB60ECO-1
Max. forward voltage: 1.37V
Max. forward impulse current: 19.8kA
Gate current: 250mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBADF7A0174CD460C7&compId=EVALIMM101T015TOBO.PDF?ci_sign=1c41203658233780afea79eb8fca0913b805c658
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748)
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Application: motors
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-015M
Kind of connector: screw terminal x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4821.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) EVALIMM101T015TOBO.PDF
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752)
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F3L300R07PE4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
F3L300R07PE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F4150R12KS4BOSA1 F4150R12KS4BOSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R06W1E3BOMA1 Infineon-F4_75R06W1E3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113baa00d5d00b8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Power dissipation: 275W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPACK™ 1B
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
F475R12KS4BOSA1 F4-75R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FB30R06W1E3BOMA1 FB30R06W1E3.pdf
FB30R06W1E3BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 Infineon-FD1000R33HE3_K-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d76007b9a7266
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD300R06KE3HOSA1 Infineon-FD300R06KE3-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a30431689f4420116d2b4ead50bd7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FD300R06KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FD300R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89CDFE1588717B3D7&compId=FD300R12KE3.pdf?ci_sign=4f9165ddb8c39d579e888c281879100e2a537fa6
FD300R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Application: Inverter
Power dissipation: 1.47kW
Topology: boost chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF100R12RT4HOSA1 Infineon-FF100R12RT4-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304327b8975001280601349b615b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE3HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78FD6BFDD0F906745&compId=FF200R12KE3.pdf?ci_sign=f153117c762ff8f8b62ebc993737473163b2a468
FF200R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10916.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KE4PHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A348FD319B3D7&compId=FF200R12KE4P.pdf?ci_sign=c3b8d527485471d02faae9add4b3248119e8cbfe
FF200R12KE4PHOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT3EHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A398A572F53D7&compId=FF200R12KT3E.pdf?ci_sign=7d379c22644bc6b2701cdde2fb53b0018b9a5173
FF200R12KT3EHOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.05kW
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD7E380C25A259&compId=FF200R12KT4.pdf?ci_sign=5e50d6ff781eb9cb0c9d8f539521efc04dd4d0ba
FF200R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.1kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF200R17KE4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A60961A4E73D7&compId=FF200R17KE4.pdf?ci_sign=57d7f67c089c0a8f2ad55fa545e7f1876fe92b70
FF200R17KE4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-62MM-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16568.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R06KE3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R06KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KE3 description
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R12KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KS4 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5AA9345B52A7BD1CC&compId=FF300R12KS4-dte.pdf?ci_sign=915a25c84faf5048f01515fc4bae1ba7d52cac62
FF300R12KS4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18109.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT3EHOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A6B34C2C213D7&compId=FF300R12KT3E.pdf?ci_sign=fd144bb2674acaa882bf1dd9f81d465f7011f7f3
FF300R12KT3EHOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.45kW
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFFD80D064564259&compId=FF300R12KT4.pdf?ci_sign=3b3b4ec7904ace87e4bb423a0f8f1a4cd884a9ab
FF300R12KT4HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 1.6kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF300R17ME4BOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8A8BDE17AC13D7&compId=FF300R17ME4.pdf?ci_sign=3165dc23580ded91f906ca73de1a5b015a0a9dcf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R06ME3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE584E51EA023EE8469&compId=FF450R06ME3.pdf?ci_sign=9139935a6e53df2f719cfd81b2f1553e8798a0a8
FF450R06ME3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT half-bridge,NTC thermistor; 1.25kW
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 1.25kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONOD-3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KE4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ABF791B428A7DE27&compId=FF450R12KE4-DTE.pdf?ci_sign=ea990a008d4cd0a41ce5a30a9a09bff4050731f0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R12KT4HOSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869893D7BCFB4469&compId=FF450R12KT4.pdf?ci_sign=ae61a33310ba1063c05140bf85a5eae3ea9365d5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 2.4kW
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF450R33T3E3B5BPSA1 Infineon-FF450R33T3E3_B5-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683cd2886064d9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT half-bridge; Urmax: 3.3kV; Ic: 450A
Max. off-state voltage: 3.3kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: XHP™3
Topology: IGBT half-bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-XHP100-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98AF602B81B1258BF&compId=FF45MR12W1M1B11.pdf?ci_sign=f5b3f9ed9a3dcffcc3c66b2489eb90dc08bf9b53
FF45MR12W1M1B11BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4775.77 грн
10+4428.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FF500R17KE4BOSA1 Infineon-FF500R17KE4-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462566bd0c7015678cc33d12de8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF500R17KE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12IE4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF900R12IE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FF900R12ME7B11BOSA1 Infineon-FF900R12ME7_B11-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e651a41016e8264085914c8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 6 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C64B-GTR Infineon-FM24C64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdee5b30f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-DG Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1620 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL16B-DGTR Infineon-FM24CL16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec99cb241e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM24CL64B-DGTR Infineon-FM24CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdf13330fe&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: I2C
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25CL64B-DGTR Infineon-FM25CL64B_64-Kbit_(8_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebdfcd83119&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L04B-DGTR Infineon-FM25L04B_4-Kbit_(512_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec90ed44178&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-DG Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 81 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25L16B-DGTR Infineon-FM25L16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec917394180&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 16kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V05-GTR Infineon-FM25V05_512-Kbit_(64_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe00d53121&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 512kb FRAM
Case: SOIC8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25V10-DG Infineon-FM25V10_1_Mbit_128K_X_8_Serial_SPI_F_RAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7e7124d1017f1be7c4f91516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 128kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Memory: 1Mb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 370 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM25VN10-GTR Infineon-FM25V10_1-Mbit_(128_K_8)_Serial_(SPI)_F-RAM-DataSheet-v12_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe03d63127&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FM25VN10-GTR FRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89D8B20C73D5053D7&compId=FP06R12W1T4B3.pdf?ci_sign=b0d07d5c11c3511c198ac0969a13834d175d08d9
FP06R12W1T4B3BOMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-1
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3082.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon-FP100R12KT4_B11-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a3043156fd57301161a6b3faf1e18
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP10R12W1T7B11BOMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE995D84C0AEB33F8BF&compId=FP10R12W1T7B11.pdf?ci_sign=f22158e9fd40755a352e4e202ff2f4db12e763f8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Diode/transistor; three-phase diode bridge; Urmax: 1.2kV; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-EASY1B-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP15R12W1T4_B3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AFB03D87438E8A15&compId=FP15R12W1T4B3.pdf?ci_sign=87de13b40d54fef0761dd0ea90a3bd47bf610608
FP15R12W1T4_B3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3082.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1494 1743 1992 2241 2490 2498  [ Наступна Сторінка >> ]