Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149620) > Сторінка 1264 з 2494
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSC093N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 50W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2591 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.3mΩ Drain current: 55A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 66W Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 19mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TSDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4431 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Case: PG-SOT-363 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -0.39A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 0.35Ω Drain current: 0.95A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 454 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT363 Mounting: SMD On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 0.88A Technology: OptiMOS™ 2 Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 41mΩ Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.5/-1.5A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.173/0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5.5A Drain-source voltage: -30V On-state resistance: 43mΩ Power dissipation: 2W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1081 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.3/-2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 67/88mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2744 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD Technology: OptiMOS™ P3 Type of transistor: P-MOSFET x2 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 80mΩ Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-TSOP-6 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors |
на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-DSO-8 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.1A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 1.56W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -5A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 45mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain current: -4.6A Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 67mΩ Power dissipation: 1.6W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA On-state resistance: 6.5Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain current: 0.12A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60Ω Drain-source voltage: 600V Case: SOT223 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 794 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1442 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3346 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Case: SOT223 On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.8A Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 786 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Case: SOT223 On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 473 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Case: SOT223 On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 1.8W Drain current: 0.66A Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.68A Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 1.8Ω Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 724 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Kind of channel: enhancement Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.43A On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -1A On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ On-state resistance: 25Ω Drain current: 0.17A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 400V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 851 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Output voltage: 40V Technology: Classic PROFET Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT223 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Output current: 0.4A Mounting: SMD Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 0.25Ω Number of channels: 1 Output voltage: 40V Case: SO8 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1734 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP742T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Output current: 0.8A Mounting: SMD Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 0.26Ω Number of channels: 1 Output voltage: 40V Case: SO8 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP752R | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Output current: 1.3A Mounting: SMD Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 0.15Ω Number of channels: 1 Output voltage: 52V Case: SO8 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP762T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Output current: 2A Mounting: SMD Technology: Classic PROFET Kind of integrated circuit: high-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 70mΩ Number of channels: 1 Output voltage: 40V Case: SO8 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Output current: 1.4A Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Number of channels: 1 Output voltage: 42V Case: PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP772T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2.6A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 50mΩ Technology: Classic PROFET Supply voltage: 5...34V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP77E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 2.17A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 70mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP78 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Output current: 3A Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel On-state resistance: 35mΩ Number of channels: 1 Output voltage: 42V Case: SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 478 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23 Power dissipation: 0.5W Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain current: 0.19A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3607 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.63nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17566 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10157 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 700Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3336 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3788 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| BSC0909NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
BSC0909NSATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.71 грн |
| 54+ | 21.29 грн |
| 147+ | 20.05 грн |
| 2000+ | 20.02 грн |
| BSC093N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSC093N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 57.95 грн |
| 31+ | 37.69 грн |
| 83+ | 35.58 грн |
| BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.13 грн |
| 10+ | 65.64 грн |
| 25+ | 55.34 грн |
| 100+ | 45.46 грн |
| 250+ | 40.19 грн |
| 500+ | 36.54 грн |
| 1000+ | 33.38 грн |
| BSC123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.81 грн |
| 10+ | 44.72 грн |
| 25+ | 39.32 грн |
| 50+ | 36.83 грн |
| 100+ | 34.53 грн |
| 250+ | 32.13 грн |
| 500+ | 30.69 грн |
| BSC190N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.61 грн |
| BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4431 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.81 грн |
| 10+ | 44.52 грн |
| 100+ | 32.03 грн |
| 250+ | 28.29 грн |
| 500+ | 25.70 грн |
| 1000+ | 23.31 грн |
| 2000+ | 21.10 грн |
| BSD223PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.39A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 24.79 грн |
| 18+ | 16.83 грн |
| 50+ | 11.22 грн |
| 100+ | 9.50 грн |
| 250+ | 7.96 грн |
| 500+ | 6.91 грн |
| 1000+ | 6.62 грн |
| BSD235CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.05 грн |
| 13+ | 24.50 грн |
| 15+ | 20.33 грн |
| 50+ | 13.81 грн |
| 100+ | 11.70 грн |
| 500+ | 8.15 грн |
| 1000+ | 7.10 грн |
| BSD235NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Case: SOT363
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.86 грн |
| 20+ | 15.14 грн |
| 50+ | 11.99 грн |
| 100+ | 9.59 грн |
| 250+ | 8.73 грн |
| 500+ | 7.29 грн |
| BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT363
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Technology: OptiMOS™ 2
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.72 грн |
| 19+ | 16.33 грн |
| 50+ | 11.03 грн |
| 100+ | 9.50 грн |
| 250+ | 7.77 грн |
| 500+ | 6.81 грн |
| 1000+ | 5.95 грн |
| BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 54.74 грн |
| 10+ | 35.66 грн |
| 100+ | 24.75 грн |
| 250+ | 21.77 грн |
| 500+ | 20.24 грн |
| BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 1.5/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.5/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.173/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.61 грн |
| 10+ | 32.87 грн |
| 50+ | 23.88 грн |
| 60+ | 23.21 грн |
| 100+ | 21.68 грн |
| BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.5A
Drain-source voltage: -30V
On-state resistance: 43mΩ
Power dissipation: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.58 грн |
| 10+ | 34.66 грн |
| 100+ | 24.46 грн |
| 250+ | 21.39 грн |
| 500+ | 19.09 грн |
| 1000+ | 16.88 грн |
| 3000+ | 13.62 грн |
| BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.3/-2A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.3/-2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 67/88mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 59.91 грн |
| 10+ | 36.35 грн |
| 50+ | 24.75 грн |
| 100+ | 21.58 грн |
| 250+ | 18.32 грн |
| 500+ | 16.50 грн |
| 1000+ | 15.83 грн |
| BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6; ESD
Technology: OptiMOS™ P3
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 80mΩ
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-TSOP-6
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.38 грн |
| 11+ | 28.98 грн |
| 100+ | 22.83 грн |
| 400+ | 19.76 грн |
| 500+ | 19.57 грн |
| BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL316CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.11 грн |
| 91+ | 12.47 грн |
| 250+ | 11.80 грн |
| 3000+ | 11.75 грн |
| BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.19 грн |
| 58+ | 19.66 грн |
| 159+ | 18.51 грн |
| BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.88 грн |
| 10+ | 41.63 грн |
| 100+ | 31.84 грн |
| 500+ | 26.95 грн |
| BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 45mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.51 грн |
| BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -4.6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.95 грн |
| 12+ | 26.29 грн |
| 25+ | 23.40 грн |
| 100+ | 21.39 грн |
| BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.30 грн |
| 10+ | 43.92 грн |
| 50+ | 32.71 грн |
| 100+ | 29.25 грн |
| 200+ | 28.58 грн |
| BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 49.58 грн |
| 10+ | 41.63 грн |
| 50+ | 31.84 грн |
| 100+ | 30.02 грн |
| BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 92.96 грн |
| 10+ | 65.04 грн |
| 50+ | 52.56 грн |
| 100+ | 48.24 грн |
| 200+ | 44.12 грн |
| 250+ | 42.78 грн |
| 500+ | 38.56 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 794 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.49 грн |
| 10+ | 67.63 грн |
| 50+ | 50.07 грн |
| 100+ | 44.89 грн |
| 200+ | 40.38 грн |
| 500+ | 39.23 грн |
| BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 82.63 грн |
| 10+ | 53.09 грн |
| 50+ | 37.60 грн |
| 100+ | 33.28 грн |
| 200+ | 29.54 грн |
| 500+ | 25.51 грн |
| 1000+ | 23.02 грн |
| BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.73 грн |
| 10+ | 42.03 грн |
| 100+ | 31.08 грн |
| 250+ | 27.91 грн |
| 500+ | 25.70 грн |
| 1000+ | 23.69 грн |
| 2000+ | 22.16 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.40 грн |
| 10+ | 53.78 грн |
| 50+ | 36.93 грн |
| 100+ | 32.03 грн |
| 125+ | 30.69 грн |
| 200+ | 28.20 грн |
| 500+ | 24.84 грн |
| BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 26.86 грн |
| 15+ | 20.52 грн |
| 25+ | 18.70 грн |
| 50+ | 17.94 грн |
| 100+ | 17.36 грн |
| BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.24 грн |
| 10+ | 51.89 грн |
| 25+ | 44.12 грн |
| 50+ | 39.71 грн |
| 100+ | 35.39 грн |
| 200+ | 30.98 грн |
| 500+ | 26.95 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 61.97 грн |
| 10+ | 38.05 грн |
| 50+ | 29.35 грн |
| 100+ | 26.38 грн |
| 200+ | 23.50 грн |
| 500+ | 19.76 грн |
| 1000+ | 17.07 грн |
| BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 1.8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 724 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.09 грн |
| 14+ | 21.81 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.60 грн |
| 10+ | 52.89 грн |
| 100+ | 34.43 грн |
| 250+ | 29.73 грн |
| 500+ | 26.66 грн |
| 1000+ | 24.07 грн |
| 2000+ | 22.83 грн |
| BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -1A; 1.8W; PG-SOT223
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 73.34 грн |
| 8+ | 42.43 грн |
| 25+ | 36.73 грн |
| 100+ | 32.42 грн |
| 250+ | 29.16 грн |
| 1000+ | 28.58 грн |
| BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.07 грн |
| 10+ | 47.41 грн |
| 50+ | 34.24 грн |
| 100+ | 30.31 грн |
| 200+ | 28.58 грн |
| BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.57 грн |
| 10+ | 52.49 грн |
| 44+ | 25.90 грн |
| 50+ | 25.80 грн |
| 120+ | 24.46 грн |
| 1000+ | 23.50 грн |
| BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 104.32 грн |
| 7+ | 48.01 грн |
| 25+ | 42.01 грн |
| 100+ | 38.84 грн |
| 250+ | 37.02 грн |
| 500+ | 33.38 грн |
| 1000+ | 32.13 грн |
| BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Output voltage: 40V
Technology: Classic PROFET
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.98 грн |
| 10+ | 181.28 грн |
| 100+ | 137.16 грн |
| 250+ | 123.73 грн |
| 500+ | 112.22 грн |
| 1000+ | 103.59 грн |
| BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 130.15 грн |
| 10+ | 64.24 грн |
| 25+ | 54.67 грн |
| 100+ | 50.35 грн |
| BSP742R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.4A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.25Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1734 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 226.21 грн |
| 10+ | 142.43 грн |
| 25+ | 122.77 грн |
| 100+ | 105.50 грн |
| 250+ | 93.99 грн |
| 500+ | 86.32 грн |
| 1000+ | 81.53 грн |
| BSP742T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 0.8A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.26Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.88 грн |
| 10+ | 135.46 грн |
| 25+ | 117.97 грн |
| 100+ | 100.71 грн |
| 250+ | 89.20 грн |
| 500+ | 87.28 грн |
| BSP752R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 52V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 1.3A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Number of channels: 1
Output voltage: 52V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 258.23 грн |
| 10+ | 164.34 грн |
| 25+ | 143.87 грн |
| 100+ | 122.77 грн |
| 250+ | 110.30 грн |
| 500+ | 101.67 грн |
| BSP762T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 2A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Output current: 2A
Mounting: SMD
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 40V
Case: SO8
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.98 грн |
| 10+ | 182.27 грн |
| 100+ | 137.16 грн |
| 250+ | 122.77 грн |
| 500+ | 112.22 грн |
| 1000+ | 108.38 грн |
| BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Output current: 1.4A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.39 грн |
| 10+ | 74.70 грн |
| 25+ | 67.14 грн |
| 50+ | 63.30 грн |
| BSP772T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.6A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 50mΩ
Technology: Classic PROFET
Supply voltage: 5...34V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 303.67 грн |
| 10+ | 200.20 грн |
| 100+ | 152.50 грн |
| 250+ | 137.16 грн |
| BSP77E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.88 грн |
| 10+ | 135.46 грн |
| 25+ | 116.05 грн |
| 100+ | 97.83 грн |
| 250+ | 86.32 грн |
| 500+ | 78.65 грн |
| 1000+ | 70.98 грн |
| BSP78 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Output current: 3A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 35mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Output current: 3A
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 35mΩ
Number of channels: 1
Output voltage: 42V
Case: SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.40 грн |
| 10+ | 146.41 грн |
| 25+ | 127.56 грн |
| 100+ | 108.38 грн |
| 250+ | 95.91 грн |
| 500+ | 88.24 грн |
| 1000+ | 84.40 грн |
| BSP88H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.90 грн |
| 48+ | 23.69 грн |
| 132+ | 22.44 грн |
| BSP89H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.09 грн |
| 12+ | 27.09 грн |
| 13+ | 22.64 грн |
| 25+ | 22.44 грн |
| BSP92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.87 грн |
| 94+ | 12.09 грн |
| 257+ | 11.51 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.81 грн |
| 10+ | 37.35 грн |
| 50+ | 25.70 грн |
| 100+ | 22.25 грн |
| 250+ | 18.42 грн |
| 500+ | 15.92 грн |
| 1000+ | 13.91 грн |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.18 грн |
| 12+ | 25.70 грн |
| 50+ | 19.66 грн |
| 100+ | 17.65 грн |
| 500+ | 16.78 грн |
| BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.25 грн |
| 79+ | 14.48 грн |
| 215+ | 13.72 грн |
| BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.01 грн |
| 79+ | 14.29 грн |
| 218+ | 13.52 грн |
| BSS119NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.19A; 0.5W; SOT23
Power dissipation: 0.5W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.53 грн |
| 23+ | 13.15 грн |
| 26+ | 11.32 грн |
| 50+ | 8.25 грн |
| 100+ | 7.29 грн |
| 171+ | 6.62 грн |
| 470+ | 6.23 грн |
| BSS123IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.56 грн |
| 30+ | 10.26 грн |
| 50+ | 5.98 грн |
| 100+ | 4.89 грн |
| 500+ | 3.34 грн |
| 1000+ | 2.96 грн |
| 1500+ | 2.83 грн |
| BSS123NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17566 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 9.30 грн |
| 43+ | 6.97 грн |
| 46+ | 6.33 грн |
| 100+ | 4.87 грн |
| 250+ | 4.37 грн |
| 500+ | 4.02 грн |
| 1000+ | 3.68 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 22.72 грн |
| 20+ | 15.14 грн |
| 25+ | 11.89 грн |
| 50+ | 7.50 грн |
| 100+ | 6.29 грн |
| 500+ | 4.52 грн |
| 1000+ | 4.05 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.38 грн |
| 9+ | 33.27 грн |
| 11+ | 28.01 грн |
| 100+ | 17.26 грн |
| 500+ | 15.83 грн |
| BSS127H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 30.99 грн |
| 14+ | 21.71 грн |
| 25+ | 17.07 грн |
| 50+ | 14.48 грн |
| 100+ | 12.28 грн |
| 500+ | 8.54 грн |
| 1000+ | 7.39 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3788 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.63 грн |
| 27+ | 11.16 грн |
| 35+ | 8.33 грн |
| 50+ | 7.04 грн |
| 100+ | 6.08 грн |
| 250+ | 5.21 грн |
| 500+ | 4.76 грн |










