Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149352) > Сторінка 1264 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+388.79 грн
9+359.12 грн
10+332.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+414.37 грн
3+359.12 грн
4+333.47 грн
10+315.42 грн
50+303.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+641.51 грн
3+532.76 грн
6+485.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 IPP60R160P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949AA297D091BF&compId=IPP60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=7f69625d6b7ccc50bdebc8e093fd2059a469e2c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+297.73 грн
3+260.46 грн
5+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594570231AE91BF&compId=IPP60R165CP-DTE.pdf?ci_sign=db1213e31989efc1585e3a26d55298e6a8de380a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+312.06 грн
3+287.10 грн
5+263.17 грн
10+244.16 грн
25+238.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.44 грн
3+221.00 грн
5+210.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+323.31 грн
4+298.94 грн
11+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59496F43BA9B1BF&compId=IPP60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=6ca2ab1861703fa95cc299fbb9cf787049410a12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.28 грн
8+151.94 грн
10+140.61 грн
21+138.71 грн
25+136.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59453B6F1F651BF&compId=IPP60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=92d70687cb740539bf38418ae0fd651c7a6f0e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+303.87 грн
6+220.01 грн
10+209.96 грн
15+200.46 грн
25+192.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+175.98 грн
3+157.86 грн
9+125.41 грн
25+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+139.15 грн
10+111.49 грн
12+94.06 грн
33+89.31 грн
150+88.36 грн
200+87.41 грн
750+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf IPP80R360P7 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.00 грн
6+195.71 грн
16+185.26 грн
50+184.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.72 грн
9+127.31 грн
25+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K5CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7acf11e1e92 INFN-S-A0001751085-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPS65R1K5CEAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.69 грн
52+21.66 грн
143+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.97 грн
22+50.92 грн
61+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K0CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.74 грн
29+39.33 грн
50+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.27 грн
7+48.94 грн
25+41.80 грн
27+41.42 грн
75+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB9CAFC0364143&compId=IPU80R1K4P7.pdf?ci_sign=6ace7a65f867c52cbfecf47f0c7e7e4b71b3378b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.27 грн
10+53.47 грн
31+36.20 грн
85+34.30 грн
525+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455 IPU80R600P7 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.70 грн
8+159.61 грн
20+151.06 грн
75+150.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.18 грн
10+76.56 грн
23+48.93 грн
63+46.27 грн
1500+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipu95r2k0p7-datasheet-en.pdf IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+56.48 грн
37+30.59 грн
101+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA7A7AA8BC143&compId=IPU95R750P7.pdf?ci_sign=472403093c92524bad78203a01b30d3031a576e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 73W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.75 грн
5+108.53 грн
10+97.86 грн
14+84.56 грн
37+79.80 грн
75+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 IPW60R031CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1020.07 грн
2+864.26 грн
3+831.30 грн
4+786.65 грн
30+756.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+682.43 грн
2+616.62 грн
3+509.23 грн
5+503.53 грн
7+481.68 грн
10+472.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59527FBD16DF1BF&compId=IPW60R041C6-DTE.pdf?ci_sign=6837f4b5c1cab04482cc6edd814da7b3dad60443 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1349.52 грн
3+1230.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1839.60 грн
2+1678.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF89F811F98A4020D6&compId=IPW60R099CP.pdf?ci_sign=fa5ac79b9c1d4d8e8023ad58506c7e9aba5240a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+621.05 грн
3+541.64 грн
6+493.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595451D559B31BF&compId=IPW60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=64f61ef499400e8d208bb826aca30234098f363e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+444.04 грн
6+217.05 грн
15+197.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E1B2AF78D1BF&compId=IPW60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=538fed47957f97bf4916397747f0a9fe7c4f3e94 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+602.63 грн
4+331.50 грн
10+301.17 грн
240+299.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 IPW60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59543CDD019D1BF&compId=IPW60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=088cedc48e6352559a5ff6e64b1bf0a9857977f4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+430.74 грн
3+397.60 грн
8+361.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.57 грн
3+247.64 грн
6+206.16 грн
15+195.71 грн
120+191.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+563.75 грн
3+406.48 грн
8+370.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPW65R420CFDFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+270.11 грн
6+206.16 грн
15+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBC0CC33F624143&compId=IPW80R280P7.pdf?ci_sign=1623f61fd440464f34971b01da5d47ae914d8f8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO247-3; ESD
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 101W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.46 грн
3+261.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59552626D78D1BF&compId=IPZ60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=1d1709cb23ef90f3adae91e68c26105e3f8c2550 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Supply voltage: 11.4...18V DC
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.30 грн
5+155.88 грн
9+125.41 грн
25+117.81 грн
50+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Case: DIP14
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+536.13 грн
3+465.67 грн
4+343.92 грн
9+324.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.35 грн
6+203.24 грн
16+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFA6A1F3A75EA&compId=IR2011SPBF.pdf?ci_sign=e00761d8966cabb8635a24bc3b6e98b6b2e00d6b description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+200.54 грн
8+164.76 грн
20+149.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.92 грн
5+216.07 грн
8+151.06 грн
21+142.51 грн
250+141.56 грн
1000+136.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD859AC4CE1F5EA&compId=IR2101SPBF.pdf?ci_sign=cf114e828503fc9421e769ef0cc9eb118ca9e5cf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.45 грн
10+76.95 грн
18+63.65 грн
49+59.85 грн
250+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.64 грн
10+98.66 грн
13+88.36 грн
35+83.61 грн
50+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.41 грн
4+97.67 грн
5+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+268.06 грн
8+163.78 грн
20+149.16 грн
2500+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33E1F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2104.pdf?ci_sign=4359ee0159dafd1f6920f459f6db4eb8bb7e1e9d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.79 грн
5+138.12 грн
10+118.76 грн
11+106.41 грн
25+104.51 грн
29+100.71 грн
50+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.45 грн
10+76.56 грн
20+57.76 грн
50+57.67 грн
54+54.53 грн
500+53.49 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F55BB632FD7F1A303005056AB0C4F&compId=ir2106.pdf?ci_sign=60c198277c5b13b4cf45f2a24e9c68803eb545df Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.53 грн
5+213.11 грн
8+156.76 грн
20+148.21 грн
190+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.22 грн
5+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF IR21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.93 грн
3+147.00 грн
10+111.16 грн
28+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+145.29 грн
10+104.58 грн
13+85.51 грн
36+81.70 грн
250+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR2109PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+261.92 грн
8+164.76 грн
20+150.11 грн
250+143.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF IR2109STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.22 грн
5+81.89 грн
10+70.30 грн
25+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF IR2110PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.02 грн
7+160.56 грн
20+152.01 грн
250+151.06 грн
500+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF IR2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+310.01 грн
10+127.27 грн
26+115.91 грн
1980+114.01 грн
2520+111.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFF28572095EA&compId=IR2110STRPBF.pdf?ci_sign=df9d8034c817d5f92fb697b53c8f2c84160d7ab0 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.13 грн
9+132.06 грн
24+125.41 грн
1000+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2111.pdf?ci_sign=cfae4f602fb7282d14336c0c0f16766cd0eadcb6 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.21 грн
8+162.79 грн
20+148.21 грн
50+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC01A6BF4675EA&compId=IR2111SPBF.pdf?ci_sign=e56e32f57f9de1414cd99b1b3cad0ce56d1a2232 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3404F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2112.pdf?ci_sign=595bac11ed51c7b446cca90d7246aae6dbde8538 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+339.68 грн
6+217.05 грн
15+197.61 грн
500+190.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF IR2112SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3404F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2112.pdf?ci_sign=595bac11ed51c7b446cca90d7246aae6dbde8538 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.70 грн
16+192.39 грн
45+181.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC156B99E195EA&compId=IR2112STRPBF.pdf?ci_sign=fff1ad2fc5e660ca130ec2d8a3d9c46d23cf73c8 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.93 грн
8+154.90 грн
21+141.56 грн
25+137.76 грн
50+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653
IPP60R099CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.79 грн
9+359.12 грн
10+332.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895
IPP60R099P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.37 грн
3+359.12 грн
4+333.47 грн
10+315.42 грн
50+303.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.51 грн
3+532.76 грн
6+485.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R160P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5949AA297D091BF&compId=IPP60R160P6-DTE.pdf?ci_sign=7f69625d6b7ccc50bdebc8e093fd2059a469e2c0
IPP60R160P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 176W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 176W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.73 грн
3+260.46 грн
5+249.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594570231AE91BF&compId=IPP60R165CP-DTE.pdf?ci_sign=db1213e31989efc1585e3a26d55298e6a8de380a
IPP60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+312.06 грн
3+287.10 грн
5+263.17 грн
10+244.16 грн
25+238.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1
IPP60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.44 грн
3+221.00 грн
5+210.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+323.31 грн
4+298.94 грн
11+271.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59496F43BA9B1BF&compId=IPP60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=6ca2ab1861703fa95cc299fbb9cf787049410a12
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.28 грн
8+151.94 грн
10+140.61 грн
21+138.71 грн
25+136.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59453B6F1F651BF&compId=IPP60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=92d70687cb740539bf38418ae0fd651c7a6f0e05
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.87 грн
6+220.01 грн
10+209.96 грн
15+200.46 грн
25+192.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f
IPP60R299CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.98 грн
3+157.86 грн
9+125.41 грн
25+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 329 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.15 грн
10+111.49 грн
12+94.06 грн
33+89.31 грн
150+88.36 грн
200+87.41 грн
750+85.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R360P7 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.00 грн
6+195.71 грн
16+185.26 грн
50+184.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.72 грн
9+127.31 грн
25+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K5CEAKMA1 Infineon-IPS65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c7acf11e1e92 INFN-S-A0001751085-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R1K5CEAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.69 грн
52+21.66 грн
143+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039
IPS80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
22+50.92 грн
61+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.74 грн
29+39.33 грн
50+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c
IPU80R1K2P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.27 грн
7+48.94 грн
25+41.80 грн
27+41.42 грн
75+38.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB9CAFC0364143&compId=IPU80R1K4P7.pdf?ci_sign=6ace7a65f867c52cbfecf47f0c7e7e4b71b3378b
IPU80R1K4P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.27 грн
10+53.47 грн
31+36.20 грн
85+34.30 грн
525+32.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1 Infineon-IPU80R600P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c14dce5015c165a8de60455
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R600P7 THT N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.70 грн
8+159.61 грн
20+151.06 грн
75+150.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9
IPU80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.18 грн
10+76.56 грн
23+48.93 грн
63+46.27 грн
1500+44.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 infineon-ipu95r2k0p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.48 грн
37+30.59 грн
101+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF9BA7A7AA8BC143&compId=IPU95R750P7.pdf?ci_sign=472403093c92524bad78203a01b30d3031a576e3
IPU95R750P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 73W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.75 грн
5+108.53 грн
10+97.86 грн
14+84.56 грн
37+79.80 грн
75+76.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937
IPW60R031CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1020.07 грн
2+864.26 грн
3+831.30 грн
4+786.65 грн
30+756.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.43 грн
2+616.62 грн
3+509.23 грн
5+503.53 грн
7+481.68 грн
10+472.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59527FBD16DF1BF&compId=IPW60R041C6-DTE.pdf?ci_sign=6837f4b5c1cab04482cc6edd814da7b3dad60443
IPW60R041C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1349.52 грн
3+1230.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd
IPW60R045CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1839.60 грн
2+1678.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF89F811F98A4020D6&compId=IPW60R099CP.pdf?ci_sign=fa5ac79b9c1d4d8e8023ad58506c7e9aba5240a7
IPW60R099CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.05 грн
3+541.64 грн
6+493.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595451D559B31BF&compId=IPW60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=64f61ef499400e8d208bb826aca30234098f363e
IPW60R099P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.04 грн
6+217.05 грн
15+197.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E1B2AF78D1BF&compId=IPW60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=538fed47957f97bf4916397747f0a9fe7c4f3e94
IPW60R125CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.63 грн
4+331.50 грн
10+301.17 грн
240+299.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59543CDD019D1BF&compId=IPW60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=088cedc48e6352559a5ff6e64b1bf0a9857977f4
IPW60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.74 грн
3+397.60 грн
8+361.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c
IPW60R190C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.57 грн
3+247.64 грн
6+206.16 грн
15+195.71 грн
120+191.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+563.75 грн
3+406.48 грн
8+370.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R420CFDFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.11 грн
6+206.16 грн
15+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBC0CC33F624143&compId=IPW80R280P7.pdf?ci_sign=1623f61fd440464f34971b01da5d47ae914d8f8a
IPW80R280P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10.6A; 101W; PG-TO247-3; ESD
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 101W
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 800V
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.28Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.46 грн
3+261.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59552626D78D1BF&compId=IPZ60R040C7-DTE.pdf?ci_sign=1d1709cb23ef90f3adae91e68c26105e3f8c2550
IPZ60R040C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 227W; PG-TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolMOS™ C7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1186.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Supply voltage: 11.4...18V DC
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -7...2A
Power: 625mW
Voltage class: 200V
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.30 грн
5+155.88 грн
9+125.41 грн
25+117.81 грн
50+114.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Case: DIP14
Mounting: THT
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+536.13 грн
3+465.67 грн
4+343.92 грн
9+324.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -3...3A
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.35 грн
6+203.24 грн
16+185.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFA6A1F3A75EA&compId=IR2011SPBF.pdf?ci_sign=e00761d8966cabb8635a24bc3b6e98b6b2e00d6b
IR2011SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Topology: MOSFET half-bridge
Output current: -1...1A
Turn-off time: 60ns
Turn-on time: 80ns
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.54 грн
8+164.76 грн
20+149.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52
IR2101PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.92 грн
5+216.07 грн
8+151.06 грн
21+142.51 грн
250+141.56 грн
1000+136.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD859AC4CE1F5EA&compId=IR2101SPBF.pdf?ci_sign=cf114e828503fc9421e769ef0cc9eb118ca9e5cf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.45 грн
10+76.95 грн
18+63.65 грн
49+59.85 грн
250+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.64 грн
10+98.66 грн
13+88.36 грн
35+83.61 грн
50+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.41 грн
4+97.67 грн
5+84.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1
IR2104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.06 грн
8+163.78 грн
20+149.16 грн
2500+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33E1F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2104.pdf?ci_sign=4359ee0159dafd1f6920f459f6db4eb8bb7e1e9d
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.79 грн
5+138.12 грн
10+118.76 грн
11+106.41 грн
25+104.51 грн
29+100.71 грн
50+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.45 грн
10+76.56 грн
20+57.76 грн
50+57.67 грн
54+54.53 грн
500+53.49 грн
1000+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F55BB632FD7F1A303005056AB0C4F&compId=ir2106.pdf?ci_sign=60c198277c5b13b4cf45f2a24e9c68803eb545df
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.53 грн
5+213.11 грн
8+156.76 грн
20+148.21 грн
190+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.22 грн
5+86.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.93 грн
3+147.00 грн
10+111.16 грн
28+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR21094STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.29 грн
10+104.58 грн
13+85.51 грн
36+81.70 грн
250+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR2109PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.92 грн
8+164.76 грн
20+150.11 грн
250+143.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD86EBAC15755EA&compId=IR21094SPBF.pdf?ci_sign=e52b4b1b7dbad02b8eb56f5ee02a6b8c88de787b
IR2109STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.22 грн
5+81.89 грн
10+70.30 грн
25+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee
IR2110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.02 грн
7+160.56 грн
20+152.01 грн
250+151.06 грн
500+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33EFF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2110_2113.pdf?ci_sign=c9154912c319d9857d6c998c98ec5f1a92c658ee
IR2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+310.01 грн
10+127.27 грн
26+115.91 грн
1980+114.01 грн
2520+111.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBFF28572095EA&compId=IR2110STRPBF.pdf?ci_sign=df9d8034c817d5f92fb697b53c8f2c84160d7ab0
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.13 грн
9+132.06 грн
24+125.41 грн
1000+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2111.pdf?ci_sign=cfae4f602fb7282d14336c0c0f16766cd0eadcb6
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.21 грн
8+162.79 грн
20+148.21 грн
50+142.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC01A6BF4675EA&compId=IR2111SPBF.pdf?ci_sign=e56e32f57f9de1414cd99b1b3cad0ce56d1a2232
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 830ns
Turn-off time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3404F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2112.pdf?ci_sign=595bac11ed51c7b446cca90d7246aae6dbde8538
IR2112PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.68 грн
6+217.05 грн
15+197.61 грн
500+190.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3404F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2112.pdf?ci_sign=595bac11ed51c7b446cca90d7246aae6dbde8538
IR2112SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.70 грн
16+192.39 грн
45+181.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC156B99E195EA&compId=IR2112STRPBF.pdf?ci_sign=fff1ad2fc5e660ca130ec2d8a3d9c46d23cf73c8
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 205ns
Turn-off time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 857 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.93 грн
8+154.90 грн
21+141.56 грн
25+137.76 грн
50+135.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]