Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148751) > Сторінка 1267 з 2480
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A On-state resistance: 45mΩ Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Case: PG-DSO-8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A On-state resistance: 67mΩ Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Technology: OptiMOS™ P Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP125H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 961 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1302 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60Ω Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Case: SOT223 Drain current: 0.12A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2.6A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 694 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 717 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3235 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 On-state resistance: 0.3Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 576 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 On-state resistance: 0.8Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Drain current: 0.66A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT223 On-state resistance: 1.8Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 641 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1213 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 724 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -430mA On-state resistance: 4Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2417 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 782 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP373NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 484 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP742R Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP742T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP742T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1517 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP752R | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP752R Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP752TXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP762T | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 2A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 70mΩ Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 1.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: PG-SOT223-4 Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3994 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP772T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP772T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSP77E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP77E6433 Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP78 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuitsDescription: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 35mΩ Technology: HITFET® Output voltage: 42V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP88H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 62 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 240V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSR202NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59 Case: SC59 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 0.5W Drain current: 3.8A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 579 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 5003 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20876 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9813 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 700Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 500Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3320 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS138IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8862 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS138WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1337 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS139H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3674 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 8Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: depletion Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 442 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS169H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 630 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS192PH6327FTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 834 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS205NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 5719 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -630mA Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS214NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1779 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 2689 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Power dissipation: 0.25W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1255 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BSS225H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.09A On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 262 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 7881 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors |
на замовлення 17746 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P3 Case: PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9599 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
BSO110N03MSGXUMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 68.68 грн |
| 39+ | 30.55 грн |
| 106+ | 28.87 грн |
| BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
On-state resistance: 45mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 13+ | 24.85 грн |
| 25+ | 22.64 грн |
| 100+ | 22.35 грн |
| BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 11+ | 29.78 грн |
| 25+ | 26.50 грн |
| 100+ | 24.32 грн |
| BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP125H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP125H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 961 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 86.78 грн |
| 37+ | 32.33 грн |
| 100+ | 30.55 грн |
| BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
On-state resistance: 6.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.11 грн |
| 10+ | 42.92 грн |
| 50+ | 32.83 грн |
| 100+ | 31.05 грн |
| BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain current: 0.12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 95.83 грн |
| 10+ | 67.05 грн |
| 50+ | 54.18 грн |
| 100+ | 49.73 грн |
| 200+ | 45.48 грн |
| 250+ | 44.10 грн |
| 500+ | 39.75 грн |
| BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 112.87 грн |
| 10+ | 69.72 грн |
| 50+ | 51.61 грн |
| 100+ | 46.27 грн |
| 200+ | 41.63 грн |
| 500+ | 40.44 грн |
| BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 717 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.19 грн |
| 10+ | 54.73 грн |
| 50+ | 38.76 грн |
| 100+ | 34.31 грн |
| 200+ | 30.45 грн |
| 500+ | 26.30 грн |
| 1000+ | 23.73 грн |
| BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3235 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 88.38 грн |
| 10+ | 43.33 грн |
| 100+ | 32.04 грн |
| 250+ | 28.77 грн |
| 500+ | 26.50 грн |
| 1000+ | 24.42 грн |
| 2000+ | 22.84 грн |
| BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.3Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 576 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.73 грн |
| 10+ | 55.45 грн |
| 50+ | 38.07 грн |
| 100+ | 33.02 грн |
| 125+ | 31.64 грн |
| 200+ | 29.07 грн |
| 500+ | 25.61 грн |
| BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 27.69 грн |
| 15+ | 21.15 грн |
| 25+ | 19.28 грн |
| 50+ | 18.49 грн |
| 100+ | 17.90 грн |
| BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.41 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| 25+ | 45.48 грн |
| 50+ | 40.93 грн |
| 100+ | 36.49 грн |
| 200+ | 31.94 грн |
| 500+ | 27.78 грн |
| BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.76 грн |
| 61+ | 19.28 грн |
| 167+ | 18.29 грн |
| BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 724 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.59 грн |
| 50+ | 23.73 грн |
| 136+ | 22.44 грн |
| BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -430mA
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.43A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -430mA
On-state resistance: 4Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.12 грн |
| 10+ | 54.52 грн |
| 100+ | 35.50 грн |
| 250+ | 30.65 грн |
| 500+ | 27.49 грн |
| 1000+ | 24.82 грн |
| 2000+ | 23.53 грн |
| BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.61 грн |
| 36+ | 32.63 грн |
| 99+ | 30.85 грн |
| BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP324H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.99 грн |
| 37+ | 32.33 грн |
| 100+ | 30.65 грн |
| BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP373NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP373NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 85.51 грн |
| 33+ | 35.69 грн |
| 91+ | 33.72 грн |
| BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.70 грн |
| 10+ | 186.88 грн |
| 100+ | 141.39 грн |
| 250+ | 127.55 грн |
| 500+ | 115.69 грн |
| 1000+ | 106.79 грн |
| BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP613PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 484 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.52 грн |
| 21+ | 57.05 грн |
| 57+ | 53.89 грн |
| BSP742R |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742R Power switches - integrated circuits
BSP742R Power switches - integrated circuits
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.08 грн |
| 13+ | 92.94 грн |
| 35+ | 88.00 грн |
| BSP742T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP742T Power switches - integrated circuits
BSP742T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.36 грн |
| 12+ | 98.88 грн |
| 33+ | 93.93 грн |
| BSP752R |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752R Power switches - integrated circuits
BSP752R Power switches - integrated circuits
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 170.37 грн |
| 10+ | 154.02 грн |
| 12+ | 104.81 грн |
| 31+ | 98.88 грн |
| BSP752TXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
BSP752TXUMA1 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 166.11 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| BSP762T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 290.70 грн |
| 10+ | 187.90 грн |
| 100+ | 141.39 грн |
| 250+ | 126.56 грн |
| 500+ | 115.69 грн |
| 1000+ | 111.73 грн |
| BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223-4
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3994 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.68 грн |
| 10+ | 77.01 грн |
| 25+ | 69.21 грн |
| 50+ | 65.26 грн |
| BSP772T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 354.59 грн |
| 8+ | 154.25 грн |
| 21+ | 146.34 грн |
| BSP77E6433 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP77E6433 Power switches - integrated circuits
BSP77E6433 Power switches - integrated circuits
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.43 грн |
| 15+ | 80.09 грн |
| 41+ | 76.13 грн |
| BSP78 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Technology: HITFET®
Output voltage: 42V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.59 грн |
| 10+ | 150.94 грн |
| 25+ | 131.51 грн |
| 100+ | 111.73 грн |
| 250+ | 98.88 грн |
| 500+ | 90.97 грн |
| 1000+ | 88.00 грн |
| BSP88H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSP88H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 62 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 48.66 грн |
| 48+ | 24.42 грн |
| 132+ | 23.14 грн |
| BSP89H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 37.27 грн |
| 11+ | 29.37 грн |
| 12+ | 24.72 грн |
| 25+ | 23.24 грн |
| BSP92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.62 грн |
| 94+ | 12.46 грн |
| 258+ | 11.77 грн |
| BSR202NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.8A; 0.5W; SC59
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.8A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 13+ | 24.95 грн |
| 50+ | 18.09 грн |
| 100+ | 16.12 грн |
| 250+ | 13.74 грн |
| 500+ | 12.66 грн |
| BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR315PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 65.70 грн |
| 80+ | 14.73 грн |
| 220+ | 13.84 грн |
| BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR316PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 579 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.70 грн |
| 62+ | 18.98 грн |
| 170+ | 18.00 грн |
| BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
BSR802NL6327HTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 53.35 грн |
| 79+ | 14.93 грн |
| 216+ | 14.14 грн |
| BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSR92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.55 грн |
| 87+ | 13.55 грн |
| 238+ | 12.85 грн |
| BSS119NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 5003 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.68 грн |
| 173+ | 6.82 грн |
| 475+ | 6.43 грн |
| BSS123NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20876 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 39+ | 8.01 грн |
| 42+ | 7.22 грн |
| 100+ | 5.77 грн |
| 500+ | 4.81 грн |
| 1000+ | 4.26 грн |
| 3000+ | 3.74 грн |
| BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9813 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 22.36 грн |
| 21+ | 14.99 грн |
| 50+ | 9.35 грн |
| 100+ | 7.72 грн |
| 500+ | 5.22 грн |
| 1000+ | 4.54 грн |
| 5000+ | 3.59 грн |
| BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 700Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.66 грн |
| 9+ | 35.12 грн |
| 10+ | 29.86 грн |
| 100+ | 18.09 грн |
| 500+ | 16.31 грн |
| BSS127H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.01 грн |
| 15+ | 21.46 грн |
| 50+ | 13.74 грн |
| 100+ | 11.47 грн |
| 500+ | 7.91 грн |
| 1000+ | 7.51 грн |
| BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS131H6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.28 грн |
| 225+ | 5.23 грн |
| 617+ | 4.94 грн |
| BSS138IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 230mA; 360mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 33+ | 9.45 грн |
| 100+ | 6.04 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 4.17 грн |
| 3000+ | 3.37 грн |
| 6000+ | 3.02 грн |
| BSS138NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8862 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.17 грн |
| 27+ | 11.60 грн |
| 50+ | 7.22 грн |
| 100+ | 6.02 грн |
| 500+ | 4.16 грн |
| 1000+ | 3.65 грн |
| 3000+ | 3.08 грн |
| BSS138WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.71 грн |
| 35+ | 8.83 грн |
| 50+ | 6.51 грн |
| 100+ | 5.86 грн |
| 500+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.15 грн |
| 3000+ | 3.61 грн |
| BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3674 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.20 грн |
| 14+ | 22.59 грн |
| 100+ | 14.53 грн |
| 250+ | 12.56 грн |
| 500+ | 11.96 грн |
| BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: depletion
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 442 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.33 грн |
| 13+ | 25.46 грн |
| 25+ | 19.28 грн |
| 50+ | 16.02 грн |
| 100+ | 13.45 грн |
| 250+ | 11.07 грн |
| 500+ | 10.88 грн |
| BSS169H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 630 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.33 грн |
| 12+ | 26.18 грн |
| 50+ | 18.49 грн |
| 100+ | 16.12 грн |
| 250+ | 13.45 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 10.18 грн |
| BSS192PH6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS192PH6327FTSA1 SMD P channel transistors
BSS192PH6327FTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 834 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 67.19 грн |
| 80+ | 14.63 грн |
| 220+ | 13.84 грн |
| BSS205NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS205NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS205NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.38 грн |
| 216+ | 5.43 грн |
| 594+ | 5.13 грн |
| BSS209PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 33+ | 9.45 грн |
| 50+ | 6.64 грн |
| 100+ | 5.83 грн |
| 500+ | 4.44 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| BSS214NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS214NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS214NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.92 грн |
| 291+ | 4.03 грн |
| 799+ | 3.82 грн |
| BSS214NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.78 грн |
| 35+ | 8.83 грн |
| 100+ | 5.63 грн |
| 250+ | 4.88 грн |
| 500+ | 4.46 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| 3000+ | 3.72 грн |
| BSS215PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.52 грн |
| 169+ | 6.92 грн |
| 466+ | 6.53 грн |
| BSS223PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Power dissipation: 0.25W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.10 грн |
| 29+ | 10.88 грн |
| 50+ | 6.74 грн |
| 100+ | 5.56 грн |
| 250+ | 4.70 грн |
| BSS225H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 262 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 29.82 грн |
| 13+ | 22.84 грн |
| 100+ | 17.80 грн |
| 250+ | 17.70 грн |
| BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS306NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 7881 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.14 грн |
| 173+ | 6.82 грн |
| 475+ | 6.43 грн |
| BSS308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSS308PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 17746 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 192+ | 6.13 грн |
| 527+ | 5.83 грн |
| BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P3
Case: PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9599 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 14.91 грн |
| 28+ | 11.19 грн |
| 50+ | 8.35 грн |
| 100+ | 7.50 грн |
| 500+ | 5.97 грн |
| 1000+ | 5.47 грн |
| 3000+ | 4.82 грн |






