Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148445) > Сторінка 1267 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPA60R280P7 IPA60R280P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R280P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R330P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 IPA60R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380C6XKSA1 IPA60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380E6XKSA1 IPA60R380E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R380E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R380P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R400CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.3A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+153.50 грн
3+133.70 грн
10+111.27 грн
28+104.83 грн
50+102.08 грн
250+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R450E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R600E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R600P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R650CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+95.50 грн
10+80.01 грн
16+69.89 грн
44+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R065C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R095C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be863f5d005b IPA65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1 IPA65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R190E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.17 грн
7+189.08 грн
17+171.97 грн
100+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63 IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+148.55 грн
9+133.34 грн
23+126.91 грн
50+126.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1 IPA65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R310CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d71fc099a03e0 IPA65R650CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.96 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R660CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Part_Number_Guide_Web.pdf IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.95 грн
10+89.77 грн
20+57.93 грн
53+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R1K0CE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.31 грн
10+121.28 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
500+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c IPA80R1K4P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 IPA80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.12 грн
9+127.97 грн
25+115.87 грн
50+114.95 грн
100+111.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R750P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.59 грн
10+109.82 грн
16+70.81 грн
42+67.13 грн
500+66.21 грн
1000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA80R900P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.63 грн
17+66.85 грн
46+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8cd8a0b90fc6 IPA90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA95R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.73 грн
10+83.08 грн
16+73.57 грн
42+68.97 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b IPA95R450P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d IPA95R750P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c IPAN60R125PFD7S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 IPAN60R210PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 386mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 IPAN60R280PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 IPAN60R360PFD7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R360P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 16.4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.00 грн
4+88.81 грн
10+77.25 грн
17+65.29 грн
47+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.03 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPAN70R750P7S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.55 грн
8+39.15 грн
10+35.40 грн
32+34.12 грн
50+31.08 грн
87+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3 IPAN80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.20 грн
5+236.34 грн
13+223.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69 IPAN80R360P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1 IPB009N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB009N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB010N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB011N04NG-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.52 грн
8+150.89 грн
21+137.02 грн
1000+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04LG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N04NG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB015N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB016N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N08N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB017N10N5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N06L3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+249.57 грн
8+152.80 грн
21+139.78 грн
200+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G
+1
 		IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES IPB019N08N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431936bc4b0119382c70a859ed IPB020N04NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R280P7 IPA60R280P7.pdf
IPA60R280P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R330P6XKSA1 IPA60R330P6-DTE.pdf
IPA60R330P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R360P7SXKSA1 Infineon-IPA60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d55dbb6160fc7
IPA60R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380C6XKSA1 IPA60R380C6-DTE.pdf
IPA60R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380E6XKSA1 IPA60R380E6-DTE.pdf
IPA60R380E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R380P6XKSA1 IPA60R380P6-DTE.pdf
IPA60R380P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R400CEXKSA1 IPA60R400CE-DTE.pdf
IPA60R400CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.3A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+153.50 грн
3+133.70 грн
10+111.27 грн
28+104.83 грн
50+102.08 грн
250+101.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R450E6XKSA1 IPA60R450E6-DTE.pdf
IPA60R450E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.2A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600E6XKSA1 IPA60R600E6-DTE.pdf
IPA60R600E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R600P6XKSA1 IPA60R600P6-DTE.pdf
IPA60R600P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.3A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.3A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R650CEXKSA1 IPA60R650CE-DTE.pdf
IPA60R650CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+95.50 грн
10+80.01 грн
16+69.89 грн
44+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R065C7XKSA1 Infineon-IPA65R065C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be66fa89001a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R095C7XKSA1 IPA65R095C7-DTE.pdf
IPA65R095C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 34W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 95mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R110CFDXKSA1 IPA65R110CFD-DTE.pdf
IPA65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 34.7W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R125C7XKSA1 Infineon-IPA65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343be53c50143be863f5d005b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190C7XKSA1 IPA65R190C7-DTE.pdf
IPA65R190C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190CFDXKSA1 IPA65R190CFD-DTE.pdf
IPA65R190CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R190E6XKSA1 IPA65R190E6-DTE.pdf
IPA65R190E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.17 грн
7+189.08 грн
17+171.97 грн
100+165.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R225C7XKSA1 Infineon-IPA65R225C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304343bec32d0143bf743f7c0c63
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+148.55 грн
9+133.34 грн
23+126.91 грн
50+126.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R280E6XKSA1 IPA65R280E6-DTE.pdf
IPA65R280E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R310CFDXKSA1 IPA65R310CFD-DTE.pdf
IPA65R310CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11.4A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.4A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R380C6XKSA1 IPA65R380C6-DTE.pdf
IPA65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R650CEXKSA1 Infineon-IPA65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014d71fc099a03e0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R650CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.96 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA65R660CFDXKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA70R360P7SXKSA1 Infineon-IPA70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf777f5b0d77
IPA70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; Idm: 34A; 26.5W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.95 грн
10+89.77 грн
20+57.93 грн
53+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K0CEXKSA2 IPA80R1K0CE.pdf
IPA80R1K0CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.31 грн
10+121.28 грн
13+88.28 грн
34+83.68 грн
500+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4P7XKSA1 Infineon-IPA80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255a50e820155d90b3461516c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K4P7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R360P7XKSA1 Infineon-IPA80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b10283a015b23b4067a2b98
IPA80R360P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8.6A; Idm: 34A; 30W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.12 грн
9+127.97 грн
25+115.87 грн
50+114.95 грн
100+111.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R750P7XKSA1 IPA80R750P7.pdf
IPA80R750P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 26W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.59 грн
10+109.82 грн
16+70.81 грн
42+67.13 грн
500+66.21 грн
1000+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7.pdf
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.63 грн
17+66.85 грн
46+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8cd8a0b90fc6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 IPA95R1K2P7.pdf
IPA95R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 3.7A; 27W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.73 грн
10+83.08 грн
16+73.57 грн
42+68.97 грн
100+67.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R450P7XKSA1 Infineon-IPA95R450P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0164373e97df502b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA95R750P7XKSA1 Infineon-IPA95R750P7-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643b4b0fd3565d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R750P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R125PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e224bf53a667c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN60R125PFD7S THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R210PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e2254e024673e
IPAN60R210PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 386mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ PFD7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 42A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R280PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed5c9de013926
IPAN60R280PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 31A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 Infineon-IPAN60R360PFD7S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e225ddfd96741
IPAN60R360PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 24A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7S.pdf
IPAN70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 26.5W; TO220FP; ESD
Mounting: THT
Case: TO220FP
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 16.4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.00 грн
4+88.81 грн
10+77.25 грн
17+65.29 грн
47+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R450P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f499adf55405f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.03 грн
18+63.45 грн
47+59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN70R750P7SXKSA1 IPAN70R750P7S.pdf
IPAN70R750P7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.55 грн
8+39.15 грн
10+35.40 грн
32+34.12 грн
50+31.08 грн
87+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R280P7XKSA1 Infineon-IPAN80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015989300a1b32b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.20 грн
5+236.34 грн
13+223.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN80R360P7XKSA1 Infineon-IPAN80R360P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b62cd8a015bcdb8328d6d69
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R360P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB009N03LGATMA1 IPB009N03LG-DTE.pdf
IPB009N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 180A
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 250W
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB010N06NATMA1 IPB010N06N-DTE.pdf
IPB010N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04LGATMA1 IPB011N04LG-DTE.pdf
IPB011N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NG-dte.pdf
IPB011N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.52 грн
8+150.89 грн
21+137.02 грн
1000+132.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LG.pdf
IPB015N04LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N04NGATMA1 IPB015N04NG-DTE.pdf
IPB015N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB015N08N5ATMA1 IPB015N08N5-DTE.pdf
IPB015N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3G-DTE.pdf
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3G-DTE.pdf
IPB017N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5-DTE.pdf
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5-DTE.pdf
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3G-DTE.pdf
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.57 грн
8+152.80 грн
21+139.78 грн
200+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G IPB019N08N3G-DTE.pdf
IPB019N08N3G
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1 IPB020N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431936bc4b0119382c70a859ed
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB020N04NGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 IPB020N10N5-dte.pdf
IPB020N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]