Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148448) > Сторінка 1258 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FS100R12W2T7B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FS10R12VT3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 64W
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY750-1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KT4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FS150R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R17PE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FS150R17PE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 4
Case: AG-ECONO4-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS15R12VT3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES FS15R12VT3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 86W
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY750-1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12KT4RB11BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c FS50R12KE3BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4B11BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120b40c2da2770f Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
кількість в упаковці: 15 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 465W
Application: Inverter
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FS820R08A6P2LB-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fe7bf83492945 FS820R08A6P2LB IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1000R33HE3BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ1000R33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d760f30227290 FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0 FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2000R33HE4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ2000R33HE4-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed15a9df22af8 Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 2kA
Case: AG-IHVB190-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ400R12KS4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R17KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FZ400R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043294a3558012959e289a07c53 FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ600R12KE3.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ900R12KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32 IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N04S5N012-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20182c67740 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35 IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38 IAUA180N10S5N029 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA200N04S5N010-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462647040d101647051b3671ed1 IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 170nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 169nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 250W
Gate charge: 151nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1350A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.83Ω
Power dissipation: 192W
Gate charge: 128nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.3kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 960µΩ
Power dissipation: 172W
Gate charge: 109nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41 IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151 IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3 IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8 IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5L054-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd429850211 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6 IAUC120N04S6L005 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L008-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e19bb10a8 IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6L012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3c0351219 IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202 IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050 IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674 IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8 IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5 IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2 IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205 IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208 IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef IAUC60N04S6L030H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6 IAUC60N04S6L039 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS100R12W2T7B11BOMA1 Infineon-FS100R12W2T7_B11-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46267c74c9a01683d5d7ab56640
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS10R12VT3BOMA1 FS10R12VT3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Power dissipation: 64W
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY750-1
кількість в упаковці: 40 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R12KT4BOSA1 FS150R12KT4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 750W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS150R17PE4BOSA1 FS150R17PE4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Collector current: 150A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 4
Case: AG-ECONO4-1
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Pulsed collector current: 300A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS15R12VT3BOMA1 FS15R12VT3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 86W
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY750-1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS200R12KT4RB11BOSA1 Infineon-FS200R12KT4R_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a30432a14dd54012a3336af6002b6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS50R12KE3BPSA1 Infineon-FS50R12KE3-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4311b49537c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FS50R12KE3BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R12W2T4B11BOMA1 Infineon-FS75R12W2T4_B11-DS-v02_01-en_de.pdf?fileId=db3a304320896aa20120b40c2da2770f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™ 2B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Case: AG-EASY2B-2
кількість в упаковці: 15 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS75R17KE3BOSA1 Infineon-FS75R17KE3-DS-v02_00-en_de.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42fe90e4e40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mechanical mounting: screw
Power dissipation: 465W
Application: Inverter
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon-FS820R08A6P2LB-DataSheet-v03_03-EN.pdf?fileId=5546d4625fe36784015fe7bf83492945
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FS820R08A6P2LB IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1000R33HE3BPSA1 Infineon-FZ1000R33HE3-DS-v03_02-EN.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d760f30227290
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 Infineon-Bodos_Power_Systems_Modules%20for_traction_converters-Article-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a96de3a714ec0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ2000R33HE4BOSA1 Infineon-FZ2000R33HE4-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626eab8fbf016ed15a9df22af8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 2kA
Case: AG-IHVB190-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R12KS4HOSA1 FZ400R12KS4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ400R17KE4HOSA1 Infineon-FZ400R17KE4-DS-v02_02-en_de.pdf?fileId=db3a3043294a3558012959e289a07c53
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ600R12KE3HOSA1 FZ600R12KE3.pdf
FZ600R12KE3HOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KE4HOSA1 FZ900R12KE4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 Infineon-IAUA170N10S5N031-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39952b0b32
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1 Infineon-IAUA180N04S5N012-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc20182c67740
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 Infineon-IAUA180N08S5N026-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39a3760b35
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N08S5N026 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 Infineon-IAUA180N10S5N029-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39b1380b38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA180N10S5N029 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon-IAUA200N04S5N010-DS-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d462647040d101647051b3671ed1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon-IAUA210N10S5N024-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39bd6b0b3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 Infineon-IAUA220N08S5N021-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39cb690b3e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 170nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.7mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 169nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.5kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 250W
Gate charge: 151nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1350A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.83Ω
Power dissipation: 192W
Gate charge: 128nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.3kA
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-HSOF-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 960µΩ
Power dissipation: 172W
Gate charge: 109nC
Technology: OptiMOS™ 6
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1 Infineon-IAUA250N08S5N018-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627956d53f01798e39d6fc0b41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L014-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c35a9690def
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6L014 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L020-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c5a4e5b0dfa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6L020 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6L025-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c9a8f861151
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6L025 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N022-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c3edae10df3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6N022 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 Infineon-IAUC100N04S6N028-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c7f0ef50ff8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC100N04S6N028 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N031-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a54445630016
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N034-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd41bf1020e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 Infineon-IAUC100N08S5N043-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166a528eb6b0010
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462694c98b401696d0485683542
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5L054-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd429850211
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon-IAUC100N10S5N040-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46264a8de7e0164b70f994060e8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175e129ada610b6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L005 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L008-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e19bb10a8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L009-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c4c4d087c177b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6L012-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1ca3c0351219
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon-IAUC120N04S6N009-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff0166447e26e910ab
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5L032-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f468428461b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 Infineon-IAUC120N06S5N017-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f48ce58a61bc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1 Infineon-IAUC26N10S5L245-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3ea760202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 Infineon-IAUC28N08S5L230-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1dd9c8340050
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 Infineon-IAUC40N08S5L140-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795b920be4674
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5L100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46271bf4f920171f45f332861ae
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 Infineon-IAUC41N06S5N102-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4e60b6fe8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6L063H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530913a295ff5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 Infineon-IAUC45N04S6N070H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb32017530912ce85ff2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5L096-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd3f6cf0205
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 Infineon-IAUC50N08S5N102-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd4039a0208
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L030H-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627506bb320175309120315fef
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6L030H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 Infineon-IAUC60N04S6L039-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626afcd350016b1c511cb70df6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6L039 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1253 1254 1255 1256 1257 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]