Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149360) > Сторінка 1258 з 2490
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BSP88H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP89H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.35A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 423 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2307 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSR315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.49A On-state resistance: 1.3Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Drain current: -290mA On-state resistance: 2.2Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1079 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.5W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2346 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59 Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -250V Drain current: -110mA On-state resistance: 20Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Case: SC59 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 578 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS119NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 3807 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS123IXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.63nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS123NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS123NH6433XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 10Ω Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Gate charge: 0.6nC Drain current: 0.15A Power dissipation: 0.5W Pulsed drain current: 0.77A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 457 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS126H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 600V On-state resistance: 700Ω Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2451 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS127H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 500Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3361 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS131H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 14Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 240V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14446 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS138WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323 Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT323 Mounting: SMD Drain current: 0.28A Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 3.5Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS139H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 30Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS159NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.23A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of channel: depletion Technology: SIPMOS™ Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1147 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS169H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain current: 0.17A Power dissipation: 0.36W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS192PH6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89 Mounting: SMD Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.19A Power dissipation: 1W On-state resistance: 12Ω Gate-source voltage: ±20V Case: PG-SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS205NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 85mΩ Drain current: 2.5A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS209PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.63A Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.3W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3649 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS214NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.25Ω Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS214NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.5A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2364 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS215PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 214 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS223PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.25W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS225H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89 Mounting: SMD Case: SOT89 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.09A On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 372 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 93mΩ Drain current: 2.3A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10594 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 5744 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Case: PG-SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ P2 Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -30V Drain current: -1.5A On-state resistance: 0.15Ω Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD On-state resistance: 0.28Ω Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19420 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: PG-SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 710 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS670S2LH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23 Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.54A Drain-source voltage: 55V On-state resistance: 0.65Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSS7728NH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2949 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSS806NEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 82mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2171 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS806NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 82mΩ Drain current: 2.3A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3303 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS816NWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A Power dissipation: 0.5W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.24Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 259 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS83PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -330mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.14A Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Gate charge: 0.37nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5312 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSS87H6327FTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 240V Drain current: 0.26A Power dissipation: 1W On-state resistance: 6Ω Gate-source voltage: ±20V Case: SOT89-4 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 653 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ018NE2LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 40A Power dissipation: 69W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4971 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSZ040N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSZ097N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TSDSON-8 Polarisation: unipolar On-state resistance: 9.7mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 35W Drain current: 40A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSZ440N10NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 18A Power dissipation: 29W Case: PG-TSDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSZ900N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 3006 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ900N20NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 868 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BTN8962TAAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: IMC; motor controller Technology: NovalithIC™ Case: PG-TO263-7 Output current: -27...30A Number of channels: 1 Mounting: SMD On-state resistance: 14.2mΩ Operating temperature: -40...150°C Operating voltage: 5.5...40V DC Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BTS134D | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3 Type of integrated circuit: power switch On-state resistance: 35mΩ Kind of output: N-Channel Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3.5A Output voltage: 42V Case: TO252-3 Technology: HITFET® Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BTS142D | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS142D Power switches - integrated circuits |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BTS282ZE3180AATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 81 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BTS282ZE3230AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BTS3035EJ | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP Kind of integrated circuit: low-side Case: SO8-EP Type of integrated circuit: power switch Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of output: N-Channel Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 115µs Turn-off time: 210µs On-state resistance: 70mΩ Number of channels: 1 Output current: 5A Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BTS3035TF | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3 Kind of integrated circuit: low-side Case: PG-TO252-3 Type of integrated circuit: power switch Mounting: SMD Technology: HITFET® Kind of output: N-Channel Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 115µs Turn-off time: 210µs On-state resistance: 70mΩ Number of channels: 1 Output current: 5A Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1139 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BTS3050EJ | INFINEON TECHNOLOGIES | BTS3050EJ Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BTS3110N | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Mounting: SMD Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Case: PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Operating temperature: -40...150°C Turn-on time: 45µs Turn-off time: 60µs On-state resistance: 0.2Ω Number of channels: 1 Output current: 1.4A Output voltage: 42V Technology: HITFET®; SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BTS3118N | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Technology: HITFET® Case: SOT223-3 Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Mounting: SMD On-state resistance: 70mΩ Number of channels: 1 Output current: 2.17A Output voltage: 42V Type of integrated circuit: power switch кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1908 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BTS3405G | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET® Type of integrated circuit: power switch Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Output current: 0.35A On-state resistance: 0.35Ω Number of channels: 2 Output voltage: 10V Kind of integrated circuit: low-side Case: PG-DSO-8-25 Technology: HITFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2207 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BTS3408GXUMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8 Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Case: PG-DSO-8 Type of integrated circuit: power switch Operating temperature: -40...150°C Turn-off time: 2µs Turn-on time: 2µs On-state resistance: 0.48Ω Output current: 0.55A Power dissipation: 0.88W Number of channels: 2 Supply voltage: 4.5...60V DC Output voltage: 60V Technology: HITFET® Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BSP88H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 127 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.16 грн |
9+ | 36.11 грн |
10+ | 31.73 грн |
48+ | 23.56 грн |
100+ | 23.47 грн |
131+ | 22.23 грн |
BSP89H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.35A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.83 грн |
11+ | 28.81 грн |
12+ | 24.23 грн |
25+ | 22.04 грн |
BSP92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP92PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 61.29 грн |
94+ | 11.97 грн |
257+ | 11.40 грн |
BSR315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
On-state resistance: 1.3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.49A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.49A
On-state resistance: 1.3Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.09 грн |
10+ | 34.04 грн |
50+ | 24.99 грн |
80+ | 13.97 грн |
220+ | 13.21 грн |
BSR316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 40.93 грн |
11+ | 29.50 грн |
50+ | 22.99 грн |
61+ | 18.34 грн |
168+ | 17.29 грн |
BSR802NL6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.7A; 0.5W; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.90 грн |
10+ | 31.18 грн |
11+ | 27.55 грн |
78+ | 14.35 грн |
214+ | 13.59 грн |
3000+ | 13.11 грн |
BSR92PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -110mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -110mA
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.18 грн |
10+ | 37.10 грн |
50+ | 26.13 грн |
79+ | 14.16 грн |
218+ | 13.30 грн |
3000+ | 12.83 грн |
BSS119NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSS119NH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3807 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.60 грн |
171+ | 6.56 грн |
470+ | 6.18 грн |
BSS123IXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.63nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
28+ | 10.95 грн |
50+ | 6.38 грн |
100+ | 5.23 грн |
362+ | 3.09 грн |
995+ | 2.92 грн |
3000+ | 2.80 грн |
BSS123NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
On-state resistance: 10Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
34+ | 9.21 грн |
40+ | 7.50 грн |
43+ | 6.75 грн |
100+ | 5.21 грн |
250+ | 4.67 грн |
281+ | 3.98 грн |
772+ | 3.76 грн |
BSS123NH6433XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 10Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 10Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Gate charge: 0.6nC
Drain current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Pulsed drain current: 0.77A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.56 грн |
19+ | 16.18 грн |
23+ | 12.73 грн |
50+ | 8.02 грн |
100+ | 6.73 грн |
296+ | 3.79 грн |
814+ | 3.58 грн |
BSS126H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 700Ω
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
On-state resistance: 700Ω
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.06 грн |
9+ | 35.52 грн |
10+ | 29.93 грн |
65+ | 17.29 грн |
179+ | 16.34 грн |
BSS127H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 500Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.74 грн |
13+ | 23.28 грн |
25+ | 18.24 грн |
50+ | 15.49 грн |
100+ | 13.11 грн |
143+ | 7.89 грн |
391+ | 7.41 грн |
BSS131H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 14Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 240V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.37 грн |
29+ | 10.56 грн |
34+ | 8.59 грн |
50+ | 7.60 грн |
100+ | 6.76 грн |
223+ | 5.04 грн |
500+ | 5.03 грн |
BSS138NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14446 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 17.39 грн |
23+ | 13.02 грн |
28+ | 10.45 грн |
50+ | 6.73 грн |
100+ | 5.67 грн |
364+ | 3.08 грн |
1000+ | 2.92 грн |
BSS138WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.28A; 0.5W; SOT323
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT323
Mounting: SMD
Drain current: 0.28A
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 13.30 грн |
45+ | 6.61 грн |
51+ | 5.62 грн |
100+ | 5.30 грн |
250+ | 4.87 грн |
292+ | 3.85 грн |
802+ | 3.64 грн |
BSS139H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.1A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
13+ | 23.38 грн |
89+ | 12.54 грн |
245+ | 11.88 грн |
500+ | 11.69 грн |
1000+ | 11.40 грн |
BSS159NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: depletion
Technology: SIPMOS™
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.90 грн |
11+ | 27.03 грн |
25+ | 20.14 грн |
50+ | 16.34 грн |
99+ | 11.31 грн |
250+ | 10.83 грн |
270+ | 10.74 грн |
BSS169H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.90 грн |
11+ | 27.13 грн |
50+ | 19.76 грн |
100+ | 17.39 грн |
117+ | 9.60 грн |
322+ | 9.03 грн |
6000+ | 8.65 грн |
BSS192PH6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.19A; 1W; PG-SOT89
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.19A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.13 грн |
10+ | 37.29 грн |
50+ | 27.08 грн |
70+ | 16.06 грн |
192+ | 15.11 грн |
3000+ | 14.63 грн |
BSS205NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 85mΩ
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 21.71 грн |
17+ | 17.29 грн |
25+ | 12.54 грн |
50+ | 9.73 грн |
100+ | 7.80 грн |
214+ | 5.23 грн |
BSS209PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.63A
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.3W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 13.30 грн |
31+ | 9.77 грн |
50+ | 6.90 грн |
100+ | 6.04 грн |
252+ | 4.44 грн |
692+ | 4.20 грн |
1000+ | 4.16 грн |
BSS214NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.25Ω
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 21.49 грн |
22+ | 13.52 грн |
50+ | 9.03 грн |
100+ | 7.76 грн |
250+ | 6.44 грн |
288+ | 3.89 грн |
791+ | 3.67 грн |
BSS214NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 13.30 грн |
33+ | 9.18 грн |
100+ | 5.84 грн |
250+ | 5.07 грн |
326+ | 3.43 грн |
895+ | 3.24 грн |
BSS215PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSS215PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 214 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.09 грн |
169+ | 6.65 грн |
463+ | 6.27 грн |
BSS223PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
27+ | 11.35 грн |
50+ | 6.99 грн |
100+ | 5.77 грн |
225+ | 4.96 грн |
250+ | 4.54 грн |
500+ | 4.51 грн |
BSS225H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.09A; 1W; SOT89
Mounting: SMD
Case: SOT89
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.09A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 33.76 грн |
11+ | 29.01 грн |
61+ | 18.53 грн |
167+ | 17.48 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 93mΩ
Drain current: 2.3A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10594 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
17+ | 18.35 грн |
50+ | 12.45 грн |
100+ | 10.74 грн |
172+ | 6.56 грн |
472+ | 6.18 грн |
3000+ | 5.99 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
12+ | 24.86 грн |
50+ | 16.72 грн |
100+ | 14.25 грн |
191+ | 5.89 грн |
525+ | 5.51 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSS314PEH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 5744 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.80 грн |
223+ | 5.04 грн |
612+ | 4.77 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P2
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Case: PG-SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P2
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -1.5A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.72 грн |
12+ | 24.86 грн |
14+ | 20.71 грн |
100+ | 11.97 грн |
182+ | 6.18 грн |
500+ | 5.80 грн |
6000+ | 5.61 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.28Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.28Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 11.25 грн |
40+ | 7.50 грн |
52+ | 5.53 грн |
100+ | 4.95 грн |
250+ | 4.31 грн |
315+ | 3.56 грн |
865+ | 3.37 грн |
BSS606NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.09 грн |
10+ | 35.52 грн |
50+ | 26.51 грн |
75+ | 14.92 грн |
206+ | 14.06 грн |
BSS670S2LH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.54A
Drain-source voltage: 55V
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.54A; 0.36W; SOT23
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.54A
Drain-source voltage: 55V
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 0.36W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
24+ | 12.33 грн |
50+ | 8.23 грн |
100+ | 7.07 грн |
247+ | 4.51 грн |
679+ | 4.27 грн |
3000+ | 4.10 грн |
BSS7728NH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
BSS7728NH6327XTSA2 SMD N channel transistors
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.66 грн |
220+ | 5.09 грн |
605+ | 4.82 грн |
BSS806NEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 82mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.56 грн |
20+ | 15.19 грн |
23+ | 12.45 грн |
50+ | 8.97 грн |
100+ | 7.94 грн |
214+ | 5.23 грн |
588+ | 4.94 грн |
BSS806NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 82mΩ
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 25.58 грн |
19+ | 15.59 грн |
50+ | 10.51 грн |
100+ | 9.07 грн |
276+ | 4.05 грн |
758+ | 3.83 грн |
BSS816NWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
26+ | 11.74 грн |
50+ | 8.68 грн |
100+ | 7.69 грн |
250+ | 6.48 грн |
285+ | 3.92 грн |
784+ | 3.71 грн |
BSS83PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.33A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -330mA
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 27.62 грн |
17+ | 18.15 грн |
25+ | 13.87 грн |
50+ | 11.59 грн |
100+ | 9.79 грн |
228+ | 4.94 грн |
625+ | 4.66 грн |
BSS84PH6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.14A
Power dissipation: 0.36W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 18.42 грн |
23+ | 13.22 грн |
29+ | 10.07 грн |
43+ | 6.65 грн |
59+ | 4.88 грн |
100+ | 3.88 грн |
250+ | 3.25 грн |
BSS84PWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.15A
Power dissipation: 0.3W
Case: PG-SOT-323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Gate charge: 0.37nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 12.28 грн |
41+ | 7.30 грн |
55+ | 5.24 грн |
100+ | 4.69 грн |
360+ | 3.12 грн |
991+ | 2.95 грн |
6000+ | 2.91 грн |
BSS87H6327FTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89-4
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.26A; 1W; SOT89-4
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 1W
On-state resistance: 6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT89-4
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 653 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.81 грн |
13+ | 23.58 грн |
50+ | 18.15 грн |
63+ | 17.96 грн |
100+ | 16.63 грн |
500+ | 16.25 грн |
BSZ018NE2LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 40A; 69W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 40A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4971 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 99.65 грн |
10+ | 76.00 грн |
18+ | 62.70 грн |
49+ | 59.85 грн |
100+ | 57.00 грн |
BSZ040N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
BSZ040N04LSGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 100.98 грн |
22+ | 52.06 грн |
60+ | 49.21 грн |
200+ | 49.13 грн |
BSZ097N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TSDSON-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35W
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 53.20 грн |
10+ | 39.37 грн |
35+ | 32.68 грн |
94+ | 30.88 грн |
100+ | 29.74 грн |
BSZ440N10NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.62 грн |
10+ | 60.18 грн |
24+ | 47.50 грн |
66+ | 44.65 грн |
BSZ900N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ900N15NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 3006 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 85.94 грн |
24+ | 48.07 грн |
65+ | 45.41 грн |
1000+ | 45.38 грн |
BSZ900N20NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
BSZ900N20NS3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 868 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 151.42 грн |
13+ | 87.41 грн |
36+ | 82.66 грн |
BTN8962TAAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; IMC,motor controller; PG-TO263-7
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: IMC; motor controller
Technology: NovalithIC™
Case: PG-TO263-7
Output current: -27...30A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
On-state resistance: 14.2mΩ
Operating temperature: -40...150°C
Operating voltage: 5.5...40V DC
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 417.44 грн |
4+ | 315.71 грн |
10+ | 296.42 грн |
11+ | 286.92 грн |
25+ | 278.37 грн |
50+ | 275.52 грн |
BTS134D |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 35mΩ
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 35mΩ
Kind of output: N-Channel
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3.5A
Output voltage: 42V
Case: TO252-3
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 281.36 грн |
10+ | 178.57 грн |
11+ | 110.21 грн |
28+ | 104.51 грн |
1000+ | 100.71 грн |
BTS142D |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS142D Power switches - integrated circuits
BTS142D Power switches - integrated circuits
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 224.07 грн |
9+ | 125.41 грн |
25+ | 118.76 грн |
BTS282ZE3180AATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS282ZE3180A Power switches - integrated circuits
BTS282ZE3180A Power switches - integrated circuits
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 686.53 грн |
3+ | 397.12 грн |
8+ | 375.27 грн |
BTS282ZE3230AKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS282ZE3230 Power switches - integrated circuits
BTS282ZE3230 Power switches - integrated circuits
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 679.36 грн |
3+ | 415.18 грн |
8+ | 392.37 грн |
BTS3035EJ |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8-EP
Kind of integrated circuit: low-side
Case: SO8-EP
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 133.01 грн |
5+ | 115.43 грн |
18+ | 63.65 грн |
48+ | 60.80 грн |
BTS3035TF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 5A
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.26 грн |
10+ | 115.91 грн |
15+ | 76.95 грн |
40+ | 72.20 грн |
1000+ | 69.35 грн |
BTS3050EJ |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BTS3050EJ Power switches - integrated circuits
BTS3050EJ Power switches - integrated circuits
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 122.78 грн |
20+ | 56.05 грн |
55+ | 53.20 грн |
BTS3110N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 45µs
Turn-off time: 60µs
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®; SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-on time: 45µs
Turn-off time: 60µs
On-state resistance: 0.2Ω
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®; SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 211.79 грн |
10+ | 131.22 грн |
14+ | 80.75 грн |
39+ | 76.00 грн |
500+ | 74.10 грн |
BTS3118N |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Technology: HITFET®
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 2.17A
Output voltage: 42V
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Technology: HITFET®
Case: SOT223-3
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
On-state resistance: 70mΩ
Number of channels: 1
Output current: 2.17A
Output voltage: 42V
Type of integrated circuit: power switch
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 148.36 грн |
10+ | 104.58 грн |
13+ | 88.36 грн |
35+ | 83.61 грн |
100+ | 81.70 грн |
250+ | 79.80 грн |
BTS3405G |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET®
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Output current: 0.35A
On-state resistance: 0.35Ω
Number of channels: 2
Output voltage: 10V
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-DSO-8-25
Technology: HITFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 350mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET®
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Output current: 0.35A
On-state resistance: 0.35Ω
Number of channels: 2
Output voltage: 10V
Kind of integrated circuit: low-side
Case: PG-DSO-8-25
Technology: HITFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 208.72 грн |
10+ | 129.24 грн |
11+ | 102.61 грн |
30+ | 96.91 грн |
100+ | 93.11 грн |
BTS3408GXUMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 2µs
Turn-on time: 2µs
On-state resistance: 0.48Ω
Output current: 0.55A
Power dissipation: 0.88W
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...60V DC
Output voltage: 60V
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 550mA; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-DSO-8
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-DSO-8
Type of integrated circuit: power switch
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 2µs
Turn-on time: 2µs
On-state resistance: 0.48Ω
Output current: 0.55A
Power dissipation: 0.88W
Number of channels: 2
Supply voltage: 4.5...60V DC
Output voltage: 60V
Technology: HITFET®
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 181.10 грн |
9+ | 130.23 грн |
25+ | 118.76 грн |
500+ | 117.81 грн |
1000+ | 114.01 грн |