Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149184) > Сторінка 1261 з 2487
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FS75R12W2T4B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 75A Case: AG-EASY2B-2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 375W Technology: EasyPACK™ 2B Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT кількість в упаковці: 15 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FS75R17KE3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: AG-ECONO3-4 Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 465W Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FS820R08A6P2LBBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FZ1000R33HE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FZ1400R33HE4BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FZ2000R33HE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3 Type of module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Topology: IGBT x3 Max. off-state voltage: 3.3kV Collector current: 2kA Case: AG-IHVB190-3 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 4kA Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FZ400R12KS4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A Power dissipation: 2.5kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
FZ400R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
![]() |
FZ600R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FZ900R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MMES Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 900A Pulsed collector current: 1.8kA Power dissipation: 4.3kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA170N10S5N031AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA180N04S5N012AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 720A Power dissipation: 125W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.1µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA180N08S5N026AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25A Pulsed drain current: 546A Power dissipation: 179W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 87nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA180N10S5N029AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 24A Pulsed drain current: 561A Power dissipation: 221W Case: PG-HSOF-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA200N04S5N010AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA210N10S5N024AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA220N08S5N021AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA250N04S6N005AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA250N04S6N006AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA250N04S6N007AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA250N04S6N007EAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA250N04S6N008AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUA250N08S5N018AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N04S6L014ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 100W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N04S6L020ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N04S6L025ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 62W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N04S6N022ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 96A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 75W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N04S6N028ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 77A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 62W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 6 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N08S5N031ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 167W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N08S5N034ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 22A On-state resistance: 4.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 136W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 66nC Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N08S5N043ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W Case: PG-TDSON-8 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Mounting: SMD Drain-source voltage: 80V Drain current: 76A On-state resistance: 4.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 120W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N10S5L040ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 168W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N10S5L054ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 17A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 130W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC100N10S5N040ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N04S6L005ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N04S6L008ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N04S6L009ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N04S6L012ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N04S6N009ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N06S5L032ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 21A Power dissipation: 94W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 4.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 51.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Pulsed drain current: 364A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC120N06S5N017ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 30A Power dissipation: 167W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 Pulsed drain current: 757A кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC24N10S5L300ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC26N10S5L245ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC28N08S5L230ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC40N08S5L140ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC41N06S5L100ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC41N06S5N102ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC45N04S6L063HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC45N04S6N070HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC50N08S5L096ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC50N08S5N102ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N04S6L030HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N04S6L039ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N04S6L045HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N04S6N031HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N04S6N044ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N04S6N050HATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N06S5L073ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 9.8mΩ Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 22.6nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 168A Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N06S5N074ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-TDSON-8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 15A On-state resistance: 9mΩ Power dissipation: 52W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 20nC Technology: OptiMOS™ 5 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 168A Mounting: SMD кількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
IAUC60N10S5L110ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FS75R12W2T4B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-EASY2B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 15 шт
Category: IGBT modules
Description: Transistor/transistor; IGBT three-phase bridge,NTC thermistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-EASY2B-2
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 375W
Technology: EasyPACK™ 2B
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
кількість в упаковці: 15 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FS75R17KE3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge x3; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-4
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 465W
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FS820R08A6P2LBBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FS820R08A6P2LB IGBT modules
FS820R08A6P2LB IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ1000R33HE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
FZ1000R33HE3BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ1400R33HE4BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
FZ1400R33HE4BPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ2000R33HE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 2kA
Case: AG-IHVB190-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x3
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Topology: IGBT x3
Max. off-state voltage: 3.3kV
Collector current: 2kA
Case: AG-IHVB190-3
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 4kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ400R12KS4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 400A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 400A
Pulsed collector current: 800A
Power dissipation: 2.5kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ400R17KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
FZ400R17KE4HOSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ600R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
Power dissipation: 2.8kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FZ900R12KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 900A
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA170N10S5N031AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
IAUA170N10S5N031 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA180N04S5N012AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 720A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 125W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA180N08S5N026AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 25A; Idm: 546A; 179W; PG-HSOF-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 179W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA180N10S5N029AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 24A; Idm: 561A; 221W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 221W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA200N04S5N010AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
IAUA200N04S5N010 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA210N10S5N024AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors
IAUA210N10S5N024 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA220N08S5N021AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
IAUA220N08S5N021 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N005 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N006 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N007 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N007E SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
IAUA250N04S6N008 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUA250N08S5N018AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
IAUA250N08S5N018 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N04S6L014ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 100W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N04S6L020ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N04S6L025ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 83A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N04S6N022ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 96A; Idm: 400A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 96A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 75W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N04S6N028ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 77A; Idm: 400A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 77A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N08S5N031ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 400A; 167W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N08S5N034ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 22A; Idm: 400A; 136W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 22A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 66nC
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N08S5N043ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 76A; Idm: 400A; 120W
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 76A
On-state resistance: 4.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 120W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N10S5L040ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 168W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 168W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N10S5L054ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; Idm: 400A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 130W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC100N10S5N040ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; Idm: 400A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N04S6L005ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L005 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L005 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N04S6L008ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L008 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N04S6L009ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L009 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N04S6L012ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6L012 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N04S6N009ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
IAUC120N04S6N009 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N06S5L032ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 364A; 94W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 364A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC120N06S5N017ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 30A; Idm: 757A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 30A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 757A
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
IAUC24N10S5L300 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC26N10S5L245ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
IAUC26N10S5L245 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC28N08S5L230ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors
IAUC28N08S5L230 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC40N08S5L140ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
IAUC40N08S5L140 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC41N06S5L100ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
IAUC41N06S5L100 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC41N06S5N102ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
IAUC41N06S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC45N04S6L063HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors
IAUC45N04S6L063H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC45N04S6N070HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors
IAUC45N04S6N070H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC50N08S5L096ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
IAUC50N08S5L096 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC50N08S5N102ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
IAUC50N08S5N102 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N04S6L030HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6L030H SMD N channel transistors
IAUC60N04S6L030H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N04S6L039ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6L039 SMD N channel transistors
IAUC60N04S6L039 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N04S6L045HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6L045H SMD N channel transistors
IAUC60N04S6L045H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N04S6N031HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6N031H SMD N channel transistors
IAUC60N04S6N031H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N04S6N044ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6N044 SMD N channel transistors
IAUC60N04S6N044 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N04S6N050HATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N04S6N050H SMD N channel transistors
IAUC60N04S6N050H SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22.6nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 168A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IAUC60N10S5L110ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IAUC60N10S5L110 SMD N channel transistors
IAUC60N10S5L110 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.