Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149352) > Сторінка 1263 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPD12CN10NGATMA1 IPD12CN10NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE3C6D9A9811C&compId=IPD12CN10NG-DTE.pdf?ci_sign=0d8e8162afb7cbafb80d8d63fdd14464e9327014 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.68 грн
3+147.00 грн
10+113.06 грн
14+85.51 грн
37+80.75 грн
100+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.97 грн
9+35.71 грн
10+32.59 грн
25+30.02 грн
50+28.12 грн
100+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.11 грн
5+60.77 грн
21+54.25 грн
25+52.44 грн
57+51.30 грн
100+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 IPD60R280P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+171.89 грн
10+105.57 грн
12+95.96 грн
32+91.21 грн
50+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 IPD60R600P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.62 грн
10+52.29 грн
25+43.51 грн
37+30.31 грн
102+28.60 грн
500+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 IPD60R650CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ CE
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.43 грн
6+55.25 грн
22+51.30 грн
25+47.12 грн
100+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 IPD70R1K4P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A3FFC51C4259&compId=IPD70R1K4P7S.pdf?ci_sign=e4d70d361d50f363141caf22b4555d1f6679c040 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.46 грн
10+45.19 грн
41+27.46 грн
112+25.94 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.97 грн
25+51.49 грн
26+44.37 грн
70+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 IPD80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1666133B1A259&compId=IPD80R1K4P7.pdf?ci_sign=6b2571a0111d4343dd05c0fe97dac72608ab0bed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.75 грн
25+50.54 грн
27+41.80 грн
74+39.52 грн
2500+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 IPD80R2K0P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+83.90 грн
10+66.00 грн
25+46.08 грн
67+43.61 грн
100+42.85 грн
500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 IPD80R900P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+137.10 грн
10+86.62 грн
22+52.16 грн
59+49.31 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA56C197F98A143&compId=IPD90N04S404.pdf?ci_sign=140394b04014dc8900b3e909a754077d67121b81 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
Drain current: 81A
Power dissipation: 71W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.48 грн
5+87.81 грн
10+75.05 грн
16+71.25 грн
25+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 IPD95R450P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.63 грн
5+170.68 грн
8+144.41 грн
22+136.81 грн
25+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HDSOP-10-1
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 120W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+271.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.38 грн
4+89.78 грн
10+76.95 грн
17+66.50 грн
47+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+347.87 грн
10+117.81 грн
27+111.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.23 грн
18+63.65 грн
49+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.73 грн
18+64.60 грн
48+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+336.61 грн
3+278.22 грн
6+201.41 грн
16+190.01 грн
100+187.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5 IPI80N06S407AKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+159.61 грн
9+130.16 грн
24+123.51 грн
250+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+64.46 грн
19+61.75 грн
50+58.21 грн
51+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.71 грн
15+76.00 грн
41+71.25 грн
100+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+55.25 грн
7+42.42 грн
25+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 IPN50R950CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.79 грн
25+30.09 грн
50+22.42 грн
137+21.19 грн
3000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.01 грн
10+66.00 грн
33+34.01 грн
91+32.11 грн
1000+30.97 грн
3000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+67.22 грн
29+38.76 грн
80+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E964BC12BDC11C&compId=IPP015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=e4e930fc62a0b08bfd25e00a3a3255eeba0cdc35 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+456.32 грн
5+268.35 грн
12+245.12 грн
50+235.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695 IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+215.88 грн
9+132.06 грн
24+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.25 грн
3+432.13 грн
4+319.22 грн
10+301.17 грн
250+297.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB09C2A6E7411C&compId=IPP030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=63c7641476ffce0c4aa2c4b5d4a1581de0c6277a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.47 грн
5+287.10 грн
12+261.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.84 грн
5+159.83 грн
10+133.01 грн
16+72.20 грн
25+71.25 грн
43+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPP034NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+350.94 грн
6+195.71 грн
16+185.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+239.41 грн
13+93.11 грн
34+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.36 грн
10+78.93 грн
18+62.70 грн
50+58.90 грн
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.93 грн
10+110.50 грн
13+90.26 грн
35+85.51 грн
100+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.92 грн
10+70.84 грн
25+60.80 грн
26+43.42 грн
50+43.32 грн
72+40.95 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60A532413011C&compId=IPP042N03LG-DTE.pdf?ci_sign=120b1ad691b43ca00d9d29c84f30c36acf957b5b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.20 грн
10+85.83 грн
20+56.05 грн
55+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB96DF37F3411C&compId=IPP045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=ea6e6be4aa0c58f3890b4faaf475c4c11acc98f2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.70 грн
10+139.11 грн
11+104.51 грн
30+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+344.80 грн
7+184.49 грн
18+168.16 грн
100+162.46 грн
500+161.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.91 грн
10+111.49 грн
15+76.95 грн
40+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.37 грн
10+101.66 грн
14+83.61 грн
37+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.18 грн
10+79.91 грн
24+46.93 грн
66+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.94 грн
18+64.60 грн
48+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB9B73C929C11C&compId=IPP072N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=d260db23e3d20eeacd48a1e3bfbdec5e82d2204c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.63 грн
10+86.82 грн
14+79.80 грн
39+75.05 грн
50+74.10 грн
100+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460 IPP075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.24 грн
10+118.76 грн
26+112.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+166.77 грн
9+135.86 грн
23+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+669.13 грн
3+449.89 грн
8+410.43 грн
10+409.48 грн
500+394.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8BEA3643E11C&compId=IPP111N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=61da3a9c2d92c5d511a8d5d8168ea3865f37b927 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+294.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7F60E098411C&compId=IPP114N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=3f321fd03aadd96b8be5a2518eadab640e500888 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.93 грн
10+175.61 грн
11+107.36 грн
29+101.66 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.22 грн
4+341.36 грн
10+310.67 грн
25+309.72 грн
50+298.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e IPP126N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.94 грн
15+76.00 грн
41+71.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.31 грн
10+119.38 грн
12+94.06 грн
33+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ T
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+173.93 грн
3+159.83 грн
10+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.35 грн
16+73.15 грн
43+69.35 грн
2000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.47 грн
8+159.61 грн
20+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABE0A807B4FD51CC&compId=IPP50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=dd0098b3e3b779d20ea0de44e83faea4209ef4ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.34 грн
10+73.21 грн
24+47.50 грн
65+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8A6A5609611C&compId=IPP600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=eb7b93c1e4c9d590d6856df6ae36f640cede45f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.46 грн
6+206.20 грн
10+197.61 грн
16+187.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+479.85 грн
4+318.67 грн
10+290.72 грн
50+289.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD12CN10NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAE3C6D9A9811C&compId=IPD12CN10NG-DTE.pdf?ci_sign=0d8e8162afb7cbafb80d8d63fdd14464e9327014
IPD12CN10NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 67A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.68 грн
3+147.00 грн
10+113.06 грн
14+85.51 грн
37+80.75 грн
100+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD135N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F339715B71211C&compId=IPD135N03LG-DTE.pdf?ci_sign=68054a3fac3564e33e44811ddec17420b0dc86f2
IPD135N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 31W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 31W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.97 грн
9+35.71 грн
10+32.59 грн
25+30.02 грн
50+28.12 грн
100+28.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.11 грн
5+60.77 грн
21+54.25 грн
25+52.44 грн
57+51.30 грн
100+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R280P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA470B7CA4DE143&compId=IPD60R280P7.pdf?ci_sign=2eed03d5001be500c4f619418a3d594df8c87396
IPD60R280P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 53W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.89 грн
10+105.57 грн
12+95.96 грн
32+91.21 грн
50+88.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R600P7SAUMA1 Infineon-IPD60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d50d9fe4c403c
IPD60R600P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ P7
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+52.29 грн
25+43.51 грн
37+30.31 грн
102+28.60 грн
500+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R650CEAUMA1 Infineon-IPA60R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c851db3d1f55
IPD60R650CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
On-state resistance: 0.65Ω
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 82W
Gate-source voltage: ±20V
Technology: CoolMOS™ CE
Drain-source voltage: 600V
Case: PG-TO252-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2179 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.43 грн
6+55.25 грн
22+51.30 грн
25+47.12 грн
100+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4P7SAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A3FFC51C4259&compId=IPD70R1K4P7S.pdf?ci_sign=e4d70d361d50f363141caf22b4555d1f6679c040
IPD70R1K4P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 2.5A; 22.7W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 22.7W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+45.19 грн
41+27.46 грн
112+25.94 грн
500+24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1A620EEC88259&compId=IPD70R360P7S.pdf?ci_sign=1495246343ec5ba186668327700251c676370953
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.97 грн
25+51.49 грн
26+44.37 грн
70+41.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BFD1666133B1A259&compId=IPD80R1K4P7.pdf?ci_sign=6b2571a0111d4343dd05c0fe97dac72608ab0bed
IPD80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 32W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.75 грн
25+50.54 грн
27+41.80 грн
74+39.52 грн
2500+38.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R2K0P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA500A0526CE143&compId=IPD80R2K0P7.pdf?ci_sign=c53a33955b5e634b291666a18a0dfbe567e6a0d1
IPD80R2K0P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 24W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 24W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9nC
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.90 грн
10+66.00 грн
25+46.08 грн
67+43.61 грн
100+42.85 грн
500+41.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R900P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA531EA7A68A143&compId=IPD80R900P7.pdf?ci_sign=af71fb00aaf71f68f1b9472ad9adb4d9ef96b672
IPD80R900P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 3.9A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 45W
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.10 грн
10+86.62 грн
22+52.16 грн
59+49.31 грн
500+47.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA56C197F98A143&compId=IPD90N04S404.pdf?ci_sign=140394b04014dc8900b3e909a754077d67121b81
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
Drain current: 81A
Power dissipation: 71W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.48 грн
5+87.81 грн
10+75.05 грн
16+71.25 грн
25+64.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPD95R450P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AF99C3096888A143&compId=IPD95R450P7.pdf?ci_sign=0082607c363ab7b28ae784d1f635cccdd4fd5598
IPD95R450P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 8.6A; 104W; DPAK; ESD
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 0.45Ω
Drain current: 8.6A
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 950V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.63 грн
5+170.68 грн
8+144.41 грн
22+136.81 грн
25+131.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98BBD1B7D4D39B8BF&compId=IPDD60R125G7.pdf?ci_sign=7ebc21da93799da986dcb0eebb06c33188e05b45
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Technology: CoolMOS™ G7
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-HDSOP-10-1
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 0.125Ω
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 54A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 120W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A6995DAD3FBCA11C&compId=IPI040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5d0fdb2ae18e41775c6c36dcfad7d25cc4ee6d30
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.38 грн
4+89.78 грн
10+76.95 грн
17+66.50 грн
47+62.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.87 грн
10+117.81 грн
27+111.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.23 грн
18+63.65 грн
49+59.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd01226066faa07f9d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.73 грн
18+64.60 грн
48+61.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594260EF079B1BF&compId=IPI60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=9f13d353281a0e64deef708e1dc2f0664d7e1f5f
IPI60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.61 грн
3+278.22 грн
6+201.41 грн
16+190.01 грн
100+187.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 Infineon-I80N06S4_07-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038dc68c00cf5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI80N06S407AKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.61 грн
9+130.16 грн
24+123.51 грн
250+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
19+61.75 грн
50+58.21 грн
51+57.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 DS_IPL65R1K5C6S_2_0.pdf?fileId=5546d4614755559a01475d1bcc8e011a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.71 грн
15+76.00 грн
41+71.25 грн
100+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E1D6F7216143&compId=IPN50R800CE.pdf?ci_sign=accad286030e42619725ab62412467d686624c67
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
On-state resistance: 0.8Ω
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.25 грн
7+42.42 грн
25+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R950CEATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA5E631A6348143&compId=IPN50R950CE.pdf?ci_sign=ac3de499a9fd2d8fc1a237d5338cae3102b6188d
IPN50R950CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 5W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2799 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.79 грн
25+30.09 грн
50+22.42 грн
137+21.19 грн
3000+20.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Kind of package: reel
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.01 грн
10+66.00 грн
33+34.01 грн
91+32.11 грн
1000+30.97 грн
3000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+67.22 грн
29+38.76 грн
80+36.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E964BC12BDC11C&compId=IPP015N04NG-DTE.pdf?ci_sign=e4e930fc62a0b08bfd25e00a3a3255eeba0cdc35
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.32 грн
5+268.35 грн
12+245.12 грн
50+235.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP019N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f7027bd71695
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.88 грн
9+132.06 грн
24+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAF8298E0D611C&compId=IPP020N08N5-DTE.pdf?ci_sign=9dc82295fd02601e52b8b2d21a394a10450c2c86
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 375W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.25 грн
3+432.13 грн
4+319.22 грн
10+301.17 грн
250+297.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB09C2A6E7411C&compId=IPP030N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=63c7641476ffce0c4aa2c4b5d4a1581de0c6277a
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.47 грн
5+287.10 грн
12+261.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.84 грн
5+159.83 грн
10+133.01 грн
16+72.20 грн
25+71.25 грн
43+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.94 грн
6+195.71 грн
16+185.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae8426111565b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 451 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.41 грн
13+93.11 грн
34+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E969F612F1E11C&compId=IPP039N04LG-DTE.pdf?ci_sign=1ab9746543755d577d3301e9081234380060d3de
IPP039N04LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.9mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.36 грн
10+78.93 грн
18+62.70 грн
50+58.90 грн
500+57.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.93 грн
10+110.50 грн
13+90.26 грн
35+85.51 грн
100+81.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E96C690B2E211C&compId=IPP041N04NG-DTE.pdf?ci_sign=a7d418e7844ec4329454d1b9295f50f67a9a029a
IPP041N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
Power dissipation: 94W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.92 грн
10+70.84 грн
25+60.80 грн
26+43.42 грн
50+43.32 грн
72+40.95 грн
1000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4D60A532413011C&compId=IPP042N03LG-DTE.pdf?ci_sign=120b1ad691b43ca00d9d29c84f30c36acf957b5b
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.20 грн
10+85.83 грн
20+56.05 грн
55+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB96DF37F3411C&compId=IPP045N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=ea6e6be4aa0c58f3890b4faaf475c4c11acc98f2
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.70 грн
10+139.11 грн
11+104.51 грн
30+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC73EFFD0DC11C&compId=IPP048N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=ffecbc2563f0f7e1ca375968b8dceaabdd38fe7b
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.80 грн
7+184.49 грн
18+168.16 грн
100+162.46 грн
500+161.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98E023A9B411C&compId=IPP052N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=8a5b95f3a4bf719a2bed0f802edb055a4b86c61e
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.91 грн
10+111.49 грн
15+76.95 грн
40+73.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E9620822B1011C&compId=IPP052NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=468892a790d343bbb195f2418fb4605339d9ca3c
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.37 грн
10+101.66 грн
14+83.61 грн
37+78.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC943DE51411C&compId=IPP055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=4c046460a84c3cb82bd98e0e42db4e2dee8ace2f
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3-1
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.18 грн
10+79.91 грн
24+46.93 грн
66+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.94 грн
18+64.60 грн
48+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB9B73C929C11C&compId=IPP072N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=d260db23e3d20eeacd48a1e3bfbdec5e82d2204c
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.63 грн
10+86.82 грн
14+79.80 грн
39+75.05 грн
50+74.10 грн
100+72.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.24 грн
10+118.76 грн
26+112.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.77 грн
9+135.86 грн
23+129.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC867EB270211C&compId=IPP110N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=431a306c7efcf431ff4c7879912e470f4ddd5a21
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.13 грн
3+449.89 грн
8+410.43 грн
10+409.48 грн
500+394.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8BEA3643E11C&compId=IPP111N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=61da3a9c2d92c5d511a8d5d8168ea3865f37b927
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC7F60E098411C&compId=IPP114N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=3f321fd03aadd96b8be5a2518eadab640e500888
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.93 грн
10+175.61 грн
11+107.36 грн
29+101.66 грн
100+99.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC912B6685611C&compId=IPP120N20NFD-DTE.pdf?ci_sign=5d8d5dc96917148dec9e37cbde86228c5d8b765b
IPP120N20NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 200V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.22 грн
4+341.36 грн
10+310.67 грн
25+309.72 грн
50+298.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 Infineon-IPB123N10N3+G-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ffe55aac64b6e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP126N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.94 грн
15+76.00 грн
41+71.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC806F54F7411C&compId=IPP147N12N3G-DTE.pdf?ci_sign=945ce453b57d201a315496168289cae38b7ff480
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.31 грн
10+119.38 грн
12+94.06 грн
33+89.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ T
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 13.3A
Pulsed drain current: 68A
Drain-source voltage: 250V
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.93 грн
3+159.83 грн
10+145.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC84EE95CCE11C&compId=IPP320N20N3G-DTE.pdf?ci_sign=6226e0663d65b677fe140d569ad33b01df4f9379
IPP320N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.35 грн
16+73.15 грн
43+69.35 грн
2000+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.47 грн
8+159.61 грн
20+151.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABE0A807B4FD51CC&compId=IPP50R380CE-DTE.pdf?ci_sign=dd0098b3e3b779d20ea0de44e83faea4209ef4ec
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.34 грн
10+73.21 грн
24+47.50 грн
65+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC8A6A5609611C&compId=IPP600N25N3G-DTE.pdf?ci_sign=eb7b93c1e4c9d590d6856df6ae36f640cede45f5
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.46 грн
6+206.20 грн
10+197.61 грн
16+187.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.85 грн
4+318.67 грн
10+290.72 грн
50+289.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1258 1259 1260 1261 1262 1263 1264 1265 1266 1267 1268 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]