Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148781) > Сторінка 1263 з 2480
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPW20N60C3 | Infineon Technologies |
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3 |
на замовлення 52 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SPW47N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF7342TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO |
на замовлення 60 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW40N60DT | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW40N60H3 | Infineon Technologies |
IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW50N65F5 | Infineon Technologies |
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3 |
на замовлення 42 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IKW75N60T | Infineon Technologies |
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| SGP15N120XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3 |
на замовлення 293 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFR181WH6327 | Infineon Technologies | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BFS17WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT-323 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FS50R06W1E3 | Infineon Technologies | 600 V, 50 A sixpack IGBT module |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FM25V05-G | Infineon Technologies |
FRAM, 512Kb, SPI, - 40 C to + 85 C, SOIC8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BTS432D2 E3062A | Infineon Technologies | ИС переключателя для электропитания TO-220AB/5 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| ITS4100S-SJ-N | Infineon Technologies |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1ED020I12F2XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
1ED020I12-F2 MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 885 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 1EDC10I12MHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
1EDC10I12MH MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 1EDC30I12MHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
1EDC30I12MH MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 984 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| 1EDC60I12AHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
1EDC60I12AH MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 603 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
1EDI05I12AFXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1 Output current: -0.5...0.5A Number of channels: 1 Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V Voltage class: 1.2kV Type of integrated circuit: driver Technology: EiceDRIVER™ Integrated circuit features: galvanically isolated Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver Case: PG-DSO-8 Kind of package: reel; tape Topology: single transistor Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDN7512BXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™ Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Technology: EiceDRIVER™ Case: PG-SOT23-5 Output current: -8...4A Number of channels: 1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1788 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
1EDN7550BXTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™ Kind of package: reel; tape Type of integrated circuit: driver Technology: EiceDRIVER™ Mounting: SMD Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: PG-SOT23-6 Topology: single transistor Output current: -8...4A Number of channels: 1 Supply voltage: 4.5...20V Voltage class: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| 2ED020I12-FI | INFINEON TECHNOLOGIES | 2ED020I12-FI MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 342 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
2EDL05N06PFXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver Case: PG-DSO-8 Output current: -0.7...0.36A Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality Technology: EiceDRIVER™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2EDN7524FXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: PG-DSO-8 Supply voltage: 4.5...20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Number of channels: 2 Voltage class: 20V Technology: EiceDRIVER™ Topology: MOSFET half-bridge Protection: undervoltage UVP Output current: -5...5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2EDN8524FXTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; low-side Case: PG-DSO-8 Supply voltage: 4.5...20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Number of channels: 2 Voltage class: 20V Technology: EiceDRIVER™ Topology: MOSFET half-bridge Protection: undervoltage UVP Output current: -5...5A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002DWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16637 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
2N7002H6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3607 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AIGW40N65F5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AIGW40N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Turn-on time: 31ns Turn-off time: 160ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 0.12µC Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Collector current: 20A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 291 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AUIRFB8405 | INFINEON TECHNOLOGIES |
AUIRFB8405 THT N channel transistors |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
AUIRGSL4062D1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Technology: Trench Gate charge: 77nC Turn-on time: 35ns Turn-off time: 176ns Power dissipation: 123W Collector current: 39A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 72A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BA592E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BA592E6327 Diodes - others |
на замовлення 660 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BA592E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BA592E6327HTSA1 Diodes - others |
на замовлення 2466 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BA885E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BA885E6327 Diodes - others |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BA89202VH6127XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BA89202VH6127XTSA1 Diodes - others |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BAR6302VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAR63-02V Diodes - others |
на замовлення 5984 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BAR6303WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAR63-03W Diodes - others |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BAR6402VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: switching Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Max. forward voltage: 1.1V Case: SC79 Max. off-state voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAR6405WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: switching Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Max. forward voltage: 1.1V Case: SOT323 Max. off-state voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAR6402VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: switching Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Max. forward voltage: 1.1V Case: SC79 Max. off-state voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAR6404E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: PIN; RF Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Type of diode: switching Load current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Max. forward voltage: 1.1V Case: SOT23 Max. off-state voltage: 150V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BAR66E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAR66E6327HTSA1 Diodes - others |
на замовлення 4459 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BAR81WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Diodes - othersDescription: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V Case: SOT343 Mounting: SMD Load current: 0.1A Max. forward voltage: 1V Max. off-state voltage: 30V Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: RF Type of diode: switching Reverse recovery time: 80ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 960 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BAS116E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS116E6327 SMD universal diodes |
на замовлення 643 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BAS12504WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS12504WH6327XTSA SMD Schottky diodes |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BAS1602VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SC79 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 2.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3272 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS1603WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOD323 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 614 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS16E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.25A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: SOT23 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4.5A Power dissipation: 0.37W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6626 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS16UE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: triple independent Case: SC74 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 4.5A Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4428 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| BAS170WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS170WE6327HTSA1 SMD Schottky diodes |
на замовлення 12213 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BAS21E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS21E6327HTSA1 SMD universal diodes |
на замовлення 1702 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BAS28WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 85V Load current: 0.2A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: double independent Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SOT343 Max. forward voltage: 1.25V Power dissipation: 0.25W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BAS3005B02VH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS3005B02VH6327XT SMD Schottky diodes |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BAS3007ARPPE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS3007ARPPE6327 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif. |
на замовлення 602 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| BAS3010A03WE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
BAS3010A03WE6327HT SMD Schottky diodes |
на замовлення 1996 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
BAS4002ARPPE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT Case: SOT143 Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.2A Max. forward impulse current: 2A Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Type of bridge rectifier: single-phase Features of semiconductor devices: Schottky кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS4004E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: double series Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.2A Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS4005E6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT23 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: common cathode; double Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.2A Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BAS4007WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW Type of diode: Schottky switching Case: SOT343 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 40V Load current: 0.12A Semiconductor structure: double independent Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.2A Power dissipation: 0.25W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| SPW20N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
N-Channel 650V 20.7A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
на замовлення 52 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SPW47N60C3 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247
MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7342TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
на замовлення 60 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW40N60DT |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW40N60H3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW50N65F5 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
на замовлення 42 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IKW75N60T | ![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3
IGBTs - Single, 600V, 80A, TO-247-3
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SGP15N120XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3
на замовлення 293 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BFR181WH6327 |
Виробник: Infineon Technologies
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BFS17WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT-323
RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT-323
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FS50R06W1E3 |
Виробник: Infineon Technologies
600 V, 50 A sixpack IGBT module
600 V, 50 A sixpack IGBT module
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| FM25V05-G |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
FRAM, 512Kb, SPI, - 40 C to + 85 C, SOIC8
FRAM, 512Kb, SPI, - 40 C to + 85 C, SOIC8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BTS432D2 E3062A |
Виробник: Infineon Technologies
ИС переключателя для электропитания TO-220AB/5
ИС переключателя для электропитания TO-220AB/5
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ITS4100S-SJ-N |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1ED020I12F2XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
1ED020I12-F2 MOSFET/IGBT drivers
1ED020I12-F2 MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 885 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 355.41 грн |
| 5+ | 259.66 грн |
| 13+ | 245.78 грн |
| 1EDC10I12MHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
1EDC10I12MH MOSFET/IGBT drivers
1EDC10I12MH MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.54 грн |
| 5+ | 239.84 грн |
| 14+ | 226.95 грн |
| 100+ | 226.42 грн |
| 1EDC30I12MHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
1EDC30I12MH MOSFET/IGBT drivers
1EDC30I12MH MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.21 грн |
| 7+ | 194.25 грн |
| 17+ | 184.34 грн |
| 1EDC60I12AHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
1EDC60I12AH MOSFET/IGBT drivers
1EDC60I12AH MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 603 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.69 грн |
| 6+ | 222.00 грн |
| 15+ | 210.10 грн |
| 25+ | 209.95 грн |
| 1EDI05I12AFXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Output current: -0.5...0.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; Ch: 1
Output current: -0.5...0.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 3.1...17V; 13...35V
Voltage class: 1.2kV
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Integrated circuit features: galvanically isolated
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Case: PG-DSO-8
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.08 грн |
| 10+ | 124.53 грн |
| 50+ | 102.08 грн |
| 100+ | 95.14 грн |
| 250+ | 89.20 грн |
| 1EDN7512BXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-SOT23-5
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.76 грн |
| 10+ | 41.17 грн |
| 1EDN7550BXTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: driver
Technology: EiceDRIVER™
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-SOT23-6
Topology: single transistor
Output current: -8...4A
Number of channels: 1
Supply voltage: 4.5...20V
Voltage class: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.84 грн |
| 10+ | 53.52 грн |
| 2ED020I12-FI |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
2ED020I12-FI MOSFET/IGBT drivers
2ED020I12-FI MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 342 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.04 грн |
| 7+ | 177.40 грн |
| 19+ | 167.49 грн |
| 2EDL05N06PFXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Case: PG-DSO-8
Output current: -0.7...0.36A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Technology: EiceDRIVER™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.93 грн |
| 5+ | 98.80 грн |
| 2EDN7524FXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 71.51 грн |
| 10+ | 63.81 грн |
| 2EDN8524FXTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 4.5...20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 2
Voltage class: 20V
Technology: EiceDRIVER™
Topology: MOSFET half-bridge
Protection: undervoltage UVP
Output current: -5...5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.84 грн |
| 10+ | 45.39 грн |
| 25+ | 41.92 грн |
| 100+ | 40.53 грн |
| 2N7002DWH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16637 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.48 грн |
| 21+ | 15.23 грн |
| 100+ | 8.74 грн |
| 500+ | 5.89 грн |
| 1000+ | 4.92 грн |
| 3000+ | 3.63 грн |
| 6000+ | 3.25 грн |
| 2N7002H6327XTSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3607 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 11.74 грн |
| 37+ | 8.44 грн |
| 52+ | 5.83 грн |
| 100+ | 5.03 грн |
| 500+ | 3.64 грн |
| 1000+ | 3.38 грн |
| AIGW40N65F5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 388.50 грн |
| AIGW40N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 160ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 492.02 грн |
| 10+ | 432.25 грн |
| AIKP20N60CTAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 291 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 373.55 грн |
| 3+ | 319.04 грн |
| 10+ | 275.51 грн |
| 50+ | 256.68 грн |
| 250+ | 255.69 грн |
| AUIRFB8405 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
AUIRFB8405 THT N channel transistors
AUIRFB8405 THT N channel transistors
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 477.08 грн |
| 4+ | 337.95 грн |
| 10+ | 319.12 грн |
| AUIRGSL4062D1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Gate charge: 77nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Power dissipation: 123W
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Gate charge: 77nC
Turn-on time: 35ns
Turn-off time: 176ns
Power dissipation: 123W
Collector current: 39A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 72A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 417.31 грн |
| 3+ | 374.62 грн |
| 10+ | 334.98 грн |
| 50+ | 309.21 грн |
| BA592E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BA592E6327 Diodes - others
BA592E6327 Diodes - others
на замовлення 660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 15.48 грн |
| 120+ | 10.01 грн |
| 325+ | 9.51 грн |
| BA592E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BA592E6327HTSA1 Diodes - others
BA592E6327HTSA1 Diodes - others
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.76 грн |
| 115+ | 10.41 грн |
| 310+ | 9.81 грн |
| BA885E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BA885E6327 Diodes - others
BA885E6327 Diodes - others
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 64+ | 5.02 грн |
| 635+ | 4.86 грн |
| BA89202VH6127XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BA89202VH6127XTSA1 Diodes - others
BA89202VH6127XTSA1 Diodes - others
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.05 грн |
| 403+ | 2.91 грн |
| 1107+ | 2.76 грн |
| BAR6302VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAR63-02V Diodes - others
BAR63-02V Diodes - others
на замовлення 5984 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.05 грн |
| 276+ | 4.26 грн |
| 759+ | 4.02 грн |
| BAR6303WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAR63-03W Diodes - others
BAR63-03W Diodes - others
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 12.15 грн |
| 197+ | 5.99 грн |
| 250+ | 5.75 грн |
| 539+ | 5.66 грн |
| BAR6402VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.82 грн |
| 18+ | 17.29 грн |
| 100+ | 10.01 грн |
| 250+ | 8.13 грн |
| 650+ | 6.94 грн |
| BAR6405WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT323; Ufmax: 1.1V; reel,tape
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.01 грн |
| 24+ | 13.17 грн |
| 27+ | 11.10 грн |
| 100+ | 10.60 грн |
| 500+ | 10.21 грн |
| 1000+ | 9.12 грн |
| 3000+ | 8.52 грн |
| BAR6402VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SC79
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.82 грн |
| 18+ | 17.29 грн |
| 100+ | 10.01 грн |
| 250+ | 8.13 грн |
| 650+ | 6.94 грн |
| BAR6404E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 25.62 грн |
| 19+ | 16.47 грн |
| 25+ | 12.25 грн |
| 100+ | 8.21 грн |
| 500+ | 5.53 грн |
| 1000+ | 5.13 грн |
| BAR66E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAR66E6327HTSA1 Diodes - others
BAR66E6327HTSA1 Diodes - others
на замовлення 4459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 21.13 грн |
| 29+ | 11.01 грн |
| 108+ | 10.90 грн |
| 297+ | 10.31 грн |
| BAR81WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 30V; 100mA; SOT343; single diode; 80ns; Ufmax: 1V
Case: SOT343
Mounting: SMD
Load current: 0.1A
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Type of diode: switching
Reverse recovery time: 80ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 960 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 116.34 грн |
| 8+ | 43.84 грн |
| 25+ | 37.36 грн |
| 100+ | 33.60 грн |
| 500+ | 31.32 грн |
| BAS116E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS116E6327 SMD universal diodes
BAS116E6327 SMD universal diodes
на замовлення 643 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.25 грн |
| 326+ | 3.61 грн |
| 896+ | 3.41 грн |
| BAS12504WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS12504WH6327XTSA SMD Schottky diodes
BAS12504WH6327XTSA SMD Schottky diodes
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.05 грн |
| 53+ | 22.50 грн |
| 144+ | 21.31 грн |
| 3000+ | 21.30 грн |
| BAS1602VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 8.54 грн |
| 46+ | 6.79 грн |
| 51+ | 5.91 грн |
| 100+ | 4.96 грн |
| 250+ | 4.46 грн |
| 500+ | 4.12 грн |
| 1000+ | 3.94 грн |
| BAS1603WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 614 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 7.47 грн |
| 60+ | 5.15 грн |
| 100+ | 4.46 грн |
| 500+ | 3.94 грн |
| 1000+ | 3.80 грн |
| BAS16E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6626 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 5.34 грн |
| 73+ | 4.24 грн |
| 100+ | 3.67 грн |
| 250+ | 3.40 грн |
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |
| BAS16UE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4428 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 13.87 грн |
| 26+ | 12.14 грн |
| 28+ | 10.80 грн |
| 100+ | 10.31 грн |
| 250+ | 9.51 грн |
| BAS170WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS170WE6327HTSA1 SMD Schottky diodes
BAS170WE6327HTSA1 SMD Schottky diodes
на замовлення 12213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 29.11 грн |
| 211+ | 5.58 грн |
| 579+ | 5.27 грн |
| BAS21E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS21E6327HTSA1 SMD universal diodes
BAS21E6327HTSA1 SMD universal diodes
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 16.93 грн |
| 315+ | 3.74 грн |
| 865+ | 3.53 грн |
| BAS28WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SOT343; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double independent
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Case: SOT343
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAS3005B02VH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS3005B02VH6327XT SMD Schottky diodes
BAS3005B02VH6327XT SMD Schottky diodes
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.25 грн |
| 142+ | 8.32 грн |
| 390+ | 7.83 грн |
| BAS3007ARPPE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS3007ARPPE6327 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
BAS3007ARPPE6327 SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
на замовлення 602 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.26 грн |
| 63+ | 18.63 грн |
| 174+ | 17.64 грн |
| BAS3010A03WE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BAS3010A03WE6327HT SMD Schottky diodes
BAS3010A03WE6327HT SMD Schottky diodes
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 36.39 грн |
| 115+ | 10.21 грн |
| 317+ | 9.61 грн |
| BAS4002ARPPE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Features of semiconductor devices: Schottky
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Type of bridge rectifier: single-phase
Features of semiconductor devices: Schottky
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 17.08 грн |
| 20+ | 15.44 грн |
| 100+ | 14.27 грн |
| 200+ | 13.28 грн |
| 250+ | 13.08 грн |
| 500+ | 12.49 грн |
| BAS4004E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12.81 грн |
| 32+ | 9.67 грн |
| 35+ | 8.52 грн |
| 100+ | 6.19 грн |
| 500+ | 4.78 грн |
| 1000+ | 4.25 грн |
| 3000+ | 3.82 грн |
| BAS4005E6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.01 грн |
| 25+ | 12.76 грн |
| 27+ | 11.40 грн |
| 100+ | 8.23 грн |
| 500+ | 6.09 грн |
| 1000+ | 5.15 грн |
| 3000+ | 4.21 грн |
| BAS4007WH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT343
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT343; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT343
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 28.82 грн |
| 14+ | 23.05 грн |
| 16+ | 19.03 грн |
| 100+ | 10.36 грн |
| 500+ | 7.13 грн |
| 1000+ | 6.26 грн |
| 3000+ | 5.43 грн |

















