Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148448) > Сторінка 1257 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ESD24VS2UE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
ETD540N22P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
ETD580N16P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
ETD630N16P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
ETD630N18P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
ETT540N22P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
ETT580N16P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
ETT630N16P60HPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() +1 |
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors Components: IMM101T-015M Interface: GPIO; I2C; PWM; UART Kind of connector: screw terminal x2 Application: motors Type of development kit: evaluation Kind of module: motor driver Kit contents: prototype board кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() +2 |
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors Type of development kit: evaluation Kind of module: motor driver Components: IMM101T-046M Kind of connector: screw terminal x2 Kit contents: prototype board Interface: GPIO; I2C; PWM; UART Application: motors кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
F3L300R07PE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | F3L300R07PE4 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
F4150R12KS4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 960W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 3 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Case: AG-ECONO3-4 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
F475R06W1E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
F475R12KS4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Power dissipation: 500W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPACK™ 2 Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor Case: AG-ECONO2-6 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FB30R06W1E3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Power dissipation: 115W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge Case: AG-EASY1B-1 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
FD1000R33HE3KBPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FD300R06KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FD300R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: boost chopper Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Application: Inverter Power dissipation: 1.47kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
FF100R12RT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FF200R12KE3HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF200R12KE4PHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
FF200R12KT3EHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Type of module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT x2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.05kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
FF200R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 200A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Power dissipation: 1.1kW Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
FF200R17KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
FF300R06KE3 | INFINEON TECHNOLOGIES | FF300R06KE3 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF300R12KE3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FF300R12KS4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.95kW Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FF300R12KT3EHOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Type of module: IGBT Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT x2 Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.45kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
FF300R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.6kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
FF300R17ME4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 300A Pulsed collector current: 600A Power dissipation: 1.8kW Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoDUAL™ 3 Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Case: AG-ECONOD-3 Max. off-state voltage: 1.7kV Semiconductor structure: transistor/transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF450R06ME3 | INFINEON TECHNOLOGIES | FF450R06ME3 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF450R12KE4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF450R12KT4HOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 450A Pulsed collector current: 900A Power dissipation: 2.4kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF450R33T3E3B5BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FF45MR12W1M1B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A Type of module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: AG-EASY1BM-2 Electrical mounting: Press-Fit Polarisation: unipolar On-state resistance: 45mΩ Pulsed drain current: 50A Technology: CoolSiC™; SiC Gate-source voltage: -10...20V Mechanical mounting: screw Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
FF500R17KE4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 500A Case: AG-62MM-1 Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1kA Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF900R12IE4 | INFINEON TECHNOLOGIES | FF900R12IE4 IGBT modules |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FF900R12ME7B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 900A Case: AG-ECONOD-5 Electrical mounting: Press-Fit; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 1.8kA Technology: TRENCHSTOP™ Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 6 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM24C64B-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Clock frequency: 1MHz Mounting: SMD Case: SOIC8 Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape Supply voltage: 4.5...5.5V DC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM24CL16B-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 1620 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM24CL16B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 2kx8bit Supply voltage: 2.7...3.65V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM24CL64B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 64kb FRAM Interface: I2C Memory organisation: 8kx8bit Supply voltage: 2.7...3.6V DC Clock frequency: 1MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25CL64B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory organisation: 8kx8bit Clock frequency: 20MHz Kind of package: reel; tape Memory: 64kb FRAM Case: DFN8 Supply voltage: 2.7...3.65V DC Type of integrated circuit: FRAM memory Interface: SPI Kind of memory: FRAM кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25L04B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory organisation: 512x8bit Clock frequency: 20MHz Kind of package: reel; tape Memory: 4kb FRAM Case: DFN8 Supply voltage: 2.7...3.6V DC Type of integrated circuit: FRAM memory Interface: SPI Kind of memory: FRAM кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25L16B-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: SPI Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory organisation: 2kx8bit Clock frequency: 20MHz кількість в упаковці: 81 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25L16B-DGTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 16kb FRAM Interface: SPI Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 2.7...3.6V DC Memory organisation: 2kx8bit Clock frequency: 20MHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25V05-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Memory organisation: 64kx8bit Clock frequency: 40MHz Kind of package: reel; tape Memory: 512kb FRAM Case: SOIC8 Supply voltage: 2...3.6V DC Type of integrated circuit: FRAM memory Interface: SPI Kind of memory: FRAM кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25V10-DG | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8 Type of integrated circuit: FRAM memory Kind of memory: FRAM Memory: 1Mb FRAM Interface: SPI Memory organisation: 128kx8bit Supply voltage: 2...3.6V DC Clock frequency: 40MHz Case: DFN8 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C кількість в упаковці: 370 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FM25VN10-GTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FP06R12W1T4B3BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 6A Pulsed collector current: 12A Power dissipation: 94W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-EASY1B-1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
FP100R12KT4B11BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 515W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FP10R12W1T7B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 20A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-EASY1B-2 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FP15R12W1T4_B3 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 15A Case: AG-EASY1B-1 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Power dissipation: 130W Mechanical mounting: screw Technology: EasyPIM™ 1B кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
FP20R06W1E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A Collector current: 20A Power dissipation: 94W Case: AG-EASY1B-2 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EasyPIM™ 1B Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Application: Inverter Electrical mounting: Press-in PCB кількість в упаковці: 24 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
FP25R12W1T7B11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FP30R06KE3BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 60A Application: Inverter Power dissipation: 125W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO2C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FP40R12KT3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Application: Inverter Power dissipation: 210W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO2-5 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FP50R06W2E3B11BOMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
FP50R12KT3BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 100A Application: Inverter Power dissipation: 280W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
FP75R12KT4 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 150A Application: Inverter Power dissipation: 385W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
ESD24VS2UE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ESD24VS2UE6327 Unidirectional TVS SMD diodes
ESD24VS2UE6327 Unidirectional TVS SMD diodes
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.87 грн |
115+ | 9.38 грн |
317+ | 8.83 грн |
ETD540N22P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD540N22P60HPSA1 Diode - thyristor modules
ETD540N22P60HPSA1 Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ETD580N16P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
ETD580N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ETD630N16P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
ETD630N16P60HPSA1 Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ETD630N18P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
ETD630N18P60HPSA1 Diode - thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ETT540N22P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
ETT540N22P60HPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ETT580N16P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
ETT580N16P60HPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
ETT630N16P60HPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
ETT630N16P60HPSA1 Thyristor modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EVAL-IMM101T-015TOBO1 (SP004177748) |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-015M; motors
Components: IMM101T-015M
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Kind of connector: screw terminal x2
Application: motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Kit contents: prototype board
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7572.15 грн |
EVAL-IMM101T-046TOBO1 (SP004177752) |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Development kits - others
Description: Dev.kit: evaluation; prototype board; Comp: IMM101T-046M; motors
Type of development kit: evaluation
Kind of module: motor driver
Components: IMM101T-046M
Kind of connector: screw terminal x2
Kit contents: prototype board
Interface: GPIO; I2C; PWM; UART
Application: motors
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
F3L300R07PE4 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
F3L300R07PE4 IGBT modules
F3L300R07PE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
F4150R12KS4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; 960W
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 150A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 960W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 3
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO3-4
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
F475R06W1E3BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
F475R06W1E3 IGBT modules
F475R06W1E3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
F475R12KS4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x2; Ic: 75A
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 500W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPACK™ 2
Topology: IGBT half-bridge x2; NTC thermistor
Case: AG-ECONO2-6
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FB30R06W1E3BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; single-phase diode bridge; 115W
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Power dissipation: 115W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; single-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FD1000R33HE3KBPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
FD1000R33HE3KBPSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FD300R06KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FD300R06KE3 IGBT modules
FD300R06KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FD300R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Application: Inverter
Power dissipation: 1.47kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: boost chopper
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Application: Inverter
Power dissipation: 1.47kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF100R12RT4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
FF100R12RT4HOSA1 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10964.06 грн |
FF200R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF200R12KT3EHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.05kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF200R12KT4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 200A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Power dissipation: 1.1kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 9700.39 грн |
FF200R17KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF200R17KE4 IGBT modules
FF200R17KE4 IGBT modules
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 15402.42 грн |
FF300R06KE3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R06KE3 IGBT modules
FF300R06KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF300R12KE3 | ![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF300R12KE3 IGBT modules
FF300R12KE3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF300R12KS4 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.95kW
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 18152.95 грн |
FF300R12KT3EHOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT x2
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.45kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF300R12KT4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.6kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF300R17ME4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 300A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 300A
Pulsed collector current: 600A
Power dissipation: 1.8kW
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoDUAL™ 3
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Case: AG-ECONOD-3
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF450R06ME3 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF450R06ME3 IGBT modules
FF450R06ME3 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF450R12KE4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF450R12KT4HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: AG-62MM
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Topology: IGBT half-bridge
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 450A
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.4kW
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF450R33T3E3B5BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules
FF450R33T3E3B5BPSA IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF45MR12W1M1B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: AG-EASY1BM-2
Electrical mounting: Press-Fit
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 45mΩ
Pulsed drain current: 50A
Technology: CoolSiC™; SiC
Gate-source voltage: -10...20V
Mechanical mounting: screw
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 7480.04 грн |
10+ | 6935.96 грн |
FF500R17KE4BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 500A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 500A
Case: AG-62MM-1
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1kA
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF900R12IE4 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FF900R12IE4 IGBT modules
FF900R12IE4 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FF900R12ME7B11BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-ECONOD-5
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 6 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 900A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT half-bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-ECONOD-5
Electrical mounting: Press-Fit; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Technology: TRENCHSTOP™
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 6 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM24C64B-GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SOIC8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM24CL16B-DG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1620 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 1620 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM24CL16B-DGTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM24CL64B-DGTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; I2C; 8kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 1MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 64kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 8kx8bit
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Clock frequency: 1MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25CL64B-DGTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 64kbFRAM; SPI; 8kx8bit; 2.7÷3.65VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 8kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 64kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.65V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25L04B-DGTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 4kbFRAM; SPI; 512x8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 512x8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 4kb FRAM
Case: DFN8
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25L16B-DG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
кількість в упаковці: 81 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
кількість в упаковці: 81 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25L16B-DGTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; SPI; 2kx8bit; 2.7÷3.6VDC; 20MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: SPI
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 20MHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25V05-GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 512kb FRAM
Case: SOIC8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 512kbFRAM; SPI; 64kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; SOIC8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Memory organisation: 64kx8bit
Clock frequency: 40MHz
Kind of package: reel; tape
Memory: 512kb FRAM
Case: SOIC8
Supply voltage: 2...3.6V DC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Interface: SPI
Kind of memory: FRAM
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25V10-DG |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 370 шт
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 1MbFRAM; SPI; 128kx8bit; 2÷3.6VDC; 40MHz; DFN8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 1Mb FRAM
Interface: SPI
Memory organisation: 128kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Clock frequency: 40MHz
Case: DFN8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
кількість в упаковці: 370 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FM25VN10-GTR |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FM25VN10-GTR FRAM memories - integrated circuits
FM25VN10-GTR FRAM memories - integrated circuits
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP06R12W1T4B3BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 6A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 12A
Power dissipation: 94W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3089.86 грн |
FP100R12KT4B11BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 200A
Power dissipation: 515W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP10R12W1T7B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 10A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 10A
Pulsed collector current: 20A
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-EASY1B-2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP15R12W1T4_B3 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; three-phase diode bridge; Ic: 15A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 15A
Case: AG-EASY1B-1
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 130W
Mechanical mounting: screw
Technology: EasyPIM™ 1B
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3103.73 грн |
FP20R06W1E3B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Collector current: 20A
Power dissipation: 94W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 24 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 20A
Collector current: 20A
Power dissipation: 94W
Case: AG-EASY1B-2
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 40A
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EasyPIM™ 1B
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
кількість в упаковці: 24 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP25R12W1T7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FP25R12W1T7B11 IGBT modules
FP25R12W1T7B11 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP30R06KE3BPSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Power dissipation: 125W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO2C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 600V; Ic: 30A
Max. off-state voltage: 0.6kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 60A
Application: Inverter
Power dissipation: 125W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO2C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP40R12KT3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Application: Inverter
Power dissipation: 210W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Application: Inverter
Power dissipation: 210W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO2-5
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP50R06W2E3B11BOMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
FP50R06W2E3B11 IGBT modules
FP50R06W2E3B11 IGBT modules
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP50R12KT3BOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 100A
Application: Inverter
Power dissipation: 280W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FP75R12KT4 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Application: Inverter
Power dissipation: 385W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Semiconductor structure: diode/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 150A
Application: Inverter
Power dissipation: 385W
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 3
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Case: AG-ECONO3-3
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 19311.65 грн |