Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149366) > Сторінка 1257 з 2490
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
BFR380L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1 Type of transistor: NPN Kind of transistor: RF Mounting: SMD Case: TSLP-3-1 Collector current: 80mA Power dissipation: 0.38W Collector-emitter voltage: 15V Polarisation: bipolar Frequency: 14GHz Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11862 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR92PE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 45mA Power dissipation: 0.28W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 5GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7895 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR93AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9274 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BFR93AWH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 90mA Power dissipation: 0.3W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 6GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12631 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BFS483H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2721 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BGSX22G2A10E6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz Output configuration: DPDT Application: telecommunication Mounting: SMD Type of integrated circuit: RF switch Supply voltage: 1.65...3.4V DC Number of channels: 2 Bandwidth: 0.1...6GHz Case: ATSLP-10-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BGT24MTR12E6327XUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BGX50AE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape Mounting: SMD Load current: 0.14A Power dissipation: 0.21W Max. off-state voltage: 50V Kind of package: reel; tape Case: SOT143 Semiconductor structure: bridge rectifier Features of semiconductor devices: fast switching Type of diode: switching кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2561 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC028N06NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 83W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC030P03NS3GAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: OptiMOS™ P3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -100A Power dissipation: 125W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3813 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC032N04LSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 3.2mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 52W Drain current: 83A Case: PG-TDSON-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC080N03MSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1692 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0902NSIATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 89A Power dissipation: 48W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4520 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0906NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 53A Power dissipation: 30W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC0909NSATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 34V Drain current: 44A Power dissipation: 27W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC093N04LSGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 40A Power dissipation: 35W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3718 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC100N06LS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8 Case: PG-TDSON-8 Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: SMD Pulsed drain current: 200A Drain current: 36A Drain-source voltage: 60V Gate charge: 45nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 50W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3457 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC123N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 12.3mΩ Drain current: 55A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 66W Drain-source voltage: 80V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3944 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC190N15NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8 Mounting: SMD On-state resistance: 19mΩ Drain current: 50A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 125W Drain-source voltage: 150V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-TSDSON-8 Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1693 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSC340N08NS3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 23A Power dissipation: 32W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5291 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSD223PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.39A Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 0.25W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSD235CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.95/-0.53A Power dissipation: 0.5W Case: PG-SOT-363 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.415/1.221Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSD235NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.35Ω Drain current: 0.95A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 554 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSD840NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SOT363 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: OptiMOS™ 2 Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 0.88A Power dissipation: 0.5W Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSL207SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL215CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2377 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSL307SPH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5.5A Case: PG-TSOP-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 2W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL308CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSL308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 1942 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSL316CH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: OptiMOS™ 2 Case: PG-TSOP-6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.191/0.177Ω Power dissipation: 0.5W Drain current: 1.4/-1.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30/-30V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSL606SNH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 4585 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSO110N03MSGXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8 Mounting: SMD Technology: OptiMOS™ 3 Case: PG-DSO-8 Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.1A On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 1.56W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2488 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO207PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5A Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 1.6W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2211 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSO211PHXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4.6A Case: PG-DSO-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 67mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 1.6W Technology: OptiMOS™ P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2320 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP125H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.12A On-state resistance: 45Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 961 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 240V Drain current: 50mA On-state resistance: 6.5Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1452 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP135H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain current: 0.12A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60Ω Drain-source voltage: 600V Case: SOT223 Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1438 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP149H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.53A On-state resistance: 3.5Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 2.6A Polarisation: unipolar Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP170PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 67 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP171PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.9A On-state resistance: 0.3Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP296NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Case: SOT223 On-state resistance: 0.8Ω Power dissipation: 1.8W Drain current: 1.2A Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 943 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP297H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Drain-source voltage: 200V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ Case: SOT223 On-state resistance: 1.8Ω Power dissipation: 1.8W Drain current: 0.66A Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 643 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.17A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 954 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP316PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.68A Power dissipation: 1.8W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 730 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP317PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSP322PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP324H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: SIPMOS™ On-state resistance: 25Ω Drain current: 0.17A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 400V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP372NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 851 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP373NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD On-state resistance: 0.24Ω Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Drain current: 1.8A Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 100V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP452 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 0.16Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP613PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.9A On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 748 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP742R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.4A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.25Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP742T | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 0.8A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.26Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1567 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP752R | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: high-side Output current: 1.3A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SO8 On-state resistance: 0.15Ω Technology: Classic PROFET Output voltage: 52V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2541 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP762T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP762T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 2432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP76E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4 Mounting: SMD Kind of integrated circuit: low-side Kind of output: N-Channel Case: PG-SOT223-4 Type of integrated circuit: power switch Number of channels: 1 Output current: 1.4A Output voltage: 42V Technology: HITFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1956 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
BSP772T | INFINEON TECHNOLOGIES | BSP772T Power switches - integrated circuits |
на замовлення 1349 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
BSP77E6433 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 2.17A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 70mΩ Output voltage: 42V Technology: HITFET® Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3044 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
BSP78 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 3A Number of channels: 1 Mounting: SMD Case: SOT223-3 On-state resistance: 35mΩ Output voltage: 42V Technology: HITFET® Kind of output: N-Channel кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2518 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
BFR380L3E6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: TSLP-3-1
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 15V
Polarisation: bipolar
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 80mA; 0.38W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: TSLP-3-1
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.38W
Collector-emitter voltage: 15V
Polarisation: bipolar
Frequency: 14GHz
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11862 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 6.14 грн |
58+ | 5.13 грн |
100+ | 4.71 грн |
248+ | 4.51 грн |
500+ | 4.48 грн |
680+ | 4.27 грн |
2500+ | 4.10 грн |
BFR92PE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
24+ | 13.30 грн |
27+ | 11.25 грн |
30+ | 9.50 грн |
36+ | 8.06 грн |
50+ | 7.22 грн |
100+ | 6.50 грн |
200+ | 5.62 грн |
BFR93AE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9274 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.51 грн |
17+ | 17.56 грн |
19+ | 15.11 грн |
25+ | 13.02 грн |
50+ | 11.69 грн |
100+ | 10.83 грн |
221+ | 5.13 грн |
BFR93AWH6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 90mA; 0.3W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 90mA
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 6GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12631 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 11.25 грн |
39+ | 7.60 грн |
100+ | 6.08 грн |
223+ | 5.03 грн |
613+ | 4.76 грн |
12000+ | 4.62 грн |
BFS483H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BFS483H6327 NPN SMD transistors
BFS483H6327 NPN SMD transistors
на замовлення 2721 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.33 грн |
25+ | 33.64 грн |
87+ | 33.63 грн |
BGSX22G2A10E6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: RF switch
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Case: ATSLP-10-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 62.16 грн |
25+ | 57.00 грн |
BGT24MTR12E6327XUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
BGT24MTR12 Integrated circuits - others
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 769.40 грн |
4+ | 742.95 грн |
BGX50AE6327 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 0.14A
Power dissipation: 0.21W
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 50V; 0.14A; SOT143; 210mW; reel,tape
Mounting: SMD
Load current: 0.14A
Power dissipation: 0.21W
Max. off-state voltage: 50V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT143
Semiconductor structure: bridge rectifier
Features of semiconductor devices: fast switching
Type of diode: switching
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2561 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 12.38 грн |
100+ | 10.56 грн |
143+ | 7.89 грн |
391+ | 7.41 грн |
3000+ | 7.22 грн |
BSC028N06NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 193.37 грн |
10+ | 130.23 грн |
11+ | 101.66 грн |
31+ | 95.96 грн |
250+ | 92.16 грн |
BSC030P03NS3GAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -100A; 125W; PG-TDSON-8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -100A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 163.70 грн |
3+ | 145.03 грн |
5+ | 132.06 грн |
10+ | 117.81 грн |
16+ | 72.20 грн |
43+ | 67.45 грн |
1000+ | 65.55 грн |
BSC032N04LSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 109.48 грн |
5+ | 87.81 грн |
10+ | 75.05 грн |
18+ | 65.55 грн |
48+ | 61.75 грн |
BSC080N03MSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.16 грн |
10+ | 37.19 грн |
39+ | 28.79 грн |
107+ | 27.17 грн |
1000+ | 26.51 грн |
5000+ | 26.13 грн |
BSC0902NSIATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.85 грн |
5+ | 67.88 грн |
10+ | 59.28 грн |
23+ | 50.26 грн |
50+ | 45.70 грн |
BSC0906NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 30W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.43 грн |
8+ | 41.24 грн |
25+ | 30.59 грн |
41+ | 27.55 грн |
50+ | 27.46 грн |
100+ | 25.08 грн |
BSC0909NSATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 34V; 44A; 27W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 34V
Drain current: 44A
Power dissipation: 27W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 70.60 грн |
10+ | 49.63 грн |
54+ | 21.00 грн |
147+ | 19.86 грн |
1000+ | 19.00 грн |
BSC093N04LSGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; 35W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 54.23 грн |
10+ | 38.97 грн |
31+ | 37.15 грн |
50+ | 34.30 грн |
BSC100N06LS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 200A; 50W; PG-TDSON-8
Case: PG-TDSON-8
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 200A
Drain current: 36A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 50W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3457 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 105.38 грн |
10+ | 70.25 грн |
25+ | 59.19 грн |
40+ | 28.60 грн |
108+ | 27.08 грн |
BSC123N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.39 грн |
10+ | 47.75 грн |
25+ | 42.09 грн |
40+ | 28.12 грн |
110+ | 26.60 грн |
BSC190N15NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 142.22 грн |
BSC340N08NS3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 60.37 грн |
10+ | 47.65 грн |
51+ | 22.23 грн |
139+ | 21.00 грн |
5000+ | 20.24 грн |
BSD223PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.25W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.60 грн |
17+ | 17.96 грн |
50+ | 11.97 грн |
100+ | 10.17 грн |
156+ | 7.22 грн |
428+ | 6.75 грн |
1000+ | 6.56 грн |
BSD235CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.95/-0.53A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.95/-0.53A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.415/1.221Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.79 грн |
12+ | 26.24 грн |
14+ | 21.76 грн |
50+ | 14.82 грн |
100+ | 12.54 грн |
175+ | 6.46 грн |
478+ | 6.08 грн |
BSD235NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.95A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 0.95A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 554 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
19+ | 16.18 грн |
50+ | 12.83 грн |
100+ | 10.26 грн |
141+ | 7.89 грн |
389+ | 7.51 грн |
3000+ | 7.22 грн |
BSD840NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.88A; 0.5W; SOT363
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SOT363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.4Ω
Drain current: 0.88A
Power dissipation: 0.5W
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 24.56 грн |
17+ | 17.46 грн |
50+ | 11.78 грн |
100+ | 10.07 грн |
186+ | 5.99 грн |
510+ | 5.70 грн |
3000+ | 5.51 грн |
BSL207SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 58.32 грн |
10+ | 38.18 грн |
51+ | 21.95 грн |
140+ | 20.81 грн |
1000+ | 19.95 грн |
BSL215CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL215CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.09 грн |
48+ | 23.66 грн |
131+ | 22.33 грн |
BSL307SPH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.5A; 2W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5.5A
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.18 грн |
10+ | 37.00 грн |
77+ | 14.54 грн |
212+ | 13.78 грн |
6000+ | 13.59 грн |
BSL308CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL308CH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 67.22 грн |
65+ | 17.29 грн |
179+ | 16.34 грн |
BSL308PEH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
BSL308PEH6327XTSA1 Multi channel transistors
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 49.32 грн |
53+ | 21.28 грн |
145+ | 20.14 грн |
6000+ | 20.13 грн |
BSL316CH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.4/-1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 1.4/-1.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 38.88 грн |
13+ | 23.58 грн |
50+ | 16.25 грн |
60+ | 15.68 грн |
91+ | 12.26 грн |
250+ | 11.59 грн |
500+ | 11.50 грн |
BSL606SNH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
BSL606SNH6327XTSA1 SMD N channel transistors
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.69 грн |
58+ | 19.48 грн |
159+ | 18.34 грн |
BSO110N03MSGXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
On-state resistance: 11mΩ
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.43 грн |
10+ | 44.50 грн |
38+ | 29.36 грн |
105+ | 27.74 грн |
1000+ | 26.70 грн |
BSO207PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.30 грн |
25+ | 21.38 грн |
BSO211PHXUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 67mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.6W
Technology: OptiMOS™ P
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.67 грн |
12+ | 26.05 грн |
25+ | 23.18 грн |
53+ | 21.19 грн |
145+ | 20.05 грн |
BSP125H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 45Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 76.74 грн |
10+ | 46.96 грн |
36+ | 31.07 грн |
99+ | 29.36 грн |
200+ | 28.31 грн |
BSP129H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.18 грн |
10+ | 44.50 грн |
35+ | 32.49 грн |
95+ | 30.69 грн |
100+ | 30.21 грн |
200+ | 29.55 грн |
BSP135H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60Ω
Drain-source voltage: 600V
Case: SOT223
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 99.24 грн |
10+ | 69.56 грн |
28+ | 40.76 грн |
76+ | 38.57 грн |
1000+ | 37.05 грн |
BSP149H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.53A; Idm: 2.6A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.53A
On-state resistance: 3.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 2.6A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.66 грн |
10+ | 72.32 грн |
27+ | 42.75 грн |
72+ | 40.38 грн |
500+ | 38.86 грн |
BSP170PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 87.99 грн |
10+ | 56.83 грн |
50+ | 40.28 грн |
56+ | 20.24 грн |
152+ | 19.19 грн |
BSP171PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.06 грн |
10+ | 44.99 грн |
47+ | 24.13 грн |
128+ | 22.80 грн |
3000+ | 22.33 грн |
5000+ | 21.95 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 80.83 грн |
10+ | 57.52 грн |
42+ | 27.08 грн |
114+ | 25.56 грн |
1000+ | 24.61 грн |
BSP296NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.2A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 0.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 1.2A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 943 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 21.90 грн |
25+ | 19.95 грн |
50+ | 19.10 грн |
59+ | 18.91 грн |
100+ | 18.34 грн |
163+ | 17.86 грн |
BSP297H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.66A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Case: SOT223
On-state resistance: 1.8Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 0.66A
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 643 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 74.69 грн |
10+ | 55.45 грн |
25+ | 47.22 грн |
38+ | 29.36 грн |
105+ | 27.74 грн |
500+ | 26.89 грн |
1000+ | 26.70 грн |
BSP315PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.17A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.17A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 50.13 грн |
10+ | 34.23 грн |
50+ | 26.13 грн |
66+ | 17.01 грн |
181+ | 16.06 грн |
1000+ | 15.49 грн |
BSP316PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.68A; 1.8W; PG-SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.68A
Power dissipation: 1.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 37.86 грн |
11+ | 29.20 грн |
25+ | 25.65 грн |
50+ | 22.61 грн |
100+ | 22.42 грн |
136+ | 21.38 грн |
BSP317PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP317PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 92.29 грн |
46+ | 24.80 грн |
125+ | 23.47 грн |
BSP322PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
BSP322PH6327XTSA1 SMD P channel transistors
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 82.36 грн |
36+ | 31.26 грн |
99+ | 29.55 грн |
BSP324H6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0.17A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
On-state resistance: 25Ω
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 400V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 69.57 грн |
10+ | 50.71 грн |
37+ | 30.78 грн |
100+ | 29.17 грн |
200+ | 28.79 грн |
500+ | 28.03 грн |
BSP372NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 851 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 79.80 грн |
10+ | 51.99 грн |
44+ | 25.65 грн |
50+ | 25.56 грн |
120+ | 24.23 грн |
1000+ | 23.28 грн |
BSP373NH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.24Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
On-state resistance: 0.24Ω
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Drain current: 1.8A
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 111.52 грн |
6+ | 51.30 грн |
25+ | 44.84 грн |
33+ | 34.39 грн |
90+ | 32.49 грн |
5000+ | 32.02 грн |
BSP452 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 300.80 грн |
10+ | 116.42 грн |
28+ | 106.41 грн |
2000+ | 102.61 грн |
BSP613PH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.9A; 1.8W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 748 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.15 грн |
10+ | 68.67 грн |
21+ | 54.91 грн |
57+ | 51.87 грн |
100+ | 49.88 грн |
BSP742R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 242.48 грн |
10+ | 152.92 грн |
13+ | 88.36 грн |
35+ | 83.61 грн |
2500+ | 80.75 грн |
BSP742T |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 800mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.26Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 230.21 грн |
10+ | 144.04 грн |
12+ | 95.96 грн |
33+ | 90.26 грн |
500+ | 86.46 грн |
BSP752R |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 52V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 276.25 грн |
10+ | 175.61 грн |
11+ | 111.16 грн |
28+ | 104.51 грн |
1000+ | 100.71 грн |
BSP762T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP762T Power switches - integrated circuits
BSP762T Power switches - integrated circuits
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 317.17 грн |
10+ | 117.81 грн |
27+ | 111.16 грн |
BSP76E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: low-side
Kind of output: N-Channel
Case: PG-SOT223-4
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Output current: 1.4A
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.57 грн |
10+ | 79.91 грн |
17+ | 69.35 грн |
45+ | 65.55 грн |
100+ | 63.65 грн |
250+ | 62.70 грн |
BSP772T |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
BSP772T Power switches - integrated circuits
BSP772T Power switches - integrated circuits
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 341.73 грн |
8+ | 149.16 грн |
21+ | 140.61 грн |
BSP77E6433 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 2.17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 2.17A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 70mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3044 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.23 грн |
10+ | 144.04 грн |
15+ | 76.95 грн |
40+ | 73.15 грн |
2000+ | 70.30 грн |
BSP78 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 35mΩ
Output voltage: 42V
Technology: HITFET®
Kind of output: N-Channel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 248.62 грн |
10+ | 156.87 грн |
13+ | 91.21 грн |
34+ | 86.46 грн |
1000+ | 84.56 грн |
2000+ | 83.61 грн |