Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 198 з 2080

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
BF799E6327HTSA1 BF799E6327HTSA1 Infineon Technologies BF799.pdf Description: RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN18E6327HTSA1 BFN18E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn18.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b188060234 Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN27E6327HTSA1 BFN27E6327HTSA1 Infineon Technologies bfn27.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c2ee1c0239 Description: TRANS PNP 300V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 BFP193WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 33262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
24+12.61 грн
27+11.19 грн
100+9.03 грн
250+8.32 грн
500+7.89 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327XTSA1 BFP196WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfp196w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628 Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
на замовлення 18934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.37 грн
24+12.91 грн
27+11.46 грн
100+9.23 грн
250+8.50 грн
500+8.07 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP405_Rev2013.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 40623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
14+22.24 грн
25+19.82 грн
100+16.16 грн
250+14.98 грн
500+14.28 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420H6327XTSA1 Infineon Technologies BFP420_Rev2013.pdf Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ 19S E6327 BFQ 19S E6327 Infineon Technologies bfq19s.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630 Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 11.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Supplier Device Package: PG-SOT89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327HTSA1 BFR106E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr106.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142686f2030637 Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~ 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
19+16.19 грн
25+14.36 грн
100+11.58 грн
250+10.68 грн
500+10.14 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 BFR183E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 10379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 BFR360FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920 Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 41942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327HTSA1 BFR93AE6327HTSA1 Infineon Technologies bfr93a.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142702189806ae Description: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB ~ 14.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 90mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 6GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 32320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA427H6327XTSA1 BGA427H6327XTSA1 Infineon Technologies bga427.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418dca4d1638 Description: IC RF AMP GPS 0HZ-3GHZ SOT343-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 0Hz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2V ~ 5V
Gain: 18.5dB
Current - Supply: 25mA
Noise Figure: 2.2dB
Test Frequency: 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.67 грн
10+49.62 грн
25+46.77 грн
100+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc010ne2ls-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS G BSC014N03MS G Infineon Technologies BSC014N03MSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304319c6f18c011a38f5a96704e8 Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS G BSC016N03LS G Infineon Technologies BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 BSC018N04LSGATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 17582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.69 грн
10+69.77 грн
100+46.54 грн
500+34.32 грн
1000+31.31 грн
2000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LSATMA1 Infineon Technologies BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40 Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+68.28 грн
100+45.65 грн
500+33.72 грн
1000+30.79 грн
2000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 13783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.84 грн
10+62.98 грн
100+41.97 грн
500+30.92 грн
1000+28.19 грн
2000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23 Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 19542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+54.25 грн
100+35.89 грн
500+26.28 грн
1000+23.90 грн
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3GAUMA1 Infineon Technologies BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435 Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.90 грн
10+129.24 грн
100+89.05 грн
500+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817 Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 43439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.04 грн
10+47.46 грн
100+31.09 грн
500+22.56 грн
1000+20.43 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611 Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 19827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.45 грн
10+109.92 грн
100+75.05 грн
500+56.44 грн
1000+51.94 грн
2000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 41263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
10+41.41 грн
100+26.94 грн
500+19.44 грн
1000+17.56 грн
2000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 Infineon Technologies BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+39.10 грн
100+25.34 грн
500+18.20 грн
1000+16.40 грн
2000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 Infineon Technologies BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7 Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 32453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.49 грн
10+46.49 грн
100+30.42 грн
500+22.05 грн
1000+19.96 грн
2000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP50E6327HTSA1 BSP50E6327HTSA1 Infineon Technologies bsp50_bsp51_bsp52.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445dd10f90189&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bsp50_bsp51_bsp52.pdf Description: TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTM7752GXUMA1 BTM7752GXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTM7752G-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30432e1525b3012e24c6ed042357&ack=t Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-28V 36DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 12A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-36
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117TCBUMA1 BTS117TCBUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS117TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043242ebc9e01242f3d87500018&ack=t Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133TCBUMA1 BTS133TCBUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS133TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b434dac161e7&fileId=db3a3043242ebc9e01242f40dc3f002b&ack=t Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS141TCBUMA1 BTS141TCBUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS141TC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aaddd813f4c35 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS142DATMA1 BTS142DATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS142D-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa33550fb0fb2 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 23mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.86 грн
10+113.42 грн
25+103.60 грн
100+87.02 грн
250+82.16 грн
500+79.23 грн
1000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500551TMCATMA1 BTS500551TMCATMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS50055-1TMC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0007235e9 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO220-7
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 4.4mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 70A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO220-7-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50202EKAXUMA2 BTS50202EKAXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BTS5020-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd0f4f75c8 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 10213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.62 грн
10+182.30 грн
25+167.12 грн
100+141.11 грн
250+133.62 грн
500+129.10 грн
1000+123.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50452EKAXUMA1 BTS50452EKAXUMA1 Infineon Technologies Infineon-BTS5045-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa4113e5d1075 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+134.69 грн
25+122.97 грн
100+103.30 грн
250+97.53 грн
500+94.05 грн
1000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6142DAUMA1 BTS6142DAUMA1 Infineon Technologies infineon-bts6142d-ds-en.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3da1e0e1026 Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 38V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 33A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.60 грн
10+142.23 грн
25+130.17 грн
100+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3U4ULCE6327XTSA1 ESD3V3U4ULCE6327XTSA1 Infineon Technologies ESD3V3U4ULC.pdf Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSLP-9-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet, HDMI
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-9-1
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01GXUMA1 Infineon Technologies infineon-ice2pcs01-datasheet-en.pdf Description: IC PFC CTRLR CCM 315KHZ 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 50kHz ~ 315kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.62 грн
10+50.67 грн
25+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04S60CBUMA1 IDD04S60CBUMA1 Infineon Technologies IDD04S60C.pdf Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPB016N06L3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e261543e54693 Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.45 грн
10+248.64 грн
100+177.87 грн
500+150.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.50 грн
10+287.74 грн
100+217.11 грн
500+198.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3GATMA1 Infineon Technologies IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.58 грн
10+245.80 грн
100+175.87 грн
500+148.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 Infineon Technologies IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+428.52 грн
10+276.40 грн
100+198.95 грн
500+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPB072N15N3GATMA1 Infineon Technologies IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+395.98 грн
10+252.96 грн
100+179.72 грн
500+139.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CPATMA1 Infineon Technologies IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.86 грн
10+195.51 грн
100+138.58 грн
500+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CPATMA1 Infineon Technologies IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.46 грн
10+186.63 грн
100+131.79 грн
500+113.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.93 грн
10+243.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 Infineon Technologies IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02 Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 53252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.68 грн
10+129.54 грн
100+89.29 грн
500+67.63 грн
1000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGBTMA1 IPD036N04LGBTMA1 Infineon Technologies IPD036N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5 Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGBUMA1 IPD25CN10NGBUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP26CN10N-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b420244aa Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2-15 IPD30N06S2-15 Infineon Technologies IPD30N06S2-15_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433e70a5e0a Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13 IPD30N06S2L-13 Infineon Technologies Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.86 грн
10+71.56 грн
100+60.02 грн
500+53.46 грн
1000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGBUMA1 IPD78CN10NGBUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CPAUMA1 Infineon Technologies IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.99 грн
10+192.00 грн
100+135.29 грн
500+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1FUMA1 ITS711L1FUMA1 Infineon Technologies ITS711L1_DS13.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30432239cccd0122e560bae03c62&ack=t Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-31
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.08 грн
10+247.22 грн
25+227.77 грн
100+193.66 грн
250+184.08 грн
500+178.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KP235XTMA1 KP235XTMA1 Infineon Technologies KP235_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af67ba47c0b0f Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8-16
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Operating Pressure: 5.8PSI ~ 16.68PSI (40kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.348PSI (±2.4kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.03 грн
5+303.56 грн
10+290.65 грн
25+258.43 грн
50+248.62 грн
100+239.62 грн
500+217.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C167CRL33MHAKXQLA1 C167CRL33MHAKXQLA1 Infineon Technologies Infineon-C167CR-DS-v03_03-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b41daf9f30b4&ack=t Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 33MHz
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 16x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 SMBTA06UPNE6327HTSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: TRANS NPN/PNP 80V 500MA PG-SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N20 G SPD07N20 G Infineon Technologies spd07n20_Rev+2.4.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a809773886508&fileId=db3a30431f848401011fc73c3e60796a Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO252
на замовлення 11517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BF799E6327HTSA1 BF799.pdf
BF799E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 280mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN18E6327HTSA1 bfn18.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449b188060234
BFN18E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN 300V 0.2A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: PG-SOT89
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFN27E6327HTSA1 bfn27.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011449af3ad90232&fileId=db3a30431441fb5d011449c2ee1c0239
BFN27E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 300V 0.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193WH6327XTSA1 bfp193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142678c81e061f
BFP193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13.5dB ~ 20.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 33262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
24+12.61 грн
27+11.19 грн
100+9.03 грн
250+8.32 грн
500+7.89 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327XTSA1 bfp196w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef680114267ecec60628
BFP196WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V
Frequency - Transition: 7.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-4-1
Part Status: Active
на замовлення 18934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.37 грн
24+12.91 грн
27+11.46 грн
100+9.23 грн
250+8.50 грн
500+8.07 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405_Rev2013.pdf
BFP405H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 23dB
Power - Max: 75mW
Current - Collector (Ic) (Max): 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
на замовлення 40623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
14+22.24 грн
25+19.82 грн
100+16.16 грн
250+14.98 грн
500+14.28 грн
1000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFP420H6327XTSA1 BFP420_Rev2013.pdf
BFP420H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 5V 25GHZ PG-SOT-343
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 21dB
Power - Max: 160mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 4V
Frequency - Transition: 25GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFQ 19S E6327 bfq19s.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142683f6870630
BFQ 19S E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ PG-SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 7dB ~ 11.5dB
Power - Max: 1W
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5.5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Supplier Device Package: PG-SOT89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327HTSA1 bfr106.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142686f2030637
BFR106E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 15V 5GHZ PG SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8.5dB ~ 13dB
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 210mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V
Frequency - Transition: 5GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
19+16.19 грн
25+14.36 грн
100+11.58 грн
250+10.68 грн
500+10.14 грн
1000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR183E6327HTSA1 bfr183.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426a1b8f80656
BFR183E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17.5dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 65mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 10379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR360FH6327XTSA1 Infineon-BFP540ESD-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c01690f0382ea3920
BFR360FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 9V 14GHZ PG-TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 15.5dB
Power - Max: 210mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 9V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 15mA, 3V
Frequency - Transition: 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB @ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 41942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BFR93AE6327HTSA1 bfr93a.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142702189806ae
BFR93AE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 9.5dB ~ 14.5dB
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 90mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 6GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 32320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.92 грн
22+14.03 грн
25+12.48 грн
100+10.06 грн
250+9.29 грн
500+8.82 грн
1000+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGA427H6327XTSA1 bga427.pdf?folderId=db3a30431441fb5d0114b654e6581730&fileId=db3a304314dca3890115418dca4d1638
BGA427H6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF AMP GPS 0HZ-3GHZ SOT343-3D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 0Hz ~ 3GHz
RF Type: General Purpose
Voltage - Supply: 2V ~ 5V
Gain: 18.5dB
Current - Supply: 25mA
Noise Figure: 2.2dB
Test Frequency: 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT343-3D
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.67 грн
10+49.62 грн
25+46.77 грн
100+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC010NE2LSATMA1 infineon-bsc010ne2ls-datasheet-en.pdf
BSC010NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N03MS G BSC014N03MSG_rev1.2.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304319c6f18c011a38f5a96704e8
BSC014N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N03LS G BSC016N03LS_rev1.28.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42761a13c1b
BSC016N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018N04LSGATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSC018N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 17582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.69 грн
10+69.77 грн
100+46.54 грн
500+34.32 грн
1000+31.31 грн
2000+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC018NE2LSATMA1 BSC018NE2LS_Rev+2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432c64a60d012ca6b7736b2f40
BSC018NE2LSATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 12 V
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.59 грн
10+68.28 грн
100+45.65 грн
500+33.72 грн
1000+30.79 грн
2000+30.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 13783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+103.84 грн
10+62.98 грн
100+41.97 грн
500+30.92 грн
1000+28.19 грн
2000+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03LS_rev1.25.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42766953c23
BSC030N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 15 V
на замовлення 19542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
10+54.25 грн
100+35.89 грн
500+26.28 грн
1000+23.90 грн
2000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC030P03NS3GAUMA1 BSC030P03NS3+G_2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30431d8a6b3c011d90d084910435
BSC030P03NS3GAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 345µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 15 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.90 грн
10+129.24 грн
100+89.05 грн
500+67.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC035N04LSGATMA1 BSC035N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4388f820817
BSC035N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 21A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 36µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 20 V
на замовлення 43439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.04 грн
10+47.46 грн
100+31.09 грн
500+22.56 грн
1000+20.43 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3G_rev2.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a30431add1d95011ae7e8dacf5611
BSC047N08NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 40 V
на замовлення 19827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+177.45 грн
10+109.92 грн
100+75.05 грн
500+56.44 грн
1000+51.94 грн
2000+51.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4440ee3081c
BSC050N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 27µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 20 V
на замовлення 41263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.97 грн
10+41.41 грн
100+26.94 грн
500+19.44 грн
1000+17.56 грн
2000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG_rev1.02.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c4481e4b081f
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 23µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
на замовлення 3702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.09 грн
10+39.10 грн
100+25.34 грн
500+18.20 грн
1000+16.40 грн
2000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC076N06NS3GATMA1 BSC076N06NS3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb04d68c7fc7
BSC076N06NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 30 V
на замовлення 32453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+77.49 грн
10+46.49 грн
100+30.42 грн
500+22.05 грн
1000+19.96 грн
2000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP50E6327HTSA1 bsp50_bsp51_bsp52.pdf?folderId=db3a30431441fb5d011445c30f210183&fileId=db3a30431441fb5d011445dd10f90189&location=.en.product.findProductTypeByName.html_dgdl_bsp50_bsp51_bsp52.pdf
BSP50E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN DARL 45V 1A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTM7752GXUMA1 Infineon-BTM7752G-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730116144c5d101c30&fileId=db3a30432e1525b3012e24c6ed042357&ack=t
BTM7752GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MOTOR DRIVER 5.5V-28V 36DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Function: Driver - Fully Integrated, Control and Power Stage
Current - Output: 12A
Interface: Parallel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge (2)
Voltage - Supply: 5.5V ~ 28V
Applications: General Purpose
Technology: Power MOSFET
Voltage - Load: 5.5V ~ 28V
Supplier Device Package: PG-DSO-36
Motor Type - AC, DC: Brushed DC
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS117TCBUMA1 Infineon-BTS117TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043242ebc9e01242f3d87500018&ack=t
BTS117TCBUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS133TCBUMA1 Infineon-BTS133TC-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b434dac161e7&fileId=db3a3043242ebc9e01242f40dc3f002b&ack=t
BTS133TCBUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS141TCBUMA1 Infineon-BTS141TC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aaddd813f4c35
BTS141TCBUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 25mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 60V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 12A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS142DATMA1 Infineon-BTS142D-DS-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa33550fb0fb2
BTS142DATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-3
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Rds On (Typ): 23mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 42V (Max)
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 4.6A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 3901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.86 грн
10+113.42 грн
25+103.60 грн
100+87.02 грн
250+82.16 грн
500+79.23 грн
1000+75.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS500551TMCATMA1 Infineon-BTS50055-1TMC-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa9b0007235e9
BTS500551TMCATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO220-7
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 4.4mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 70A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO220-7-4
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50202EKAXUMA2 Infineon-BTS5020-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a84fd0f4f75c8
BTS50202EKAXUMA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 40mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 10213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.62 грн
10+182.30 грн
25+167.12 грн
100+141.11 грн
250+133.62 грн
500+129.10 грн
1000+123.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50452EKAXUMA1 Infineon-BTS5045-2EKA-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa4113e5d1075
BTS50452EKAXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-14
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 2
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 85mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 8V ~ 18V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-14-40-EP
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+134.69 грн
25+122.97 грн
100+103.30 грн
250+97.53 грн
500+94.05 грн
1000+89.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6142DAUMA1 infineon-bts6142d-ds-en.pdf?fileId=5546d4625a888733015aa3da1e0e1026
BTS6142DAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 TO252-5
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 10mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5.5V ~ 38V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 33A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5-11
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+197.60 грн
10+142.23 грн
25+130.17 грн
100+109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD3V3U4ULCE6327XTSA1 ESD3V3U4ULC.pdf
ESD3V3U4ULCE6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC TSLP-9-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet, HDMI
Capacitance @ Frequency: 0.4pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: PG-TSLP-9-1
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V (Typ)
Power Line Protection: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 infineon-ice2pcs01-datasheet-en.pdf
ICE2PCS01GXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PFC CTRLR CCM 315KHZ 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Voltage - Supply: 11V ~ 25V
Frequency - Switching: 50kHz ~ 315kHz
Mode: Continuous Conduction (CCM)
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
Current - Startup: 450 µA
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.62 грн
10+50.67 грн
25+45.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDD04S60CBUMA1 IDD04S60C.pdf
IDD04S60CBUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SIC 600V 5.6A TO252-31
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5.6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB016N06L3GATMA1 IPB016N06L3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e261543e54693
IPB016N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 196µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 30 V
на замовлення 5465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+387.45 грн
10+248.64 грн
100+177.87 грн
500+150.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3GATMA1 IPB019N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae87fdf90569f
IPB019N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 5531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+435.50 грн
10+287.74 грн
100+217.11 грн
500+198.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
IPB025N08N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
на замовлення 8019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+383.58 грн
10+245.80 грн
100+175.87 грн
500+148.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ed9348e15ef
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 9710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+428.52 грн
10+276.40 грн
100+198.95 грн
500+171.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
IPB072N15N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5470 pF @ 75 V
на замовлення 14156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+395.98 грн
10+252.96 грн
100+179.72 грн
500+139.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB50R140CPATMA1 IPB50R140CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d4eb4484f
IPB50R140CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.86 грн
10+195.51 грн
100+138.58 грн
500+120.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB60R199CPATMA1 IPB60R199CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e76a449cf
IPB60R199CPATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.46 грн
10+186.63 грн
100+131.79 грн
500+113.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon-IPP_B80N08S2L_07_GREEN-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426e2333ae3&ack=t
IPB80N08S2L07ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.93 грн
10+243.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2a9f6a9d4d02
IPD031N06L3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 53252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.68 грн
10+129.54 грн
100+89.29 грн
500+67.63 грн
1000+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD036N04LGBTMA1 IPD036N04L_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a6011643476a6505a5
IPD036N04LGBTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25CN10NGBUMA1 Infineon-IPP26CN10N-DS-v01_09-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b420244aa
IPD25CN10NGBUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2-15 IPD30N06S2-15_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433e70a5e0a
IPD30N06S2-15
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N06S2L-13 Infineon-IPD30N06S2L_13-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65&ack=t
IPD30N06S2L-13
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon-IPD30N08S2L_21-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b426f6a33b23&ack=t
IPD30N08S2L21ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.86 грн
10+71.56 грн
100+60.02 грн
500+53.46 грн
1000+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD78CN10NGBUMA1 Infineon-IPP80CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42c2aaf468d
IPD78CN10NGBUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R199CPAUMA1 IPL60R199CP_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043284aacd801284dca135b29ba
IPL60R199CPAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 16.4A 4VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-VSON-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 100 V
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.99 грн
10+192.00 грн
100+135.29 грн
500+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS711L1FUMA1 ITS711L1_DS13.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a30432239cccd0122e560bae03c62&ack=t
ITS711L1FUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20
Features: Auto Restart, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 165mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 5V ~ 34V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.7A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-DSO-20-31
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
Part Status: Active
на замовлення 4988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.08 грн
10+247.22 грн
25+227.77 грн
100+193.66 грн
250+184.08 грн
500+178.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
KP235XTMA1 KP235_DS_Rev_1.0.pdf?folderId=db3a30431d8a6b3c011dd8fc5a954267&fileId=db3a30432ad629a6012af67ba47c0b0f
KP235XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR 16.68PSIA 4.5V DSOF8-16
Features: Amplified Output, Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD Module
Output Type: Analog Voltage
Mounting Type: Surface Mount
Output: 0.5 V ~ 4.5 V
Operating Pressure: 5.8PSI ~ 16.68PSI (40kPa ~ 115kPa)
Pressure Type: Absolute
Accuracy: ±0.348PSI (±2.4kPa)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Termination Style: SMD (SMT) Tab
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Applications: Board Mount
Port Style: No Port
Maximum Pressure: 21.76PSI (150kPa)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 7949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+351.03 грн
5+303.56 грн
10+290.65 грн
25+258.43 грн
50+248.62 грн
100+239.62 грн
500+217.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C167CRL33MHAKXQLA1 Infineon-C167CR-DS-v03_03-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304412b407950112b41daf9f30b4&ack=t
C167CRL33MHAKXQLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16BIT ROMLESS 144MQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 144-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 33MHz
RAM Size: 4K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: ROMless
Core Processor: C166
Data Converters: A/D 16x10b
Core Size: 16-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, SPI, UART/USART
Peripherals: POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: P-MQFP-144-8
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Number of I/O: 111
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA06UPNE6327HTSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS NPN/PNP 80V 500MA PG-SC74
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 330mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD07N20 G spd07n20_Rev+2.4.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a809773886508&fileId=db3a30431f848401011fc73c3e60796a
SPD07N20 G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 7A TO252
на замовлення 11517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080  [ Наступна Сторінка >> ]